JP2009535813A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. カソードと、アノードと、その間にあってホスト材料と発光ドーパント材料を含む発光層とを備えていて、そのホスト材料が、2位と9位と10位に芳香族基を有するとともに、6位に水素またはアルキル基を有し、酸化電位の測定値が1.28V未満であるアントラセン誘導体を提供するのに十分な電子供与基でさらに置換されているか置換されていないモノアントラセン化合物を含んでいるOLEDデバイス。
2. 上記アントラセン誘導体の酸化電位が1.10V〜1.25Vである、請求項1に記載のデバイス。
3. 上記アントラセン誘導体が、-025〜-0.50の範囲のσp値を持つ少なくとも1つの置換基を有する、請求項1に記載のデバイス。
4. 上記アントラセン誘導体が2位に芳香族基を備えていて、その芳香族基がアルコキシ基でさらに置換されている、請求項1に記載のデバイス。
5. 上記アントラセン誘導体が一般式（1）：
   

   

   で表わされる（ただし、
   Ar¹、Ar²、Ar³は同じであるか異なっていて、それぞれ芳香族基を表わし；
   w¹〜w ⁴ およびw ⁶ 〜w⁷は、水素または置換基を表わし、そしてw ⁵ は水素またはアルキル基を表す）、請求項1に記載のデバイス。
6. Ar¹、Ar²、Ar³のうちの少なくとも1つが、σp値が-0.25以下の置換基を有する、請求項５に記載のデバイス。
7. 上記アントラセン誘導体が一般式（2）：
   

   

   で表わされる（ただし、
   r¹、r²、r³は同じであるか異なっていて、それぞれ置換基を表わすが、隣り合った置換基が合わさって環基を形成することができ、r¹、r²、r³のうちの少なくとも1つは、σp値が-0.25〜-0.50の範囲の基を表わし；
   m、n、pは、独立に0〜5だが、m、n、pのすべてが0であることはなく；
   w¹〜w ⁴ およびw ⁶ 〜w⁷は、水素または置換基を表わし、そしてw ⁵ は水素またはアルキル基を表す）、請求項1に記載のデバイス。
8. 上記発光層と上記カソードの間に位置する別の層を含んでいて、この別の層が、アントラセン核またはテトラセン核を有する電子輸送材料を含んでいる、請求項1に記載のデバイス。
9. 上記別の層に含まれる電子輸送材料が、2位と9位と10位が芳香族基で置換されたアントラセン核を含む、請求項８に記載のデバイス。
10. 上記別の層と上記カソードの間に追加の層が位置していて、この追加の層が、フェナントロリン核を有する材料、または8-キノリノレート核を有する金属錯体を含んでいる、請求項８に記載のデバイス。