JP2022022448A - ひずみゲージ - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図2は、第1の実施の形態に係るひずみゲージにおいて抵抗部31のパターンを例示する平面図である。図3は、第1の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図1及び図2のA-A線に沿う断面を示している。図1~図3を参照するに、ひずみゲージ1は、基材10と、絶縁層11と、抵抗体30(抵抗部31及び32)と、端子部41とを有している。
第1の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態とは抵抗部のパターンが異なるひずみゲージの例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
第1の実施の形態の変形例2では、第1の実施の形態とは積層構造が異なるひずみゲージの例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
Claims (9)
- 可撓性を有する基材と、
クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、を有し、
前記抵抗体は、前記基材の一方の側に形成された第1抵抗部と、
前記基材の一方の側に前記第1抵抗部を被覆して設けられた絶縁層上に形成された第2抵抗部と、
一対の端子部と、を含み、
前記第1抵抗部と前記第2抵抗部とは、前記絶縁層に設けられたビアホールを介して各々の前記端子部の間を接続するように直列に接続された1つの受感部であるひずみゲージ。 - 可撓性を有する基材と、
クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、を有し、
前記抵抗体は、前記基材の一方の側に形成された第1抵抗部と、前記基材の他方の側に形成された第2抵抗部と、
一対の端子部と、を含み、
前記第1抵抗部と前記第2抵抗部とは、前記基材に設けられたビアホールを介して各々の前記端子部の間を接続するように直列に接続された1つの受感部であるひずみゲージ。 - 前記第1抵抗部と前記第2抵抗部とが直列に接続されてコイル構造を形成している請求項1又は2に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、アルファクロムを主成分とする請求項1乃至3の何れか一項に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、アルファクロムを80重量%以上含む請求項4に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体は、Cr、CrN、及びCr2Nを含む膜から形成されている請求項1乃至5の何れか一項に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体の下層に、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層を有する請求項1乃至6の何れか一項に記載のひずみゲージ。
- 前記機能層は、前記抵抗体の結晶成長を促進する機能を有する請求項7に記載のひずみゲージ。
- 前記抵抗体に含まれる抵抗部のうち最外層となる抵抗部を被覆する絶縁樹脂層を有する請求項1乃至8の何れか一項に記載のひずみゲージ。
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