JP2009520347A - 有機ｌｅｄ素子 - Google Patents

Abstract

本発明は、少なくとも一部透明な上部電極3を介して光4を放射する層スタック1,2,3を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板として上部及び下部側を有する担体材料11と、前記担体材料11の前記上部側において0.05W／平方のシート抵抗値になるような厚さを有する第１金属層12と、を含む伝導性ホイル1であって、前記第１金属層121が底部電極として少なくとも第１金属領域を有する、伝導性ホイル1と、前記底部電極11の上において沈着され、光4を放射するように設計される、有機層スタック2と、前記有機層スタック2の上における前記透明な上部電極3と、少なくとも前記透明な上部電極及び前記有機層スタック2を覆う少なくとも一部透明な保護要素5と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子を開示する。

Description

本発明は、柔軟性基板及び発光領域において均一な輝度を有する大型有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＬＥＤ又はＯＬＥＤ）に関する。

標準的なＯＬＥＤは、現在、ガラス基板に沈着される２つの電極間に配置される有機層スタックを含む。発光の方向に関して、２つの異なる種類のＯＬＥＤが区別され得る。いわゆるボトムエミッタにおいて、光は、透明ボトム電極（通常アノード）及び透明基板を通じてＯＬＥＤ素子を離れる一方で、第２の電極（トップ電極、通常カソード）は反射型である。いわゆるトップエミッタにおいて、光は、透明トップ電極を通じてＯＬＥＤ素子を離れる一方で、ボトム電極及び／又は基板は反射型である。大抵の場合、ボトムエミッタの層構造は、単純に、トップエミッタに関して反転されている。

ボトム及びトップエミッション型ＯＬＥＤ素子の両方は、0.1Ω／平方に等しい又はそれより大きい高シート抵抗値を呈する通常の薄膜電極を用い、ここで、「平方(square)」という用語は、電極領域を記す。アノード及びカソードの抵抗値は、均一輝度が発光領域全体において得られるべきである場合、発光領域の最大サイズに制限を課す。現在の材料系に関して、この領域は、数十平方cmのオーダである。トップエミッション構成のＯＬＥＤに関して、サイズ制限は、特にＩＴＯが上部に使用される場合、より更に深刻になり得る。ＩＴＯの電気的パラメータの最適化は、光学要件及び処理温度制限によって妥協される。ＯＬＥＤ素子の発光領域を更に増加させるためには、ＯＬＥＤ素子は、個別の電極サイズを低減するために、副タイルに細分される必要がある。各副タイルは、発光副ＯＬＥＤとして考慮され得る。副タイルＯＬＥＤは、金属トラックによって基板に相互接続される。副タイルからなるＯＬＥＤに関する全体発光領域は、各副タイルの発光領域の合計である。大型領域の応用例に関して、金属トラックの抵抗値は、0.01Ω／平方より十分に下であるべきである。更に、薄膜技術は、大型領域の対策に関して十分ではなく、その理由は、薄い層の抵抗値が高過ぎるから、また所要の抵抗値を有する十分に厚い層の生産が高価且つ時間を消費するものであるからである。

出願番号第EP05101161.7号の欧州特許出願書類は、素子の長動作寿命を保証するため及び電極のうちの１つの電気伝導性を向上させるために、有機層を保護する反射型上部カソードにおいて金属ホイルが接着されたボトム放射型ＯＬＥＤを開示する。この技法は、上部電極の上における厚いカバーホイルが上部方向への発光を妨げるので、トップエミッタには適用可能でない。

本発明の目的は、優れた寿命の振る舞いを有し、低い労力で製造され得る、全体発光領域において均一輝度を有する大型有機エレクトロルミネッセンストップエミッション型素子を提供することである。

前記目的は、少なくとも一部透明な上部電極を介して光を放射する層スタックを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板として上部側及び下部側を有する担体材料及び前記担体材料の前記上部側において0.05W／平方のシート抵抗値になるような厚さを有する第１金属層を含む伝導性ホイルであって、前記第１金属層が底部電極として少なくとも第１金属領域を有する、伝導性ホイルと、前記底部電極の上において沈着され光を放射するように設計される有機層スタックと、前記有機層スタックの上部における前記透明な上部電極と、少なくとも前記透明な上部電極及び前記有機層スタックを覆う少なくとも一部透明な保護要素と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子によって解決される。「層スタック」という用語は、一連の異なる層を記す。したがって、「有機層スタック」という用語は、一連の異なる層を記す。この伝導性ホイルは、第１金属層を介して十分に低いオーミック電気相互接続を提供し、同時に少なくとも底部電極に沿って電圧低下を大きく低減するために有機ＬＥＤにおける電極として作用する。均一輝度は、この大きな低減された電圧低下のおかげで、例えば、10cm×10cmの数十倍のオーダの放射領域を有する大領域有機ＬＥＤに関しても達成され得る。例えば、金、銀又は銅などの十分に厚い金属層を有する及び／又は高い伝導性金属を含む低シート抵抗値が達成され得る。伝導性ホイルは、従来技術のＯＬＥＤにおいて使用される高価な薄膜沈着技術と対照的に、担体材料の上において金属層を接着することなど、簡単及び安価なボンディング技術によって、ＯＬＥＤ素子の残りの層スタックから分けられて作製され得る。担体材料は、例えば、ガラス又はポリイミド膜などの、数十マイクロメートル以上の厚さの金属層を担持するのに適したいずれかの材料であり得る。保護要素は、十分な素子寿命を得るために、環境に対して有機層を保護するいずれかの対策材であることを示す。保護要素は、ＯＬＥＤ素子の環境的に敏感な部分の周辺における、化学的に不活性な層又は硬質なカバー蓋であり得る。

一つの実施例において、第１金属層が、更に、前記有機層スタックとの界面において伝導性拡散バリア層を含む。有機材料への電極材料の拡散は、有機材料の特性を妨害する不純度レベルの増加へ導く。このような拡散バリアは、有機層スタックのエミッション特性の低下を減少させる又は防ぎ、したがって、このようなＯＬＥＤ素子の動作寿命を増加させる。

一つの実施例において、透明な上部電極が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から作製される。ＩＴＯは、電気伝導的且つ透明な材料である。所望な電気特性を有する以外に、上部電極は、同時に、環境に対して有機層スタックを保護するためにバリア層として作用する。しかし、透明ＩＴＯ層でさえも、ＩＴＯ層厚さに制限される特定の量の光を吸収する。代替的な実施例において、透明な上部電極が、20nmより下の厚さを有し、前記有機層スタックとの界面において上部金属層及び電子注入層を含む。このような薄い金属層は、ＩＴＯよりも低いシート抵抗値を有する。また、金属層の準備は、例えば、ＩＴＯ層の準備よりも容易である。一方で、所望な透明性は、20nmより低い値に上部電極厚さを制限し、このことは、不可避的に、環境に対して有機層スタックを保護するための追加的な労力になる。

別の実施例において、第１金属層が、更に、前記第１金属領域から電気的に絶縁され、前記透明な上部電極に直接電気接触を提供するように設計される第２金属領域を含む。ここで、直接電気接触は、第２金属領域と上部電極との間に何の中間有機層もない接触を示す。このことは、有機層スタック及び上部電極の沈着において一般的なマスキング技術を用いて達成され得る。低オーミック伝導材料への上部電極の接続は、ほとんどオーミック損失なしにＯＬＥＤ素子の駆動電流を発光領域（有機層スタック）の近くにおいて分配させ、これにより、高抵抗値（上部電極）の材料を通ずる伝導経路の長さは低減される。したがって、第２金属領域は、シャントとして作用し、上部電極電流供給に関して全体的により低い抵抗値を提供する。これにより、ＯＬＥＤ素子の輝度の更に改善された均一性になる。

均一性は、層スタックの層が、非放射領域によって互いに分離される発光副タイルを形成するために副領域にパターン化され、各副タイルへの伝導金属トラックを提供するようにされる場合に、より更に改善され得る。ここで、パターン化された副領域は、規則的又は不規則的に形成され得る。発光副タイルは、発光することが可能である局所的層スタックを含むＯＬＥＤ素子の局所的部分（副領域）を示す。ＯＬＥＤの全体発光領域は、副タイル領域の合計である。非放射領域は、何の発光有機材料も存在しない領域又は何の駆動電流も有機層へ引火されない領域、のいずれかの領域である。例えば、非放射領域は、ほとんどオーミック損失なしにＯＬＥＤ素子の広い部分において電流を分配するために、伝導性材料を含み得る。したがって、非放射領域は、0.05Ｗ／平方より下のシート抵抗値を有する本質的に十分伝導性のある金属トラックであり、全体的により低い抵抗値を提供するために底部及び／又は上部電極へのシャントとして作用し、このことは、全体発光領域における均一な輝度になる。

別の実施例において、第１金属層の前記第１及び第２金属領域が、絶縁充填材料によって分離される。絶縁充填材料は、層スタックの平坦化のために使用される。このような平坦化は、下部層のいくつかにおけるエッジ／曲線のために、既存の層スタックにおいて準備されるべき後々の層における層欠陥を防ぐ。充填材料は、第１及び第２金属領域の間において位置され、したがって、充填材料は、このような標準的な樹脂などの絶縁材料である必要がある。電気伝導材料間における絶縁充填材料は、追加的に、一つの電極から他方へ直接流れるフラッシュオーバー又は臨界リーク電流のリスクを最小化する。「分離」という用語は、ここでは、有機層スタック及び上部電極が沈着される前に、第１及び第２金属領域の間において何の伝導性経路も存在しないことを意味する。

別の実施例において、伝導性ホイルが、更に、前記担体材料の前記下部側において0.05W／平方より少ないシート抵抗値になる厚さを有する第２金属層と、前記担体材料の前記上部側において前記第１金属層の前記第１又は第２領域へのいずれかへの前記第２金属層を接続させるための、前記担体材料を介した少なくとも１つの伝導経路と、を含む。第２金属層を介して電源への上部電極の電気接続は、電流供給に関する担体材料の裏側を追加的に使用することによって（第２金属層）、及び第１金属層の第１又は第２金属領域を担体材料を直接介して接触させることによって、特に、パターン化された副領域の場合、より容易に達成され得る。他の実施例において、より多くの金属層が追加され得る。３つ以上の金属層を含むこれらの実施例は、パッシブ（マトリクス）液晶（セグメント化）ディスプレイにおいて通常使用されるような多重モードにおける異なる色又はアドレス領域などを含む領域をアドレス処理するのに使用され得る。

別の実施例において、伝導性ホイルは、柔軟な担体材料を有する柔軟な伝導性ホイルである。このような伝導性ホイルは、柔軟な光源の有利な点を均一な輝度と組み合わせるＯＬＥＤ装置を提供し、例えば、非平面の、曲げられる又は柔軟性のある光源が必要とされる又は望まれるような、分野において追加的に本発明の応用例を可能にする。

別の実施例において、保護要素は、少なくとも透明上部電極及び有機層スタックを覆う、透明な、化学的に不活性な層を含む。透明な、化学的に不活性な層は、柔軟な伝導性ホイルの柔軟性を維持する一方で、同時に、長使用寿命を有するＯＬＥＤ素子を提供する。

別の実施例において、少なくとも第１金属層は、銅を含む。銅は、非常に十分伝導性のある材料である。追加的な被膜は、金及び銀被膜などが、銅に適用される。これらの被膜は、銅層の上に残りの層スタックを沈着するための平坦な表面をも提供し得る。平坦な表面は、有機層スタックを介した底部から上部電極へのリーク電流に導く表面粗さによって生じさせられる層欠陥を防ぐ。このような被膜は、例えば銅に電気めっきすることなどによって適用され得る。

本文書の説明及び請求項において、「有する・備える」という動詞及びその活用形の使用は、記載される以外の要素又はステップの存在を排除しない。単数形の構成要素は、複数個の斯様な構成要素の存在を排除しない。請求項における如何なる参照符号も請求項の範囲を制限するように解釈されてはならない。

以下の例示的な実施例は、添付の図面を参照にして、本発明の範囲を制限することなく、提案される有機ＬＥＤの例を示す。

図１は、層スタック１、２及び３を有し、少なくとも一部透明な上部電極３及び少なくとも一部透明な保護要素５を通じて光４を放射する、本発明に従うトップエミッション型ＯＬＥＤ素子の実施例を示す。底部電極１２、上部電極３、及び有機層スタック２は、環境に対して有機層スタック２を保護ししたがって十分な素子寿命を得るために、保護素子５によって覆われる。

有機層スタック２は、光４をＯＬＥＤ素子の上部側へ放射する少なくとも１つの層を含む１つ以上の有機からなる。発光層以外に、有機層スタック２は、発光層及びカソードの間において電子移送層、並びに／又は発光層及びアノードの間において空孔移送層、を含み得る。有機層スタック２は、それぞれ異なる放射スペクトルの光を放射する、１つ以上の発光層も含み得る。有機層は、通常、小型有機分子の場合、蒸発などの蒸着によって、又は高分子の場合スピンコーティングによって、提供される。有機層スタックの通常の厚さは、50nm及び500nmの間である。有機層スタック２の一つの例は、AlQ₃(空孔移送層)/α-NPD(発光層)/F4-TCNQを用いてドープされたm-MTDATA(電子移送層)である。当業者は、従来技術において開示される他の有機材料も適用することが可能である。

図1に示される本発明に従う有機ＬＥＤ素子は、基板として上部及び下部側を有する担体材料１１と、前記柔軟な担体材料１１の前記上部側において0.05W／平方のシート抵抗値になるような厚さを有する第１金属層１２と、を含む伝導性ホイル１であって、前記第１金属層が底部電極として少なくとも第１金属領域を有する、伝導性ホイルを含む。図１に示される例において、第1金属層は、第１金属領域と同一である。担体材料１１は、例えば、ガラス又はプラスチックなど、現在のＯＬＥＤ素子の応用例に依存して、硬質又は柔軟であり得る。担体材料１１が柔軟性である場合、ＯＬＥＤ素子は、柔軟な光源の追加的な特徴を呈する。底部電極領域及び1m²の発光領域を有するＯＬＥＤ素子は、50Cd/Aで1000Cd/m²を発生させるために、20Aの駆動電流を必要とする。0.05Ω/平方のシート抵抗値が与えられる場合、0.5Vの最大電圧低下が、底部電極の両端において得られる。0.7Vまでの電圧低下は許容される。

例えば、25μm厚さポリイミド膜及びこのポリイミド膜に接着によりボンディングされる35μm銅層を含む、片面柔軟伝導性ホイルは、日本メクトロン株式会社などから商用的に入手可能である。ポリイミド膜の両面において銅ホイルを有する両面ホイルも、入手可能である。35μm厚さの第１金属層は、約0.001Ω／平方の銅の場合、0.01Ω／平方より遥かに下のシート抵抗値を有する。他の実施例において、例えば銀又は金、及び金又は銀被膜をした銅などの柔軟基板において良好な接着特性を有する他の金属も、非常に低いシート抵抗値を有し、低抵抗値電極材料に関して適している。ポリイミド膜は、柔軟担体材料１１として作用する。硬質担体材料に関しては、非常に類似する抵抗値が、類似する厚さの金属層に関して得られる。

第１金属層１２は、有機層スタック２との界面において伝導拡散バリア層１３を更に含み得る。有機材料への電極材料の拡散は、有機材料の特性を妨害する不純度レベルの増加へ導く。例えば、銅は、比較的高い拡散率を呈する。数ナノメートルの厚さを有する適切な伝導拡散バリア層は、金などの貴金属からなる。

有機層スタック２の上部における透明上部電極３は、ＩＴＯ又は金属などの透明伝導材料を含み得る。後者の場合、金属層厚さは、金属層がなおスペクトル可視範囲において少なくとも一部透明である厚さに制限される。ＩＴＯ層は、通常、有機層への沈着損傷を防ぐために必要とされる、ＩＴＯ電極３及び有機層スタック２の間において追加的な保護層をスパッタすることによって、沈着される。このような保護層に関して適切な材料の例は、銅フタロシアニン(CuPc)の薄膜である。ＩＴＯ層の厚さは、金属電極の厚さよりかなり大きくあり得る。しかし、ＩＴＯが上部電極３として使用される場合、ＩＴＯの電気的パラメータの最適化は光学的要件及び沈着処理温度制限によって妥協される。ＩＴＯ電極の通常の厚さは、100nm前後である。金属上部電極３の一つの例は、上部電極３の仕事関数を低下させるために有機層スタック２との界面における、例えばLiFなどの層を有する20nmより下の厚さを有するアルミニウム層である。上部電極３の良好な透明性を達成するために、厚さは、例えば10nmなどより低くあるべきである。上部電極３に関する別の適した材料は、高ドープ電子注入／移送層と組み合わせた銀である。

図1において、保護要素５は、底部電極１２だけでなく、上部電極３及び有機層スタック２も覆う。保護要素５の拡張に関する最小要件は、環境からの例えば酸素又は水などの重大な気体が有機層スタック２へ拡散することを防ぐために、有機層スタック２及び上部電極３を覆うことである。拡散バリアとして作用するのに適した透明な材料は、例えば、窒化ケイ素など、当業者に知られている。硬質な、少なくとも一部透明なカバー蓋は、真空にされる又は化学的に不活性なガス又は液体を用いて充填され得る有機層スタックの上における密閉及び密封された容量を提供するための保護要素５としての保護層への代替物として、担体材料１１の上部側の上に接着され得る。

本発明に従う別の実施例は、図２に示される。ここで、図１の拡散バリア層１３は、示されないが存在し得る。金属層１２は、第１及び第２金属領域１２１及び１２２を含み、両方とも、本発明に従うと、柔軟な担体材料１１の上部側において0.05Ω／平方のシート抵抗値を有する。柔軟な担体材料１１の上部側は、有機層スタック２が沈着される側であり、他方の側(下部)は、ＯＬＥＤ素子の背面として考慮され得る。第１及び第２金属領域１２１及び１２２は、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングなどによって、達成され得る。「分離」という用語は、ここでは、有機層スタック２及び上部電極３が沈着される前に、第１及び第２金属領域１２１及び１２２の間において何の伝導性経路も存在しないことを意味する。

第２金属領域１２２は、上部電極金属トラックへ全体的により低い抵抗値を提供するシャントとして作用すべき場合、図２に示される上部電極３に直接接続される必要がある。２つの層３及び１２２の間における良好な電気的接触を得るために、いずれの有機材料も第２金属領域１２２の上において避けられる必要がある。このことは、薄膜沈着において適切なマスキング技術によって達成され得る。有機層スタックは、例えば、蒸発及び／又はスピンコーティングなどの、適切な薄膜沈着技術によって、第１金属領域１２１に沈着される。適切な金属仕上げ加工は、有機層スタックが沈着される前に、荒さ、反射性及び仕事関数を修正するために、第１及び第２金属領域に適用され得る。

図２に示されるように、第１及び第２金属領域１２１及び１２２は、下部層のいくつかにおけるエッジ／曲線によって生じられる、既存の層スタックにおいて後々提供されるべき層内における層欠陥を防ぐため、及び第１金属領域１２１から第２金属領域１２２へ直接流れるリーク電流を防ぐために、絶縁充填材料６によって電気的に分離され得る。追加的な保護対策がない場合、このようなリーク電流は、例えば、分離された第１及び第２金属領域をえるために伝導的ホイルのレーザー構造化処理の後に金属材料を残すことによって、引き起こされ得る。リーク電流を抑制するのに適した材料は、いずれかの標準的な樹脂である。絶縁充填材料６は、発光方向４において見られる場合、有機層スタック２の下に位置され、したがって、この絶縁充填材料６は、透明又は非透明であり得る。絶縁充填材料６の存在は、装置の信頼性を向上させる。

別の実施例は、図３に示される。前の図と対照的に、伝導性ホイル１は、本発明に従うと、柔軟な担体材料１１の下部側において0.05Ω／平方のシート抵抗値を有する第２金属層１４を追加的に有し、第２金属層１４は、担体材料１１を介して少なくとも１つの伝導経路１５を通じて担体材料１１の上部側において第２金属領域１２２に接続される。したがって、上部電極３への電流供給は、ＯＬＥＤ素子の背面を介して達成される。このことは、一方で、複雑な構造のＯＬＥＤ素子の場合における上部電極３を多段の副タイルと接触させることを容易にし、他方では、担体材料１１の上部側における非放射領域に関して使用とされる表面領域を低減する。電気絶縁の目的のために第２金属層１４において非伝導層１６が存在し得る。図３に示されない拡散バリア層及び／又は当該絶縁充填材料６を使用しない、非常に類似する実施例も、着想される。第２金属層１４は、ＯＬＥＤ素子への担体材料の下部側からの水分貫通に対する追加的な保護を提供する。

他の実施例において、第２金属層１４は、第１金属領域１２１へ代替的に接続され得る。この場合、第２金属領域１２２は、第２金属層１４から電気的に絶縁され、担体材料１１の上部側を介してここでは示されない電源へ接続され得る。

図４は、絶縁充填材料６によって分離され、有機層スタック２を上部に有する、担体材料１１の上部側に沈着される第１及び第２金属領域１２１及び１２２を含む副タイルＯＬＥＤ素子の平面図である。層１２１、１２２、２、及び３は、伝導金属トラック１２１及び１２２を各副タイルへ提供するために非放射領域（何の有機層スタック２も存在しない領域）によって互いに分離される発光副タイル（ここでは例証として４つの副タイルが示される）を形成するように、副領域にパターン化される。発光副タイルは、光を放射するためのＯＬＥＤ層スタックを含むＯＬＥＤ素子の局所的部分（副領域）を覆う。ＯＬＥＤの全体発光領域は、ここでは黒い領域２として示される、副タイル領域の合計である。図４において、上部電極３は、層構造を明確にするために、幾分小さ目のサイズを与えられている。副タイルＯＬＥＤ素子において、上部電極も、有機層スタックと同一のサイズを有し得る。加えて、副タイルは、直列に並んだ複数のＯＬＥＤ素子からなり得る。また、副タイルの数及び形状は、図４に示される例から異なり得る。上部電極３は、発光有機層スタック２（黒い領域）を覆い、第２金属層１３に電気的に接続される。

２つのＯＬＥＤ素子が柔軟な銅ホイルに構造化されることを成功させた。２つの例において、銅層（第１金属層）は、35μmの厚さ、及び0.001Ω／平方より下の抵抗値を有する。基板サイズは、20mm²サイズの16個の副タイルを有する49×49mm²であった。

例１：
有機エレクトロルミネッセンス素子は、担体材料１１の上部に以下の層スタックを有する。この例において、金が拡散バリア層１３として使用された。：
Cu(35μm)/ Au(1μm)/ PEDOT(100nm)/ α-NPD(15nm)/ α-NPD:ルブレン(15nm)/ AlQ₃(60nm)/ LiF(1nm)/ Al(10nm)

例２：
有機エレクトロルミネッセンス素子は、担体材料１１の上部に以下の層スタックを有する。この例において、銀が拡散バリア層１３として使用された。：
Cu(35μm)/ Ag(1μm)/ PEDOT(100nm)/ α-NPD(15nm)/ α-NPD:ルブレン(15nm)/ AlQ₃(60nm)/ LiF(1nm)/ Al(10nm)

PEDOTは、空孔移送層α-NPDを有する銀又は金の仕事関数不一致を克服するために使用された。ルブレン（Rubrene）は、ドーピング材料であり、このスタックにおいて実際の蛍光材料である。均一輝度が、いかなる差異もなしに、両方の例に関して全ての副タイルの全体発光領域において観測された。

図面及び記載を参照にして説明された実施例は、有機ＬＥＤ素子の例を単に表わしているのみであり、これらの例に関する特許請求の範囲に限定されるように理解されるべきでない。特許請求の範囲の保護範囲によって同様に含まれる代替的な実施例も、当業者によって可能である。従属項の数字付けは、請求項の他の組合せが本発明の有利な実施例を表わし得ないことを示唆するものではない。

図１は、本発明に従うＯＬＥＤ素子の第１実施例の側面立面図である。 図２は、本発明に従うＯＬＥＤ素子の第２実施例の側面立面図である。 図３は、本発明に従う、構造化された第１金属層を有するＯＬＥＤ素子の側面立面図である。 図４は、本発明に従う、構造化された第２金属層を有するＯＬＥＤ素子の側面立面図である。 図５は、本発明に従う、副タイルを有するＯＬＥＤ素子の平面図である。

Claims (11)

1. 少なくとも一部透明な上部電極を介して光を放射する層スタックを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   基板として上部側及び下部側を有する担体材料と、前記担体材料の前記上部側において0.05W／平方のシート抵抗値になるような厚さを有する第１金属層と、を含む伝導性ホイルであって、前記第１金属層が底部電極として少なくとも第１金属領域を有する、伝導性ホイルと、
   前記底部電極の上において沈着され、光を放射するように設計される、有機層スタックと、
   前記有機層スタックの上における前記透明な上部電極と、
   少なくとも前記透明な上部電極及び前記有機層スタックを覆う少なくとも一部透明な保護要素と、
   を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第１金属層が、更に、前記有機層スタックとの界面において伝導拡散バリア層を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記透明な上部電極が、インジウムスズ酸化物から作製される、ことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記透明な上部電極が、20nmより下の厚さを有し、前記有機層スタックとの界面において上部金属層及び電子注入層を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第１金属層が、更に、前記第１金属領域から電気的に絶縁され、且つ前記透明な上部電極に直接電気接触を提供するように設計される第２金属領域を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記層スタックの前記層が、非放射領域によって互いに分離される発光副タイルを形成するために副領域にパターン化され、各副タイルへの伝導金属トラックを提供するようにされることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 請求項５又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第１金属層の前記第１及び第２金属領域が、絶縁充填材料によって分離されることを特徴とすることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 請求項５又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記伝導性ホイルが、更に、
   前記担体材料の前記下部側において0.05W／平方より少ないシート抵抗値になる厚さを有する第２金属層と、
   前記担体材料の前記上部側において前記第１金属層の前記第１又は第２領域へのいずれかへの前記第２金属層を接続させるための、前記担体材料を介した少なくとも１つの伝導経路と、
   を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 請求項１ないし８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記伝導性ホイルが、柔軟な担体材料を含む柔軟な伝導性ホイルであることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 請求項１ないし９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記保護要素が、保護要素は、少なくとも前記透明な上部電極及び前記有機層スタックを覆う、透明な、化学的に不活性な層を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも前記第１金属層が銅を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。

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