JPH11126691A - 有機ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH11126691A JPH11126691A JP9292083A JP29208397A JPH11126691A JP H11126691 A JPH11126691 A JP H11126691A JP 9292083 A JP9292083 A JP 9292083A JP 29208397 A JP29208397 A JP 29208397A JP H11126691 A JPH11126691 A JP H11126691A
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Classifications
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
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- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/129—Chiplets
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- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子材料の耐熱性の乏しさのため
に、透明電極を形成した後でしか有機薄膜を形成するこ
とができないというプロセス上の制約を克服し、自由自
在に有機薄膜を形成できる製造方法を提供することであ
る。 【解決手段】 有機薄膜の上に透明電極（ＩＴＯ薄膜）
を成膜するに際して、冷却したメタルマスクをスパッタ
粒子流の中に置き、不要な粒子が有機薄膜の温度を上昇
させることがないようにする。マスクの穴を通過し基板
表面に到達するスパッタ粒子のエネルギーを最小レベル
に抑え、一部をイオン化し電界加速でエネルギー補充す
ることで、安定な成膜を実現している。
に、透明電極を形成した後でしか有機薄膜を形成するこ
とができないというプロセス上の制約を克服し、自由自
在に有機薄膜を形成できる製造方法を提供することであ
る。 【解決手段】 有機薄膜の上に透明電極（ＩＴＯ薄膜）
を成膜するに際して、冷却したメタルマスクをスパッタ
粒子流の中に置き、不要な粒子が有機薄膜の温度を上昇
させることがないようにする。マスクの穴を通過し基板
表面に到達するスパッタ粒子のエネルギーを最小レベル
に抑え、一部をイオン化し電界加速でエネルギー補充す
ることで、安定な成膜を実現している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子および
その製造方法に関し、特に有機ＥＬ素子とその駆動回路
を一体化できる構造および製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に有機ＥＬ素子とその駆動回路
を一体化できる構造および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の有機ＥＬ素子とその駆動回路の一
体化の技術としては、１９９６年１２月に開催されたイ
ンターナショナルエレクトロンデバイスミーティング
（ＩＥＤＭ‘９６）で、プリンストン大学のシー・シー
・フウらによって、「連続状の金属フォイル基板を使用
した有機ＥＬ素子とアモルファスＳｉ薄膜トランジスタ
の集積化」（Ｃ．Ｃ．Ｗｕ，ｅｔａｌ．，”Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ ＬＥＤ’ｓ ａ
ｎｄ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉ ＴＦＴ’ｓ ｏｎｔ
ｏ Ｕｎｂｒｅａｋａｂｌｅ Ｍｅｔａｌ ＦｏｉＬ
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，ＩＥＤＭ Ｔｓｃｈ．Ｄｉ
ｇ．，９５７−９５９，１９９６）と題して報告された
ものがある。
体化の技術としては、１９９６年１２月に開催されたイ
ンターナショナルエレクトロンデバイスミーティング
（ＩＥＤＭ‘９６）で、プリンストン大学のシー・シー
・フウらによって、「連続状の金属フォイル基板を使用
した有機ＥＬ素子とアモルファスＳｉ薄膜トランジスタ
の集積化」（Ｃ．Ｃ．Ｗｕ，ｅｔａｌ．，”Ｉｎｔｅｇ
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ｎｄ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉ ＴＦＴ’ｓ ｏｎｔ
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Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，ＩＥＤＭ Ｔｓｃｈ．Ｄｉ
ｇ．，９５７−９５９，１９９６）と題して報告された
ものがある。
【０００３】ここで報告された構造は、図１５に示す通
りであり、ステンレス基板１３を使用し、陽極としては
Ｐｔ電極１４を、陰極としては膜厚が１５０Åの薄いＡ
ｇ電極１６を、有機膜としてはポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）系のポリマー薄膜１５をスピンコート法で形
成した単層膜である。発光は薄いＡｇ電極１６側に取り
出される。
りであり、ステンレス基板１３を使用し、陽極としては
Ｐｔ電極１４を、陰極としては膜厚が１５０Åの薄いＡ
ｇ電極１６を、有機膜としてはポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）系のポリマー薄膜１５をスピンコート法で形
成した単層膜である。発光は薄いＡｇ電極１６側に取り
出される。
【０００４】図１５に示した構造では、有機ＥＬ素子と
駆動回路とが、一応、一体化されているが、報告の有機
ＥＬ素子発光効率は０．０１％程度であり、単体の有機
ＥＬ素子で実現されている発光効率４〜５％とはとうて
い競合できるものではない。よって、有機ＥＬ素子の新
しいコンセプトが提案されたという以上の意味はなかっ
た。
駆動回路とが、一応、一体化されているが、報告の有機
ＥＬ素子発光効率は０．０１％程度であり、単体の有機
ＥＬ素子で実現されている発光効率４〜５％とはとうて
い競合できるものではない。よって、有機ＥＬ素子の新
しいコンセプトが提案されたという以上の意味はなかっ
た。
【０００５】引き続いて、同じくシー・シー・フウら
は、１９９７年５月に開催されたＳＩＤ（Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ）のインターナショナルシンポジウム（ＳＩＤ‘９
７）において、図１６に示す構造を報告した。
は、１９９７年５月に開催されたＳＩＤ（Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ）のインターナショナルシンポジウム（ＳＩＤ‘９
７）において、図１６に示す構造を報告した。
【０００６】図１６に示した構造は、ステンレス基板１
３、Ｐｔ電極（陽極）１４およびポリマー薄膜１５につ
いては、ＩＥＤＭ‘９６に報告された図１５に示した構
造と同じである。違っている点は、陰極を１５０ÅのＭ
ｇＡｇと４００ÅのＩＴＯとから成る多層構造の電極、
すなわちＩＴＯ／薄いＭｇＡｇ積層電極（陰極）１７に
して改良した点である。報告によると、この改良によっ
て発光効率を１％程度に向上できたとのことである。
３、Ｐｔ電極（陽極）１４およびポリマー薄膜１５につ
いては、ＩＥＤＭ‘９６に報告された図１５に示した構
造と同じである。違っている点は、陰極を１５０ÅのＭ
ｇＡｇと４００ÅのＩＴＯとから成る多層構造の電極、
すなわちＩＴＯ／薄いＭｇＡｇ積層電極（陰極）１７に
して改良した点である。報告によると、この改良によっ
て発光効率を１％程度に向上できたとのことである。
【０００７】図１５および図１６に示した構造では、ど
ちらも、発光を陰極を透過して取り出している。図１５
に示した構造は、陰極として本来透明とは言えないＡｇ
膜を用いており、このＡｇ膜を薄くして無理に透明性を
得たものであった。これに対して図１６に示した構造で
は、この点が改良され、透明なＩＴＯ膜を使用するよう
になったが、ＩＴＯ膜の仕事関数は大き過ぎて、有機薄
膜のイオン化ポテンシャルとの関係で、電子注入が不具
合（不利）になり、その点を薄いＭｇＡｇを挿入するこ
とで対策している。改良の効果は認められるものの、Ｍ
ｇＡｇ膜も本来透明とは言えず、やはり透過率を低下さ
せるものである。
ちらも、発光を陰極を透過して取り出している。図１５
に示した構造は、陰極として本来透明とは言えないＡｇ
膜を用いており、このＡｇ膜を薄くして無理に透明性を
得たものであった。これに対して図１６に示した構造で
は、この点が改良され、透明なＩＴＯ膜を使用するよう
になったが、ＩＴＯ膜の仕事関数は大き過ぎて、有機薄
膜のイオン化ポテンシャルとの関係で、電子注入が不具
合（不利）になり、その点を薄いＭｇＡｇを挿入するこ
とで対策している。改良の効果は認められるものの、Ｍ
ｇＡｇ膜も本来透明とは言えず、やはり透過率を低下さ
せるものである。
【０００８】更なる従来例が特開昭６１−２３１５８４
号公報に記載されている。
号公報に記載されている。
【０００９】図１７は、この特開昭６１−２３１５８４
号公報に記載されたＥＬ表示装置の構造を示す斜視図で
ある。
号公報に記載されたＥＬ表示装置の構造を示す斜視図で
ある。
【００１０】図１７に示した構造では、Ｚｎ：Ｍｍ等の
無機の発光材料を使用する無機ＥＬをセラミック基板１
８の主表面に形成し、セラミック基板１８を貫通する配
線で裏面側に引き出し、駆動回路と接続し、一体化して
いる。
無機の発光材料を使用する無機ＥＬをセラミック基板１
８の主表面に形成し、セラミック基板１８を貫通する配
線で裏面側に引き出し、駆動回路と接続し、一体化して
いる。
【００１１】図１７に示した構造は、次のように製造さ
れる。
れる。
【００１２】まず、セラミック基板１８の主表面に第１
の電極１９を形成し、続いて絶縁層２０、無機発光層２
１、絶縁層２２および第２の電極２３を形成して、無機
ＥＬ素子を製造する。
の電極１９を形成し、続いて絶縁層２０、無機発光層２
１、絶縁層２２および第２の電極２３を形成して、無機
ＥＬ素子を製造する。
【００１３】発光は第２の電極２３側に取り出されるの
で、第２の電極２３には透明な電極が用いられる。無機
ＥＬ素子を構成する材料は耐熱性に富み、無機発光層２
１を形成した後、透明な第２の電極２３を通常のスパッ
タリング法を使用して形成することができる。
で、第２の電極２３には透明な電極が用いられる。無機
ＥＬ素子を構成する材料は耐熱性に富み、無機発光層２
１を形成した後、透明な第２の電極２３を通常のスパッ
タリング法を使用して形成することができる。
【００１４】この材料の耐熱性の違い、すなわち、無機
ＥＬ素子を構成する材料は耐熱性に富んでいるが、有機
ＥＬ素子の材料は耐熱性に乏しいことこそが、有機ＥＬ
素子とその駆動回路との一体化を阻んでいた要因であ
る。
ＥＬ素子を構成する材料は耐熱性に富んでいるが、有機
ＥＬ素子の材料は耐熱性に乏しいことこそが、有機ＥＬ
素子とその駆動回路との一体化を阻んでいた要因であ
る。
【００１５】図１７に示した構造と本発明による構造と
は、一体化という点では類似しているが、本発明では有
機ＥＬ素子でこの一体化が可能になったという点で、両
者はまったく別のものである。
は、一体化という点では類似しているが、本発明では有
機ＥＬ素子でこの一体化が可能になったという点で、両
者はまったく別のものである。
【００１６】無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とは発光メカ
ニズムが異なっており、このために、無機ＥＬ素子では
１００Ｖ以上の駆動電圧が必要であるのに対して、有機
ＥＬ素子では１０Ｖ以下で駆動できる。無機ＥＬ素子が
高い駆動電圧を必要とするのは、有機ＥＬ素子のように
再結合で励起するのではなく、電子を電界加速で発光セ
ンターに衝突させて発光させるためである。この駆動電
圧の点からも、有機ＥＬ素子に期待が集まっているが、
前述したように、有機ＥＬ素子の材料は耐熱性が乏し
く、従来は一体化が難しかった。
ニズムが異なっており、このために、無機ＥＬ素子では
１００Ｖ以上の駆動電圧が必要であるのに対して、有機
ＥＬ素子では１０Ｖ以下で駆動できる。無機ＥＬ素子が
高い駆動電圧を必要とするのは、有機ＥＬ素子のように
再結合で励起するのではなく、電子を電界加速で発光セ
ンターに衝突させて発光させるためである。この駆動電
圧の点からも、有機ＥＬ素子に期待が集まっているが、
前述したように、有機ＥＬ素子の材料は耐熱性が乏し
く、従来は一体化が難しかった。
【００１７】有機ＥＬ素子製造の全プロセスで必ず８０
℃程度以下であることを維持しなければならないことは
きわめて大きな制約であった。そのために、一体化によ
るコンパクト化、軽量化、ローコスト化などの諸々の利
点を十分に認識しつつも、従来は、図１５や図１６に示
した例のように、有機ＥＬ素子の材料の中で比較的耐熱
性の高いポリマー（高分子）を使用して、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法で条件を限定してＩＴＯをどうにかその
構造を実現し得る程度であった。ポリマーの場合、有機
ＥＬ素子の材料として広範囲に使用されている低分子系
有機ＥＬ素子材料に比べて、耐熱性こそは優れているも
のの、良好な成膜が得られる真空蒸着法には不向きで、
スピンコート法などのみしか適用できない。
℃程度以下であることを維持しなければならないことは
きわめて大きな制約であった。そのために、一体化によ
るコンパクト化、軽量化、ローコスト化などの諸々の利
点を十分に認識しつつも、従来は、図１５や図１６に示
した例のように、有機ＥＬ素子の材料の中で比較的耐熱
性の高いポリマー（高分子）を使用して、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法で条件を限定してＩＴＯをどうにかその
構造を実現し得る程度であった。ポリマーの場合、有機
ＥＬ素子の材料として広範囲に使用されている低分子系
有機ＥＬ素子材料に比べて、耐熱性こそは優れているも
のの、良好な成膜が得られる真空蒸着法には不向きで、
スピンコート法などのみしか適用できない。
【００１８】透明電極を低温度で形成する試みは絶えず
なされてきたが、代表的なその関係の従来技術には、特
開平９−７１８６０号公報に記載された技術がある。
なされてきたが、代表的なその関係の従来技術には、特
開平９−７１８６０号公報に記載された技術がある。
【００１９】これは、主として、プラスチック基板にＩ
ＴＯ電極を低温度で形成したいニーズを背景としたもの
で、内容はスパッタリングのターゲットの工夫である。
正三価以上の原子価を有する元素の酸化物に、所望によ
り、酸化インジウムおよび酸化亜鉛を混合し、成型、焼
結した後、アニーリングして製造したターゲットとその
製造方法が知られている。具体的なターゲット製造例と
しては、たとえば、純度９９．９９％で平均粒径１μｍ
のＩｎ2 Ｏ3 を２５４ｇと、純度９９．９９％で平均粒
径１μｍの酸化亜鉛粉末４０ｇと、純度９９．９９％で
平均粒径１μｍの酸化チタン粉末６ｇとを混合して製造
したターゲットを使用して、表１に示した条件で成膜さ
れた例が報告されている。
ＴＯ電極を低温度で形成したいニーズを背景としたもの
で、内容はスパッタリングのターゲットの工夫である。
正三価以上の原子価を有する元素の酸化物に、所望によ
り、酸化インジウムおよび酸化亜鉛を混合し、成型、焼
結した後、アニーリングして製造したターゲットとその
製造方法が知られている。具体的なターゲット製造例と
しては、たとえば、純度９９．９９％で平均粒径１μｍ
のＩｎ2 Ｏ3 を２５４ｇと、純度９９．９９％で平均粒
径１μｍの酸化亜鉛粉末４０ｇと、純度９９．９９％で
平均粒径１μｍの酸化チタン粉末６ｇとを混合して製造
したターゲットを使用して、表１に示した条件で成膜さ
れた例が報告されている。
【００２０】表１中では、基板温度は室温とされている
が、この表示が実質的に意味するところは、特別な記載
がされていないことからして、基板を特には加熱もしく
は冷却はしなかったということであり、スパッタ中に成
膜粒子の余剰エネルギーにより、基板は当然ながら温度
上昇している。
が、この表示が実質的に意味するところは、特別な記載
がされていないことからして、基板を特には加熱もしく
は冷却はしなかったということであり、スパッタ中に成
膜粒子の余剰エネルギーにより、基板は当然ながら温度
上昇している。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題の１つは、有機ＥＬ素子材料の耐熱性の乏しさ
のために、透明電極を形成した後でしか有機薄膜を形成
することができないというプロセス上の制約を克服し、
自由自在に有機薄膜を形成できる製造方法を提供するこ
とである。
する課題の１つは、有機ＥＬ素子材料の耐熱性の乏しさ
のために、透明電極を形成した後でしか有機薄膜を形成
することができないというプロセス上の制約を克服し、
自由自在に有機薄膜を形成できる製造方法を提供するこ
とである。
【００２３】本発明の目的は、上記の諸課題を解決し、
それにより、有機ＥＬ素子の基板がガラスあるいはプラ
スチックなどの透明な材料のみに限定されていた従来の
束縛を解き、広範囲な材料を使用することができるよう
にすることである。それに関連して、回路基板として広
く使用されているエポキシ樹脂などのプリント配線板を
有機ＥＬ素子の基板として使用し、駆動回路を一体化し
た軽量薄型でコンパクトな有機ＥＬディスプレイを実現
することである。
それにより、有機ＥＬ素子の基板がガラスあるいはプラ
スチックなどの透明な材料のみに限定されていた従来の
束縛を解き、広範囲な材料を使用することができるよう
にすることである。それに関連して、回路基板として広
く使用されているエポキシ樹脂などのプリント配線板を
有機ＥＬ素子の基板として使用し、駆動回路を一体化し
た軽量薄型でコンパクトな有機ＥＬディスプレイを実現
することである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の諸課
題を解決するために、有機薄膜の上に透明電極（ＩＴＯ
薄膜）を成膜するに際して、冷却したメタルマスクをス
パッタ粒子流の中に置き、不要な粒子が有機薄膜の温度
を上昇させることがないようにする。マスクの穴を通過
し基板表面に到達するスパッタ粒子のエネルギーを最小
レベルに抑え、一部をイオン化し電界加速でエネルギー
補充することで、安定な成膜を実現している。
題を解決するために、有機薄膜の上に透明電極（ＩＴＯ
薄膜）を成膜するに際して、冷却したメタルマスクをス
パッタ粒子流の中に置き、不要な粒子が有機薄膜の温度
を上昇させることがないようにする。マスクの穴を通過
し基板表面に到達するスパッタ粒子のエネルギーを最小
レベルに抑え、一部をイオン化し電界加速でエネルギー
補充することで、安定な成膜を実現している。
【００２５】また、従来の製造方法で、基板温度を室温
にするという意味は基板加熱を実施しないということ
で、成膜中の基板温度はなるがままの状態であったが、
本発明では成膜中の基板温度を積極的に制御し、不必要
に温度上昇することを防止する。
にするという意味は基板加熱を実施しないということ
で、成膜中の基板温度はなるがままの状態であったが、
本発明では成膜中の基板温度を積極的に制御し、不必要
に温度上昇することを防止する。
【００２６】本発明の有機ＥＬ素子では、前述したよう
に、有機薄膜の上に透明電極を設けた構造で、これを通
して発光を外部に取り出すため、有機薄膜の下側（裏面
側）は透明である必要がない。すなわち、基板材料は透
明である必要がなく、広範囲な基板材料を使用できる。
代表的な例としては、プリント配線板に有機ＥＬ素子を
形成して、駆動回路を一体化した有機ＥＬディスプレイ
を実現することができる。一体化することの効果は、ガ
ラス基板および接続フレキシブルリード（ＦＰＣ）を削
減することによる、資材比の低減、重量の軽減、厚さの
薄型化、加工工数の削減、および、コンパクト化が図れ
ることである。
に、有機薄膜の上に透明電極を設けた構造で、これを通
して発光を外部に取り出すため、有機薄膜の下側（裏面
側）は透明である必要がない。すなわち、基板材料は透
明である必要がなく、広範囲な基板材料を使用できる。
代表的な例としては、プリント配線板に有機ＥＬ素子を
形成して、駆動回路を一体化した有機ＥＬディスプレイ
を実現することができる。一体化することの効果は、ガ
ラス基板および接続フレキシブルリード（ＦＰＣ）を削
減することによる、資材比の低減、重量の軽減、厚さの
薄型化、加工工数の削減、および、コンパクト化が図れ
ることである。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】図１から図９を参照して説明すると、本発
明の最良の実施形態は、プリント配線板あるいはＰＷＢ
といわれる基板１の主表面側に完成時に陰極となる金属
電極２を形成し、その上に有機ＥＬ素子の有機薄膜３を
形成し、さらに完成時に陽極となる透明電極４を形成し
ている。
明の最良の実施形態は、プリント配線板あるいはＰＷＢ
といわれる基板１の主表面側に完成時に陰極となる金属
電極２を形成し、その上に有機ＥＬ素子の有機薄膜３を
形成し、さらに完成時に陽極となる透明電極４を形成し
ている。
【００２９】通常の状態では、金属電極２および透明電
極４はそれぞれストライプ状に形成され、両者は有機薄
膜３を挟んで直交するように形成されている。それぞれ
の金属電極２および透明電極４は互いに絶縁分離された
金属パッド５に電気的に接続されている。
極４はそれぞれストライプ状に形成され、両者は有機薄
膜３を挟んで直交するように形成されている。それぞれ
の金属電極２および透明電極４は互いに絶縁分離された
金属パッド５に電気的に接続されている。
【００３０】各金属パッド５は基板１の主表面と裏面と
を接続する貫通配線６に接続され、基板１の裏面の金属
配線７に接続されている。裏面にはラッチアップ回路あ
るいはドライバーあるいはマイコンなどのＩＣとそれに
付属するコンデンサ、抵抗などの回路部品８が搭載（金
属配線７に接続）され、駆動回路を構成している。すな
わち、基板１の主表面側に有機ＥＬ素子が形成され、裏
面側に駆動回路が形成され、両者は一体化されている。
を接続する貫通配線６に接続され、基板１の裏面の金属
配線７に接続されている。裏面にはラッチアップ回路あ
るいはドライバーあるいはマイコンなどのＩＣとそれに
付属するコンデンサ、抵抗などの回路部品８が搭載（金
属配線７に接続）され、駆動回路を構成している。すな
わち、基板１の主表面側に有機ＥＬ素子が形成され、裏
面側に駆動回路が形成され、両者は一体化されている。
【００３１】図１〜図４に示した構造、および、図５に
示した製造プロセスには記載していないが、完成時の構
造としては、有機ＥＬ素子は透明性キャップあるいは透
明性樹脂により封止されている。図５の製造プロセスに
は封止工程が実施される。
示した製造プロセスには記載していないが、完成時の構
造としては、有機ＥＬ素子は透明性キャップあるいは透
明性樹脂により封止されている。図５の製造プロセスに
は封止工程が実施される。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を説明する。
【００３３】本発明の具体的実施例としては、基板１に
は、市販のガラスエポキシ系プリント配線板を使用し
た。ガラスエポキシ系プリント配線板を使用したことに
特別な理由はなく、基本的にはどのような基板材料でも
可能である。ただし、有機ＥＬ素子は後述するように、
真空蒸着法で有機薄膜が形成され、スパッタリング法で
透明電極が形成されるので、そのプロセスに耐えること
ができるものである必要がある。たとえば、真空中で基
板内部の気泡が膨張あるいは含水水分あるいは溶液が沸
騰するようなことがあってはならない。また、望ましく
は、有機ＥＬ素子は水分と酸素により耐久性を損なわれ
るので、それらの少ない材料を選択する方がよい。
は、市販のガラスエポキシ系プリント配線板を使用し
た。ガラスエポキシ系プリント配線板を使用したことに
特別な理由はなく、基本的にはどのような基板材料でも
可能である。ただし、有機ＥＬ素子は後述するように、
真空蒸着法で有機薄膜が形成され、スパッタリング法で
透明電極が形成されるので、そのプロセスに耐えること
ができるものである必要がある。たとえば、真空中で基
板内部の気泡が膨張あるいは含水水分あるいは溶液が沸
騰するようなことがあってはならない。また、望ましく
は、有機ＥＬ素子は水分と酸素により耐久性を損なわれ
るので、それらの少ない材料を選択する方がよい。
【００３４】なお、貫通配線６と金属パッド５を含めて
配線パターンは、オーダーメードの必要がある。基板１
の配線（図中記載なし）の材料はＣｕであり、その一部
をそのまま金属電極２に利用してもよいが、本実施例で
は、有機ＥＬ素子を高性能にするために、金属電極２は
Ａｌを主体としてＬｉほかハロゲン元素を１重量％程度
に微量添加した膜厚０．２〜１．５μｍ程度の薄膜を真
空蒸着法あるいはスパッタリング法で全面に形成した
後、フォトリソグラフィ法でストライプ状にパターン加
工して形成した。この方法のほかに、フォトリソグラフ
ィ法を使用せずにメタルマスクを使用したシャドーマス
ク法でストライプ状にパターン加工するほかの方法でも
可能である。
配線パターンは、オーダーメードの必要がある。基板１
の配線（図中記載なし）の材料はＣｕであり、その一部
をそのまま金属電極２に利用してもよいが、本実施例で
は、有機ＥＬ素子を高性能にするために、金属電極２は
Ａｌを主体としてＬｉほかハロゲン元素を１重量％程度
に微量添加した膜厚０．２〜１．５μｍ程度の薄膜を真
空蒸着法あるいはスパッタリング法で全面に形成した
後、フォトリソグラフィ法でストライプ状にパターン加
工して形成した。この方法のほかに、フォトリソグラフ
ィ法を使用せずにメタルマスクを使用したシャドーマス
ク法でストライプ状にパターン加工するほかの方法でも
可能である。
【００３５】各ストライプはピッチを０．２５〜１．５
ｍｍ、スペース（間隔）を０．０１〜０．１ｍｍ程度に
形成した。本発明の実施にあたり形成するストライプの
ピッチとスペースは特に意味を持っているものではな
く、表示ディスプレイとして要求されることとパターン
加工の微細化レベルとで妥協する適当なところでよい。
金属電極２の表面を図７に示した洗浄プロセス、すなわ
ち、で表面処理した後、ＩＰＡアルコールなどの有機溶
媒処理を行い、超音波流純水洗浄して稀ＨＦ溶液ほかで
金属電極２の表面を薄くエッチング除去し、さらに超音
波流純水洗浄した後、窒素ガスなどの不活性雰囲気中で
十分に乾燥して、真空蒸着機にセットし、真空蒸着法で
図５に示した次工程の有機薄膜３の形成を行う。有機薄
膜３は、図２に示したように、周辺部分を被覆しないよ
うにはするが、個々の、すなわち金属電極２あるいは透
明電極４に対応するパターン加工は施さない（いわゆる
ベタ層）で形成する。
ｍｍ、スペース（間隔）を０．０１〜０．１ｍｍ程度に
形成した。本発明の実施にあたり形成するストライプの
ピッチとスペースは特に意味を持っているものではな
く、表示ディスプレイとして要求されることとパターン
加工の微細化レベルとで妥協する適当なところでよい。
金属電極２の表面を図７に示した洗浄プロセス、すなわ
ち、で表面処理した後、ＩＰＡアルコールなどの有機溶
媒処理を行い、超音波流純水洗浄して稀ＨＦ溶液ほかで
金属電極２の表面を薄くエッチング除去し、さらに超音
波流純水洗浄した後、窒素ガスなどの不活性雰囲気中で
十分に乾燥して、真空蒸着機にセットし、真空蒸着法で
図５に示した次工程の有機薄膜３の形成を行う。有機薄
膜３は、図２に示したように、周辺部分を被覆しないよ
うにはするが、個々の、すなわち金属電極２あるいは透
明電極４に対応するパターン加工は施さない（いわゆる
ベタ層）で形成する。
【００３６】有機薄膜３の膜厚は１００〜３００ｎｍ程
度であり、詳しくは２〜４層程度の多層構造になってい
る。図６に４層構造の事例の製造プロセスを示す。通常
のガラス基板の場合と逆になり、図６に示したように、
電子輸送層を形成し、その上に発光層を形成し、さらに
正孔輸送層および正孔注入層を形成している。実施例の
場合、具体的には、電子輸送材としてアルミキノール錯
体Ａｌｑ3 を、発光材にはＡｌｑ3 にキナクリドンを共
蒸着法でドープしたものを、正孔輸送材にはジアミンＴ
ＰＤを、そして、正孔注入材には銅フタロシアンＣｕＰ
Ｃを使用した。それぞれの層の膜厚は、５〜１５０ｎｍ
程度である。良好な特性を得るためには、膜厚を最適化
することが必要である。なお、本発明の実施には、他の
有機ＥＬ材料も使用できることはもちろんである。
度であり、詳しくは２〜４層程度の多層構造になってい
る。図６に４層構造の事例の製造プロセスを示す。通常
のガラス基板の場合と逆になり、図６に示したように、
電子輸送層を形成し、その上に発光層を形成し、さらに
正孔輸送層および正孔注入層を形成している。実施例の
場合、具体的には、電子輸送材としてアルミキノール錯
体Ａｌｑ3 を、発光材にはＡｌｑ3 にキナクリドンを共
蒸着法でドープしたものを、正孔輸送材にはジアミンＴ
ＰＤを、そして、正孔注入材には銅フタロシアンＣｕＰ
Ｃを使用した。それぞれの層の膜厚は、５〜１５０ｎｍ
程度である。良好な特性を得るためには、膜厚を最適化
することが必要である。なお、本発明の実施には、他の
有機ＥＬ材料も使用できることはもちろんである。
【００３７】有機薄膜３を形成した後、透明電極４を形
成する。有機薄膜３形成から透明電極４形成の間は真空
を破らずに実施するのが望ましい。もちろん真空を破っ
ても本発明を実施できるが、特性面およびダークスポッ
ト（発光領域の中の斑点状の非発光領域）面で不利であ
る。
成する。有機薄膜３形成から透明電極４形成の間は真空
を破らずに実施するのが望ましい。もちろん真空を破っ
ても本発明を実施できるが、特性面およびダークスポッ
ト（発光領域の中の斑点状の非発光領域）面で不利であ
る。
【００３８】本発明の実施事例では、真空蒸着機と透明
電極４を形成するマグネトロンスパッタ装置とは気密状
態で接続されており、真空を破ることなく、透明電極４
を連続して形成することができる。透明電極４形成の今
一つのポイントは形成プロセス中の温度上昇を可能な限
り防止することである。
電極４を形成するマグネトロンスパッタ装置とは気密状
態で接続されており、真空を破ることなく、透明電極４
を連続して形成することができる。透明電極４形成の今
一つのポイントは形成プロセス中の温度上昇を可能な限
り防止することである。
【００３９】本実施例では、従来技術として示した特開
平９−７１８６０号公報に記載のターゲットとそこで推
奨されている成膜条件をベースにして、特に基板が温度
上昇しないように創意工夫している。工夫の第１はスパ
ッタ流の中に透明電極４をパターン加工するためのメタ
ルマスクを挿入し、メタルマスクを伝熱方式で冷却する
ようにしたことである。有機薄膜３の表面に付着した透
明電極粒子はそれなりの熱もしくは運動エネルギーを持
っていないと上質な成膜ができないのでその粒子の冷却
はできない。メタルマスク部分は成膜には関係なく、本
発明では、メタルマスクからの輻射熱を低減するように
メタルマスクのホルダーを使用し伝熱で冷却する。
平９−７１８６０号公報に記載のターゲットとそこで推
奨されている成膜条件をベースにして、特に基板が温度
上昇しないように創意工夫している。工夫の第１はスパ
ッタ流の中に透明電極４をパターン加工するためのメタ
ルマスクを挿入し、メタルマスクを伝熱方式で冷却する
ようにしたことである。有機薄膜３の表面に付着した透
明電極粒子はそれなりの熱もしくは運動エネルギーを持
っていないと上質な成膜ができないのでその粒子の冷却
はできない。メタルマスク部分は成膜には関係なく、本
発明では、メタルマスクからの輻射熱を低減するように
メタルマスクのホルダーを使用し伝熱で冷却する。
【００４０】透明電極４は１０分程度で膜厚１００〜３
００ｎｍ程度を形成するが、通常では、時間が経過する
とともに基板１の温度が上昇する。透明電極４の成膜の
質は有機薄膜３と界面を構成する初期の成膜状態こそ有
機ＥＬ素子の特性に影響するので、温度上昇するにつれ
て上質な透明電極膜が形成されても特性を良好にするも
のではない。
００ｎｍ程度を形成するが、通常では、時間が経過する
とともに基板１の温度が上昇する。透明電極４の成膜の
質は有機薄膜３と界面を構成する初期の成膜状態こそ有
機ＥＬ素子の特性に影響するので、温度上昇するにつれ
て上質な透明電極膜が形成されても特性を良好にするも
のではない。
【００４１】本発明では、基板１を冷却する機構を追加
し、基板１の温度が上昇しないようにコントロールする
ようにしている。さらに、スパッタ流の一部をイオン化
し電界で有機薄膜３の表面に付着する粒子のエネルギー
を制御することを行っている。それらの必要にしてオー
バーしないコントロールができるようになり、基板１
の、正確には有機薄膜３の温度が有機薄膜３が耐えられ
る範囲、推定では６５℃程度に抑えることができるよう
になった。
し、基板１の温度が上昇しないようにコントロールする
ようにしている。さらに、スパッタ流の一部をイオン化
し電界で有機薄膜３の表面に付着する粒子のエネルギー
を制御することを行っている。それらの必要にしてオー
バーしないコントロールができるようになり、基板１
の、正確には有機薄膜３の温度が有機薄膜３が耐えられ
る範囲、推定では６５℃程度に抑えることができるよう
になった。
【００４２】図８および図９は、本発明を実施して製作
した有機ＥＬ素子の電流−電圧特性および輝度−電流特
性を、従来のガラス基板を使用した有機ＥＬ素子の特性
と比較して示す。同等とは言いかねるが、有機ＥＬディ
スプレイを設定できる一応の特性が得られている。
した有機ＥＬ素子の電流−電圧特性および輝度−電流特
性を、従来のガラス基板を使用した有機ＥＬ素子の特性
と比較して示す。同等とは言いかねるが、有機ＥＬディ
スプレイを設定できる一応の特性が得られている。
【００４３】次に、本発明の第２の実施例について図１
０および図１１を参照して説明する。
０および図１１を参照して説明する。
【００４４】第１の実施例では、基板１の裏面には回路
部品が搭載され、有機ＥＬ素子と駆動回路とを基板１を
介して一体化するものであったが、この実施例では、裏
面に接着層９により放熱フィン１０が取付けられてい
る。
部品が搭載され、有機ＥＬ素子と駆動回路とを基板１を
介して一体化するものであったが、この実施例では、裏
面に接着層９により放熱フィン１０が取付けられてい
る。
【００４５】基板１の主表面側は第１の実施例と同様で
有機薄膜３を互いに直交するストライプ状の金属電極２
と透明電極４とで挟んで有機ＥＬ素子を構成している。
第１の実施例と異なり、第２の実施例では、貫通配線６
は形成されておらず、それぞれの電極は主表面側の周辺
部分にフレキシブルリード（ＦＰＣ）が接続され、他の
ボードに構成されている駆動回路と接続する。
有機薄膜３を互いに直交するストライプ状の金属電極２
と透明電極４とで挟んで有機ＥＬ素子を構成している。
第１の実施例と異なり、第２の実施例では、貫通配線６
は形成されておらず、それぞれの電極は主表面側の周辺
部分にフレキシブルリード（ＦＰＣ）が接続され、他の
ボードに構成されている駆動回路と接続する。
【００４６】この実施例で接着層９は基板１と放熱フィ
ン１０とを熱的に良好に接続するもので、実施例ではサ
ーマルグリースを１０〜５０μｍ程度の層厚に形成して
使用した。放熱フィン１０はＡｌ材料の市販のものでサ
イズの適当なものを選んで使用した。実施例では特に放
熱フィン１０をネジなどで基板１に固定することはしな
かったが、多くの例に見られるように、このような方法
か適当な方法により、固定することが望ましい。
ン１０とを熱的に良好に接続するもので、実施例ではサ
ーマルグリースを１０〜５０μｍ程度の層厚に形成して
使用した。放熱フィン１０はＡｌ材料の市販のものでサ
イズの適当なものを選んで使用した。実施例では特に放
熱フィン１０をネジなどで基板１に固定することはしな
かったが、多くの例に見られるように、このような方法
か適当な方法により、固定することが望ましい。
【００４７】放熱フィン１０を取付けた効果は、有機Ｅ
Ｌ素子が発光するときの１〜１０Ｗ程度の発熱を速やか
に放熱し、温度上昇を抑止することができる点にある。
有機薄膜３は現状で入手できる材料では耐熱性が乏し
く、第２の実施例によればその欠点を補い、応用分野を
拡大することができる。図１１の中に記載しているよう
に、有機薄膜３で生じた発熱は、熱伝導率が高いため
に、透明電極４よりも金属電極２に吸い出され、拡散
し、基板１を貫通し、接着層９を介して放熱フィン１０
に伝熱され、放熱フィン１０から大気中に放熱される。
有機薄膜３と大気との温度差は小さく、量的な効果とし
ては小さいが、有機薄膜３の耐熱性不足をカバーする効
果は十分に得られる。
Ｌ素子が発光するときの１〜１０Ｗ程度の発熱を速やか
に放熱し、温度上昇を抑止することができる点にある。
有機薄膜３は現状で入手できる材料では耐熱性が乏し
く、第２の実施例によればその欠点を補い、応用分野を
拡大することができる。図１１の中に記載しているよう
に、有機薄膜３で生じた発熱は、熱伝導率が高いため
に、透明電極４よりも金属電極２に吸い出され、拡散
し、基板１を貫通し、接着層９を介して放熱フィン１０
に伝熱され、放熱フィン１０から大気中に放熱される。
有機薄膜３と大気との温度差は小さく、量的な効果とし
ては小さいが、有機薄膜３の耐熱性不足をカバーする効
果は十分に得られる。
【００４８】次に、本発明の第３の実施例について図１
２を参照して説明する。
２を参照して説明する。
【００４９】第２の実施例では、有機薄膜３の温度上昇
を抑止するために、基板１の裏面に放熱フィン１０を取
付けたが、第３の実施例では、基板１の金属配線７にた
とえばペルチエ効果素子などの冷却素子を形成し、有機
薄膜３の発熱を冷却する構造である。
を抑止するために、基板１の裏面に放熱フィン１０を取
付けたが、第３の実施例では、基板１の金属配線７にた
とえばペルチエ効果素子などの冷却素子を形成し、有機
薄膜３の発熱を冷却する構造である。
【００５０】冷却素子としてペルチエ効果素子を使用す
ると、駆動電流で冷却効果が得られ、駆動電流が大きい
と冷却量も大きいといううまい関係が得られる。ペルチ
エ効果素子を形成するのは、基板１の金属配線７を予め
そのようにパターン加工しておき、蒸着方法でペルチエ
効果素子を形成する。
ると、駆動電流で冷却効果が得られ、駆動電流が大きい
と冷却量も大きいといううまい関係が得られる。ペルチ
エ効果素子を形成するのは、基板１の金属配線７を予め
そのようにパターン加工しておき、蒸着方法でペルチエ
効果素子を形成する。
【００５１】ペルチエ効果素子の形成にあたり、パター
ン加工はたとえばメタルマスクを使用したシャドウマス
ク法を使用した。なお、この実施例の場合、表面処理工
程でペルチエ効果素子が損なわれないように注意して組
立てることが大切である。
ン加工はたとえばメタルマスクを使用したシャドウマス
ク法を使用した。なお、この実施例の場合、表面処理工
程でペルチエ効果素子が損なわれないように注意して組
立てることが大切である。
【００５２】
【発明の効果】本発明による第１の効果は、透明電極を
形成した後でのみしか有機薄膜を形成できなかった従来
のプロセス上の制約がなくなることである。そのために
基板が透明であることが必須の条件ではなくなり、様々
な基板上に有機ＥＬ素子を自在に形成することができ
る。
形成した後でのみしか有機薄膜を形成できなかった従来
のプロセス上の制約がなくなることである。そのために
基板が透明であることが必須の条件ではなくなり、様々
な基板上に有機ＥＬ素子を自在に形成することができ
る。
【００５３】本発明による第２の効果は、第１の効果に
関連して、基板にプリント配線板などの回路基板を使用
できるようになり、駆動回路を一体化した有機ＥＬディ
スプレイを実現することができる。この一体化により、
より薄く軽量で小型な有機ＥＬディスプレイをローコス
トで製造することができる。
関連して、基板にプリント配線板などの回路基板を使用
できるようになり、駆動回路を一体化した有機ＥＬディ
スプレイを実現することができる。この一体化により、
より薄く軽量で小型な有機ＥＬディスプレイをローコス
トで製造することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した実施の形態の平面図である。
【図３】図１に示した実施の形態の断面図である。
【図４】図３を拡大して示す断面図である。
【図５】本発明の製造方法を示すプロセスのフローチャ
ートであり、全体のプロセスを示す図である。
ートであり、全体のプロセスを示す図である。
【図６】本発明の製造方法を示すプロセスのフローチャ
ートであり、素子形成のプロセスを示す図である。
ートであり、素子形成のプロセスを示す図である。
【図７】本発明の製造方法を示すプロセスのフローチャ
ートであり、洗浄のプロセスを示す図である。
ートであり、洗浄のプロセスを示す図である。
【図８】本発明の製造方法で作成した有機ＥＬ素子の電
流−電圧特性を、従来のガラス基板を使用した素子と比
較して示した図である。
流−電圧特性を、従来のガラス基板を使用した素子と比
較して示した図である。
【図９】本発明の製造方法で作成した有機ＥＬ素子の輝
度−電流特性を、従来のガラス基板を使用した素子と比
較して示した図である。
度−電流特性を、従来のガラス基板を使用した素子と比
較して示した図である。
【図１０】本発明の第２の実施例の斜視図である。
【図１１】図１０に示した実施例の拡大断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施例の拡大断面図である。
【図１３】従来の汎用型有機ＥＬディスプレイの構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１４】従来の汎用型有機ＥＬ素子の構造を示す断面
図である。
図である。
【図１５】従来の駆動回路一体型有機ＥＬ素子の１つの
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１６】従来の駆動回路一体型有機ＥＬ素子の別の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１７】従来のセラミック回路基板の主表面側に無機
ＥＬディスプレイを形成し、貫通配線で裏面側に引き出
し、駆動回路に接続した、駆動回路一体型無機ＥＬディ
スプレイを示す斜視図である。
ＥＬディスプレイを形成し、貫通配線で裏面側に引き出
し、駆動回路に接続した、駆動回路一体型無機ＥＬディ
スプレイを示す斜視図である。
１ 基板（プリント配線板；ＰＷＢ） ２ 金属電極（陰極） ３ 有機薄膜 ４ 透明電極（陽極） ５ 金属パッド ６ 貫通配線 ７ 金属配線 ８ 回路部品 ９ 接着層 １０ 放熱フィン １１ 冷却素子（ペルチエ効果素子） １２ ガラス基板 １３ ステンレス基板 １４ Ｐｔ電極（陽極） １５ ポリマー薄膜 １６ 薄いＡｇ電極（陰極） １７ ＩＴＯ／薄いＭｇＡｇ積層電極（陰極） １８ セラミック基板 １９ 第１の電極 ２０ 絶縁層 ２１ 無機発光層 ２２ 絶縁層 ２３ 第２の電極 ２４ 回路部品
Claims (11)
- 【請求項１】 有機薄膜の両面に透明電極と金属電極と
を形成し、該透明電極および金属電極の両電極から、そ
れぞれ正負のキャリアを注入して発光させる有機ＥＬ素
子において、 基板に回路基板が使用され、該基板の主表面側の所定箇
所に形成された有機ＥＬ素子用の金属電極と、該金属電
極を被覆する有機薄膜と、さらに該有機薄膜の上に形成
された透明電極とから構成されることを特徴とする有機
ＥＬ素子。 - 【請求項２】 有機薄膜の両面に透明電極と金属電極と
を形成し、該透明電極および金属電極の両電極から、そ
れぞれ正負のキャリアを注入して発光させる有機ＥＬ素
子において、 回路基板に有機ＥＬ素子用の金属電極を形成する工程
と、前記金属電極の表面を洗浄する工程と、有機ＥＬ用
有機薄膜を積層形成する工程と、前記有機薄膜の上に透
明電極を形成する工程とを有することを特徴とする有機
ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項３】 有機ＥＬ素子用の前記金属電極を前記回
路基板の金属配線以外の場所に設け、前記回路基板の金
属配線へ接続し得る構造とすることを特徴とする請求項
１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記有機薄膜の上に透明電極を形成する
工程が、 低エネルギー成膜が可能なターゲット材料の使用と前記
回路基板の冷却処理とを併用し、且つ、スパッタ粒子流
にメタルマスクを挿入することで成膜の温度上昇を抑止
し、且つ、パターン付けするスパッタリング法で透明電
極を形成する工程であることを特徴とする請求項２に記
載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 有機薄膜の両面に透明電極と金属電極と
を形成し、該透明電極および金属電極の両電極から、そ
れぞれ正負のキャリアを注入して発光させる有機ＥＬ素
子において、 メタルマスクを使用した真空蒸着法で回路基板に有機Ｅ
Ｌ素子用の金属電極を形成する工程と、前記金属電極の
表面を洗浄せずに直ちに真空状態をブレイクすることな
く前記金属電極の表面に有機ＥＬ用有機薄膜を真空蒸着
法で形成する工程と、前記有機薄膜の上に透明電極を形
成する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の有機ＥＬ素子をｎ行×
ｍ列またはｎ行×ｎ列のドットマトリックス状に配置し
て表示ディスプレイデバイスにした構造を特徴とする有
機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 回路基板主表面側に設けた有機ＥＬ素子
に接続する回路基板主表面側の金属配線を回路基板裏面
側に引き出す貫通配線と、該貫通配線を回路基板裏面側
に設けた駆動回路に接続する回路基板裏面側の金属配線
とを備えたことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ
素子。 - 【請求項８】 回路基板裏面側に放熱フィンを設け、有
機ＥＬ素子の発熱を前記放熱フィンから放熱することを
特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項９】 有機ＥＬ素子の金属電極と回路基板の金
属配線との接続部分に冷却素子を挿入したことを特徴と
する請求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１０】 前記冷却素子がペルチエ効果素子であ
ることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１１】 前記スパッタ粒子流にメタルマスクを
挿入する際に、挿入のメタルマスクをマスクホルダーか
らの伝熱で冷却させることを特徴とする請求項４に記載
の有機ＥＬ素子の製造方法。
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| US09/175,721 US6201346B1 (en) | 1997-10-24 | 1998-10-20 | EL display device using organic EL element having a printed circuit board |
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|---|---|---|---|
| JP9292083A JP2850906B1 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
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| JP2850906B1 JP2850906B1 (ja) | 1999-01-27 |
| JPH11126691A true JPH11126691A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17777334
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