DE102017209173A1 - Polykristallines Material mit geringer mechanischer Verspannung; Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials - Google Patents

Polykristallines Material mit geringer mechanischer Verspannung; Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials Download PDF

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Jochen Beintner
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Abstract

Vorgeschlagen wird ein Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung, wobei das polykristalline Material (5) eine oder mehrere Schichten eines ersten Typs (1) und eine oder mehrere Schichten eines zweiten Typs (2) umfasst, wobei die Schichten des ersten Typs (1) und die Schichten des zweiten Typs (2) jeweils mindestens eine polykristalline Materialkomponente aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten des ersten Typs (1) eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße aufweisen als die Schichten des zweiten Typs (2), wobei in abwechselnder Abfolge eine Schicht des ersten Typs (1) und eine Schicht des zweiten Typs (2) zumindest teilweise übereinander angeordnet sind und wobei der Übergang zwischen den Schichten des ersten Typs (1) und den Schichten des zweiten Typs (2) abrupt oder kontinuierlich sein kann.

Description

  • Stand der Technik
  • Die vorliegende Erfindung geht aus von einem polykristallinen Material gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Die vorliegende Erfindung geht ferner aus von einem Verfahren zur Erzeugung eines polykristallinen Materials.
  • Beim Wachstum polykristalliner Schichten (insbesondere beim epitaktischen Wachstum) werden typischerweise Kristallite mit unterschiedlicher Wachstumsvorzugsrichtung und zunehmender Größe in Abhängigkeit von der gewachsenen Schichtdicke erzeugt. Die Kristallkorngröße der Schicht wird also größer, je höher die Schicht gewachsen wird.
  • Nachteilig bei solchen polykristallinen Schichten ist, dass sie dadurch häufig hohe mechanische Verspannungen (bzw. einen hohen Schichtstress) aufweisen, insbesondere bei steigender bzw. großer Schichtdicke. Solche mechanischen Verspannungen innerhalb der Schicht sind nachteilig beim späteren Prozessieren der Schichten. Werden derlei Schichten beispielsweise in späteren Prozessschritten strukturiert, kann sich die lokale (mechanische) Spannungsverteilung teilweise stark ändern. Dadurch können beispielsweise ungünstige Vorlauslenkungen bei prozessierten Bauteilen entstehen, falls aus der verspannten Schicht unterätzte Strukturen, z.B. frei bewegliche MEMS-Elemente, gefertigt werden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, polykristalline Materialien mit, im Vergleich zum Stand der Technik, geringen mechanischen Verspannungen bereitzustellen.
  • Das erfindungsgemäße polykristallines Material mit geringer mechanischer Verspannung und das Verfahren zur Erzeugung eines polykristallinen Materials gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass die mechanischen Verspannungen innerhalb des polykristallinen Materials vergleichsweise gering sind.
  • Es ist erfindungsgemäß dadurch insbesondere möglich, dass die durchschnittliche Kristallkorngröße (bzw. Korngröße) innerhalb der Schichten des ersten Typs kleiner ist als innerhalb der Schichten des zweiten Typs, bzw. dass die Kristallite innerhalb der Schichten des ersten Typs eine kleinere durchschnittliche räumliche Ausdehnung (bzw. räumliche Ausmaße) aufweisen als die Kristallite innerhalb der Schichten des zweiten Typs. Erfindungsgemäß ist es demnach möglich, dass es sich bei den Schichten des ersten Typs und bei den Schichten des zweiten Typs um aus mindestens einer (oder genau einer) polykristallinen Materialkomponente bestehende Schichten handelt. Erfindungsgemäß ist es dadurch beispielsweise möglich, vergleichsweise dünne Schichten mit vergleichsweise sehr geringen mechanischen Verspannungen bereitzustellen, oder aber vergleichsweise dicke polykristalline Materialien (Schichten) mit, für die Dicke des Materials, vergleichsweise geringen mechanischen Spannungen (Verspannungen) innerhalb des polykristallinen Materials und der einzelnen Schichten (Schichten des ersten Typs und Schichten des zweiten Typs) des polykristallinen Materials bereitzustellen. Dadurch ist es erfindungsgemäß in vorteilhafterweise möglich, polykristalline Materialien bereitzustellen und zu erzeugen, die in vorteilhafter Weise für die (spätere) Erzeugung/Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mikroelektromechanischen System oder mikromechanischen Systemen etc. verwendet werden können.
  • Dadurch, dass in abwechselnder Abfolge eine Schicht des ersten Typs und eine Schicht des zweiten Typs zumindest teilweise übereinander angeordnet sind, ist es in vorteilhafter Weise möglich, polykristalline Materialien mit vergleichsweise geringen mechanischen Spannungen (Verspannungen) innerhalb des polykristallinen Materials und der einzelnen Schichten (Schichten des ersten Typs und Schichten des zweiten Typs) des polykristallinen Materials bereitzustellen, beispielsweise bei vergleichsweise hoher Dicke des polykristallinen Materials.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen zu entnehmen.
  • Dadurch, dass das polykristalline Material eine Vielzahl von Schichten des ersten Typs und eine Vielzahl von Schichten des zweiten Typs umfasst, wobei insbesondere jeweils eine Schicht des ersten Typs und eine Schicht des zweiten Typs in abwechselnder Abfolge übereinander angeordnet sind, ist es gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise möglich, dass das polykristalline Material eine hohe Dicke aufweist, wobei die mechanischen Verspannungen innerhalb des polykristallinen Materials dennoch vergleichsweise gering gehalten werden.
  • Dadurch, dass das Mittel zur Abscheidung und/oder zum Aufwachsen mindestens eine Kammer aufweist, wobei die Abscheidung und/oder das Aufwachsen der Schichten des ersten Typs und der Schichten des zweiten Typs in der Kammer stattfindet, wobei mindestens ein Ausgangsgas zum Aufwachsen und/oder Abscheiden der Schichten des ersten Typs und/oder der Schichten des zweiten Typs verwendet wird, wobei das Mittel zur Abscheidung und/oder zum Aufwachsen insbesondere eine Epitaxie-Anlage umfasst, ist es gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise möglich, dass das polykristalline Material in einer einzelnen Kammer bzw. in einer einzelnen Anlage aufgetragen bzw. (epitaktisch) aufgewachsen wird, wodurch die Erzeugung einfach und kostensparend ausgeführt werden kann. Es ist jedoch gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ebenso möglich, dass die Schichten des ersten Typs und die Schichten des zweiten Typs in unterschiedlichen Kammern (bzw. teilweise in unterschiedlichen Anlagen) aufgewachsen werden.
  • Dadurch, dass während des Abscheidens und/oder während des Aufwachsens der Schichten des ersten Typs eine andere Temperatur in der Kammer vorherrscht als während des Abscheidens und/oder während des Aufwachsens der Schichten des zweiten Typs, ist es gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise möglich, dass die Kristallkorngröße (Korngröße) der Kristallite der Schichten des ersten Typs kleiner ist als die Kristallkorngröße (Korngröße) der Kristallite der Schichten des zweiten Typs. Ebenso, ist es hierdurch in vorteilhafterweise möglich, die Kristallkorngröße der Schichten des ersten Typs und der Schichten des zweiten Typs vergleichsweise genau festzulegen, indem die Temperatur während des Wachstums der Schichten des ersten Typs und der Schichten des zweiten Typs festgelegt/eingestellt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die durchschnittlichen Kristallkorngrößen unterschiedlicher Schichten des ersten Typs unterschiedlich sind. Es ist beispielsweise möglich, dass die eine Schicht des ersten Typs und die zweite Schicht des ersten Typs (oder einige oder alle der Vielzahl der Schichten des ersten Typs) eine unterschiedliche Kristallkorngröße aufweisen. Ebenso ist es möglich, dass die durchschnittlichen Kristallkorngrößen unterschiedlicher Schichten des zweiten Typs unterschiedlich sind. Es ist beispielsweise möglich, dass die eine Schicht des zweiten Typs und die zweite Schicht des zweiten Typs (oder einige oder alle der Vielzahl der Schichten des zweiten Typs) eine unterschiedliche Kristallkorngröße aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Schichten des ersten Typs (eine, zumindest annähernd, gleiche durchschnittliche Kristallkorngröße aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Schichten des zweiten Typs eine, zumindest annähernd, gleiche durchschnittliche Kristallkorngröße aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Vielzahl von Schichten des ersten Typs drei, bevorzugt vier, weiter bevorzugt fünf oder mehr Schichten des ersten Typs umfasst.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Vielzahl von Schichten des zweiten Typs drei, bevorzugt vier, weiter bevorzugt fünf oder mehr Schichten des zweiten Typs umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist dass zwischen benachbarten Schichten des ersten Typs und des zweiten Typs, die zumindest teilweise übereinander angeordnet sind, zumindest eine Schicht (oder auch eine Vielzahl von Schichten) eines dritten Typs angeordnet ist. Die Schichten des dritten Typs können beispielsweise eine weitere (durchschnittliche) Kristallkorngröße aufweisen, die kleiner als die durchschnittliche Kristallkorngröße der Schichten des zweiten Typs ist, aber größer als die durchschnittliche Kristallkorngröße des ersten Typs. Ebenso ist es möglich, dass die Schichten des dritten Typs beispielsweise eine andere Materialkomposition aufweisen als die Schichten des ersten Typs und des zweiten Typs.
  • Figurenliste
    • 1 zeigt schematisch eine Querschnittsdarstellung von einem polykristallinen Material gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
    • 2 zeigt schematisch eine Querschnittsdarstellung von einem polykristallinen Material gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
    • 3 zeigt schematisch eine Querschnittsdarstellung von einem polykristallinen Material gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
    • 4 zeigt schematisch eine Querschnittsdarstellung von einem polykristallinen Material gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
    • 5 zeigt schematisch eine Querschnittsdarstellung von einem polykristallinen Material gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In 1 ist ein polykristallines Material 5 mit geringer mechanischer Verspannung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Das polykristalline Material 5 ist dabei auf einer Trennschicht 7 angeordnet. Die Trennschicht 7 kann beispielsweise Siliziumoxide aufweisen oder aus diesen bestehen. Es ist ebenso möglich, dass die Trennschicht 7 andere Materialkomponenten, beispielsweise Nitride, LNO, etc. aufweist oder aus zumindest einer dieser Komponenten besteht. Es ist ebenso möglich, dass die Trennschicht 7 aus einer Kombinationen solcher Materialkomponenten zusammengesetzt ist.
  • Das polykristalline Material 5 weist eine Schicht eines ersten Typs 1 und eine Schicht eines zweiten Typs 2 sowie eine zweite Schicht des zweiten Typs 2 auf. Die Anordnung der Schichten des polykristallinen Materials 5 ist dabei auf der Trennschicht 7 angeordnet, wobei die Trennschicht 7 an einer Oberseite des Substrats 6 ausgebildet ist. Oberhalb der Schicht des zweiten Typs 2 (und in der dargestellten Ausführungsform in direktem Kontakt zu der Schicht des zweiten Typs 2) ist eine Schicht des ersten Typs 1 angeordnet. Oberhalb der Schicht des ersten Typs 1 (und in der dargestellten Ausführungsform in direktem Kontakt zu der Schicht des ersten Typs 1) ist eine zweite Schicht des zweiten Typs 2 angeordnet. Die Schichten des ersten Typs 1 weisen eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße (Korngröße) auf, als die Schichten des zweiten Typs 2.
  • Es ist gemäß weiterer Ausführungsformen des erfindungsgemäßen polykristallinen Materials ebenso möglich, dass zwischen einer Schicht des ersten Typs 1 und einer Schicht des zweiten Typs 2 eine Schicht (oder eine Vielzahl von Schichten) eines dritten Typs (die beispielsweise eine andere Materialkomponente aufweist als die Schichten des ersten Typs 1 und des zweiten Typs 2 oder auch die gleichen Materialkomponenten wie die Schichten des ersten Typs 1 und des zweiten Typs 2 und eine durchschnittliche Kristallkorngröße, die kleiner als die durchschnittliche Kristallkorngröße der Schichten des zweiten Typs 2 ist, aber größer als die durchschnittliche Kristallkorngröße des ersten Typs 1) ausgebildet ist.
  • Es ist gemäß weiterer Ausführungsformen des erfindungsgemäßen polykristallinen Materials ebenso möglich, dass zwischen einer Schicht des ersten Typs 1 und einer Schicht des zweiten Typs 2, zumindest teilweise, ein (gasgefüllter) Zwischenraum ausgebildet ist.
  • In 2 ist ein polykristallines Material 5 mit geringer mechanischer Verspannung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Das polykristalline Material 5 weist drei Schichten eines ersten Typs 1 und vier Schichten eines zweiten Typs 2 auf. Die Anordnung der Schichten des polykristallinen Materials 5 ist dabei auf der Trennschicht 7 angeordnet, wobei die Trennschicht 7 an einer Oberseite des Substrats 6 ausgebildet ist. Die Schichten des ersten Typs 1 und die Schichten des zweiten Typs 2 sind dabei in abwechselnder Reihenfolge übereinander und in direktem Kontakt zueinander angeordnet. Die Schichten des ersten Typs 1 weisen eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße (Korngröße) auf als die Schichten des zweiten Typs 2.
  • In 3 ist ein polykristallines Material 5 mit geringer mechanischer Verspannung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Das polykristalline Material 5 weist drei Schichten eines ersten Typs 1 und vier Schichten eines zweiten Typs 2 auf. Die Schichten des ersten Typs 1 und die Schichten des zweiten Typs 2 sind dabei in abwechselnder Reihenfolge übereinander und in direktem Kontakt zueinander angeordnet. Die Schichten des ersten Typs 1 weisen eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße (Korngröße) auf als die Schichten des zweiten Typs 2. Das polykristalline Material 5 ist dabei lediglich in Teilbereichen auf einer Trennschicht 7 angeordnet. In anderen Bereichen wurde die Trennschicht 7 unterhalb des polykristallinen Materials 5 entfernt. Für manche Verwendungen des polykristallinen Materials 5 (beispielsweise für mikroelektromechanische Systeme) wird die Trennschicht 7 nachträglich entfernt, so dass das polykristalline Material 5 (zumindest teilweise) nicht auf einer Trennschicht 7 angeordnet ist. Dies ist beispielsweise vorteilhaft, wenn das polykristalline Material 5, beispielsweise in den Bereichen in denen die Trennschicht 7 unterhalb des polykristallinen Materials 5 entfernt wurde, für frei bewegliche Strukturen (innerhalb von mikroelektromechanischen Systemen) verwendet wird.
  • In 4 ist ein polykristallines Material 5 mit geringer mechanischer Verspannung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Das polykristalline Material 5 weist vier Schichten eines ersten Typs 1 und vier Schichten eines zweiten Typs 2 auf. Die Schichten des ersten Typs 1 und die Schichten des zweiten Typs 2 sind dabei in abwechselnder Reihenfolge übereinander und in direktem Kontakt zueinander angeordnet. Die Anordnung der Schichten des polykristallinen Materials 5 ist dabei auf der Trennschicht 7 angeordnet, wobei die Trennschicht 7 an einer Oberseite des Substrats 6 ausgebildet ist. Innerhalb einer einzelnen Schicht des ersten Typs 1 nimmt die Kristallkorngröße in einer Vorzugsrichtung zu. In 4 zeigt die Vorzugsrichtung dabei senkrecht nach oben, vom Substrat 6 weg. Innerhalb einer einzelnen Schicht des zweiten Typs 2 nimmt die Kristallkorngröße in die gleiche Vorzugsrichtung ebenfalls zu. Trotz der innerhalb der Schichten des ersten Typs 1 und der Schichten des zweiten Typs 2 in die Vorzugsrichtung jeweils zunehmenden Kristallkorngröße, weisen die Schichten des ersten Typs 1, jeweils, immer eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße auf als die Schichten des zweiten Typs 2. Gemäß einer solchen vierten Ausführungsform ist es beispielsweise möglich, dass die Kristallkorngröße von einer Schicht des ersten Typs 1 zu einer benachbarten Schicht des zweiten Typs 2 kontinuierlich zunimmt (also ein kontinuierlicher Verlauf der Kristallkorngröße gegeben ist). In 4 gehen beispielsweise somit die unterste Schicht des ersten Typs 1 und die unterste Schicht des zweiten Typs 2 kontinuierlich ineinander über.
  • In 5 ist ein polykristallines Material 5 mit geringer mechanischer Verspannung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Das polykristalline Material 5 weist drei Schichten eines ersten Typs 1 und vier Schichten eines zweiten Typs 2 auf. Die Schichten des ersten Typs 1 und die Schichten des zweiten Typs 2 sind dabei in abwechselnder Reihenfolge übereinander und in direktem Kontakt zueinander angeordnet. Die Anordnung der Schichten des polykristallinen Materials 5 ist dabei auf der Trennschicht 7 angeordnet, wobei die Trennschicht 7 an einer Oberseite des Substrats 6 ausgebildet ist. Innerhalb einer einzelnen Schicht des ersten Typs 1 nimmt die Kristallkorngröße in einer Vorzugsrichtung erst ab und anschließend zu. In 5 zeigt die Vorzugsrichtung dabei senkrecht nach oben, vom Substrat 6 weg. Innerhalb einer einzelnen Schicht des zweiten Typs 2 nimmt die Kristallkorngröße in die gleiche Vorzugsrichtung erst zu und dann ab. Trotz der innerhalb der Schichten des ersten Typs 1 und der Schichten des zweiten Typs 2 in die Vorzugsrichtung jeweils zunehmenden Kristallkorngröße, weisen die Schichten des ersten Typs 1, jeweils, immer eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße auf als die Schichten des zweiten Typs 2. Gemäß dieser fünften Ausführungsform ist es möglich, dass die Kristallkorngröße zwischen (allen) benachbarten Schichten des ersten Typs 1 und des zweiten Typs 2 kontinuierlich verläuft. Auf diese Weise, kann beispielsweise ein polykristallines Material hergestellt werden, welches in einer Vorzugsrichtung (beispielsweise senkrecht zur Ausdehnungsfläche der Schichte) über seine gesamte Ausdehnung einen kontinuierlichen Verlauf der Kristallkorngröße aufweist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    erster Typ
    2
    zweiter Typ
    5
    polykristallines Material
    6
    Substrat
    7
    Trennschicht

Claims (12)

  1. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung, wobei das polykristalline Material (5) eine oder mehrere Schichten eines ersten Typs (1) und eine oder mehrere Schichten eines zweiten Typs (2) umfasst, wobei die Schichten des ersten Typs (1) und die Schichten des zweiten Typs (2) jeweils mindestens eine polykristalline Materialkomponente aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten des ersten Typs (1) eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße aufweisen als die Schichten des zweiten Typs (2), wobei in abwechselnder Abfolge eine Schicht des ersten Typs (1) und eine Schicht des zweiten Typs (2) zumindest teilweise übereinander angeordnet sind.
  2. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils benachbarte Schichten des ersten Typs (1) und zweiten Typs (2) zumindest teilweise in direktem Kontakt zueinander ausgebildet sind.
  3. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Kristallkorngröße an der Grenze zwischen zumindest einer Schicht des ersten Typs (1) und einer zu der einen Schicht des ersten Typs (1) benachbarten Schicht des zweiten Typs (2) kontinuierlich oder abrupt ändert, wobei sich insbesondere die Kristallkorngröße an der Grenze zwischen allen Schichten des ersten Typs (1) und den jeweils benachbarten Schichten des zweiten Typs (2) kontinuierlich oder abrupt ändert.
  4. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb der Schichten des ersten Typs (1) die Kristallkorngröße in eine Vorzugsrichtung abnimmt oder zunimmt oder erst abnimmt und dann zunimmt, wobei insbesondere innerhalb der Schichten des zweiten Typs (2) die Kristallkorngröße in eine Vorzugsrichtung abnimmt oder zunimmt oder erst abnimmt und dann zunimmt.
  5. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten des ersten Typs (1) und die Schichten des zweiten Typs (2) jeweils als geschlossene Schichten ausgebildet sind.
  6. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die polykristalline Materialkomponente polykristallines Silizium ist.
  7. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das polykristalline Material (5) auf einem Substrat (6), insbesondere einem Wafer oder einem Chip, vorzugsweise auf einer Trennschicht (7) des Substrats (6), angeordnet ist.
  8. Polykristallines Material (5) mit geringer mechanischer Verspannung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das polykristalline Material (5) eine Vielzahl von Schichten des ersten Typs (1) und eine Vielzahl von Schichten des zweiten Typs (2) umfasst, wobei insbesondere jeweils eine Schicht des ersten Typs (1) und eine Schicht des zweiten Typs (2) in abwechselnder Abfolge übereinander angeordnet sind.
  9. Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials (5) mit geringer mechanischer Verspannung, wobei mindestens ein Mittel zur Abscheidung und/oder zum Aufwachsen der Schichten des ersten Typs (1) und der Schichten des zweiten Typs (2) vorhanden ist, wobei das polykristalline Material (5) eine oder mehrere Schichten eines ersten Typs (1) und eine oder mehrere Schichten eines zweiten Typs (2) umfasst, wobei die Schichten des ersten Typs (1) und die Schichten des zweiten Typs (2) jeweils mindestens eine polykristalline Materialkomponente aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten des ersten Typs (1) eine kleinere durchschnittliche Kristallkorngröße aufweisen als die Schichten des zweiten Typs (2), wobei in abwechselnder Abfolge eine Schicht des ersten Typs (1) und eine Schicht des zweiten Typs (2) zumindest teilweise übereinander angeordnet werden
  10. Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials (5) nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Mittel zur Abscheidung und/oder zum Aufwachsen mindestens eine Kammer aufweist, wobei die Abscheidung und/oder das Aufwachsen der Schichten des ersten Typs (1) und der Schichten des zweiten Typs (2) in der Kammer stattfindet, wobei mindestens ein Ausgangsgas zum Aufwachsen und/oder Abscheiden der Schichten des ersten Typs (1) und/oder der Schichten des zweiten Typs (2) verwendet wird, wobei das Mittel zur Abscheidung und/oder zum Aufwachsen insbesondere eine Epitaxie-Anlage umfasst.
  11. Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials (5) nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass während des Abscheidens und/oder während des Aufwachsens der Schichten des ersten Typs (1) eine andere Temperatur in der Kammer vorherrscht als während des Abscheidens und/oder während des Aufwachsens der Schichten des zweiten Typs (2).
  12. Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials (5) nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zum Abscheiden und/oder Aufwachsen der Schichten des ersten Typs (1) ein anderes Ausgangsgas verwendet wird als zum Abscheiden und/oder Aufwachsen der Schichten des zweiten Typs (2).
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