CN102456714A - 显示器件、显示器件制造方法和电子装置 - Google Patents

显示器件、显示器件制造方法和电子装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了显示器件、显示器件制造方法和电子装置。所述显示器件包括多种像素，所述多种像素被设置在基板上并且发出彼此不同颜色的光束。在所述显示器件中，各所述像素包括有机堆叠膜以及第一电极和第二电极。所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种所述像素而言是不相同的。所述第一电极和所述第二电极被设置成将所述有机堆叠膜夹在二者之间。根据本发明的显示器件和显示器件制造方法，能够抑制各像素的发光中的混色的发生。因此，在使用多种颜色的彩色显示中能够确保良好的色纯度。

Description

显示器件、显示器件制造方法和电子装置
相关申请的交叉参考
本申请包括与2010年11月4日向日本专利局递交的日本优先权专利申请JP 2010-247622和2011年6月27日向日本专利局递交的日本优先权专利申请JP 2011-141749的公开内容相关的主题，在此将这两个优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及使用了用于彩色显示的有机EL(电致发光)元件的显示器件。
背景技术
在利用了有机材料的电致发光(在下文中，简称为“EL”)原理的有机EL显示器件中，如下的有机EL元件被用作显示像素：该有机EL元件具有位于一对电极之间的有机层，该有机层包含空穴输送层和发光层。上述有机EL元件作为能够在低电压直流(DC)驱动下以高亮度发光的发光元件而引起了关注。
因为这种有机EL元件具有不超过1微秒的响应时间，所以在这种有机EL显示器件中能够实现基于简单矩阵方式的负载驱动(dutydriving)。然而，这里应注意的是，在负载随着像素数量的增加而增大的情况下，为了确保充足的照明，可能需要向有机EL元件瞬时地提供大电流。因此，在简单矩阵方式中，元件容易被损坏。
另一方面，在有源矩阵驱动方式中，在各个子像素(sub-pixel)上均形成有薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)和存储电容器(storagecapacitor)，由此能够保持信号电压。因此，在一帧中的所期望期间内，能够一直把与该信号电压对应的驱动电流供给至有机EL元件。于是，在有源矩阵驱动方式中，不需要像在简单矩阵方式中那样向有机EL元件瞬时地提供大电流，这样就能够减少对元件的损坏。顺便提及的是，各像素例如是由三种子像素(即，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素)构成的，由此能够实现全彩色图像显示。
同时，为了制造这种全彩色有机EL显示器件，必需根据各个子像素来对不同发光颜色的各颜色发光层进行图形化，并且为了满足这一需求已经尝试了很多种技术(例如，参照日本专利第3369615号，下文中称作专利文献1)。在专利文献1中，在基板上以图形化的方式设置有突起部，并且从倾斜方向上实施真空蒸发工艺(下文中称作“倾斜沉积法”)，从而以图形化的方式形成了各颜色发光层。具体地，将上述那些突起部设置在像素之间的被选区域中，并且根据要被沉积成膜的各种有机材料适当地改变上述角度(角度方向)，由此实施倾斜沉积法，从而将上述那些突起部用作以对应的图形形成膜时所需的掩模。在此情况下，首先，通过倾斜沉积法在红色子像素的区域中选择性地形成红色发光层并且在绿色子像素的区域中选择性地形成绿色发光层，此后在全部子像素的整个区域上方形成蓝色发光层。也可以采用其他的一些方法，例如：让由金属制成的蒸发沉积掩模暂时对准从而以对应的图形形成各发光层的方法；或者基于印刷方式或喷墨方式的方法。此外，还有另外的一些方法，例如，将白色发光有机EL元件与滤色器结合起来的技术。因此，为了实现全彩色图像显示，已经使用了各种各样的技术。
然而，在专利文献1所述的技术中，在通过使用突起部作为掩模对红色发光材料进行蒸发沉积的过程中，难以很好地防止红色发光材料沉积到其他子像素(例如，蓝色子像素)的区域中。换言之，由于真空中分子的运动方向的差异或者由于蒸发沉积装置的壁面上的反射等，实际上，红色发光材料的一些分子会被沉积到蓝色子像素的区域中。这里，红色发光用的能量低于蓝色发光用的能量。如果在蓝色子像素的区域中沉积有红色发光分子，那么将会出现的现象是蓝色发光分子的激发能(excitation energy)向红色发光分子快速转移，结果就会从蓝色子像素中发出红光。即使红色发光分子在蓝色子像素的区域中的沉积量非常小，也将会发生上述现象。在发光过程中这种混色会导致色纯度的下降以及显示质量的下降。另外，近年来，显示器件已经在更广的范围内被投入使用，并且对像素的小型化有越来越高的需求。因此，目前所期望的是抑制发光过程中的上述混色，从而防止色纯度下降。
发明内容
因此，本发明的目的是期望提供一种在进行彩色显示时能够确保良好的色纯度的显示器件。此外，本发明的另一个目的是期望提供这种显示器件的制造方法以及具有这种显示器件的电子装置。
本发明的一个实施方案提供了一种显示器件，其包括多种像素，所述多种像素被设置在基板上并且发出彼此不同颜色的光束。在所述显示器件中，各所述像素包括有机堆叠膜以及第一电极和第二电极。所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种所述像素而言是不同的。所述第一电极和所述第二电极被设置成将所述有机堆叠膜夹在二者之间。
本发明的另一个实施方案提供了一种显示器件制造方法，所述方法在基板上形成用于发出彼此不同颜色的光束的多种像素时，包括在各像素区域中进行的如下步骤：在所述基板上形成第一电极；形成有机堆叠膜，所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种所述像素而言是不同的；以及在形成所述有机堆叠膜之后，形成第二电极。
在本发明上述另一实施方案的显示器件制造方法中，将所述有机堆叠膜设置在所述第一电极与所述第二电极之间，所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构(具体地，所述另一种有机层的数量、种类和厚度等)对于每一种所述像素而言是不同的。例如，在从所述多种像素选出的一种(或几种)像素中设置有由有机材料形成的载流子阻挡层。这确保了：在成膜工艺中，即使某一发光颜色的有机发光材料被沉积到除了所需像素以外的其他像素的区域中时，也能够抑制由于上述不合期望的沉积而导致的发光中的混色。换言之，利用这种载流子阻挡层，能够适当地设定各个发光颜色的有机发光材料的成膜顺序和成膜位置，并且更易于从对应的像素中提取所需颜色的光。
在本发明上述一个实施方案的显示器件中，设置在所述第一电极与所述第二电极之间的所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构(具体地，所述另一种有机层的数量、种类和厚度等)对于每一种所述像素而言是不同的。例如，在从所述多种像素选出的一种(或几种)像素中设置有由有机材料形成的载流子阻挡层。这确保了：即使在某种像素的区域中不合期望地沉积有除了正确有机发光材料以外的有机发光材料时，也能够抑制该像素中由于上述不合期望的沉积而导致的发光中的混色。
本发明的又一个实施方案提供了一种电子装置，其包括本发明上述一个实施方案的所述显示器件。
根据本发明的显示器件和显示器件制造方法，设置在所述第一电极与所述第二电极之间的所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种所述像素而言是不同的。例如，在从所述多种像素选出的一种(或几种)像素中设置有由有机材料形成的载流子阻挡层。这使得能够抑制各像素中出现的发光混色。因此，在使用多种颜色的彩色显示中能够确保良好的色纯度。
附图说明
图1图示了本发明第一实施方案的显示器件的截面结构。
图2A～图2C是截面图，示意性地示出了图1所示显示器件的三种(R、G和B)有机EL元件中的有机堆叠膜的结构。
图3A和图3B图示了图1所示显示器件的制造方法的步骤顺序。
图4A和图4B图示了在图3B的步骤之后的步骤。
图5A和图5B图示了在图4B的步骤之后的步骤。
图6A和图6B图示了在图5B的步骤之后的步骤。
图7图示了在图6B的步骤之后的步骤。
图8是用于图示比较例的显示器件的结构及制造方法的截面图。
图9是示出了比较例的显示器件中各颜色光的发光强度的特性图。
图10是示出了图1所示显示器件中各颜色光的发光强度的特性图。
图11图示了变形例1的显示器件的截面结构。
图12A～图12C是截面图，示意性地示出了图11所示显示器件的三种(R、G和B)有机EL元件中的有机堆叠膜的结构。
图13A和图13B图示了图11所示显示器件的制造方法。
图14A和图14B图示了在图13B的步骤之后的步骤。
图15图示了在图14B的步骤之后的步骤。
图16是示出了图11所示显示器件中各颜色光的发光强度的特性图。
图17图示了本发明第二实施方案的显示器件的截面结构。
图18A～图18C是截面图，示意性地示出了图17所示显示器件的三种(R、G和B)有机EL元件中的有机堆叠膜的结构。
图19A和图19B图示了图17所示显示器件的制造方法的步骤顺序。
图20A和图20B图示了在图19B的步骤之后的步骤。
图21A和图21B图示了在图20B的步骤之后的步骤。
图22A和图22B图示了在图21B的步骤之后的步骤。
图23图示了在图22B的步骤之后的步骤。
图24是示出了图17所示显示器件中各颜色光的发光强度的特性图。
图25图示了变形例2的显示器件的截面结构。
图26A～图26C是截面图，示意性地示出了图25所示显示器件的三种(R、G和B)有机EL元件中的有机堆叠膜的结构。
图27是示出了图25所示显示器件中各颜色光的发光强度的特性图。
图28图示了本发明第三实施方案的显示器件的截面结构。
图29A～图29C是截面图，示意性地示出了图28所示显示器件的三种(R、G和B)有机EL元件中的有机堆叠膜的结构。
图30A和图30B图示了图28所示显示器件的制造方法的步骤顺序。
图31A和图31B图示了在图30B的步骤之后的步骤。
图32A和图32B图示了在图31B的步骤之后的步骤。
图33图示了本发明第四实施方案的显示器件(在倾斜沉积之前的基板结构)的结构。
图34A和图34B是用于图示比较例中的基板结构的截面图。
图35A和图35B用于说明图33所示的基板结构的效果。
图36是图示了变形例3的基板结构的截面图。
图37A和图37B说明了图36所示的基板结构的效果。
图38是图示了变形例4的基板结构的截面图。
图39是图示了其他变形例的基板结构的截面图。
图40是本发明任何实施方案的显示器件的包括周边电路的框图。
图41图示了图40中所示像素的电路结构。
图42是平面图，示意性地示出了包括图40所示显示器件的模块的结构。
图43是应用示例1的立体图。
图44A是应用示例2的正面侧的立体图；图44B是应用示例2的背面侧的立体图。
图45是应用示例3的立体图。
图46是应用示例4的立体图。
图47A是应用示例5处于打开状态的正视图；图47B是应用示例5处于打开状态的侧视图；图47C是应用示例5处于闭合状态的正视图；图47D是应用示例5处于闭合状态的左侧视图；图47E是应用示例5处于闭合状态的右侧视图；图47F是应用示例5处于闭合状态的俯视图；图47G是应用示例5处于闭合状态的仰视图。
具体实施方案
下面，将参照附图来具体说明本发明的实施方案。按照下面的顺序进行说明。
(1)第一实施方案(使用绿色用电子阻挡层和蓝色用电子阻挡层的示例)
(2)变形例1((1)中的绿色发光层被R、G和B共用的示例)
(3)第二实施方案(使用绿色用膜厚度调节层和蓝色用膜厚度调节层的示例)
(4)变形例2((3)中的绿色发光层被R、G和B共用的示例)
(5)第三实施方案(红色发光层和绿色发光层被薄化的示例)
(6)第四实施方案(增加了用于抑制在倾斜沉积时出现的“渐晕(vignetting)”的结构的示例)
(7)变形例3(在(6)中设有防漏绝缘膜的示例)
(8)变形例4((6)中的用于抑制“渐晕”的结构的另一示例)
(9)应用示例(电子装置的示例)
第一实施方案
显示器件1的总体结构
图1示出了本发明第一实施方案的显示器件1的截面结构。显示器件1例如是有源矩阵方式的有机EL显示器件并且是如稍后所述在上部电极16侧提取光的顶部发光型有机EL显示器件。显示器件1具有以矩阵形式布置在驱动基板10上的三种像素10R、10G和10B。这些像素10R、10G和10B对应于分别具有有机EL元件的R、G和B子像素。具体地，像素10R具有出射红色光的红色有机EL元件，像素10G具有出射绿色光的绿色有机EL元件，像素10B具有出射蓝色光的蓝色有机EL元件。
这些像素10R、10G和10B每一者都具有例如从驱动基板10侧依次设置的下部电极11、有机堆叠膜(12R、12G或12B)和上部电极16。
驱动基板10是包含像素10R、10G和10B的驱动电路的基板，并且具有布置在各个像素上的各TFT。驱动基板10的表面(表面侧)被平坦化膜覆盖着，各个TFT通过形成在该平坦化膜中的各个开口与下部电极11电连接。
下部电极11用作例如向各有机发光层注入空穴(正空穴)的阳极。在本实施方案的顶部发光型显示器件中，下部电极11还用作反射电极；因此，从提高发光效率的观点看，期望该下部电极的反射率尽可能地高。用于构成下部电极11的材料示例包括：诸如银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)和铬(Cr)等金属；以及上述金属的合金。下部电极11可具有通过使用这样的金属性材料而构成的单层结构，或者具有由多层这样的金属性材料构成的堆叠结构。此外，下部电极11可具有这样的结构：该结构中，在由上面提及的材料形成的下部电极的表面上，设有由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成的透明导电膜。然而，这里应当注意的是，当使用Al合金来形成下部电极11时，能够确保高反射率，但在该下部电极11的表面上很易于形成氧化物膜，并且Al合金的功函数不是很高因此易于生成空穴注入阻挡壁。因此，在此情况下，期望另外设置由适当材料形成的空穴注入层。
在驱动基板10上以与各像素对应的方式设置有各下部电极11。所期望的是，如同在本实施方案中那样，将各下部电极11设置成使得在它们的表面与驱动基板10的表面(平坦化膜等的表面)之间没有形成台阶(换言之，使得各下部电极11的表面与驱动基板10的表面齐平)。这确保了：在通过倾斜沉积法形成有机材料膜时能够抑制“渐晕”的产生(或者“阴影(shading)”的产生；对于要被沉积的材料的分子流而言，不合期望的阴影区域的产生)，并且能够在所需区域中基本均匀地蒸发沉积上述有机材料。因此，更容易抑制电流集中现象的发生，并且更容易得到所需的发光颜色。
顺便提及地，在本实施方案中，为了简化，在附图中省略了上述的各TFT和平坦化膜。另外，在下部电极11的上方侧，可在像素10R、10G和10B的整个区域上方形成像素间电介质膜(这一点稍后会详细说明)，该像素间电介质膜具有与下部电极11相面对的开口。在此情况下，在像素间电介质膜的开口部处分别形成有有机堆叠膜12R、12G和12B。
有机堆叠膜12R、12G和12B每一者具有堆叠结构，该堆叠结构包括：选自红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B中的一个以上有机发光层；以及另一种有机层(例如，稍后所述的空穴输送层或电子阻挡层)。虽然细节将稍后说明，但有机堆叠膜12R、12G和12B在该另一种有机层的层结构方面是互不相同的(对于不同种类的像素而言，该另一种有机层具有不同的层结构)。
上部电极16是这样的电极：其设置成被像素10R、10G和10B共用，并且用作例如向各有机发光层注入电子的阴极。在本实施方案的顶部发光型显示器件中，上部电极16是由透明导电材料形成的。上部电极16的示例包括：由ITO或IZO等制成的透明导电膜；以及可以是单层膜或堆叠膜形式的共蒸发镁-银(Mg-Ag)膜。顺便提及地，通过使用共蒸发Mg-Ag膜作为上部电极16，并且适当地设定有机堆叠膜12R、12G和12B每一者的总膜厚度(总光路长度)以及各有机发光层与电极之间的距离，能够在各像素中形成光学共振器结构并能够提高发光效率和色纯度(细节将在后面的第二实施方案中说明)。
在这些像素10R、10G和10B之间的被选区域中设置有突起肋(rib)110。这里，突起肋110设置在像素10R与像素10G之间的各区域中以及像素10B与像素10R之间的各区域中。如稍后所述，突起肋110起到在对各颜色发光层和电子阻挡层等进行图形化的过程中所使用的遮蔽掩模(shadow mask)的作用。突起肋110例如是由诸如光致抗蚀剂等感光性树脂材料形成的，并且被形成为适当形状(宽度、高度)，该适当形状是考虑了诸如像素间距、蒸发沉积角度等各种条件而选择的。
在如上所述的像素10R、10G和10B的上部电极16侧设置有覆盖全部像素的保护层17。另外，在保护层17的上侧层叠有密封基板19，且在保护层17与密封基板19之间设有粘接层18。保护层17例如是由氮化硅膜或氧化硅膜等构成的，并且粘接层18例如是由UV硬化树脂形成的。密封基板19可以设有滤色器或黑矩阵(均未图示)等。
有机堆叠膜12R、12G和12B的结构
图2A～图2C图示了有机堆叠膜12G、12B和12R的截面结构。如图所示，各个有机堆叠膜12R、12G和12B均具有从下部电极11侧依次设置的空穴输送层13和红色发光层14R，该空穴输送层13和该红色发光层14R作为被全部像素共用的层。这里应当注意的是，如图2A所示，有机堆叠膜12G具有在红色发光层14R上方依次堆叠的绿色用电子阻挡层15G、绿色发光层14G和蓝色发光层14B。如图2B所示，有机堆叠膜12B具有在红色发光层14R上方依次堆叠的蓝色用电子阻挡层15B和蓝色发光层14B。如图2C所示，有机堆叠膜12R具有堆叠在红色发光层14R上的蓝色发光层14B。
因此，在有机堆叠膜12G、12B和12R中分别堆叠有不同发光颜色的发光层，以此方式，分别在绿色发光层14G中形成了有机堆叠膜12G的再结合位置Dg，在蓝色发光层14B中形成了有机堆叠膜12B的再结合位置Db，在红色发光层14R中形成了有机堆叠膜12R的再结合位置Dr。稍后将说明这种结构的原因。
像素10G中的有机堆叠膜12G具有作为发光层的红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13和绿色用电子阻挡层15G。像素10B中的有机堆叠膜12B具有作为发光层的红色发光层14R和蓝色发光层14B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13和蓝色用电子阻挡层15B。像素10R中的有机堆叠膜12R具有作为发光层的红色发光层14R和蓝色发光层14B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13。
因此，有机堆叠膜12G、12B和12R的层结构(更具体地，另一种有机层的层结构)对于每种像素来说是不相同的。具体地，所述另一种有机层的数量、种类和厚度等对于每一种像素10R、10G和10B而言是不相同的。
将显示器件1作为整体来看，在驱动基板10上在像素10R、10G和10B的整个区域上方依次设置有空穴输送层13和红色发光层14R。在红色发光层14R的上方，在像素10G的区域中依次设置有绿色用电子阻挡层15G和绿色发光层14G，而在像素10B的区域中依次设置有蓝色用电子阻挡层15B和蓝色发光层14B。此外，以覆盖上述这些层的方式，在像素10R、10G和10B的整个区域上方设置有蓝色发光层14B。
空穴输送层13是用于提高空穴注入效率的层。空穴输送层13例如是由六氮杂苯并菲衍生物(化学品1)和4，4′-双[N-1-萘基-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)构成的。
[化学品1]
Figure BDA0000105611660000111
红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B是这样的层：当向这些层施加有电场时，从下部电极11侧注入的空穴的一部分与从上部电极16侧注入的电子的一部分再结合，从而分别产生红色光、绿色光和蓝色光。这些各颜色发光层包含诸如苯乙烯胺衍生物、芳香胺衍生物、二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、吡喃染料(pyran dyes)和三苯胺衍生物等有机材料。
红色发光层14R例如含有选自红色发光材料、空穴输送材料和电子输送材料中的至少一种。红色发光材料可以是荧光性材料或者磷光性材料。红色发光层14R例如是由4，4′-双(2，2-二苯乙烯基)-联苯(DPVBi)与2，6-双[(4′-甲氧基二苯胺)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)的混合物形成的。
绿色发光层14G例如含有选自绿色发光材料、空穴输送材料和电子输送材料中的至少一种。绿色发光材料可以是荧光性材料或者磷光性材料。绿色发光层14G例如是由ADN或DPVBi与香豆素6的混合物形成的。
蓝色发光层14B例如含有选自蓝色发光材料、空穴输送材料和电子输送材料中的至少一种。蓝色发光材料可以是荧光性材料或者磷光性材料。蓝色发光层14B例如是由DPVBi与4，4′-双[2-{4-(N，N-二苯胺)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)的混合物形成的。
绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B例如具有如下功能：阻止电子在堆叠于上侧和下侧的不同颜色发光层之间的预定方向上移动。绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B例如是由与用于空穴输送层13的空穴输送材料相同的空穴输送材料形成的。
例如，在本实施方案中，通过将绿色用电子阻挡层15G设置在绿色发光层14G与红色发光层14R之间，该绿色用电子阻挡层15G防止了从上部电极16侧注入的电子被传送至设置在绿色发光层14G下方侧的红色发光层14R中。换言之，在像素10G中，绿色用电子阻挡层15G改变了电子空穴对的再结合位置，使得不是在红色发光层14R中发生再结合而是在绿色发光层14G中发生再结合。顺便提及地，当在绿色发光层14G的上方进一步设置有蓝色发光层14B时，绿色发光比蓝色发光在能量方面更占支配地位。
同样地，通过将蓝色用电子阻挡层15B设置在蓝色发光层14B与红色发光层14R之间，该蓝色用电子阻挡层15B防止了从上部电极16侧注入的电子被传送至设置在蓝色发光层14B下方侧的红色发光层14R中。换言之，在像素10B中，蓝色用电子阻挡层15B改变了电子空穴对的再结合位置，使得不是在红色发光层14R中发生再结合而是在蓝色发光层14B中发生再结合。
顺便提及地，例如，在有机堆叠层12G、12B和12R中除了堆叠有上述空穴输送层13和各颜色发光层以外，如果有必要，还可以堆叠有空穴注入层和电子输送层(均未图示)等。能够用来形成空穴注入层的材料示例包括4，4′，4″-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4，4′，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯胺(2-TNATA)。电子输送层是用于提高向各颜色发光层注入电子时的电子注入效率的层，并且例如是由8-羟基喹啉铝(Alq3)或BCP形成的。此外，还可以在有机堆叠膜12G、12B和12R的上方设置有电子注入层。用于构成电子注入层的材料示例包括碱金属氧化物、碱金属氟化物、碱土金属氧化物和碱土氟化物(例如Li2O、Cs2O、LiF和CaF2等)。
显示器件1的制造方法
例如，按照下面的方法能够制造出上述的显示器件1。图3A～图8是图示了显示器件1的制造方法的步骤顺序的截面图。顺便提及地，在各附图中，标记在驱动基板10下侧的符号(R)、(G)和(B)表示像素区域(其中要形成有像素的区域)；具体地，符号(R)表示像素10R用的像素区域，符号(G)表示像素10G用的像素区域，符号(B)表示像素10B用的像素区域。
首先，如图3A所示，通过例如溅射法和光刻法在各像素区域中以图形化状态在驱动基板10上形成下部电极11，这些下部电极11例如由上面提及的材料构成。在此情况下，覆盖着设置于驱动基板10中的驱动电路(包含TFT)的平坦化膜(未图示)被预先形成有开口，使得下部电极11与设置于该平坦化膜下面的TFT通过上述开口而彼此电连接。之后，在如上述那样形成的下部电极11之上，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个部分上方形成像素间电介质膜(未图示)，并且在面对下部电极11的各区域中形成要作为有机堆叠膜12R、12G和12B形成用区域的开口部。
随后，如图3B所示，在像素之间的被选区域中以图形化状态形成突起肋110，这些突起肋110由上面提及的材料构成。这里，例如通过光刻法在像素区域(R)与像素区域(G)之间的各区域中以及在像素区域(R)与像素区域(B)之间的各区域中分别形成突起肋110。
接下来，如图4A所示，通过从与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成空穴输送层13，该空穴输送层13由上面提及的材料构成。
随后，如图4B所示，通过从与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成红色发光层14R，该红色发光层14R由上面提及的材料构成。这使得空穴输送层13和红色发光层14R作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10上方。顺便提及地，这样做的结果是，在突起肋110的顶部上也堆积了空穴输送层13和红色发光层14R。
之后，如图5A所示，利用如上述那样形成的突起肋110，通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的绿色用电子阻挡层15G。在此情况下，沿着角度方向D1进行蒸发沉积，使得像素区域(G)暴露于蒸发源下但像素区域(R)和像素区域(B)在突起肋110后面被隐藏而不暴露于蒸发源下。以此方式，在要形成像素10G的各像素区域(G)中选择性地形成了绿色用电子阻挡层15G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了绿色用电子阻挡层15G。
随后，如图5B所示，利用突起肋110，通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的绿色发光层14G。在此情况下，与绿色用电子阻挡层15G的情况下一样，沿同一角度方向D1进行蒸发沉积。换言之，在如上述那样形成的绿色用电子阻挡层15G的顶部上形成绿色发光层14G。以此方式，在要形成像素10G的各像素区域(G)中选择性地形成了绿色发光层14G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了绿色发光层14G。
接下来，如图6A所示，利用突起肋110，通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的蓝色用电子阻挡层15B。在此情况下，沿着角度方向D2进行蒸发沉积，使得像素区域(B)暴露于蒸发源下但像素区域(R)和像素区域(G)在突起肋110后面被隐藏而不暴露于蒸发源下。以此方式，在要形成像素10B的各像素区域(B)中选择性地形成了蓝色用电子阻挡层15B。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(G)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了蓝色用电子阻挡层15B。
随后，如图6B所示，通过从与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成由上面提及的材料构成的蓝色发光层14B。这使得蓝色发光层14B作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10的上方。顺便提及地，这样做的结果是，在各突起肋110的顶部上也堆积了蓝色发光层14B。以此方式，分别在像素区域(R)、(G)和(B)中形成了有机堆叠膜12R、12G和12B。
之后，如图7所示，例如通过真空蒸发法或溅射法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成由上面提及的材料构成的上部电极16。结果，在驱动基板10上形成了像素10R、10G和10B。
最后，形成保护层17，该保护层17覆盖着如上述那样形成的像素10R、10G和10B的整个表面区域。之后，在保护层17的上表面上层叠密封基板19，且在保护层17与密封基板19之间设置有粘接层18，由此完成了图1所示的显示器件1。
显示器件1的作用和效果
在本实施方案的显示器件1中，当向像素10R、10G和10B施加与各颜色的图片信号相对应的驱动电流时，通过下部电极11和上部电极16将电子和空穴注入有机堆叠膜12R、12G和12B中。电子和空穴在像素10R、10G和10B的红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B中分别进行再结合，由此导致发光(光发射)。以此方式，在显示器件1上实现了使用R、G和B的全彩色图像显示。
这里，在显示器件1中，为了实现上述全彩色图像显示，需要在驱动基板10上对三种像素(R像素、G像素和B像素)进行图形化。因此，在本实施方案的制造方法中，在像素之间的被选区域中设置有作为遮蔽掩模的突起肋110，并且利用突起肋110对各种所需颜色的发光材料进行倾斜沉积，从而实现图形化。下面将说明以此方式利用突起肋110进行成膜工艺时的作用和效果。
比较例
图8是图示了作为本实施方案的比较例的显示器件100的一般结构和制造方法的截面图。顺便提及地，为了简化，在该附图中省略了保护层、粘接层和密封基板。在该显示器件100中，在驱动基板101上设置有像素100R、100G和100B，并且在各像素中，包括一个发光层或多个发光层的有机堆叠膜被形成在下部电极102与上部电极105之间。在像素之间的被选区域中设置有用于对各颜色发光层进行图形化的突起肋1010。发出红色光的像素100R中的有机堆叠膜例如具有从下部电极102侧依次堆叠的空穴输送层103、红色发光层104R和蓝色发光层104B。在发出绿色光的像素100G中，从下部电极102侧依次堆叠有空穴输送层103、绿色发光层104G和蓝色发光层104B。在发出蓝色光的像素100B中，从下部电极102侧依次堆叠有空穴输送层103和蓝色发光层104B。
因此，像素100R包括作为发光层的红色发光层104R和蓝色发光层104B，并且包括作为另一种有机层的空穴输送层103。像素100G包括作为发光层的绿色发光层104G和蓝色发光层104B，并且包括作为另一种有机层的空穴输送层103。像素100B包括作为发光层的蓝色发光层104B，并且包括作为另一种有机层的空穴输送层103。换言之，在该比较例中，所述另一种有机层的层结构对于全部像素都是相同的；具体地，上述层结构是仅具有被全部像素共用的空穴输送层103的结构。
这里，像素100R和像素100G每一者具有堆叠起来的两种发光层，并且在此情况下，与较低发光能量相对应的颜色光的发光是占支配地位的。更具体地，发光能量按照红色光、绿色光和蓝色光的顺序依次升高，使得电荷再结合位置被形成时的容易程度按照红色发光层104R、绿色发光层104G和蓝色发光层104B的顺序降低。因此，绿色发光层104G中的发光比蓝色发光层104B中的发光占支配地位，并且红色发光层104R中的发光比绿色发光层104G中的发光占支配地位。这样，在如上所述的比较例的结构中，在像素100R中发出红色光，在像素100G中发出绿色光，并且在像素100B中发出蓝色光，由此能够实现全彩色图像显示。
在如上的显示器件100的制造方法中，利用如上所述的突起肋1010通过倾斜沉积法对各颜色发光层进行图形化。在此情况下，例如根据下面的工序来实现成膜。在下部电极102上形成空穴输送层103之后，首先，利用突起肋1010通过倾斜沉积法形成红色发光层104R。具体地，沿着角度方向D101进行蒸发沉积，使得像素100R暴露于蒸发源下但像素100G和像素100B在突起肋1010后面被隐藏而不暴露于蒸发源下，从而在像素100R的区域中选择性地形成红色发光层104R。随后，利用突起肋1010通过倾斜沉积法形成绿色发光层104G。具体地，沿着角度方向D102进行蒸发沉积，使像素100G暴露于蒸发源下但像素100B和像素100R在突起肋1010后面被隐藏而不暴露于蒸发源下，从而在像素100G的区域中选择性地形成绿色发光层104G。之后，从与驱动基板101基本垂直的方向上在像素100R、100G和100B的整个区域上方形成蓝色发光层104B。最后，在蓝色发光层104B上形成上部电极105，从而完成了具有上述堆叠结构的显示器件100。
然而，上面的比较例的技术存在这样的问题：在通过利用突起肋1010作为掩模来蒸发沉积红色发光层104R的过程中，一部分红色发光材料可能被沉积到除了所期望的像素100R以外的像素100G和/或像素100B的区域中。这种现象起源于真空中分子的运动方向的变化和/或蒸发沉积装置中的壁面上的反射。特别地，红色光的发光能量低于蓝色光的发光能量。因此，如果有红色发光分子沉积在蓝色子像素的区域中，即使沉积量很小，也将会使蓝色发光分子的激发能被快速转移至红色发光分子，从而导致发出红色光。于是，在像素100B中将会以混合状态不仅产生蓝色光而且产生红色光。在发光时的这种混色会导致色纯度的下降和显示质量的下降。
作为比较例的数值示例，制造出了如下样品，并且测量了R、G和B颜色光每一者的发光强度。各像素100R、100G和100B的宽度(间距)被设定为26μm，并且下部电极102是由宽度为8μm且厚度为50nm的铝膜构成的。使用光致抗蚀剂，在像素100B与像素100G之间的各区域中以及在像素100B与像素100R之间的各区域中均形成了高度为6μm且宽度为6μm的突起肋1010。空穴输送层103是由10nm厚的六氮杂苯并菲衍生物(上面的化学品1)层与18nm厚的α-NPD层堆叠起来而构成的。在形成红色发光层104R的过程中，将角度方向D101设定成73°方向，并且使用DPVBi与BSN的混合物作为红色发光材料，将膜厚度设定为50nm。在形成绿色发光层104G的过程中，将角度方向D102设定成-73°方向，并且使用ADN与香豆素6的混合物作为绿色发光材料，将膜厚度设定为25nm。在形成蓝色发光层104B的过程中，使用DPVBi与DPAVBi的混合物作为蓝色发光材料，并将膜厚度设定为15nm。另外，在蓝色发光层104B上方形成有厚度为30nm且由BCP制成的电子输送层(未图示)和厚度为0.3nm且由氟化锂制成的电子注入层(未图示)，然后在上面形成15nm厚的共蒸发Mg-Ag(10∶1)膜来作为上部电极105。顺便提及地，形成了1μm厚的氮化硅膜作为保护层(未图示)，然后利用UV硬化树脂在该保护层上层叠密封玻璃。对以此方式制造出来的比较例的显示器件100进行上面提及的测量，结果如图9所示。
如图9所示，获得了从像素100R发出的红色光和从像素100G发出的绿色光，但没有获得从像素100B发出的蓝色光。代替的是，从像素100B发出了作为红色光与绿色光二者的混合光的黄色光。另外，根据上述设定，在各像素中，在下部电极102与上部电极105之间都形成了光学共振器结构，并且共振的次数为：红色0次、绿色0次、蓝色0次。
相反地，在本实施方案中，如上所述，有机堆叠膜12R、12G和12B均包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构(具体地，该另一种有机层的数量、种类和厚度等)基于像素种类的不同而不相同。例如，作为该另一种有机层，有机堆叠膜12G包括有空穴输送层13和绿色用电子阻挡层15G，而有机堆叠膜12B包括有空穴输送层13和蓝色用电子阻挡层15B，且有机堆叠膜12R包括有空穴输送层13。
根据上述的层结构，在各像素10R中，在有机堆叠膜12R的红色发光层14R和蓝色发光层14B之中的红色发光层14R中形成了再结合位置Dr；因此，获得了红色发光层14R中红色光的发光。原因如上所述。
另一方面，在各像素10G中，在有机堆叠膜12G中堆叠有包括红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B的三种颜色发光层。因此，从上述的发光能量的观点看，将会在红色发光层14R中形成再结合位置。然而，在本实施方案中，如图2A已经示出的那样，绿色用电子阻挡层15G被设置在红色发光层14R与绿色发光层14G之间。于是，从上部电极16侧注入的电子不会到达红色发光层14R而是留在绿色用电子阻挡层15G的上侧。在绿色用电子阻挡层15G上方，堆叠有绿色发光层14G和蓝色发光层14B。在这两种发光层中，从上述的发光能量的观点看，绿色光的发光变得占支配地位(在绿色发光层14G中形成再结合位置Dg)。因此，在像素10G中，获得了绿色发光层14G中绿色光的发光。
又一方面，在各像素10B中，在有机堆叠膜12B中堆叠有包括红色发光层14R和蓝色发光层14B的两种颜色发光层。因此，从上述的发光能量的观点看，将会在红色发光层14R中形成再结合位置。然而，在本实施方案中，如图2B已经示出的那样，蓝色用电子阻挡层15B被设置在红色发光层14R与蓝色发光层14B之间。于是，从上部电极16侧注入的电子不会到达红色发光层14R而是留在蓝色用电子阻挡层15B的上侧。换言之，在堆叠于蓝色用电子阻挡层15B上的蓝色发光层14B中形成了再结合位置Db。因此，在像素10B中，获得了蓝色发光层14B中蓝色光的发光。
如上所述，所述另一种有机层的层结构对于每一种像素10R、10G和10B而言是不相同的。具体地，在本实施方案中，绿色用电子阻挡层15G被设置在像素10G中的预定位置处，而蓝色用电子阻挡层15B被设置在像素10B中的预定位置处。这确保了：在成膜工艺中，即使通过倾斜沉积法应当仅堆积于所选像素的区域中的发光材料被沉积到除了所需像素以外的其他像素的区域中，仍能够抑制由于上述不合期望的沉积所引起的发光中的混色。
例如，在形成绿色发光层14G时，在绿色发光材料被沉积到除了所需像素10G以外的像素10R和像素10B的区域中的情况下，这不会对像素10R产生影响，因为在像素10R中红色光的发光是本来占支配地位的。另一方面，在像素10B中，蓝色用电子阻挡层15B是在形成绿色发光层14G之后形成的，从而能够防止电子被转移至在形成绿色发光层14G的过程中沉积的绿色发光分子。
另外，红色发光层14R被设置作为三种发光颜色的发光层的最下层(是由三种发光颜色的发光层的第一种发光层形成的)，并且在像素10G区域中和像素10B区域中的红色发光层14R上分别堆叠有绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B。这确保了防止电子运动到像素10G和像素10B任一者的红色发光层14R中。
顺便提及地，在形成绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B的各步骤中，用于形成电子阻挡层(例如，空穴输送材料)的材料可能会沉积在像素10R的红色发光层14R上。如果在此情况下的沉积量是微量的，那么大部分的激发能就被转移至红色发光材料，于是，上述不合期望的沉积将会妨碍像素10R中红色光的发光。
因此，电子阻挡层的使用确保了能够将各种发光颜色的有机发光材料的成膜顺序和成膜位置适当地设定成对所蒸发的材料的沉积过程的影响最小。这样做的结果是，更容易从对应的像素中提取所需颜色的光。
作为本实施方案的数值示例，制造出了如下样品，并且测量了R、G和B颜色光每一者的发光强度。各像素10R、10G和10B的宽度(间距)被设定为26μm，并且下部电极11是由宽度为8μm且厚度为50nm的ITO膜构成的。另外，在下部电极11下面设有厚度为100nm的铝镜。使用光致抗蚀剂，在像素10R与像素10G之间的各区域中以及在像素10B与像素10R之间的各区域中均形成了高度为6μm且宽度为6μm的突起肋110。空穴输送层13是由10nm厚的六氮杂苯并菲衍生物(上面的化学品1)层与18nm厚的α-NPD层堆叠起来而构成的。红色发光层14R是利用DPVBi与BSN的混合物以10nm厚度形成的。在形成绿色用电子阻挡层15G的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D1设定成73°方向，使用α-NPD作为该电子阻挡材料，并将厚度设定为100nm。此外，在形成绿色发光层14G的过程中，将角度方向D1设定成73°方向，使用ADN与香豆素6的混合物作为绿色发光材料，并将厚度设定为10nm。另外，在形成蓝色用电子阻挡层15B的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D2设定成-73°方向，使用α-NPD作为该电子阻挡材料，并将厚度设定为70nm。蓝色发光层14B是通过使用DPVBi与DPAVBi的混合物以15nm厚度形成的。另外，在蓝色发光层14B上方形成有厚度为30nm且由BCP制成的电子输送层(未图示)和厚度为0.3nm且由氟化锂制成的电子注入层(未图示)，然后在上面形成15nm厚的共蒸发Mg-Ag(10∶1)膜来作为上部电极16。使用1μm厚的氮化硅膜作为保护层17，然后利用由UV硬化树脂形成的粘接层18在该保护层17上层叠密封基板19。对以此方式制造出来的显示器件1进行上面提及的测量，结果如图10所示。
如图10所示，获得了像素10R中红色光的发光、像素10G中绿色光的发光、以及像素10B中蓝色光的发光。另外，根据上述设定，在各像素中，在位于下部电极11下方的Al(铝)镜与上部电极16之间都形成了光学共振器结构，并且共振的次数为：红色0次、绿色1次、蓝色1次。
因此，在本实施方案中，设置于下部电极11与上部电极16之间的有机堆叠膜12R、12G和12B每一者包括两种以上颜色的发光层和另一种有机层，且该另一种有机层的层结构对于每一种像素10R、10G和10B而言是不相同的。例如，绿色用电子阻挡层15G被设置在像素10G中的预定位置处，并且蓝色用电子阻挡层15B被设置在像素10B中的预定位置处。这确保了：即使在某个像素上沉积了与该像素自身发光颜色不同的发光颜色的有机发光材料时，也能够抑制该像素中因上述不合期望的沉积而引起的发光中的混色。因此，在使用多种颜色的彩色显示中，能够确保良好的色纯度。
变形例1
显示器件1A的结构
下面，将说明上述第一实施方案的变形例(变形例1)的显示器件(显示器件1A)。在下文中，与上面的第一实施方案中相同的部件用与上面所使用的附图标记相同的附图标记表示，并且适当地省略对它们的说明。图11图示了显示器件1A的截面结构。像上面的第一实施方案的显示器件1那样，显示器件1A例如是有源矩阵方式的有机EL显示器件且是顶部发光型有机EL显示器件，并且具有位于驱动基板10上的三种像素10R1、10G1和10B1(每一者均具有有机EL元件)。像上面的第一实施方案中的那样，各像素10R1、10G1和10B1每一者具有从驱动基板10侧依次设置的下部电极11、有机堆叠膜(12R1、12G1、12B 1)和上部电极16。像上面的第一实施方案中的那样，有机堆叠膜12R1、12G1和12B1分别是包括选自红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B中的一个以上发光层的有机堆叠膜，并且有机堆叠膜12R1、12G1和12B1的其他层的层结构互不相同(基于像素种类的不同而不同)。另外，在像素之间设置有突起肋110，并且在上部电极16的上方设有保护层17、粘接层18和密封基板19。
在本变形例中应当注意的是，将绿色发光层14G1设置作为被全部像素10R1、10G1和10B 1共用的层。换言之，在本变形例中，有机堆叠膜12R1、12G1和12B1均具有红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B中的每一者。下面将具体说明这种有机堆叠膜12R1、12G1和12B 1的堆叠结构。
图12A～图12C图示了有机堆叠膜12R1、12G1和12B1的截面结构。如图12A所示，有机堆叠膜12G1具有在空穴输送层13上方依次堆叠的红色发光层14R、绿色用电子阻挡层15G、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B。如图12B所示，有机堆叠膜12B1具有在空穴输送层13上方依次堆叠的红色发光层14R、绿色发光层14G1、蓝色用电子阻挡层15B和蓝色发光层14B。如图12C所示，有机堆叠膜12R1具有在空穴输送层13上方依次堆叠的红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B。绿色发光层14G1是由与上面第一实施方案中绿色发光层14G的材料相同的材料形成的。
即使在各像素中均设置有绿色发光层14G1(换言之，在各像素中设有全部发光颜色的有机发光层)的情况下，有机堆叠膜12G1的再结合位置Dg形成在绿色发光层14G1中，有机堆叠膜12B1的再结合位置Db形成在蓝色发光层14B中，并且有机堆叠膜12R1的再结合位置Dr形成在红色发光层14R中。
具体地，像素10G1中的有机堆叠膜12G1具有作为发光层的全部三种发光颜色的发光层(即，红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B)，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13和绿色用电子阻挡层15G。像素10B1中的有机堆叠膜12B1具有作为发光层的全部三种颜色的发光层，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13和蓝色用电子阻挡层15B。像素10R1中的有机堆叠膜12R1具有作为发光层的全部三种颜色的发光层，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13。
将显示器件1A作为整体来看，在驱动基板10上在像素10R1、10G1和10B1的整个区域上方设置有空穴输送层13，并且在位于基板的整个区域上方的空穴输送层13上形成有红色发光层14R。在红色发光层14R上，在与像素10G1对应的被选区域中设置有绿色用电子阻挡层15G，并且在绿色用电子阻挡层15G的上侧，在基板的整个区域上方设置有绿色发光层14G1。在绿色发光层14G1上，在与像素10B1对应的被选区域中设置有蓝色用电子阻挡层15B，并且在蓝色用电子阻挡层15B的上侧，在基板的整个区域上方设置有蓝色发光层14B。
显示器件1A的制造方法
例如，按照下面的方法能够制造出上面的显示器件1A。图13A～图15是图示了显示器件1A的制造方法的截面图。
首先，按照与上面第一实施方案中相同的方式，在驱动基板10上方形成下部电极11、突起肋110、空穴输送层13、红色发光层14R和绿色用电子阻挡层15G(图13A)。随后，如图13B所示，通过在与驱动基板基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成绿色发光层14G1。这确保了绿色发光层14G1作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10的上方。顺便提及地，这样做的结果是，在突起肋110的顶部上也堆积了绿色发光层14G1。
接下来，如图14A所示，按照与上面的第一实施方案相同的方式，利用突起肋110通过倾斜沉积法在像素区域(B)中选择性地形成蓝色用电子阻挡层15B。之后，如图14B所示，按照与上面的第一实施方案相同的方式，通过在与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成蓝色发光层14B。这确保了蓝色发光层14B作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10的上方。以此方式，分别在像素区域(R)、(G)和(B)中形成了有机堆叠膜12R1、12G1和12B1。
此后，如图15所示，按照与上面的第一实施方案相同的方式，通过例如真空蒸发法或溅射法在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成上部电极16。结果，在驱动基板10上形成了像素10R1、10G1和10B1。最后，按照与上面的第一实施方案相同的方式，以覆盖着像素10R1、10G1和10B1的整个区域的方式形成保护层17。之后，在保护层17的上表面上层叠密封基板19，且在保护层17与密封基板19之间设置有粘接层18，由此完成了图11所示的显示器件1A。
在本变形例中，不仅能够将红色发光层14R和蓝色发光层14B形成得作为被全部像素共用的层，而且也能够绿色发光层14G1形成得作为被全部像素共用的层。换言之，虽然绿色发光层14G1可以如上面的第一实施方案中所述是利用突起肋110通过倾斜沉积法来形成的，但该绿色发光层14G1也可按照与本变形例中的其他发光层相同的方式是通过在基本垂直的方向上实施蒸发沉积法来形成的。即使在各像素中都形成有全部三种发光颜色的发光层的情况下，其中像素10G1具有绿色用电子阻挡层15G且像素10B1具有蓝色用电子阻挡层15B的结构也确保了能够在各像素的适当层中发生电荷的再结合，因此能够更容易地提取所需颜色光。于是，能够得到与上面的第一实施方案相同的效果。
作为本变形例的数值示例，制造出了如下样品，并且测量了R、G和B颜色光每一者的发光强度。在此情况下，各像素10R1、10G1和10B1的宽度(间距)、下部电极11的尺寸和材料、反射镜的布置、突起肋110的尺寸和材料都按照与上面第一实施方案的数值示例相同的方式来设定。另外，空穴输送层13、红色发光层14R、绿色发光层14G1、蓝色发光层14B、绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B各自的材料也按照与上面第一实施方案中相同的方式来设定，并且按照下面的方式来设定各层的厚度。将空穴输送层13的层厚度设定为68nm、红色发光层14R的层厚度设定为7nm、绿色发光层14G1的层厚度设定为10nm、蓝色发光层14B的层厚度设定为15nm、绿色用电子阻挡层15G的层厚度设定为30nm、以及蓝色用电子阻挡层15B的层厚度设定为30nm。另外，在形成绿色用电子阻挡层15G的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D1设定成73°方向。在形成蓝色用电子阻挡层15B的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D2设定成-73°方向。此外，在蓝色发光层14B上方依次形成有由BCP构成的35nm厚的电子输送层、由LiF构成的0.3nm厚的电子注入层、由共蒸发Mg-Ag膜构成的12nm厚的上部电极16。对以此方式制造出来的显示器件1A进行上面提及的测量，结果如图16所示。
如图16所示，获得了像素10R1中红色光的发光、像素10G1中绿色光的发光、以及像素10B1中蓝色光的发光。另外，根据上述设定，在各像素中，在位于下部电极11下方的Al镜与上部电极16之间都形成了光学共振器结构，并且共振的次数为：红色0次、绿色1次、蓝色1次。
第二实施方案
显示器件2的结构
图17示出了本发明第二实施方案的显示器件2的截面结构。像上面的第一实施方案的显示器件1那样，显示器件2例如是有源矩阵方式的有机EL显示器件且是顶部发光型有机EL显示器件，并且在驱动基板10上具有三种像素20R、20G和20B(每一者均具有有机EL元件)。在下文中，与上面的第一实施方案中相同的部件用与上面所使用的附图标记相同的附图标记表示，并且适当地省略对它们的说明。
这些像素20R、20G和20B每一者具有例如从驱动基板10侧依次设置的下部电极11、有机堆叠膜(22R、22G、22B)和上部电极16。另外，像上面第一实施方案中的那样，在像素20R与像素20B之间的各区域中以及在像素20R与像素20G之间的各区域中分别设置有突起肋110，并且在上部电极16的上方设有保护层17、粘接层18和密封基板19。对于上部电极16来说，可以使用上面的第一实施方案中所述的各种电极材料。在上面提及的材料之中，在本实施方案中使用的是共蒸发Mg-Ag膜。这确保了：通过适当地选择有机堆叠膜22R、22G和22B每一者的总厚度以及各颜色发光层与电极之间的距离，能够在各像素中形成所需的光学共振器结构。
有机堆叠膜22R、22G和22B的结构
像上面的第一实施方案中那样，有机堆叠膜22R、22G和22B分别具有：选自红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B中的一个以上有机发光层；以及另一种有机层，并且所述一个以上有机发光层与所述另一种有机层呈堆叠状态。另外，这些有机堆叠膜22R、22G和22B的所述另一种有机层的层结构(另一种有机层的数量、种类和厚度等)互不相同(基于像素种类的不同而不同)。
图18A～图18C示出了有机堆叠膜22R、22G和22B的截面结构。如图18A所示，有机堆叠膜22G具有在空穴输送层13上方依次堆叠的绿色用膜厚度调节层21G、红色发光层14R、绿色用电子阻挡层15G、绿色发光层14G和蓝色发光层14B。如图18B所示，有机堆叠膜22B具有在空穴输送层13上方依次堆叠的蓝色用膜厚度调节层21B、红色发光层14R、蓝色用电子阻挡层15B和蓝色发光层14B。绿色用膜厚度调节层21G和蓝色用膜厚度调节层21B例如是由与上述空穴输送层13的材料相同的材料(空穴输送材料)形成的。如图18C所示，有机堆叠膜22R具有在空穴输送层13上方堆叠的红色发光层14R和蓝色发光层14B。
因此，在本实施方案中，在有机堆叠膜22R、22G和22B中也是分别堆叠有不同颜色光的发光层，但保证了：有机堆叠膜22G的再结合位置Dg形成在绿色发光层14G中、有机堆叠膜22B的再结合位置Db形成在蓝色发光层14B中、并且有机堆叠膜22R的再结合位置Dr形成在红色发光层14R中。
具体地，像素20G中的有机堆叠膜22G具有作为发光层的红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13、绿色用膜厚度调节层21G和绿色用电子阻挡层15G。像素20B中的有机堆叠膜22B具有作为发光层的红色发光层14R和蓝色发光层14B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13、蓝色用膜厚度调节层21B和蓝色用电子阻挡层15B。像素20R中的有机堆叠膜22R具有作为发光层的红色发光层14R和蓝色发光层14B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13。
将显示器件2作为整体来看，在驱动基板10上在像素20R、20G和20B的整个区域上方设置有空穴输送层13，并且在空穴输送层13上，在像素20G中设置有绿色用膜厚度调节层21G，而在像素20B中设置有蓝色用膜厚度调节层21B。以覆盖绿色用膜厚度调节层21G和蓝色用膜厚度调节层21B的方式，在像素20R、20G和20B的整个区域上方形成红色发光层14R。在红色发光层14R的上侧，在像素20G中依次设置有绿色用电子阻挡层15G和绿色发光层14G，而在像素20B中设置有蓝色用电子阻挡层15B。以覆盖上述这些层的方式，在像素20R、20G和20B的整个区域上方设置有蓝色发光层14B。
显示器件2的制造方法
例如，按照下面的方法能够制造出上面的显示器件2。图19A～图23是图示了显示器件2的制造方法的步骤顺序的截面图。
首先，按照与上面第一实施方案中相同的方式，在驱动基板10上形成下部电极11，然后形成突起肋110。之后，如图19A所示，通过在与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成空穴输送层13。
随后，如图19B所示，利用突起肋110通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的绿色用膜厚度调节层21G。在此情况下，沿着角度方向D1进行蒸发沉积，使像素区域(G)暴露于蒸发源下但像素区域(R)和像素区域(B)在突起肋110后面被隐藏而不暴露于蒸发源下。以此方式，在要形成像素20G的各像素区域(G)中选择性地形成了绿色用膜厚度调节层21G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了绿色用膜厚度调节层21G。另外，将绿色用膜厚度调节层21G的厚度设定成适当值以便在像素20G的光学共振器结构中得到所需的共振长度。
随后，如图20A所示，利用突起肋110通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的蓝色用膜厚度调节层21B。在此情况下，沿着角度方向D2进行蒸发沉积，使像素区域(B)暴露于蒸发源下但像素区域(R)和像素区域(G)在突起肋110后面被隐藏而不暴露于蒸发源下。以此方式，在要形成像素20B的各像素区域(B)中选择性地形成了蓝色用膜厚度调节层21B。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(G)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了蓝色用膜厚度调节层21B。另外，将蓝色用膜厚度调节层21B的厚度设定成适当值以便在像素20B的光学共振器结构中得到所需的共振长度。
之后，如图20B所示，像上面的第一实施方案中那样，通过在与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成红色发光层14R。这确保了红色发光层14R作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10的上方。顺便提及地，这样做的结果是，在突起肋110的顶部上也堆积了红色发光层14R。
接下来，如图21A所示，像上面的第一实施方案中那样，利用突起肋110通过倾斜沉积法在像素区域(G)中选择性地形成绿色用电子阻挡层15G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了绿色用电子阻挡层15G。
随后，如图21B所示，像上面的第一实施方案中那样，利用突起肋110通过倾斜沉积法在像素区域(G)中形成被堆叠于绿色用电子阻挡层15G上的绿色发光层14G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了绿色发光层14G。
接下来，如图22A所示，像上面的第一实施方案中那样，利用突起肋110通过倾斜沉积法在像素区域(B)中选择性地形成蓝色用电子阻挡层15B。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(G)之间的各突起肋110的位于像素区域(R)侧的侧面上也形成了蓝色用电子阻挡层15B。
随后，如图22B所示，像上面的第一实施方案中那样，通过在与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成蓝色发光层14B。这确保了蓝色发光层14B作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10的上方。顺便提及地，这样做的结果是，在突起肋110的顶部上也堆积了蓝色发光层14B。以此方式，在像素区域(R)、(G)和(B)中分别形成了有机堆叠膜22R、22G和22B。
之后，如图23所示，像上面的第一实施方案中那样，例如通过真空蒸发法或溅射法在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成上部电极16。结果，在驱动基板10上形成了像素20R、20G和20B。
最后，按照与上面的第一实施方案相同的方式，形成保护层17，该保护层17覆盖着如上述那样形成的像素20R、20G和20B的整个区域，并在保护层17的上表面上层叠密封基板19，且在保护层17与密封基板19之间设置有粘接层18，由此完成了图17所示的显示器件2。
显示器件2的作用和效果
在本实施方案的显示器件2中，当向像素20R、20G和20B施加与各颜色的图片信号相对应的驱动电流时，通过下部电极11和上部电极16将电子和空穴注入到有机堆叠膜22R、22G和22B中。电子和空穴在像素20R、20G和20B的红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B中分别进行再结合，由此发出各种颜色的光。以此方式，在显示器件2上实现了基于R、G和B颜色光的全彩色图像显示。
这里，在显示器件2中，像上面第一实施方案的显示器件1中那样，为了实现上述全彩色图像显示，在制造方法中也使用了突起肋110对各颜色发光层进行图形化。此外，在本实施方案中，有机堆叠膜22R、22G和22B每一者具有一个以上有机发光层和另一种有机层，并且该另一种有机层的层结构基于像素种类的不同而不相同。例如，作为另一种有机层，有机堆叠膜22G包括空穴输送层13、绿色用膜厚度调节层21G和绿色用电子阻挡层15G，而有机堆叠膜22B包括空穴输送层13、蓝色用膜厚度调节层21B和蓝色用电子阻挡层15B，并且有机堆叠膜22R包括空穴输送层13。
由于这些层结构，在像素20R中，像上面第一实施方案的像素10R中那样，再结合位置Dr形成在红色发光层14R中并由此获得了红色光的发光。此外，在像素20G中，虽然在有机堆叠膜22G中堆叠有红色发光层14R、绿色发光层14G和蓝色发光层14B，但基于与上面的第一实施方案中相同的原因，绿色用电子阻挡层15G的存在确保了在绿色发光层14G中发生再结合。于是，在像素20G中，获得了绿色发光层14G中绿色光的发光。同样地，在像素20B中，虽然在有机堆叠膜22B中堆叠有红色发光层14R和蓝色发光层14B，但蓝色用电子阻挡层15B的存在确保了在蓝色发光层14B中发生再结合。于是，在像素20B中，获得了蓝色发光层14B中蓝色光的发光。
因此，在本实施方案中，所述另一种有机层的层结构对于每一种像素20R、20G和20B而言是不相同的。具体地，绿色用电子阻挡层15G被设置在像素20G中的预定位置处，而蓝色用电子阻挡层15B被设置在像素20B中的预定位置处。这确保了：即使通过倾斜沉积法应当仅在所选像素的区域中沉积成膜的发光材料被沉积到除了所需像素以外的其他像素的区域中，也能够抑制由于上述不合期望的沉积所引起的发光中的混色。换言之，电子阻挡层的使用确保了能够将与各颜色相对应的有机发光材料的成膜顺序和成膜位置适当地设定成对所蒸发的材料的沉积过程的影响最小。这样做的结果是，更容易从对应的像素中提取所需颜色的光。
另外，在本实施方案中，绿色用膜厚度调节层21G和蓝色用膜厚度调节层21B分别设置在像素20G和像素20B中，从而能够将像素20R、20G和20B中的光学共振器结构的共振长度控制为所需值。因此，提高了像素中的发光效率和色纯度。
作为本实施方案的数值示例，制造出了如下样品，并且测量了R、G和B颜色光每一者的发光强度。在此情况下，各像素20R、20G和20B的宽度(间距)、下部电极11的尺寸和材料、反射镜的布置、突起肋110的尺寸和材料以及空穴输送层13的厚度和材料都按照与上面第一实施方案的数值示例相同的方式来设定。在形成绿色用膜厚度调节层21G的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D1设定成73°方向，使用α-NPD作为成膜材料，并将厚度设定为80nm。在形成蓝色用膜厚度调节层21B的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D2设定成-73°方向，使用α-NPD作为成膜材料，并将厚度设定为40nm。红色发光层14R的成膜材料和厚度按照与上面第一实施方案的数值示例相同的方式来设定。在形成绿色用电子阻挡层15G的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D1设定成73°方向，使用α-NPD作为该电子阻挡材料，并将厚度设定为20nm。对绿色发光层14G的设定与上面的第一实施方案中的设定相同。在形成蓝色用电子阻挡层15B的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D2设定成-73°方向，使用α-NPD作为该电子阻挡材料，并将厚度设定为30nm。对蓝色发光层14B的设定与上面的第一实施方案中的设定相同。另外，依次形成电子输送层、电子注入层和上部电极16，并且它们的成膜材料和膜厚度与第一实施方案中相同。另外，通过保护层17和粘接层18将密封基板19层叠上去。对以此方式制造出来的显示器件2进行上面提及的测量，结果如图24所示。
如图24所示，获得了像素20R中红色光的发光、像素20G中绿色光的发光、以及像素20B中蓝色光的发光。另外，根据上述设定，在各像素中，在位于下部电极11下方的Al镜与上部电极16之间都形成了光学共振器结构，并且共振的次数为：红色0次、绿色1次、蓝色1次。此外，利用单独设置的绿色用膜厚度调节层21G和蓝色用膜厚度调节层21B，能够将绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B设定成比上面第一实施方案中的绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B薄。于是，减少了沉积在红色发光层14R上的电子阻挡材料的量。结果，与上面的第一实施方案相比，从像素20R发出的红色光的量有所增加。
如上所述，在本实施方案中，均被设置在下部电极11与上部电极16之间的有机堆叠膜22R、22G和22B各自具有两个以上发光层和另一种有机层，且所述另一种有机层的层结构对于每一种像素20R、20G和20B而言是不相同的。例如，绿色用膜厚度调节层21G和绿色用电子阻挡层15G被设置在像素20G中的预定位置处，而蓝色用膜厚度调节层21B和蓝色用电子阻挡层15B被设置在像素20B中的预定位置处。这确保了：即使在某像素上沉积有与该像素自身发光颜色不同的发光颜色的有机发光材料时，也能够抑制因上述不合期望的沉积而引起的发光中的混色。因此，在使用多种颜色的彩色显示中，能够确保良好的色纯度。另外，在各像素中能够实现具有所需共振长度的光学共振器结构，由此能够提高发光效率和色纯度。
变形例2
显示器件2A的结构
下面，将说明上述第二实施方案的变形例(变形例2)的显示器件(显示器件2A)。在下文中，与上面的第一实施方案和第二实施方案中相同的部件用与上面所使用的附图标记相同的附图标记表示，并且适当地省略对它们的说明。图25图示了显示器件2A的截面结构。像上面的第二实施方案的显示器件2那样，显示器件2A例如是有源矩阵方式的有机EL显示器件且是顶部发光型有机EL显示器件，并且具有位于驱动基板10上的三种像素20R1、20G1和20B1(每一者均具有有机EL元件)。像上面的第二实施方案中的那样，像素20R1、20G1和20B1每一者具有从驱动基板10侧依次堆叠的下部电极11、有机堆叠膜(22R1、22G1、22B1)和上部电极16。像上面的第二实施方案中的那样，有机堆叠膜22R1、22G1和22B1分别是包括选自红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B中的一个以上发光层的有机堆叠膜，并且有机堆叠膜22R1、22G1和22B 1的所述另一种有机层的层结构互不相同(基于像素种类的不同而不同)。另外，在像素之间设置有突起肋110，并且在上部电极16的上方设置有保护层17、粘接层18和密封基板19。此外，在有机堆叠膜22G1中设有绿色用膜厚度调节层21G，并且在有机堆叠膜22B1中设有蓝色用膜厚度调节层21B。
这里应当注意的是，像上面的第一实施方案的变形例1中那样，将绿色发光层14G1设置作为被像素20R1、20G1和20B1共用的层。换言之，在本变形例中，有机堆叠膜22R1、22G1和22B1每一者都具有全部的红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B。下面将会说明有机堆叠膜22R1、22G1和22B1的堆叠结构。
图26A～图26C图示了有机堆叠膜22R1、22G1和22B1的截面结构。如图26A所示，有机堆叠膜22G1具有在空穴输送层13上方依次堆叠的绿色用膜厚度调节层21G、红色发光层14R、绿色用电子阻挡层15G、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B。如图26B所示，有机堆叠膜22B1具有在空穴输送层13上方依次堆叠的蓝色用膜厚度调节层21B、红色发光层14R、绿色发光层14G1、蓝色用电子阻挡层15B和蓝色发光层14B。如图26C所示，有机堆叠膜22R1具有在空穴输送层13上方依次堆叠的红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B。
这样，即使在各像素中均设置有绿色发光层14G1(换言之，在各像素中设有全部发光颜色的有机发光层)的情况下，也确保了：有机堆叠膜22G1的再结合位置Dg形成在绿色发光层14G1中，有机堆叠膜22B1的再结合位置Db形成在绿色发光层14B中，并且有机堆叠膜22R1的再结合位置Dr形成在红色发光层14R中。
具体地，像素20G1中的有机堆叠膜22G1具有作为发光层的全部三种发光颜色的发光层(即，红色发光层14R、绿色发光层14G1和蓝色发光层14B)，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13、绿色用膜厚度调节层21G和绿色用电子阻挡层15G。像素20B1中的有机堆叠膜22B1具有作为发光层的全部三种颜色的发光层，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13、蓝色用膜厚度调节层21B和蓝色用电子阻挡层15B。像素20R1中的有机堆叠膜22R1具有作为发光层的全部三种颜色的发光层，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13。
将显示器件2A作为整体来看，在驱动基板10上在像素20R1、20G1和20B1的整个区域上方设置有空穴输送层13，并且在空穴输送层13上，在与像素20G1对应的被选区域中设有绿色用膜厚度调节层21G，而在与像素20B1对应的被选区域中设有蓝色用膜厚度调节层21B。在绿色用膜厚度调节层21G和蓝色用膜厚度调节层21B上，在基板的整个区域上方形成有红色发光层14R。在红色发光层14R上，在与像素20G1对应的被选区域中设有绿色用电子阻挡层15G，并且在绿色用电子阻挡层15G上，在基板的整个区域上方设置有绿色发光层14G1。在绿色发光层14G1上，在与像素20B1对应的被选区域中设有蓝色用电子阻挡层15B，并且在蓝色用电子阻挡层15B上，在基板的整个区域上方设置有蓝色发光层14B。
顺便提及地，例如按照下面的方法能够制造出上面的显示器件2A。虽然省略了附图，但按照与上面第二实施方案的显示器件2的情况下相同的方式，在驱动基板10上方依次形成下部电极11、突起肋110、空穴输送层13、绿色用膜厚度调节层21G、蓝色用膜厚度调节层21B、红色发光层14R和绿色用电子阻挡层15G。之后，按照与上面的变形例1的显示器件1A的情况下相同的方式，形成绿色发光层14G1、蓝色用电子阻挡层15B和蓝色发光层14B。以此方式，形成了有机堆叠膜22R1、22G1和22B1，并且在有机堆叠膜22R1、22G1和22B1的上方依次形成上部电极16和保护层17。此后，将密封基板19层叠到保护层17的上表面上，且在保护层17与密封基板19之间设置有粘接层18，由此完成了图25所示的显示器件2A。
即使像本变形例中一样在有机堆叠膜22G1具有绿色用膜厚度调节层21G并且有机堆叠膜22B1具有蓝色用膜厚度调节层21B的情况下，不仅能够将红色发光层14R和蓝色发光层14B形成为被全部像素共用的层，而且也能够将绿色发光层14G1形成为被全部像素共用的层。换言之，绿色发光层14G1可以如上面的第二实施方案中所述是利用突起肋110通过倾斜沉积法来形成的，但该绿色发光层14G1也可按照与本变形例中的其他发光层相同的方式通过在基本垂直的方向上实施蒸发沉积法来形成。以此方式，即使在各像素中形成有全部三种发光颜色的发光层的情况下，其中像素20G1具有绿色用电子阻挡层15G并且像素20B1具有蓝色用电子阻挡层15B的结构也如上所述确保了在各像素的适当层中发生电荷的再结合，因此能够更容易地从对应的像素中提取所需颜色光。于是，能够得到与上面的第一实施方案和第二实施方案中相同的效果。
作为本变形例的数值示例，制造出了如下样品，并且测量了R、G和B颜色光每一者的发光强度。各像素20R1、20G1和20B1的宽度(间距)、下部电极11的尺寸和材料、反射镜的布置、突起肋110的尺寸和材料都按照与上面第一实施方案的数值示例相同的方式来设定。另外，关于空穴输送层13、红色发光层14R、绿色发光层14G1、蓝色发光层14B、绿色用电子阻挡层15G和蓝色用电子阻挡层15B的材料、膜厚度和成膜条件也按照与上面的变形例1的数值示例相同的方式来设定。顺便提及地，在形成绿色用膜厚度调节层21G的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D1设定成73°方向，使用α-NPD作为成膜材料，并将厚度设定为84nm。在形成蓝色用膜厚度调节层21B的过程中，将倾斜沉积时的角度方向D2设定成-73°方向，使用α-NPD作为成膜材料，并将厚度设定为35nm。此外，在蓝色发光层14B上方依次形成由BCP构成的35nm厚的电子输送层、由LiF构成的0.3nm厚的电子注入层以及由共蒸发Mg-Ag膜构成的12nm厚的上部电极16。对以此方式制造出来的显示器件2A进行上面提及的测量，结果如图27所示。
如图27所示，获得了像素20R1中红色光的发光、像素20G1中绿色光的发光、以及像素20B1中蓝色光的发光。另外，根据上述设定，在各像素中，在位于下部电极11下方的Al镜与上部电极16之间都形成了光学共振器结构，并且共振的次数为：红色0次、绿色1次、蓝色1次。
第三实施方案
显示器件3的结构
图28示出了本发明第三实施方案的显示器件3的截面结构。像上面第一实施方案的显示器件1那样，显示器件3例如是有源矩阵方式的有机EL显示器件且是顶部发光型有机EL显示器件，并且在驱动基板10上具有三种像素30R、30G和30B(每一者均具有有机EL元件)。在下文中，与上面的第一实施方案中相同的部件用与上面所使用的附图标记相同的附图标记表示，并且适当地省略对它们的说明。
像素30R、30G和30B每一者具有例如从驱动基板10侧依次设置的下部电极11、有机堆叠膜(32R、32G、32B)和上部电极16。在像素30R与像素30B之间的各区域中以及在像素30B与像素30G之间的各区域中分别设置有突起肋110。此外，在上部电极16的上方设有保护层17、粘接层18和密封基板19。
有机堆叠膜32R、32G和32B的结构
像上面的第一实施方案中那样，有机堆叠膜32R、32G和32B每一者具有：选自红色发光层33R、绿色发光层33G和蓝色发光层33B中的一个以上有机发光层；以及另一种有机层，并且所述一个以上有机发光层与所述另一种有机层呈堆叠状态。另外，这些有机堆叠膜32R、32G和32B的所述另一种有机层的层结构(另一种有机层的数量、种类和厚度等)互不相同(基于像素种类的不同而不同)。
图29A～图29C图示了有机堆叠膜32R、32G和32B的截面结构。如图29A所示，有机堆叠膜32R具有在空穴输送层13上方依次堆叠的红色用空穴输送层31R、红色发光层33R和蓝色发光层33B。如图29B所示，有机堆叠膜32G具有在空穴输送层13上方依次堆叠的绿色用空穴输送层31G、绿色发光层33G和蓝色发光层33B。绿色用空穴输送层31G和红色用空穴输送层31R例如是由与上面提及的空穴输送层13的材料相同的材料(空穴输送材料)形成的。如图29C所示，有机堆叠膜32B具有在空穴输送层13上堆叠的蓝色发光层33B。
因此，在本实施方案中，各有机堆叠膜32R、32G和32B具有呈堆叠状态的一种以上发光颜色的发光层，但保证了：有机堆叠膜32G的再结合位置Dg形成在绿色发光层33G中、有机堆叠膜32R的再结合位置Dr形成在红色发光层33R中、并且有机堆叠膜32B的再结合位置Db形成在蓝色发光层33B中。
具体地，像素30R中的有机堆叠膜32R具有作为发光层的红色发光层33R和蓝色发光层33B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13和红色用空穴输送层31R。像素30G中的有机堆叠膜32G具有作为发光层的绿色发光层33G和蓝色发光层33B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13和绿色用空穴输送层31G。像素30B中的有机堆叠膜32B具有作为发光层的蓝色发光层33B，并且具有作为另一种有机层的空穴输送层13。
将显示器件3作为整体来看，在驱动基板10上在像素30R、30G和30B的整个区域上方设置有空穴输送层13，并且在空穴输送层13上，在像素30R中设置有红色用空穴输送层31R，而在像素30G中设置有绿色用空穴输送层31G。以覆盖绿色用空穴输送层31G和红色用空穴输送层31R的方式，在像素30R、30G和30B的整个区域上方形成蓝色发光层33B。
在本实施方案中，在各颜色发光层之中，与蓝色发光层33B相比，绿色发光层33G和红色发光层33R被形成得非常薄。
显示器件3的制造方法
例如，按照下面的方法能够制造出上面的显示器件3。图30A～图32B是图示了显示器件3的制造方法的步骤顺序的截面图。
首先，按照与上面的第一实施方案中相同的方式，在驱动基板10上形成下部电极11，然后形成突起肋110，并且在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成空穴输送层13。之后，如图30A所示，利用突起肋110通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的红色用空穴输送层31R。在此情况下，沿着角度方向D1进行蒸发沉积，使得像素区域(R)暴露于蒸发源下但像素区域(G)和像素区域(B)在突起肋110后面被隐藏而不暴露于蒸发源下。以此方式，在要形成像素30R的各像素区域(R)中选择性地形成了红色用空穴输送层31R。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(G)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(B)侧的侧面上也形成了红色用空穴输送层31R。
随后，如图30B所示，在各像素区域(R)中，利用突起肋110通过倾斜沉积法，以堆叠于红色用空穴输送层31R上的状态且以预定厚度形成红色发光层33R。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(G)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(B)侧的侧面上也形成了红色发光层33R。
接下来，如图31A所示，利用突起肋110通过倾斜沉积法形成由上面提及的材料构成的绿色用空穴输送层31G。在此情况下，在角度方向D2上进行蒸发沉积，使得像素区域(G)暴露于蒸发源下但像素区域(R)和像素区域(B)在突起肋110后面被隐藏而不暴露于蒸发源下。以此方式，在要形成像素30G的各像素区域(G)中选择性地形成了绿色用空穴输送层31G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(B)侧的侧面上也形成了绿色用空穴输送层31G。
随后，如图31B所示，在各像素区域(G)中，利用突起肋110通过倾斜沉积法，以堆叠于绿色用空穴输送层31G上的状态且以预定厚度形成绿色发光层33G。顺便提及地，这样做的结果是，在设置于像素区域(R)与像素区域(B)之间的各突起肋110的位于像素区域(B)侧的侧面上也形成了绿色发光层33G。
之后，如图32A所示，通过在与驱动基板10基本垂直的方向上实施真空蒸发法，在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成蓝色发光层33B。这确保了蓝色发光层33B作为被全部像素区域共用的层而形成在驱动基板10的上方。顺便提及地，这样做的结果是，在各突起肋110的顶部上也堆积了蓝色发光层33B。以此方式，在像素区域(R)、(G)和(B)中分别形成了有机堆叠膜32R、32G和32B。
此后，如图32B所示，像上面的第一实施方案中那样，例如通过真空蒸发法或溅射法在像素区域(R)、(G)和(B)的整个区域上方形成上部电极16。结果，在驱动基板10上形成了像素30R、30G和30B。
最后，按照与上面的第一实施方案中相同的方式，形成保护层17，该保护层17覆盖着如上述那样形成的像素30R、30G和30B的整个区域。之后，在保护层17的上表面上层叠密封基板19，且在保护层17与密封基板19之间设置有粘接层18，由此完成了图28所示的显示器件3。
显示器件3的作用和效果
在本实施方案的显示器件3中，当分别向像素30R、30G和30B施加与各颜色的图片信号相对应的驱动电流时，通过下部电极11和上部电极16将电子和空穴注入到有机堆叠膜32R、32G和32B中。电子和空穴在像素30R、30G和30B的红色发光层33R、绿色发光层33G和蓝色发光层33B中分别进行再结合，由此发出各颜色光。以此方式，在显示器件3上实现了基于R、G和B颜色光的全彩色图像显示。
这里，在显示器件3中，像上面的第一实施方案的显示器件1中那样，为了实现上述全彩色图像显示，在制造方法中使用突起肋110对各颜色发光层进行图形化。此外，在本实施方案中，有机堆叠膜32R、32G和32B每一者具有一个以上有机发光层和另一种有机层，并且所述另一种有机层的层结构基于像素种类的不同而不相同。例如，作为所述另一种有机层，有机堆叠膜32R包括空穴输送层13和红色用空穴输送层31R，而有机堆叠膜32G包括空穴输送层13和绿色用空穴输送层31G，并且有机堆叠膜32B包括空穴输送层13。
这样的层结构确保了：在像素30R中，由于上述的发光能量的差异，再结合位置Dr被形成在红色发光层33R中，从而获得了红色光的发光。同样地，在像素30G中，再结合位置Dg被形成在绿色发光层33G中，从而发出绿色光。在像素30B中，在如上述那样形成的蓝色发光层33B中发生再结合，从而获得了蓝色光的发光。这里，在本实施方案中，红色用空穴输送层31R和绿色用空穴输送层31G分别设置在像素30R和像素30G中，由此可将红色发光层33R和绿色发光层33G设置得更薄。因此，即使在形成红色发光层33R和绿色发光层33G的过程中红色发光材料和绿色发光材料不合期望地被沉积在像素30B的区域中，也能够将这样不合期望地沉积的发光材料的量抑制成非常小的量。因此，由发光材料的这种不合期望的沉积所引起的混色的影响被抑制在极小的允许范围内。
因此，在本实施方案中，均被设置在下部电极11与上部电极16之间的有机堆叠膜32R、32G和32B各自具有一个以上发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种像素30R、30G和30B而言是不相同的。例如，绿色用空穴输送层31G被设置在像素30G中的预定位置处，而红色用空穴输送层31R被设置在像素30R中的预定位置处。这确保了：即使在某像素上沉积有与该像素自身发光颜色不同的发光颜色的有机发光材料时，也能够抑制因上述不合期望的沉积而引起的发光中的混色。因此，在使用多种颜色的彩色显示中，能够确保良好的色纯度。
第四实施方案
在上面的各实施方案等中，已经对用作阳极的下部电极11被设置成与驱动基板10的表面(平坦化膜的表面)齐平的情况进行了说明。另一方面，在本实施方案中，将对如下的结构示例进行说明：该结构示例适用于无法避免地在驱动基板10的表面与下部电极11之间产生了台阶的情况。这里，作为示例，示出了这样的结构：该结构中，以与各个像素相对应的方式在驱动基板10的平坦表面上设置有各个下部电极11，然后在其上形成像素间电介质膜(像素间电介质膜42)，该像素间电介质膜42具有分别与下部电极11相面对的各个开口。顺便提及地，在本实施方案中，在附图中省略了设置于驱动基板10中或者设置于驱动基板10上的TFT以及平坦化膜。此外，该附图中仅示出了显示器件的一部分部件。
图33图示了本实施方案中在进行倾斜沉积之前的基板结构。在本实施方案中，在设有下部电极11的驱动基板10上方形成有像素间电介质膜42。利用下部电极11和像素间电介质膜42作为底层(基板层)41，形成有机层43。有机层43包括一个或多个通过在基本垂直的方向上实施蒸发沉积法而形成的上述空穴输送层、红色发光层等。顺便提及地，虽然图33中未示出，但在本实施方案中，也像上述各实施方案中那样，通过倾斜沉积法在各像素区域上以图形化状态形成有各颜色发光层和阻挡层，然后还依次设置有上部电极层16、保护层17、粘接层18和密封基板19。
像上面的各实施方案等中那样，根据蒸发沉积的顺序和像素的颜色布置，在R、G和B像素之间的被选区域中设有突起肋110。这里，在像素区域S1与像素区域S3(像素区域S1、S2和S3对应于R、G和B像素)之间的各区域中以及在像素区域S2与像素区域S3之间的各区域中分别设置有突起肋110。换言之，在要成为倾斜沉积对象(目标区域)的像素区域S1与像素区域S2之间的各区域(例如，G像素形成区域和B像素形成区域)中未设有突起肋110。
像素间电介质膜42是用于像素(发光区域)之间电绝缘的电介质膜，并且设有与下部电极11相面对的开口(开口H1、H2)。层间电介质膜42例如是由用诸如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、酚醛树脂等有机绝缘材料制成的膜构成的，或者是由用诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料制成的膜构成的。突起肋110设置在像素间电介质膜42上。
在本实施方案中，底层41的厚度(高度)从要成为倾斜沉积对象的像素区域S1与像素区域S2之间的边界B1朝着突起肋110呈阶梯式增大(随着越来越接近突起肋110而呈阶梯式增大)(底层41具有台阶状结构St1、St2)。具体地，像素间电介质膜42具有被设置成被像素区域S1和像素区域S2中的下部电极11共用的开口H1；换言之，在像素区域S1与像素区域S2之间的区域(边界B 1的附近)中，下部电极11的边缘(端部)未被电介质膜覆盖，于是，驱动基板10的表面露出。另一方面，在不作为倾斜沉积对象的像素区域S3(例如，R像素形成区域)中，开口H2被设置成使得下部电极11的边缘完全被电介质膜覆盖着。
因此，在要作为倾斜沉积对象的像素区域S1和像素区域S2中，底层41的厚度从边界B1朝着突起肋110呈阶梯式增大。这种外形确保了在倾斜沉积时不易出现“渐晕”，从而能够减小蒸发沉积时膜厚度的不均匀。
例如，如图34A和图34B所示，假设像素间电介质膜42′在每个下部电极11上都具有开口H2(假设全部像素区域中的下部电极11的边缘都被像素间电介质膜42′覆盖着)。在此情况下，如图34A所示，在针对像素区域S 1进行倾斜沉积时，由于像素间电介质膜42′与下部电极11之间的台阶(X1)的影响因而会出现“渐晕”。结果，在像素区域S1中，在下部电极11上生成了局部较薄的沉积膜部分，并且未能以均一膜厚度的方式实现有机材料的蒸发沉积。或者，如图34B所示，在针对像素区域S2进行倾斜沉积时，由于像素间电介质膜42′与下部电极11之间的台阶(X2)的影响因而会出现“渐晕”。因此，在像素区域S2中，在下部电极11上也未能以均一厚度的方式实现有机材料的蒸发沉积。顺便提及地，在连续对像素区域S1和S2进行上述倾斜沉积的步骤时，也会出现同样的现象。如果在下部电极11上不能以均一膜厚度形成诸如各颜色发光材料等有机材料的膜，那么就会出现局部电流集中或者就不能实现所需颜色光的发光。
另一方面，在本实施方案中，如上所述，像素间电介质膜42设有被像素区域S 1和像素区域S2共用的开口H1，并且设有台阶状结构St1和St2(在该台阶状结构St1和St2中，底层41的厚度从边界B 1朝着突起肋110呈阶梯式增大)。这确保了：在针对像素区域S1进行倾斜沉积时，例如如图35A所示，不会有任何区域被遮蔽住而不暴露于沿着角度方向D1释放有机材料的蒸发源(未图示)下。因此，在像素区域S1中，在下部电极11上能够以基本均一的厚度堆积有机材料44a。或者，在针对像素区域S2进行倾斜沉积时，如图35B所示，不会有任何区域被遮蔽住而不暴露于沿着角度方向D2释放有机材料的蒸发源(未图示)下。因此，在像素区域S2中，在下部电极11上也能够以基本均一的厚度堆积有机材料44b。于是，在进行倾斜沉积时，能够抑制“渐晕”的出现，并能以基本均一的厚度形成有机材料膜。因此，能够得到与上面各实施方案中所述的情况(下部电极11的表面与驱动基板10的表面齐平的情况)下的效果相同的效果。
变形例3
在上面的第四实施方案中，下部电极11的边缘从作为倾斜沉积对象的像素区域S1和像素区域S2中露出。因此，在相邻像素间的距离非常短的情况下，例如，在制造高清晰度有机EL显示器的情况下，可能在像素区域S1与像素区域S2之间产生漏电流从而流过诸如发光层等有机层。这种漏电流将会影响发光特性，因此应当尽量可靠地抑制该漏电流。
鉴于这种情况，如图36所示，在像素区域S1与像素区域S2之间的边界B1附近可以设有防漏电介质膜45。防漏电介质膜45例如是具有绝缘性能的突起肋(突起)，并且例如是由与像素间电介质膜42相同的材料制成的。防漏电介质膜45优选具有按如下方式设定的开口率(厚度与宽度之比)：当从蒸发源侧看时，在下部电极11上方没有形成死角区域。这样是为了防止因防漏电介质膜45而导致的“渐晕”的影响作用到下部电极11上。这种防漏电介质膜45例如可在对像素间电介质膜42进行图形化步骤时的同一步骤中被图形化。
因此，在本变形例中，在针对像素区域S1进行倾斜沉积时，例如如图37A所示，没有任何区域被遮蔽住而不暴露于沿着角度方向D1释放有机材料的蒸发源(未图示)下。因此，在像素区域S1中，在下部电极11上能够以基本均一的膜厚度堆积有机材料46a。或者，在针对像素区域S2进行倾斜沉积时，如图37B所示，没有任何区域被遮蔽住而不暴露于沿着角度方向D2释放有机材料的蒸发源(未图示)下。因此，在像素区域S2中，在下部电极11上能够以基本均一的厚度堆积有机材料46b。于是，在进行倾斜沉积时，能够抑制“渐晕”的出现，并能够以基本均一的厚度形成有机材料膜。另外，在本变形例中，设置于像素区域S1与像素区域S2之间的防漏电介质膜45能够抑制在像素区域S1与像素区域S2之间生成漏电流，从而防止发光特性劣化。
顺便提及地，虽然在本变形例3中是在像素区域S1与像素区域S2之间设有防漏电介质膜45(突起肋)，但防漏部不限于突起肋，只要该防漏部能够提供像素之间的绝缘即可。例如，在不会影响有机材料的图形化的范围内，可形成凹槽。或者，可替代地，可以设置由与像素间电介质膜42的材料不同的绝缘材料形成的结构。
变形例4
图38图示了上述第四实施方案的变形例(变形例4)的基板结构。在本变形例中，形成有电介质膜42a，该电介质膜42a填充于突起肋110与下部电极11之间的各个间隙处。电介质膜42a和下部电极11在驱动基板10上形成了台阶状结构St1和St2。电介质膜42a例如是由用诸如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、酚醛树脂等有机绝缘材料制成的膜构成的，或者是由用诸如氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料制成的膜构成的。
这样，可以以填充于突起肋110与下部电极11之间的各间隙处的方式来形成电介质膜42a。在此情况下，也能够得到与上面的第四实施方案中的效果相同的效果。
顺便提及地，虽然在上述变形例4中作为示例而给出的是下部电极11与突起肋110彼此分离的情况，但如图39所示，这些部件也可被设置成彼此接触。在此情况下，电介质膜42a被形成在由彼此接触的下部电极11和突起肋110形成的角落中，从而能够形成台阶状结构St1。
显示器件1～显示器件3的总体结构和像素电路结构
下面，将说明上述第一实施方案的显示器件1～第三实施方案的显示器件3的总体结构和像素电路结构。图40图示了要被用作有机EL显示器的显示器件的包括周边电路的总体结构。因此，在驱动基板10上形成有例如显示区域30，在该显示区域30中以矩阵形式布置有多个像素PXLC，各像素PXLC包括有机EL元件。在显示区域30的周围，设置有作为信号线驱动电路的水平选择器(HSEL)31、作为扫描线驱动电路的写扫描器(WSCN)32、和作为电源线驱动电路的电源扫描器(DSCN)33。
在显示区域30中，在列方向上布置有多条(n条：n是整数)信号线DTL1～DTLn，并且在行方向上布置有多条(m条：m是整数)扫描线WSL1～WSLm以及电源线DSL1～DSLm。另外，像素PXLC(分别对应于R、G和B的各像素中的一者)设置在信号线DTL与扫描线WSL的各交点处。各条信号线DTL与水平选择器31连接，并且从水平选择器31将图片信号提供给各条信号线DTL。各条扫描线WSL与写扫描器32连接，并且从写扫描器32将扫描信号(选择脉冲)提供给各条扫描线WSL。各条电源线DSL与电源扫描器33连接，并且从电源扫描器33将电源信号(控制脉冲)提供给各条电源线DSL。
图41图示了像素PXLC的电路结构的具体示例。各像素PXLC具有包括有机EL元件3D的像素电路40。像素电路40是包括采样晶体管3A和驱动晶体管3B、存储电容器元件3C以及有机EL元件3D的有源型驱动电路。
采样晶体管3A的栅极连接至相应的扫描线WSL，并且采样晶体管3A的源极和漏极中的一者连接至相应的信号线DTL连接，而采样晶体管3A的源极和漏极中的另一者连接至驱动晶体管3B的栅极。驱动晶体管3B的漏极连接至相应的电源线DSL，并且驱动晶体管3B的源极连接至有机EL元件3D的阳极。另外，有机EL元件3D的阴极连接至地线3H。顺便提及地，将地线3H布线成被全部像素PXLC共用。存储电容器元件3C设置在驱动晶体管3B的源极与栅极之间。
采样晶体管3A根据从扫描线WSL提供的扫描信号(选择脉冲)而处于导通状态，从而对从信号线DTL提供的图片信号的信号电位进行采样，并且将所采样的信号电位保持在存储电容器元件3C中。从被设定为预定第一电位(未图示)的电源线DSL将电流提供至驱动晶体管3B，并且根据存储电容器元件3C中所保持的信号电位向有机EL元件3D提供驱动电流。从驱动晶体管3B提供的驱动电流使得有机EL元件3D在与图片信号的信号电位相对应的亮度下发光。
在这种电路结构中，当采样晶体管3A根据从扫描线WSL提供的扫描信号(选择脉冲)而处于导通状态时，由信号线DTL提供的图片信号的信号电位被采样然后被保持在存储电容器元件3C中。另外，从被设定为上述第一电位的电源线DSL向驱动晶体管3B供给电流，并且根据存储电容器元件3C中所保持的信号电位将驱动电流提供至有机EL元件3D(红色、绿色和蓝色有机EL元件中的一者)。然后，通过被提供至有机EL元件3D的驱动电流来驱动该有机EL元件3D，从而在与图片信号的信号电位相对应的亮度值下发光。因此，在显示器件上实现了基于图片信号的图像显示。
应用示例
下面，将说明上述显示器件1～显示器件3在电子装置中的应用示例。显示器件1～显示器件3适用于任何领域的电子装置，上述电子装置例如是电视机、数码相机、笔记本型个人电脑、诸如手机等便携式终端装置、和摄像机等。换言之，显示器件1～显示器件3能够适用于把从外部输入的图片信号或者在内部生成的图片信号作为图像或图片进行显示的所有领域中的电子装置。
模块
把上述显示器件作为例如图42所示的模块而安装在稍后说明的诸如应用示例1至应用示例5等各种电子装置中。该模块具有这样的结构：该结构中，例如在基板10的一个侧边处设有从密封基板50露出的区域210，并且在该露出的区域210中，通过延长用于水平选择器31、写扫描器32和电源扫描器33的布线来形成外部连接端子(未图示)。该外部连接端子可以设有用于输入信号和输出信号的柔性印刷电路(flexible printedcircuit；FPC)。
应用示例1
图43图示了电视机的外观。该电视机例如具有包括前面板310和滤光玻璃320的图片显示屏部300。该图片显示屏部300相当于显示器件1～显示器件3。
应用示例2
图44A和图44B图示了数码相机的外观。该数码相机例如具有闪光用发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440。显示单元420相当于显示器件1～显示器件3。
应用示例3
图45图示了笔记本型个人电脑的外观。该笔记本型个人电脑例如具有主体510、用于输入字符等的键盘520和用于显示图像的显示单元530。显示单元530相当于显示器件1～显示器件3。
应用示例4
图46图示了摄像机的外观。该摄像机例如具有主体部610、设在主体部610的前侧面上的拍摄物体用镜头620、拍摄开始/停止开关630和显示单元640。显示单元640相当于显示器件1～显示器件3。
应用示例5
图47A～图47G图示了手机的外观。该手机例如具有通过连接部(铰链部)730而被彼此连接起来的上部壳体710和下部壳体720，并且该手机还包括显示屏740、副显示屏750、图片灯760和照相机770。在这些部件之中，显示屏740或者副显示屏750相当于显示器件1～显示器件3。
虽然已经通过给出上面的各实施方案及它们的变形例对本发明进行了说明，但本发明不限于这些实施方案，而是还可以做出各种变形。例如，在上面的各实施方案等中，作为示例，已经对使用具有电子阻挡功能的电子阻挡层作为本发明的载流子阻挡层的情况进行了说明，但这不是限制性的，也可以使用具有空穴阻挡功能的空穴阻挡层。
另外，虽然在上面的各实施方案等中，作为示例，已经对利用诸如突起肋等突起状部件进行倾斜沉积的情况进行了说明，但这种突起状部件不是必须形成在基板上。只要使用根据蒸发沉积的方向能够遮蔽特定像素区域的遮蔽掩模就足够了。
此外，在上面的各实施方案等中，作为另一种有机层的示例，已经说明了在三种像素(R、G和B像素)的被选一者中设置有电子阻挡层和/或膜厚度调节层的示例，但要设有这些层的像素不限于上述像素，而且全部像素都可设有这些层。
另外，本发明中的有机堆叠膜不限于在上面的各实施方案等中所述的有机堆叠膜，而是还可以设置其他层。

Claims (20)

1.一种显示器件，其包括多种像素，所述多种像素被设置在基板上并且发出彼此不同颜色的光束，
其中，各所述像素包括：
有机堆叠膜，所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种所述像素而言是不同的；以及
第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被设置成将所述有机堆叠膜夹在二者之间。
2.如权利要求1所述的显示器件，其中，在所述多种像素之间的被选区域中设置有突起状部件。
3.如权利要求2所述的显示器件，其中，
所述多种像素是红色像素、绿色像素和蓝色像素，
并且，作为所述有机堆叠膜，所述红色像素含有红色发光层和蓝色发光层，所述绿色像素含有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层以及绿色用载流子阻挡层，所述蓝色像素含有红色发光层和蓝色发光层以及蓝色用载流子阻挡层。
4.如权利要求3所述的显示器件，从所述基板侧按照下列顺序配置有：
设置在各所述像素上的各所述第一电极；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述红色发光层；
选择性地设置在所述绿色像素中的所述绿色用载流子阻挡层和所述绿色发光层；
选择性地设置在所述蓝色像素中的所述蓝色用载流子阻挡层；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述蓝色发光层；以及
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述第二电极。
5.如权利要求3所述的显示器件，其中，
所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素分别具有光学共振器结构，所述光学共振器结构包括所述第一电极和所述第二电极以及所述有机堆叠膜，
并且，在从所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中选出的一种像素中设有膜厚度调节层，所述膜厚度调节层作为所述有机堆叠膜的一部分。
6.如权利要求5所述的显示器件，从所述基板侧按照下列顺序配置有：
设置在各所述像素上的各所述第一电极；
选择性地设置在所述绿色像素中的绿色用膜厚度调节层和选择性地设置在所述蓝色像素中的蓝色用膜厚度调节层；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述红色发光层；
选择性地设置在所述绿色像素中的所述绿色用载流子阻挡层和所述绿色发光层；
选择性地设置在所述蓝色像素中的所述蓝色用载流子阻挡层；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述蓝色发光层；以及
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述第二电极。
7.如权利要求6所述的显示器件，其中，所述绿色用膜厚度调节层和所述蓝色用膜厚度调节层是由空穴输送材料形成的。
8.如权利要求3所述的显示器件，其中，所述绿色用载流子阻挡层和所述蓝色用载流子阻挡层是由空穴输送材料形成的。
9.如权利要求2所述的显示器件，其中，
所述多种像素是红色像素、绿色像素和蓝色像素，
并且，作为所述有机堆叠膜，所述红色像素含有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述绿色像素含有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层以及绿色用载流子阻挡层，所述蓝色像素含有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层以及蓝色用载流子阻挡层。
10.如权利要求9所述的显示器件，从所述基板侧按照下列顺序配置有：
设置在各所述像素上的各所述第一电极；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述红色发光层；
选择性地设置在所述绿色像素中的所述绿色用载流子阻挡层；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述绿色发光层；
选择性地设置在所述蓝色像素中的所述蓝色用载流子阻挡层；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述蓝色发光层；以及
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述第二电极。
11.如权利要求2所述的显示器件，从所述基板侧按照下列顺序配置有：
设置在各所述像素上的各所述第一电极；
选择性地设置在绿色像素中的绿色用空穴输送层和绿色发光层；
选择性地设置在红色像素中的红色用空穴输送层和红色发光层；
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和蓝色像素共用的蓝色发光层；以及
设置成被所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素共用的所述第二电极，
其中，所述绿色发光层和所述红色发光层被形成得使它们的膜厚度小于所述蓝色发光层的膜厚度。
12.如权利要求2所述的显示器件，其中，
所述基板是用绝缘膜进行了平坦化后的驱动基板，在所述基板上各所述第一电极被设置于各所述像素上，并且，
各所述第一电极被设置成使它们的表面与所述绝缘膜的表面齐平，或者
各所述第一电极被设置在所述有机层的下方，且含有各所述第一电极的底层的厚度随着向所述突起状部件靠近而呈阶梯式增大。
13.一种显示器件制造方法，所述方法在基板上形成用于发出彼此不同颜色的光束的多种像素时，包括在各像素区域中进行的如下步骤：
在所述基板上形成第一电极；
形成有机堆叠膜，所述有机堆叠膜包括一个以上有机发光层和另一种有机层，所述另一种有机层的层结构对于每一种所述像素而言是不同的；以及
在形成所述有机堆叠膜之后，形成第二电极。
14.如权利要求13所述的方法，其中，
在所述基板上在所述多种像素之间的被选区域中形成突起状部件，
并且，所述有机堆叠膜的一部分是利用所述突起状部件通过倾斜沉积法而形成的。
15.如权利要求14所述的方法，在形成所述有机堆叠膜时，包括如下步骤：
在红色像素、绿色像素和蓝色像素的整个区域上方形成红色发光层；
在形成所述红色发光层之后，通过倾斜沉积法在所述绿色像素的区域中形成绿色用载流子阻挡层；
通过倾斜沉积法在所述绿色用载流子阻挡层上形成绿色发光层；
在形成所述绿色发光层之后，通过倾斜沉积法在所述蓝色像素的区域中选择性地形成蓝色用载流子阻挡层；以及
在形成所述蓝色用载流子阻挡层之后，在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的整个区域上方形成蓝色发光层。
16.如权利要求15所述的方法，在形成所述有机堆叠膜时，在形成所述红色发光层之前还包括如下步骤：
通过倾斜沉积法在所述绿色像素的区域中形成绿色用膜厚度调节层；以及
在所述蓝色像素的区域中形成蓝色用膜厚度调节层。
17.如权利要求14所述的方法，在形成所述有机堆叠膜时，包括如下步骤：
在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的整个区域上方形成红色发光层；
在形成所述红色发光层之后，通过倾斜沉积法在所述绿色像素的区域中形成绿色用载流子阻挡层；
在形成所述绿色用载流子阻挡层之后，在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的整个区域上方形成绿色发光层；
在形成所述绿色发光层之后，通过倾斜沉积法在所述蓝色像素的区域中选择性地形成蓝色用载流子阻挡层；以及
在形成所述蓝色用载流子阻挡层之后，在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的整个区域上方形成蓝色发光层。
18.如权利要求14所述的方法，在形成所述有机堆叠膜时，包括如下步骤：
通过倾斜沉积法在所述绿色像素的区域中形成绿色用空穴输送层；
在所述绿色用空穴输送层上形成绿色发光层；
通过倾斜沉积法在所述红色像素的区域中形成红色用空穴输送层；
在所述红色用空穴输送层上形成红色发光层；以及
在形成所述绿色发光层和所述红色发光层之后，在所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素的整个区域上方形成蓝色发光层，
其中，所述绿色发光层和所述红色发光层被形成得使它们的厚度小于所述蓝色发光层的厚度。
19.如权利要求18所述的方法，其中，在形成所述绿色发光层之后，执行用于形成所述红色用空穴输送层的步骤和用于形成所述红色发光层的步骤。
20.一种电子装置，其包括如权利要求1至12任一项所述的显示器件。
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