CN101308865A - 有机电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机电致发光显示装置，该装置包括多个有机电致发光元件，每个都具有：(A)下电极；(B)绝缘层，具有开口，在该绝缘层中下电极暴露在开口的底部；(C)辅助配线；(D)堆叠结构，从暴露于开口的底部的下电极之上的部分到围绕开口的绝缘层的部分提供，包括由有机发光材料制造的发光层；和(E)上电极，其中堆叠结构的至少一层部分地接触辅助配线，其中绝缘层和辅助配线对多个有机EL元件公共地提供，并且其中上电极覆盖堆叠结构和辅助配线的整个表面。

Description

有机电致发光显示装置
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示装置。
背景技术
在形成有机电致发光显示装置(缩写为有机EL显示装置)的有机电致发光元件(缩写为有机EL元件)中，该有机电致发光显示装置使用有机材料的电致发光(在下文，缩写为EL)，通过堆叠有机空穴传输层和有机发光层等形成的堆叠结构提供在下电极和上电极之间，对有机电致发光元件的关注集中到其作为能够通过低电压DC驱动以高亮度发光的发光元件。
因为上述有机EL元件具有1微秒或者更少的响应速度，所以在有机EL显示装置中由无源矩阵系统的负载驱动(duty driving)是可能的。然而，当随着像素数量的增加占空比(duty ratio)变得较高时，必须即时给有机EL元件提供大的电流以便保证足够的亮度，这倾向于引起对有机EL元件的损坏。
另一方面，在有源矩阵驱动系统中，信号电压通过在每个子像素形成存储电容器以及薄膜晶体管(在下文，缩写为TFT)来保持。因此，在一个显示帧所要求的周期期间，可以根据信号电压给有机EL元件恒定地提供驱动电流。因此，不必像在无源矩阵系统中那样即时给有机EL元件提供大电流，这减少了对有机EL元件的损坏。应当注意的是，一个像素通常包括三种子像素，它们是发射红光的红光发射子像素、发射绿光的绿光发射子像素和发射蓝光的蓝光发射子像素。
在上述有源矩阵驱动系统的有机EL显示装置中，如图13的示意性局部截面图和图14的示意性局部平面图所示，TFT提供在第一基板11上，以便对应于每个子像素，并且这些TFT由层间绝缘层16(下层间绝缘层16A和上层间绝缘层16B)覆盖。电连接到TFT的下电极121由每个子像素提供在上层间绝缘层16B上。绝缘层124还形成在包括下电极121的上层间绝缘层16B上，并且在底部暴露下电极的开口126提供在绝缘层124中。堆叠结构123提供在一个部分上，该部分是从在开口126的底部暴露的下电极121之上的部分到围绕开口126的绝缘层124的部分124’，该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层。上电极122作为公共电极形成在包括堆叠结构123的绝缘层124上。附图标记12表示包括在TFT中的栅极电极，附图标记13表示包括在TFT中的栅极绝缘膜，附图标记14表示包括在TFT中的源/漏区域，附图标记15是包括在TFT中的沟道形成区域，附图标记17表示配线，附图标记31表示保护膜，附图标记32表示粘结层，而附图标记33表示第二基板，这也将在实施例1中详细描述。
因为堆叠结构123通过层间绝缘层16形成在第一基板11之上，在第一基板11上形成了TFT，所以在所谓底表面发射型的有机EL显示装置的情况下，在该有机EL显示装置中在堆叠结构123产生的发射光从第一基板侧取出，发射光的取出区域被TFT变窄。因此，所希望的是应用所谓的顶表面发射型有机EL显示装置，在该有机EL显示装置中所发射的光从相对于第一基板11的第二基板33取出。
在应用顶表面发射型的有机EL显示装置的情况，下电极121通常由反射材料制造，而上电极122由透明导电材料或者半透明导电材料制造。然而，透明材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)和包括薄膜金属的半透明材料与金属等相比具有较高的电阻值。因此，在作为公共电极的上电极122中产生电压梯度，结果，电压趋于下降。当产生这样的电压降低时，施加给形成每个子像素的堆叠结构123的电压将不均匀，这显著地降低了显示性能，从而降低了例如在有机EL显示装置的显示区域的中心部分的发光强度。
例如在JP-A-2001-195008或JP-A-2004-207217中已知解决上述问题的方法。在这些专利文件中所揭示的技术中，提供辅助配线125，该辅助配线125通过绝缘层124与堆叠结构123分开，并且上电极122通过绝缘层124从堆叠结构123之上的部分到辅助配线125之上的部分形成。辅助配线125由具有低电阻值的导电材料例如金属制造。
发明内容
绝缘层124通常由有机材料制造。在具有开口126的绝缘层124形成在绝缘层16之上后，进行采用氧自由基(oxygen radical)等的等离子体处理，用于清洗暴露于开口126的底部的下电极121的表面。通过进行该等离子体处理，去除暴露于开口126的底部的下电极121的表面上的有机物等。然而，作为进行等离子体处理的结果，还活化了绝缘层124的表面。例如，绝缘层124包括聚酰亚胺树脂，在没有进行氧等离子体处理时，绝缘层124与水之间的接触角约为78度，然而，在进行氧等离子体处理后，绝缘层124与水之间的接触角约为22度。
提供辅助配线125是有用的，这是因为它防止了由于上电极122的电压降低引起的图像质量的下降。然而，在上电极124处于上述的活化状态时，尤其在上电极由包括薄膜金属的半透明导电材料制造的情况下，在形成堆叠结构123后形成上电极122时，上电极122在绝缘层124上的一部分(非重叠部分122’)退化，该部分将上电极122在堆叠结构123上的一部分连接到上电极122在辅助配线125上的一部分。
因此，所希望的是提供具有良好显示性能的有机EL显示装置，包括能够可靠地防止上电极的一部分的退化，该上电极的一部分将上电极在堆叠结构上的部分连接到上电极在辅助配线上的部分。
根据本发明的第一实施例，提供有机电致发光显示装置(根据本发明第一实施例缩写为有机EL显示装置)，该装置包括多个有机电致发光元件(缩写为有机EL元件)，每个都具有：
(A)下电极，
(B)绝缘层，具有开口，在该绝缘层中下电极暴露在该开口的底部，
(C)辅助配线，
(D)堆叠结构，从暴露于该开口的底部的下电极之上的部分到围绕该开口的绝缘层的部分提供该堆叠结构，该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层，和
(E)上电极，在该上电极中堆叠结构的至少一层部分地接触该辅助配线，绝缘层和辅助配线对多个有机EL元件公共地提供，并且上电极覆盖形成多个有机EL元件的堆叠结构和辅助配线的整个表面。
在根据本发明第一实施例的有机EL显示装置中，堆叠结构接触辅助配线的至少一层的一部分(重叠部分)可以形成在辅助配线上(更具体地讲，在辅助配线的边缘部分上)。在根据包括这些优选状态的第一实施例的有机EL显示装置中，尽管在此没有限定，但是堆叠结构可以构造成接触两条辅助配线(具体地讲，与平行延伸并夹置堆叠结构的两条辅助配线的边缘部分重叠)。
根据本发明的第二实施例，提供有机电致发光显示装置(缩写为根据本发明第二实施例的有机EL显示装置)，该装置包括多个有机电致发光元件，每个都具有：
(A)下电极，
(B)绝缘层，具有开口，在该绝缘层中下电极暴露在该开口的底部，
(C)辅助配线，
(D)堆叠结构，从暴露于开口的底部的该下电极之上的部分到围绕开口的绝缘层的部分提供该堆叠结构，该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层，和
(E)上电极，其中上电极位于辅助配线之上的部分通过从下方包括电荷注入层和电荷传输层的两层结构层电连接到辅助配线，绝缘层和辅助配线对多个有机EL元件公共地提供，并且上电极覆盖形成该多个有机EL元件的堆叠结构和两层结构层而不接触绝缘层。
在根据本发明第二实施例的有机EL显示装置中，两层结构层在上电极和绝缘层之间延伸，并且两层结构层还在位于下电极之上的堆叠结构和上电极之间延伸。在两层结构层在堆叠结构和上电极之间延伸的情况下，具体地讲，两层结构层和形成其上的上电极覆盖形成多个有机电致发光元件的堆叠结构。在此情况下，两层结构层和形成其上的上电极可以通过相同的工艺形成，这可以简化制造工艺，也减少所采用的掩模数量。另外，在根据本发明第二实施例的有机EL显示装置中，堆叠结构的至少一层可以包括接触辅助配线的部分。
在根据包括上述状态的本发明第二实施例的有机EL显示装置中，优选在辅助配线和上电极之间的接触部分流过的电流的电流密度等于或小于10A/cm2时，辅助配线和上电极之间的电压降低等于或小于5V。通过合适选择形成两层结构层的材料和优化两层结构层电连接上电极和辅助配线的部分的面积，可以实现这样的优选状态。
此外，在根据包括上述优选状态的本发明第一实施例或第二实施例的有机EL显示装置中，上电极构造成由包括镁(Mg)的导电材料例如Mg-Ag合金制造，并且上电极的厚度构造为4nm至20nm，优选6nm至12nm。
在根据包括上述优选构造或状态的本发明第一实施例或第二实施例(在下文，有时简称为本发明)的有机EL显示装置中，当有机EL显示装置为彩色显示有机EL显示装置时，形成有机EL显示装置的各有机EL元件形成子像素。一个像素包括三种子像素，它们是发射红光的红光发射子像素、发射绿光的绿光发射子像素和发射蓝光的蓝光发射子像素。因此，在此情况下，当形成有机EL显示装置的有机EL元件的数量为N×M时，像素的数量为(N×M)/3。
在根据本发明第一实施例的有机EL显示装置中，上电极覆盖形成多个有机EL元件的堆叠结构和辅助配线的整个表面，并且具体地讲，尽管没有对其限定，但是优选形成N×M个(即，全部)有机EL元件的堆叠结构和辅助配线由一片上电极覆盖。在根据第二实施例的有机EL显示装置中，上电极覆盖形成多个有机EL显示元件的堆叠结构，并且具体地讲，尽管对其没有限定，但是优选形成N×M个(即，全部)有机EL元件的堆叠结构由一片上电极覆盖。在此情况下，更优选形成N×M个(即，全部)有机EL元件的堆叠结构由一片两层结构层覆盖。
在根据本发明第二实施例的有机EL显示装置中，当下电极用作阳极电极而上电极用作阴极电极时，包括在两层结构层中的电荷注入层由电子注入层形成，而电荷传输层由电子传输层形成。另一方面，当下电极用作阴极电极而上电极用作阳极电极时，包括在两层结构层中的电荷注入层由空穴注入层形成，而电荷传输层由空穴传输层形成。形成这些各层的材料配置为形成电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层的相同的已知材料，并且作为实例，可以列举LiF作为形成电子注入层的材料，而电子传输材料比如红菲咯啉(Bathophenanthroline)、浴铜灵(Bathocuproine，BCP)和蒽(Anthracene)作为形成电子传输层的材料。形成这些各层的材料可以与在堆叠结构中形成具有相同功能的层的材料相同或者可以与它们不同。优选基于真空沉积工艺形成两层结构层，该沉积工艺是其中沉积粒子的能量小到不影响堆叠结构的程度的工艺。
在本发明的实施例中，当有机EL显示装置是顶表面发射型且下电极用作阳极电极时，优选下电极由导电材料形成，该导电材料的功函数值大，且其光反射率也高，例如铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)和金(Au)。另外，当使用功函数值小且光反射率也高的导电材料比如铝(Al)或者包括铝的合金时，下电极可以通过提供合适的空穴注入层以改善空穴注入能力来用作阳极电极。还优选应用这样的结构，在该结构中具有良好空穴注入特性的透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)堆叠在具有高光反射率的导电材料上。另一方面，当下电极用作阴极电极时，优选下电极由功函数值小且光反射率也高的导电材料制造，然而，该下电极可以通过给用作阳极电极的具有高反光率的导电材料提供合适的电子注入层以改善电子注入能力来用作阴极电极。作为形成下电极的方法，可以列举气相沉积工艺，例如电子束沉积工艺，以及热丝沉积工艺(hot-filament deposition process)、溅射工艺、化学气相沉积工艺(CVD工艺)、离子镀工艺和蚀刻工艺的结合；各种印刷工艺，例如丝网印刷工艺、喷墨印刷工艺和金属掩模印刷工艺；镀覆工艺(电镀或者无电镀工艺)；剥离工艺；激光熔蚀工艺(laser ablation process)；溶胶-凝胶工艺等。
另一方面，当有机EL显示装置为顶表面发射型且上电极用作阴极电极时，优选上电极由功函数值小的导电材料制造，以便允许所发射的光通过其透射，还允许电子相对于堆叠结构有效注入。具体地讲，优选采用导电膜作为上电极，该导电膜具有高的光透射率，例如上述的Mg-Ag合金薄膜(例如，光透射率为30％或更大的金属或者合金材料)。应当注意的是，如果由Mg-Ag合金制造的上电极的厚度不超过4nm，则上电极不适合用作电极。如果厚度超过20nm，则该电极也不适合用于上电极，这是因为减少了光的透射率。当上电极用作阳极电极时，优选上电极由导电材料制造，所发射的光透射通过该导电材料，且该导电材料的功函数值大。从防止堆叠结构中发生损坏的角度上看，上电极优选通过这样的沉积工艺形成，该沉积工艺是其中沉积粒子的能量小的工艺，例如真空沉积工艺或者MOCVD工艺。如果在堆叠结构中产生损坏，则由于产生泄漏电流，称为“黑斑(dark spot)”的不发光的像素(或者不发光的子像素)就易于产生。另外，从防止堆叠结构由空气中的湿气引起退化的角度看，优选从堆叠结构的形成到上电极的形成在不暴露到空气的情况下进行。当上电极用作阴极电极时，具有与上电极相同图案的电子注入层(例如，由非常薄的LiF制造，其厚度为0.3nm)可以恰好在上电极下形成，由此增加电子注入能力，实现有机EL元件的低驱动电压、高效率和长寿命。
在本发明的实施例中，优选绝缘层由具有平坦度和低吸水性的绝缘材料制造，以防止堆叠结构由于湿气而退化，来保持发光亮度，具体地讲，可以列举有机绝缘材料，例如聚酰亚胺树脂和光致抗蚀剂材料等。
在本发明的实施例中，优选辅助配线由具有低电阻的导电材料制造，例如金属，如铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)、铬(Cr)、钨(W)、铌(Nb)、钽(Ta)、钼(Mo)、金(Au)、钛(Ti)、钴(Co)、锆(Zr)、铁(Fe)、铂(Pt)和锌(Zn)，或者包括上述金属元素的合金(例如，Al-Cu)。可以通过在单层中使用上述材料或者将它们层叠(例如，Cr/Cu/Cr叠层膜或者Cr/Al/Cr叠层膜)来形成辅助配线。作为形成辅助配线的方法，例如可以列举，气相沉积工艺，例如电子束沉积工艺，以及热丝沉积工艺、溅射工艺、CVD工艺、离子镀工艺和蚀刻工艺的结合；各种印刷工艺，例如丝网印刷工艺、喷墨印刷工艺和金属掩模印刷工艺；镀覆工艺(电镀或者无电镀工艺)；剥离工艺；激光熔蚀工艺；溶胶-凝胶工艺等。根据各种印刷工艺或者镀覆工艺，例如，可以直接形成带状辅助配线或者网格状辅助配线。
根据本发明的实施例，堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层，具体地讲，由空穴传输层、发光层和电子传输层的堆叠状态，空穴传输层和发光层兼作电子传输层的堆叠状态，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的堆叠状态形成。
这里，在根据本发明第一实施例的有机EL显示装置中，堆叠结构的至少一层部分地接触辅助配线，并且优选使具有接触辅助配线的部分(更具体地讲，与辅助配线的边缘部分重叠的部分)的层(为了方便将其称为“辅助配线接触层”)在形成堆叠结构的上述至少一层之上。就是说，当堆叠结构由空穴传输层、发光层和电子传输层的堆叠状态形成时，辅助配线接触层可以是空穴传输层、发光层、电子传输层，(空穴传输层+发光层)，(发光层+电子传输层)、(空穴传输层+电子传输层)，或者(空穴传输层+发光层+电子传输层)。另外，当堆叠结构由空穴传输层和发光层兼作电子传输层的堆叠状态形成时，辅助配线接触层可以是空穴传输层、兼作电子传输层的发光层，或者(空穴传输层+兼作电子传输层的发光层)。此外，当堆叠结构由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的堆叠状态形成时，辅助配线接触层可以是五层中的一层、五层中任意两层的结合、五层中任意三层的结合、五层中任意四层的结合或者全部五层。通常，当堆叠结构由L层堆叠状态形成时，辅助配线接触层可以是L层中的一层、所有L层或者在L层中的两层或者更多层的任意层的结合。
根据本发明的实施例，作为形成堆叠结构或者两层结构层的方法，可以列举物理气相沉积工艺(PVD工艺)，例如真空气相沉积工艺；印刷工艺，例如丝网印刷或者喷墨印刷工艺；激光转移工艺(laser transfer process)，其中通过照射激光给形成在基板上用于转移的激光吸收层和堆叠结构或两层结构层的堆叠状态，以分开激光吸收层上的叠层结构或两层结构，从而来转移堆叠结构或两层结构层；以及各种涂敷工艺。当堆叠结构或者两层结构层基于真空沉积工艺形成时，例如，采用所谓的金属掩模，且沉积穿过提供在金属掩模的开口的材料以获得堆叠结构或者两层结构层。在根据本发明第一实施例的有机EL显示装置中，优选提供在金属掩模的开口的长度大于堆叠结构接触辅助配线处的点之间的间隔，例如，当堆叠结构的两个点接触辅助配线时，使得即使金属掩模发生位置偏移，也肯定形成堆叠结构接触辅助配线的部分。
包括在有机EL元件中的下电极例如形成在层间绝缘层上。层间绝缘层覆盖在第一基板上形成的有机EL元件驱动单元。有机EL元件驱动单元包括一个或多个薄膜晶体管，并且TFT通过层间绝缘膜中提供的接触塞电连接到下电极。作为形成层间绝缘层的材料，可以采用SiO2材料，例如SiO2、BPSG(硼磷硅玻璃)、PSG(磷硅玻璃)、BSG(硼硅玻璃)、AsSG(砷硅玻璃)、PbSG(铅硅玻璃)、SiON、SOG(旋涂玻璃)、低熔玻璃、玻璃膏(glasspaste)；SiN材料；或者绝缘树脂，例如聚酰胺(polyamide)，可以采用其自身或者它们的适当结合。对于形成层间绝缘层，可以采用已知的工艺，例如CVD工艺、涂敷工艺、溅射工艺、各种印刷工艺。
优选在上电极上提供绝缘或者导电保护膜，以防止湿气到达堆叠结构。保护膜优选基于这样的沉积工艺形成，其中沉积粒子的能量特别小，例如真空沉积工艺，或者通过MOCVD工艺形成，其可以减少对基底的影响。还优选通过设定沉积温度为恒定的来沉积保护膜，以防止由堆叠结构的退化引起的亮度降低，此外，优选在最小化保护膜上的应力的条件下沉积，以防止保护膜的剥落。另外，优选在没有将上电极暴露到空气的情况下形成保护膜，这防止由空气中的湿气或氧引起的堆叠结构的退化。在有机EL显示装置为顶表面发射型的情况下，保护膜优选由这样的材料制造，例如堆叠结构中产生的80％以上的光透射通过该材料，具体地讲，可以列举无机非晶绝缘材料，例如非晶硅(α-Si)、非晶碳化硅(α-SiC)、非晶氮化硅(α-Si1-X-Nx)、非晶氧化硅(α-Si1-yOy)、非晶碳(α-C)。因为这样的无机非晶绝缘材料不产生颗粒，所以渗水性(water permeability)低，并且可以形成好的保护膜。当保护膜由导电材料制造时，保护膜可以由透明导电材料例如ITO或IZO制造。第二基板设置在保护膜上，并且保护膜和第二基板采用UV固化粘合剂或热固化粘合剂粘结。
作为第一基板和第二基板的材料，可以列举高扭变点玻璃、钠钙玻璃(Na2O/CaO/SiO2)、硼硅酸盐玻璃(Na2O/B2O3/SiO2)、镁橄榄石(2MgO/SiO2)、铅玻璃(Na2O/PbO/SiO2)、各种塑料基板。用于第一基板的材料和用于第二基板的材料可以是相同的，或者可以是彼此不同的。
在根据本发明第一实施例的有机EL显示装置中，堆叠结构具有接触辅助配线的部分(重叠部分)，并且上电极覆盖形成多个有机EL元件的堆叠结构和辅助配线的整个表面。因此，将在上电极在堆叠结构之上的部分连接到上电极在辅助配线之上的部分的上电极的部分的下面必然不存在绝缘层。就是说，将上电极在堆叠结构之上的部分连接到上电极在辅助配线之上的部分的上电极的部分被形成在包括在堆叠结构中的多层中的至少一层。在根据本发明第二实施例的有机EL显示装置中，上电极覆盖形成多个有机电致发光元件的堆叠结构和两层结构层而不接触绝缘层。因此，连接上电极在堆叠结构上的部分和上电极在辅助配线上的部分的上电极的部分不会退化，由此提供具有良好显示性能的有机EL显示装置。另外，在根据本发明第二实施例的有机EL显示装置中，上电极和辅助配线通过从下方包括电荷注入层和电荷传输层的两层结构层电连接，因此，电荷(电子或空穴)通过电荷注入层和电荷传输层从辅助配线传输到上电极，而不损失大的电压，结果，可以抑制上电极和辅助配线之间电连接部分上的电压升高，而且可以根据两层结构层的状态来简化制造工艺。
附图说明
图1是根据实施例1的有机电致发光显示装置的示意性局部截面图；
图2是示意性地展示根据实施例1的有机电致发光显示装置中的堆叠结构、辅助配线和绝缘层等布置的局部平面图；
图3是示意性展示根据实施例1的有机电致发光显示装置中下电极、开口和绝缘层等布置的局部平面图；
图4是示意性展示根据实施例1的有机电致发光显示装置中下电极和层间绝缘层等布置的局部平面图；
图5A、图5B和图5C是第一基板等的示意性局部截面图，用于说明根据实施例1的有机电致发光显示装置的制造方法的概要；
图6A和图6B是第一基板等的示意性局部截面图，用于说明继图5C后根据实施例1的有机电致发光显示装置的制造方法的概要；
图7A和图7B是第一基板等的示意性局部截面图，用于说明继图6B后根据实施例1的有机电致发光显示装置的制造方法的概要；
图8是根据实施例2的有机电致发光显示装置的示意性局部截面图；
图9A和图9B是第一基板等的示意性局部截面图，用于说明根据实施例2的有机电致发光显示装置的制造方法的概要；
图10A和10B是根据实施例2的有机电致发光显示装置的修改实例的示意性局部截面图；
图11A和图11B是根据实施例1的有机电致发光显示装置的修改的示意性局部截面图；
图12是有机电致发光显示装置的示意性局部截面图，展示了绝缘层的一部分之上的重叠部分的结构的修改；
图13是现有技术的有机电致发光显示装置的示意性局部截面图；和
图14是示意性地展示现有技术的有机电致发光显示装置中堆叠结构、辅助配线和绝缘层等布置的局部平面图。
具体实施方式
在下文，将根据实施例参照附图描述本发明。
实施例1
实施例1涉及根据本发明第一实施例的有机EL显示装置。实施例1的有机EL显示装置的示意性局部截面图如图1所示，而实施例1的有机EL显示装置中的堆叠结构、辅助配线和绝缘层等的布置示意性地展示在图2、图3和图4的局部平面图中。实施例1或者稍后描述的实施例2的有机EL显示装置是有源矩阵型彩色显示有机EL显示装置，该装置为顶表面发射型。就是说，光通过上电极发射。
实施例1或稍后描述的实施例2的有机EL显示装置具有多个(例如，N×M＝2880×540)有机EL元件10、10A。一个有机EL元件10、10A形成一个子像素。因此，有机EL显示装置具有(N×M)/3个像素。一个像素包括三种子像素，它们是发射红光的红光发射子像素、发射绿光的绿光发射子像素和发射蓝光的蓝光发射子像素。
实施例1或者稍后描述的实施例2的有机EL显示装置中的每个有机EL元件10、10A包括：
(A)下电极21，
(B)绝缘层24，包括开口26，在绝缘层24中下电极21暴露在开口26的底部，
(C)辅助配线25、45，
(D)堆叠结构23、43，从下电极21暴露于开口26的底部之上的部分到围绕开口26的绝缘层24的部分24’提供该堆叠结构，该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层，和
(E)上电极22、42。
在实施例1的有机EL显示装置中，堆叠结构23(在实施例1中，具体地讲，形成堆叠结构23的全部多层)的至少一层包括接触辅助配线25的部分(与辅助配线25的端部重叠的部分)，绝缘层24和辅助配线25对多个有机EL元件10公共地提供，且上电极22覆盖形成多个(具体地讲，N×N个)有机EL元件的堆叠结构23和辅助配线25的整个表面而不接触绝缘层24。这里，堆叠结构23(实施例1中，具体地讲，形成堆叠结构23的全部多层)的至少一层接触辅助配线25的部分(重叠部分23’)形成在辅助配线25的边缘部分之上。堆叠结构23接触两个平行延伸并且夹置堆叠结构23的辅助配线25。更具体地讲，堆叠结构23与平行延伸并且夹置堆叠结构23的两条辅助配线25的边缘部分重叠。
在实施例1或者稍后描述的实施例2中，下电极21用作阳极电极，而上电极22用作阴极电极。下电极21由铬(Cr)制造，并且上电极22由导电材料制造，该导电材料包括镁(Mg)，具体地讲，厚度为10nm的Mg-Ag合金。应当注意的是，在450nm至650nm的波长范围内，上电极22的平均光透射率为50.3％。辅助配线25、45由低电阻的导电材料例如铝(Al)制造。下电极21和辅助配线25、45基于真空沉积工艺和蚀刻工艺的结合形成。上电极22、42特别通过其中沉积粒子的能量小的沉积工艺比如真空沉积工艺来沉积。
在实施例1或者稍后描述的实施例2中，绝缘层24由绝缘材料制造，该绝缘材料具有良好的平坦度，又具有低的吸水系数，用于防止因湿气引起的退化，并且用于在堆叠结构中，具体地讲在聚酰亚胺树脂中保持发光亮度。另外，堆叠结构23、43由堆叠空穴传输层和兼作电子传输层的发光层的结构形成，或者由堆叠空穴传输层、发光层和电子传输层的结构形成，然而附图中只以一层示出。
在实施例1或者稍后描述的实施例2中，包括在有机EL元件中的下电极21提供在层间绝缘层16(更具体地讲，上层间绝缘层16B)上，该层间绝缘层16包括基于CVD工艺形成的SiO2。层间绝缘层16覆盖形成在第一基板11上的有机EL元件驱动单元。有机EL元件驱动单元包括多个TFT，并且每个TFT和下电极21通过提供在层间绝缘层(更具体地讲，上层间绝缘层16B)中的接触塞18、配线17和接触塞17A电连接。在附图中，对一个有机EL元件驱动单元展示了一个TFT。
在实施例1或者稍后描述的实施例2中，为了防止湿气到达堆叠结构23、43的目的，包括氮化硅(Si1-xNx)的绝缘保护膜3 1采用真空沉积工艺提供在上电极22、42上。第二基板33设置在保护膜31之上，并且保护膜31和第二基板33通过由UV固化粘合剂制造的粘结层32粘结。
在实施例1或者稍后描述的实施例2中，第一基板11和第二基板33由钠钙玻璃制造。
在实施例1或者稍后描述的实施例2中，每个堆叠结构23、43具体地包括在有机EL元件中形成红光发射子像素的堆叠结构23R、在有机EL元件中形成绿光发射子像素的堆叠结构23G和在有机EL元件中形成蓝光发射子像素的堆叠结构23B。
下面将参照图2至图4、图5A至图5C、图6A、6B和图7A、7B说明制造实施例1的有机EL显示装置的方法的概要。
[工艺100]
首先，通过周知的方法在每个子像素制造TFT。TFT包括：栅极电极12，形成在第一基板11上；栅极绝缘膜13，形成在第一基板11和栅极电极12之上；源/漏区域14，提供在栅极绝缘膜13上形成的半导体层中；以及沟道形成区域15，对应于位于栅极电极12之上的半导体层中源/漏区域14之间的部分。在所示实例中，TFT是底栅型，然而，顶栅型TFT也是优选的。TFT的栅极电极12连接到扫描电路(未示出)。接下来，包括SiO2的下层间绝缘层16A通过CVD工艺沉积在第一基板11之上以便覆盖TFT。然后，基于光刻技术或者蚀刻技术，在下层间绝缘层16A中形成开口16’(参照图5A)。
[工艺110]
接下来，包括铝的配线17基于真空沉积工艺和蚀刻工艺的结合形成在下层间绝缘层16A上。配线17通过形成在开口16’中的接触塞17A电连接到TFT的源/漏区域14。配线17连接到信号提供电路(未示出)。然后，包括SiO2的上层间绝缘层16B通过CVD工艺沉积在整个表面上。接下来，基于光刻技术或者蚀刻技术，开口18’形成在上层间绝缘层16B上(参照图5B)。
[工艺120]
此后，由铬制造的下电极21基于真空沉积工艺和蚀刻工艺的结合形成在上层间绝缘层16B上(参照图5C和图4)。下电极21通过提供在开口18’中的接触塞18电连接到配线17。
[工艺130]
接下来，在包括下电极21的层间绝缘层16上形成具有开口26的绝缘层24，在该开口26的底部暴露下电极21(参照图6A和图3)。具体地讲，厚度为1μm的由聚酰亚胺树脂制造的绝缘层24基于旋涂工艺和蚀刻工艺形成在层间绝缘层16上和下电极21的周边之上。优选绝缘层24围绕开口26的部分24’形成平缓坡度。
[工艺140]
此后，辅助配线25基于真空沉积工艺和蚀刻技术形成在绝缘层24上(参照图6B)。绝缘层24和辅助配线25对N×M个有机EL元件公共地提供。辅助配线25形成在围绕堆叠结构23的绝缘层24的一种凸起的两个相对边缘上。
[工艺150]
接下来，堆叠结构23从暴露于开口26的底部的下电极21之上的部分到围绕开口26的绝缘层24的部分24’形成(参照图7A和图2)。在堆叠结构23中，例如，依次堆叠由有机材料制造的空穴传输层和兼作电子传输层的发光层。或者，在堆叠结构23中，依次堆叠由有机材料制造的空穴传输层、发光层和电子传输层。堆叠结构23总体上接触辅助配线25，然而，接触辅助配线25的堆叠结构23的一部分形成在辅助配线25的边缘部分上。堆叠结构23接触两条辅助配线25。
具体地讲，为了去除有机外来物质和改善下电极21的表面的空穴注入能力，进行等离子体处理。作为要被引入的气体，可以列举氧气、氮气和氩气，并且在实施例1中，进行处理功率100W和处理时间180秒的氧等离子体处理。通过氧等离子体处理，绝缘层24的表面处于化学活性状态。
接下来，基于电阻加热，在绝缘层24用作一种间隔物(spacer)且用于形成构造每个子像素的堆叠结构23的金属掩模(未示出)置于绝缘层24的凸起(其中提供辅助配线25)的状态下，真空沉积有机材料。有机材料穿过在金属掩模上提供的开口，并且从形成子像素的开口26的底部暴露的下电极21之上的部分到围绕开口26的绝缘层24的部分24’沉积，并且进而沉积在辅助配线25的一部分之上。
在形成绿光发射像素的有机EL元件中的堆叠结构(有机层)23G中，例如，沉积膜厚度为25nm的m-MTDATA[4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺，4，4’，4’-tris-(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine]作为空穴注入层。接下来，例如，形成膜厚度为30nm的α-NPD[4，4-双(N-1-萘基-N-苯氨基)联苯，4，4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]作为空穴传输层。随后，例如，沉积膜厚度为50nm的Alq3[三(8-羟基喹啉)铝(III)，tris(8-quinolinolato)aluminum(III)]作为兼作电子传输层的发光层。这些层依次在同一个真空沉积设备中沉积。
在形成蓝光发射子像素的有机EL元件中的堆叠结构(有机层)23B中，例如，沉积膜厚度为18nm的m-MTDATA作为空穴注入层。接下来，例如，沉积膜厚度为30nm的α-NPD作为兼作空穴传输层的发光层。此外，例如，沉积膜厚度为14nm的浴铜灵[2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉，2，9-dimethyl-4，7-diphenyl-1，10 phenanthroline]作为空穴阻挡层，然后，例如，沉积膜厚度为30nm的Alq3作为电子传输层。这些层依次在相同的真空沉积设备中沉积。
此外，在形成红光发射子像素的有机EL元件中的堆叠结构(有机层)23R中，例如，沉积膜厚度为55nm的m-MTDATA作为空穴注入层。接下来，例如，沉积膜厚度为30nm的α-NPD作为空穴传输层。此外，例如，BSB-BCN[2，5-双{(N-甲氧基苯基-N-苯氨基)苯乙烯基}苯-1，4-二腈，2，5-bis-{(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl}benzene-1，4-dicarbonitrile]沉积为发光层，然后，例如，沉积膜厚度为30nm的Alq3作为电子传输层。这些层依次在相同的真空沉积设备中沉积。
[工艺160]
此后，上电极22形成在显示区域的整个表面上(参照图7B)。上电极22覆盖包括在N×M个有机EL元件中的堆叠结构23和辅助配线25的整个表面。然而，上电极22通过堆叠结构23和绝缘层24与下电极21绝缘。上电极22基于真空沉积工艺形成，该真空沉积工艺是其中沉积粒子的能量小到不影响堆叠结构23的程度的沉积工艺。还优选的是，用于增加对堆叠结构23的电子注入能力的电子注入层(例如，由厚度为0.3nm的LiF制造)形成在堆叠结构23、辅助配线25和上电极22之间。另外，上电极22在与形成堆叠结构23相同的真空沉积设备中依次形成，而不将堆叠结构23暴露到空气，由此防止由空气中的湿气和氧引起的堆叠结构23的退化。具体地讲，Mg-Ag共沉积膜(体积比10∶1)形成为10nm的膜厚度，由此获得上电极22。
[工艺170]
接下来，包括氮化硅(Si1-xNx)的绝缘保护膜31基于真空沉积工艺形成在上电极22上。在与形成上电极22相同的真空沉积设备中依次进行形成保护膜31的形成，而不将上电极22暴露到空气，由此防止由空气中的湿气和氧引起的堆叠结构23的退化。此后，保护膜31和第二基板33通过由UV固化粘合剂制造的粘结层32粘结。最后，通过进行连接到外电路可以完成实施例1的有机EL显示装置。
在实施例1中的有机EL显示装置中，提供辅助配线25，甚至在上电极22的薄膜电阻(sheet resistance)高时，该辅助配线25也可以在以覆盖显示区域的整个表面的形式形成的上电极22的显示区域中抑制电压降低的产生。结果，在显示区域中，能够均匀化有机EL元件的发光强度。另外，堆叠结构23接触辅助配线25的部分(重叠部分23’)形成在辅助配线25的边缘部分上，就是说，上电极22不直接接触绝缘层24，因此，可以防止上电极22被绝缘层24退化。因此，能够肯定地防止例如图像质量下降的问题的发生。通过提供辅助配线25，还可以减少功率消耗。
具体地讲，在实施例1中的有机EL显示装置中，正常发射概率(normalemission probability)为99.9％，并且可以获得良好的发射特性。另一方面，如图13的示意性局部截面图和图14的示意性局部平面图所示，堆叠结构123没有接触辅助配线125的部分，并且将上电极122在堆叠结构123上的部分连接到上电极122在辅助配线125上的部分的上电极122的部分完全形成在绝缘层124上。在制造具有相关技术的结构和构造的有机EL显示装置作为比较实例并且检测正常发射概率时，概率为78.4％，且异常发生的频率高。这样的异常发光由已经受到化学退化(变化)的绝缘层124上的上电极122的高电阻引起。
实施例2
实施例2涉及根据本发明第二实施例的有机EL显示装置。实施例2的有机EL显示装置的示意性局部截面图如图8所示。
在实施例2的有机EL显示装置中，上电极42位于辅助配线45之上的部分42A通过从下方包括电荷注入层和电荷传输层的两层结构层61(附图中以一层示出)电连接到辅助配线45。绝缘层24和辅助配线45对多个有机EL元件10A公共地提供，并且上电极42覆盖形成多个有机EL元件10A的堆叠结构43和两层结构层61而不接触绝缘层24。在实施例2的有机EL显示装置中，下电极21用作阳极电极，而上电极42用作阴极电极，因此，包括在两层结构层61中的电荷注入层由电子注入层形成，更具体地讲由厚度为0.3nm的LiF形成，而电荷传输层由电子传输层形成，更具体地讲由厚度为5nm的浴铜灵(BCP)  形成。
两层结构层61在上电极42的部分42B和绝缘层24之间延伸。部分42B位于上电极42位于辅助配线45之上的部分42A和上电极42覆盖堆叠结构43的部分42C之间。此外，两层结构层61也在堆叠结构43位于下电极21之上的部分和上电极42之间延伸。具体地讲，两层结构层61和形成在其上的上电极42覆盖形成多个有机EL元件的堆叠结构43和辅助配线45以及绝缘层24的整个表面。
现在参照图9A和图9B说明制造实施例2的有机EL显示装置的方法的概要。
[工艺200]
首先，以与实施例1的[工艺100]相同的形式通过周知的方法在第一基板11上的每个子像素制造TFT。接下来，配线17以与实施例1的[工艺110]相同的方式形成在下层间绝缘层16A之上，通过CVD工艺在整个表面之上沉积包括SiO2的上层间绝缘层16B，并且基于光刻技术和蚀刻技术在上层间绝缘层16B上形成开口18’。此后，包括铬的下电极21以与实施例1的[工艺120]相同的方式形成在上层间绝缘层16B之上。接下来，以与实施例1的[工艺130]相同的方式在包括下电极21的层间绝缘层16之上形成具有开口26的绝缘层24，其中在开口26的底部暴露下电极21。此后，辅助配线45以与实施例1的[工艺140]相同的方式形成在绝缘层24上。因此，可以获得图6B所示相同的结构。
[工艺210]
以与实施例1的[工艺150]基本上相同的方式，堆叠结构43形成于从在开口部分26的底部暴露的下电极21的部分到围绕开口26的绝缘层24的部分24’的部分(参照图9A)。在堆叠结构43中，例如，以与实施例1相同的方式依次堆叠由有机材料制造的空穴传输层和兼作电子传输层的发光层。或者，在堆叠结构43中，依次堆叠由有机材料制造的空穴传输层、发光层和电子传输层。堆叠结构43形成在绝缘层24围绕开口26的部分24’之上，然而，它不接触辅助配线45，这与实施例1不同。
具体地讲，以与实施例1相同的方式，首先进行等离子体处理，以去除有机外来物质并改善下电极21表面的空穴注入能力。
接下来，基于电阻加热，在其中绝缘层24用作一种间隔物并且用于形成构造每个子像素的堆叠结构的金属掩模(未示出)置于绝缘层24的凸起(其中提供辅助配线45)的状态下，真空沉积有机材料。有机材料穿过提供在金属掩模上的开口，并且从在形成子像素的开口26的底部暴露下电极21之上的部分到绝缘层24围绕开口26的部分24’的部分沉积。
在形成绿光发射子像素的有机EL元件中的堆叠结构(有机层)的结构、在形成蓝光发射子像素的有机EL元件中的堆叠结构(有机层)的结构和在形成红光发射子像素的有机EL元件中的堆叠结构(有机层)的结构可以与实施例1相同。
[工艺220]
此后，基于电阻加热，通过真空沉积有机材料，从下方包括电荷注入层和电荷传输层的两层结构层61形成在显示区域的整个表面上(参照图9B)。因为两层结构层61是形成在整个表面上，所以用于形成两层结构层61的掩模等是不必要的，这简化了制造工艺，并减少了使用掩模的数量。两层结构层61基于真空沉积工艺形成，在该真空沉积工艺中沉积粒子的能量小到不影响堆叠结构43的程度。
[工艺230]
此后，以与实施例1的[工艺160]相同的方式，在显示区域的整个表面上形成上电极42。上电极42覆盖形成N×M个有机EL元件的堆叠结构43和辅助配线45的整个表面。还优选的是，在两层结构层61上形成用于给堆叠结构43增加电子注入能力的电子注入层(例如，由厚度为0.3nm的LiF制造)。
[工艺240]
随后，以与实施例1的[工艺170]相同的方式，通过真空沉积工艺在上电极42上形成包括氮化硅(Si1-xNx)的绝缘保护膜31，然后，保护膜31和第二基板33被由UV固化粘合剂制造的粘结层32粘结。最后，通过进行连接到外部电路可以完成实施例2的有机EL显示装置。
辅助配线45和上电极42通过两层结构层61电连接，然而，从抑制有机EL显示装置的功率消耗和发热的观点上看，优选的是电压降低要尽可能小。通常，辅助配线45和上电极42之间的电连接部分的面积(在下文，称为“接触部分”)约为上电极42与堆叠结构43之间电连接部分的面积的1/100至1/1000，因此，在接触部分流过的电流的电流密度约为在上电极42与堆叠结构43之间电连接部分的流过的电流的电流密度的100倍或1000倍。即使在这样的条件下，也必需实现足够的电荷移动，具体地讲，优选的是，当在接触部分流过辅助配线45与上电极42之间的电流的电流密度为10A/cm2或者更小时，辅助配线45与上电极42之间的电压降低为5V或者更低。
为了获得上述条件，有必要使得包括在两层结构层61中的电荷传输层(电子传输层)具有高的电子迁移率，在电荷传输层中通过电荷注入层(电子注入层)从辅助配线45容易地将电子注入上电极42。电子通过两层结构层61从上电极42注入到堆叠结构43，结果，堆叠结构43发光，因此，优选的是，电荷传输层(电子传输层)由使有机EL元件保持良好的条件的材料制造，并且通过使有机EL元件的特性保持在良好的条件的沉积方法沉积。具体地讲，可以列举如浴铜灵(BCP)、红菲咯啉和蒽的电子传输材料。
在实施例2中，包括在两层结构层61中的电荷传输层(具体地讲，电子传输层)由浴铜灵(BCP)制造，因此，用于获得相同亮度所需的驱动电压的升高与上述比较实例的有机EL显示装置相比抑制到约2.5V。
同样，在实施例2的有机EL显示装置中，提供了辅助配线45，另外，辅助配线45和上电极42通过两层结构层61电连接，因此，即使当上电极42的薄膜电阻高时，也可以抑制以覆盖显示区域的整个表面的形式形成的上电极42的显示区域中的电压降低的发生。结果，能够均匀化显示区域中有机EL元件的发光强度。另外，两层结构层61存在于绝缘层24和上电极42之间，并且上电极42不直接接触绝缘层24，这可以积极地抑制由绝缘层24引起的上电极42的退化。因此，能够可靠地防止如发生图像质量变坏的问题的发生。通过提供辅助配线45还能够减少功率消耗。
两层结构层61的构造和结构不限于图8所示的构造和结构。如图10A所示，优选的是，堆叠结构43(在所示实例中，形成堆叠结构43的所有的多层)的至少一层可以在上电极42的部分42B和绝缘层24之间延伸。部分42B位于上电极42位于辅助配线45上的部分42A和上电极42覆盖堆叠结构43的部分42C之间。在所示的实例中，堆叠结构43包括接触辅助配线45的部分(与辅助配线45的边缘部分重叠的部分)。图10B所示的实例区别于图10A所示的实例的点在于，两层结构层61仅形成在辅助配线45及其附近。就是说，堆叠结构43形成在绝缘层24的部分24’和上电极42之间，并且上电极42不直接接触绝缘层24。在上述实例中，尽管没有示出，还优选的是堆叠结构43在两层结构层61形成之后形成，并且在此情况下，堆叠结构43形成在两层结构层61之上。
基于优选实施例已经说明了本发明，然而，本发明不限于这些实施例。实施例中的有机EL显示装置或有机EL显示元件的构造和结构以及形成有机EL显示装置或有机EL显示元件的材料已经作为实例进行了说明，这可以适当地改变。
在实施例中，一种凸起提供在辅助配线25的边缘部分，且堆叠结构的重叠部分23’提供在该凸起上，然而，还优选堆叠结构的重叠部分提供在辅助配线的直线形边缘部分上，且在辅助配线的整个长度方向上延伸。还优选的是，辅助配线形成为围绕一个子像素的所有四侧，并且堆叠结构的重叠部分提供在形成为围绕一个子像素四侧的辅助配线的整个边缘部分之上。另外，优选的是，在某些情况下，堆叠结构接触一条辅助配线。在实施例中，绝缘层24具有包括凸起的形状，然而，绝缘层24的形状不限于该形状，并且还优选应用这样的构造，其中绝缘层24的顶面与堆叠结构23的顶面在相同的水平上。
尽管在实施例中辅助配线25、45形成在绝缘层24上，但是还优选的是，当提供下电极21时，辅助配线25、45提供在层间绝缘层16上，开口提供在辅助配线25、45之上的绝缘层24中，并且堆叠结构23、43从绝缘层24之上的部分延伸到辅助配线25、45(参照图11A的示意性局部截面图)。或者，优选的是，在形成配线17的同时，提供辅助配线25、45(参照图11B的示意性局部截面图)。在这些修改中的构造和结构可以应用到实施例2的修改中说明的有机EL显示装置。
有机EL显示装置可以是透射型的。在下电极用作阳极电极的情况下，优选下电极由功函数值大且光透射率高的导电材料制造，例如ITO或IZO。另一方面，在下电极用作阴极电极的情况下，优选下电极由功函数值小且光透射率高的导电材料制造。此外，在上电极用作阴极电极的情况下，优选上电极由功函数值小且光反射率高的导电材料制造。另一方面，在上电极用作阳极电极的情况下，优选上电极由功函数值大且光反射率高的导电材料制造。
尽管在实施例1中堆叠结构形成在每个像素上，但是可以使得堆叠结构形成在规定对于发射红光的红光发射子像素和发射绿光的绿光发射子像素的子像素的每个区域上，而发射蓝光的堆叠结构形成在对于发射蓝光的蓝光发射子像素的显示区域的整个表面。上电极形成在发射蓝光的堆叠结构之上，以便覆盖发射蓝光的堆叠结构的整个表面。在此情况下，红光发射子像素具有发射红光的堆叠结构和发射蓝光的堆叠结构的堆叠状态，然而，当电流在下电极和上电极之间流动时，该子像素发射红光。同样，绿光发射子像素具有发射绿光的堆叠结构和发射蓝光的堆叠结构的堆叠状态，然而，当电流在下电极和上电极之间流动时，该子像素发射绿光。在具有上述构造的有机EL显示装置中，用于将形成在整个表面上的上电极连接到外部的连接部分(连接端子部分或者用于连接的配线)形成在有机EL显示装置的周边的层间绝缘层上。即使在这样的构造中，为了在上电极连接到连接部分的区域中抑制绝缘层引起的上电极的退化，优选发射蓝光的堆叠结构夹置在上电极和绝缘层之间。就是说，上电极连接到连接部分的区域具有层间绝缘层、绝缘层、发射蓝光的堆叠结构和上电极的堆叠状态。连接部分的一部分具有层间绝缘层、连接部分、发射蓝光的堆叠结构和上电极的堆叠状态。连接部分中的其它部分具有层间绝缘层、连接部分和上电极的堆叠状态。
在该些实施例中，绝缘层24的一部分上的重叠部分23’具有这样的堆叠状态，其中辅助配线25、堆叠结构23和上电极22依次堆叠，然而，在某些情况下，还可以选择地是这样的堆叠状态，其中堆叠结构23、辅助配线25和上电极22从下方依次堆叠在绝缘层24的一部分上，如图12中的示意性局部截面图所示。图12所示的构造和结构可以应用到第二实施例或者修改中说明的有机EL显示装置。
本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同特征的范围内，根据设计需要和其它因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
本发明包含分别于2007年5月14日和2008年2月19日提交于日本专利局的日本专利申请JP 2007-127805和日本专利申请JP 2008-037190的相关主题，将其全部内容引用结合于此。

Claims (9)

1、一种有机电致发光显示装置，包括多个有机电致发光元件，每个有机电致发光元件包括：
下电极；
绝缘层，具有开口，在该绝缘层中下电极暴露在该开口的底部；
辅助配线；
堆叠结构，从暴露于该开口的底部的该下电极之上的部分到围绕该开口的该绝缘层的部分提供该堆叠结构，该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层；和
上电极，
其中该堆叠结构的至少一层部分地接触该辅助配线，
其中该绝缘层和该辅助配线对该多个有机电致发光元件公共地提供，并且
其中该上电极覆盖该堆叠结构和该辅助配线的整个表面。
2、根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，
其中该堆叠结构的至少一层接触该辅助配线的部分形成在该辅助配线上。
3、根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，
其中该上电极由包括镁的导电材料制造，并且该上电极的厚度为4nm至20nm。
4、一种有机电致发光显示装置，包括多个有机电致发光元件，每个有机电致发光元件包括：
下电极；
绝缘层，具有开口，在该绝缘层中下电极暴露在该开口的底部；
辅助配线；
堆叠结构，从暴露于该开口的底部的该下电极之上的部分到围绕该开口的该绝缘层的部分提供该堆叠结构，该堆叠结构包括由有机发光材料制造的发光层；和
上电极，
其中该上电极位于该辅助配线之上的部分通过包括电荷注入层和电荷传输层的两层结构层电连接到该辅助配线，
其中该绝缘层和该辅助配线对该多个有机电致发光元件公共地提供，并且
其中该上电极覆盖形成该多个有机电致发光元件的该堆叠结构和该两层结构层而不接触该绝缘层。
5、根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置，
其中该上电极部分地接触该堆叠结构，部分地接触该辅助配线，并且部分地接触该两层结构层。
6、根据权利要求5所述的有机电致发光显示装置，
其中该两层结构层还在位于该下电极之上的该堆叠结构和该上电极之间延伸。
7、根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置，
其中该堆叠结构的至少一层具有连接到该辅助配线的部分。
8、根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置，
其中当在该辅助配线和该上电极之间流过的电流的电流密度等于或小于10A/cm2时，该辅助配线和该上电极之间的电压降低等于或小于5V。
9、根据权利要求4所述的有机电致发光显示装置，
其中该上电极由包括镁的导电材料制造，并且该上电极的厚度为4nm至20nm。
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