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  1. - ウエハ(1)と、
    - 支持層システム(5、6)と、
    - 支持層システム(5、6)とウエハ(1)との間に配置されている分離層(4)と
    を備えるウエハ支持構造体であって、
    支持層システム(5、6)が
    (i) 支持層(6)と、
    (ii) 分離層面に完全に硬化された、部分的に硬化された又は硬化性エラストマー材料の層(5)とを備えるか、或いはこれらの二つの層からなり、
    分離層(4)が
    (iii) プラズマポリマー層であり、
    (iv) エラストマー材料が完全に硬化された後の支持層システム(5、6)と分離層(4)との間の接着結合がウエハ(1)と分離層(4)との間の接着結合より大きい、
    前記ウエハ支持構造体。
  2. 分離層(4)と反対のウエハの面に、接続材料層と第二支持層(17)とを備える、請求項1に記載のウエハ支持構造体。
  3. (i) 支持層(6)と、
    (ii) 完全に硬化された、部分的に硬化された又は硬化性エラストマー材料の層(5)と、(iii) 支持層と反対の、エラストマー材料の層の面に剥離可能な保護ホイル(9)と
    を備える、請求項1又は2に記載のウエハ支持構造体用の支持層システム。
  4. (i) 支持層(6)と、
    (ii) 完全に硬化された、部分的に硬化された又は硬化性エラストマー材料の層(5)と、(iii) 支持層と反対の、エラストマー材料の層の面にプラズマポリマー分離層(4)と
    を備える、請求項1又は2に記載のウエハ支持構造体用の層システム。
  5. 支持層(6)と反対の、プラズマポリマー分離層(4)の面に剥離可能な保護ホイル(9)を備える、請求項4に記載の層システム。
  6. エラストマー材料が、シリコーンベースで又は特性に関してシリコーンと同様の材料ベースで製造され、支持層(6)が、ポリイミド若しくはポリアミド層（好ましくはカプトンホイル、ウルテムホイルの形態である）、ガラス層又はシリコン層であり、第二支持層(17)が、PP、PE、PET及び/又は他のプラスチックの一つ以上の層からなるホイルであり、かつ、接続材料層が、放射線及び/又は熱の作用下でウエハへの接着を低下させるか又は消失させる材料（好ましくは接着剤）を含むか、或いはこの材料からなる、請求項2に記載のウエハ支持構造体又は請求項3〜5のいずれか1項に記載の層システム。
  7. ウエハ(1)の背面を処理するための、好ましくはウエハ(1)を薄くする及び/又はスライスするための、完全に硬化されたエラストマー材料の層(5)とプラズマポリマー分離層(4)
    及び/又は請求項3〜6のいずれか1項に記載の層システム及び/又は請求項1又は6に記載のウエハ支持構造体の使用。
  8. 請求項1、2又は6のいずれか1項に記載のウエハ支持構造体を製造するための請求項3〜6のいずれか1項に記載の層システムの使用。
  9. 請求項3〜6のいずれか1項に記載の層システムの製造方法であって:
    a) 支持層(6)を形成するステップと、
    b) 硬化性エラストマー材料から層(5)を形成するステップと、
    c) ステップa)とb)で製造された層を、好ましくはステップa)又はb)で同時に、結合するステップと、
    d) 場合により、硬化性エラストマー材料の層(5)を完全に硬化又は部分的に硬化させるステップと、
    e) 場合により、支持層(6)と反対の、エラストマー材料の層(5)の面にプラズマポリマー分離層(4)を堆積させるステップと、
    f) 場合により、支持層(6)と反対の、エラストマー材料の層(5)の面に又は支持層(6)と反対の、プラズマポリマー分離層(4)の面に、剥離可能な保護ホイル(9)を適用するステップ
    とを含む、前記方法。
  10. 請求項1又は6に記載のウエハ支持構造体の製造方法であって、a)ウエハ(1)を製造するステップと、
    b)請求項3〜6のいずれか1項に記載の層システムを製造するステップであって、製造される層システムがプラズマポリマー分離層(4)を備える場合には、支持層システム(5、6)をウエハ(1)に結合した後の支持層システム(5、6)と分離層(4)との間の接着結合(ここで、結合は分離層(4)とエラストマー材料の完全硬化によって促進される)が、ウエ
    ハ(1)と分離層(4)との間の接着結合より大きくなるように分離層(4)が構成される、前記ステップと、
    c)場合により、層システムの保護ホイル(9)を除去するステップと、
    d)製造される層システムがプラズマポリマー分離層(4)を備えない場合には、支持層システム(5、6)をウエハ(1)に結合した後の支持層システム(5、6)と分離層(4)との間の接着結
    合(ここで、結合は分離層(4)とエラストマー材料の完全硬化によって促進される)が、ウエハ(1)と分離層(4)との間の接着結合より大きくなるように、ウエハ(1)上に又はエラス
    トマー材料の層(5)上に該層(4)を堆積させるステップと、
    e)プラズマポリマー分離層(4)で場合により被覆されたウエハに層システムを結合するステップと、
    f)エラストマー材料を完全に硬化させるステップと
    を含む、前記方法。
  11. ウエハ(1)の背面を処理する方法であって、
    a) 請求項1又は6に記載のウエハ支持構造体を製造するステップであって、層システムがウエハ(1)の前面に適用される、前記ステップと、
    b) ウエハ(1)の背面を処理するステップと
    を含む、前記方法。
  12. ウエハ(1)の背面が、ステップb)で薄くされる、請求項11に記載の方法。
  13. ステップc)としてステップb)の後にウエハ(1)の背面に接続材料層と第二支持層(17)を適用して、請求項2又は6に記載のウエハ支持構造体を生成させる、請求項11又は12に記載の方法。
JP2008556786A 2006-03-01 2007-03-01 ウエハ支持構造体及び該ウエハ支持構造体の製造に用いられる層システム Active JP5335443B2 (ja)

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DE200610009353 DE102006009353A1 (de) 2006-03-01 2006-03-01 Mehrlagenschichtsystem zum Trägern von dünnen Wafern bei der Halbleiterherstellung mit der Eigenschaft zum Haltern mittels elektrostatischer Aufladung
DE102006009394.1 2006-03-01
DE200610009394 DE102006009394A1 (de) 2006-03-01 2006-03-01 Mehrlagenschichtsystem mit einer Schicht als Trennschicht zum Trägern von dünnen Wafern bei der Halbleiterherstellung
DE102006009353.4 2006-03-01
DE102006048799.0 2006-10-16
DE102006048800.8A DE102006048800B4 (de) 2006-10-16 2006-10-16 Mehrlagenschichtsystem mit hartem Träger zum Trägern von dünnen Wafern bei der Halbleiterherstellung
DE102006048799.0A DE102006048799B4 (de) 2006-10-16 2006-10-16 Verfahren und Einrichtung zum Ablösen eines dünnen Wafers oder bereits vereinzelter Bauelemente eines dünnen Wafers von einem Träger
DE102006048800.8 2006-10-16
PCT/EP2007/051952 WO2007099146A1 (de) 2006-03-01 2007-03-01 Verfahren zum bearbeiten insbesondere dünnen der rückseite eines wafers, wafer-träger-anordnung hierfür und verfahren zur herstellung einer solchen wafer-träger-anordnung

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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4936667B2 (ja) * 2002-11-29 2012-05-23 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ
KR101004849B1 (ko) 2008-09-02 2010-12-28 삼성전기주식회사 박막소자 제조방법
DE102008044200B4 (de) * 2008-11-28 2012-08-23 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
DE102008055155A1 (de) * 2008-12-23 2010-07-01 Thin Materials Ag Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer
JP2012064710A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Asahi Glass Co Ltd 半導体素子の製造方法
US8696864B2 (en) 2012-01-26 2014-04-15 Promerus, Llc Room temperature debonding composition, method and stack
DE102012101237A1 (de) * 2012-02-16 2013-08-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
JP2013211505A (ja) 2012-03-02 2013-10-10 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
US10186458B2 (en) * 2012-07-05 2019-01-22 Infineon Technologies Ag Component and method of manufacturing a component using an ultrathin carrier
JP2014070191A (ja) 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。
JP5982248B2 (ja) 2012-09-28 2016-08-31 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
JP5909460B2 (ja) 2012-09-28 2016-04-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
US9331230B2 (en) * 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
KR102075635B1 (ko) * 2013-01-03 2020-03-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 지지 구조물, 웨이퍼 지지 구조물을 포함하는 반도체 패키지의 중간 구조물, 및 중간 구조물을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
KR102309244B1 (ko) 2013-02-20 2021-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6114596B2 (ja) 2013-03-26 2017-04-12 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP6050170B2 (ja) 2013-03-27 2016-12-21 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP5975918B2 (ja) 2013-03-27 2016-08-23 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP6182491B2 (ja) 2013-08-30 2017-08-16 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
US9315696B2 (en) * 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
US10157766B2 (en) 2014-03-19 2018-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device
TWI661935B (zh) 2014-06-13 2019-06-11 日商富士軟片股份有限公司 暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體
TW201601918A (zh) 2014-06-13 2016-01-16 Fujifilm Corp 暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體
TWI667311B (zh) 2014-06-13 2019-08-01 日商富士軟片股份有限公司 Temporary fixing of the adhesive, adhesive film, adhesive support, laminate and adhesive kit
JP2016021560A (ja) * 2014-06-20 2016-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離装置
DE102014219095A1 (de) * 2014-09-22 2016-03-24 Nissan Chemical Industries, Ltd. Wafer-Träger-Anordnung
US10141216B2 (en) * 2014-10-22 2018-11-27 Promerus, Llc Room temperature debondable and thermally curable compositions
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
WO2016164535A1 (en) 2015-04-08 2016-10-13 Nitto Denko Corporation Sheet, moisture–proof method of adherend using the sheet and corrosion–proof method of metal plate using the sheet
FR3038128B1 (fr) * 2015-06-26 2018-09-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif electronique
US11437275B2 (en) 2015-08-31 2022-09-06 Disco Corporation Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method
US11183415B2 (en) 2016-06-22 2021-11-23 Nissan Chemical Corporation Adhesive containing polydimethyl siloxane
KR102538886B1 (ko) 2017-05-24 2023-06-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시변성 폴리실록산을 함유하는 가접착제
WO2019009365A1 (ja) 2017-07-06 2019-01-10 日産化学株式会社 フェニル基含有ポリシロキサンを含有する仮接着剤
CN111684584A (zh) * 2018-02-01 2020-09-18 康宁股份有限公司 用于卷形式的电子封装和其他应用的单一化基材
WO2019212008A1 (ja) 2018-05-01 2019-11-07 日産化学株式会社 耐熱性重合禁止剤を含むポリシロキサンを含有する仮接着剤
CN113166624B (zh) 2018-11-16 2024-01-19 日产化学株式会社 红外线剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法
EP3882954A4 (en) 2018-11-16 2022-07-27 Nissan Chemical Corporation LAMINATE REMOVAL METHOD, LAMINATE, AND LAMINATE PRODUCTION METHOD
WO2020111069A1 (ja) 2018-11-28 2020-06-04 日産化学株式会社 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法
US11158520B2 (en) * 2019-03-11 2021-10-26 Hrl Laboratories, Llc Method to protect die during metal-embedded chip assembly (MECA) process
US11735464B1 (en) * 2020-08-21 2023-08-22 American Semiconductor, Inc. Method of demounting thin semiconductor devices
CN116508132A (zh) * 2020-11-30 2023-07-28 日产化学株式会社 层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法
JPWO2022202029A1 (ja) 2021-03-26 2022-09-29

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828812B2 (en) 1991-06-04 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Test apparatus for testing semiconductor dice including substrate with penetration limiting contacts for making electrical connections
US5548091A (en) * 1993-10-26 1996-08-20 Tessera, Inc. Semiconductor chip connection components with adhesives and methods for bonding to the chip
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6159827A (en) * 1998-04-13 2000-12-12 Mitsui Chemicals, Inc. Preparation process of semiconductor wafer
US6393759B1 (en) * 2000-01-21 2002-05-28 Jeffrey K. Brown Electronic fly trap apparatus with cover
KR100404229B1 (ko) * 2001-02-06 2003-11-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 칩 제조방법
KR20030038048A (ko) * 2001-11-08 2003-05-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 이면 연마를 위한 라미네이터 장비 및 그 운용방법
JP4312419B2 (ja) 2002-05-09 2009-08-12 リンテック株式会社 半導体ウエハの加工方法
US6923881B2 (en) * 2002-05-27 2005-08-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic electroluminescent device and transfer material used therein
JP2004043814A (ja) 2002-07-15 2004-02-12 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置
DE10353530A1 (de) * 2003-11-14 2005-06-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wafer mit Deckschicht und Trennschicht, Verfahren zur Herstellung eines solchen Wafers sowie Verfahren zum Dünnen bzw. Rückseitenmetallisieren eines Wafers
JP4936667B2 (ja) 2002-11-29 2012-05-23 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ
JP4364535B2 (ja) 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2005019435A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Sharp Corp ウェハ研磨方法
JP4566527B2 (ja) * 2003-08-08 2010-10-20 日東電工株式会社 再剥離型粘着シート
JP3935133B2 (ja) * 2003-11-07 2007-06-20 本田技研工業株式会社 重畳部の形成方法
KR100601797B1 (ko) * 2003-12-02 2006-07-14 도레이새한 주식회사 실리콘 이형 폴리에스테르 필름
JP4716668B2 (ja) 2004-04-21 2011-07-06 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP2006032488A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電子部品保持具及びその使用方法
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same

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