JP2022123434A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高精細化及び狭額縁化可能な表示装置を提供する。【解決手段】本実施形態の表示装置は、基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れ、前記第１下部電極と同じ材料で形成された第２下部電極と、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、前記第１配線の上に配置された第２絶縁層と、前記第１下部電極の上に配置され、発光層を含む第１有機層と、前記第２下部電極の上に配置され、前記発光層を含む第２有機層と、前記第１有機層の上に配置された第１上部電極と、前記第２有機層の上に配置された第２上部電極と、前記第２絶縁層の上に配置され、前記第１配線と対向し、前記第１配線との間に容量を形成する第２配線と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。表示素子は、画素電極と共通電極との間に有機層を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。このような有機層は、例えば真空蒸着法によって形成される。

Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ（ＶＲ）等に使用される超高精細パネルでは、１画素あたりの面積が非常に小さい。また、超高精細パネルでは、画素ゲート線を駆動するドライバ回路も画素ピッチと同等のピッチで配置されるため、ドライバ回路１段あたりの面積も非常に小さい。画素回路やドライバ回路では、動作のために各回路内にコンデンサが形成されることがあるが、超高精細パネルでは、大容量のコンデンサを画素ピッチ内に収納させることが困難である。小さい面積で容量を大きくするために、金属層及び絶縁層等を多層化した場合、プロセスが複雑化し、コストが高くなる可能性がある。面積を確保して容量を大きくするために、額縁を増大した場合、パネルの商品価値が低下する可能性がある。

特開２００８－１３５３２５号公報 国際公開第２０２０／０７９８０５号

本発明の目的は、高精細化及び狭額縁化可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れ、前記第１下部電極と同じ材料で形成された第２下部電極と、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、前記第１配線の上に配置された第２絶縁層と、前記第１下部電極の上に配置され、発光層を含む第１有機層と、前記第２下部電極の上に配置され、前記発光層を含む第２有機層と、前記第１有機層の上に配置された第１上部電極と、前記第２有機層の上に配置された第２上部電極と、前記第２絶縁層の上に配置され、前記第１配線と対向し、前記第１配線との間に容量を形成する第２配線と、を備える。

他の実施形態に係る表示装置は、基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れている第２下部電極と、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、前記第１配線の上に配置され、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と前記第２下部電極に重畳する第２開口部と前記第１下部電極及び前記第２下部電極の間に位置するトレンチと前記第１開口部及び前記トレンチの間の第１面と前記第１開口部及び前記トレンチの間の第２面とを有する、第２絶縁層と、前記第１下部電極から前記第１面に亘って配置され、発光層を含む第１有機層と、前記第２下部電極から前記第２面に亘って配置され、前記発光層を含む第２有機層と、前記トレンチ内に配置され、前記第１有機層及び前記第２有機層から離れ、前記発光層を含む第３有機層と、前記第１有機層、前記第２有機層、及び前記第３有機層を覆い、前記第１配線との間に容量を形成する上部電極と、を備え、前記トレンチは、底面と、前記底面から立ち上がり前記第１面に繋がる第１側面と、前記底面から立ち上がり前記第２面に繋がる第２側面とを有し、前記トレンチの上側における前記第１側面と前記第２側面との第１間隔は、前記トレンチの前記底面側における前記第１側面と前記第２側面との第２間隔よりも小さく、前記第３有機層は、前記底面の上に配置されている。

他の実施形態に係る表示装置は、基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れている第２下部電極と、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、前記第１配線の上に配置され、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と前記第２下部電極に重畳する第２開口部と前記第１下部電極及び前記第２下部電極の間に位置するトレンチと前記第１開口部及び前記トレンチの間の第１面と前記第１開口部及び前記トレンチの間の第２面とを有する、第２絶縁層と、前記トレンチ内に配置され、前記第１配線と対向し、前記第１配線との間に容量を形成する第２配線と、前記第１下部電極から前記第１面に亘って配置され、発光層を含む第１有機層と、前記第２下部電極から前記第２面に亘って配置され、前記発光層を含む第２有機層と、前記トレンチ内で前記第２配線を覆い、前記第１有機層及び前記第２有機層から離れ、前記発光層を含む第３有機層と、前記第１有機層、前記第２有機層、及び前記第３有機層を覆う上部電極と、を備え、前記トレンチは、底面と、前記底面から立ち上がり前記第１面に繋がる第１側面と、前記底面から立ち上がり前記第２面に繋がる第２側面とを有し、前記トレンチの上側における前記第１側面と前記第２側面との第１間隔は、前記トレンチの前記底面側における前記第１側面と前記第２側面との第２間隔よりも小さく、前記第２配線は、前記底面の上に配置されている。

図１は、実施形態に係る表示装置の一構成例を示す図である。 図２は、実施形態に係る画素の構成例を示す平面図である。 図３は、実施形態に係るメタル配線の構成例を示す平面図である。 図４は、図３に示したＡ－Ａ線に沿って切断した表示装置の構成例を示す断面図である。 図５は、変形例１に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図６は、変形例２に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図７は、変形例３に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図８は、変形例４に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図９は、変形例５に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図１０は、変形例６に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図１１は、変形例７に係るメタル配線の構成例を示す平面図である。 図１２は、変形例８に係る画素の構成例を示す平面図である。 図１３は、変形例８に係るメタル配線の構成例を示す平面図である。 図１４は、変形例９に係る画素の構成例を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向または第３方向Ｚと称する。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚは、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの長さを幅と称し、第３方向Ｚの長さを厚さと称する場合もある。本明細書において、基材１０から表示素子２０に向かう方向を「上側」（あるいは、単に上）と称し、表示素子２０から基材１０に向かう方向を「下側」（あるいは、単に下）と称する場合もある。「第１層の上の第２層」及び「第１層の下の第２層」とした場合、第２層は、第１層に接していてもよいし、第１層から離れていてもよい。Ｘ軸（第１方向Ｘ）及びＹ軸（第２方向Ｙ）によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸（第１方向Ｘ）及びＺ軸（第３方向Ｚ）によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称し、Ｙ軸（第２方向Ｙ）及びＺ軸（第３方向Ｚ）によって規定される面をＹ―Ｚ平面と称する場合もある。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

（実施形態）
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０を備えている。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。また、表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡとを有している。

表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、及びＳＰ３を備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２、及び、青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えていてもよい。

画素ＰＸに含まれる１つの副画素ＳＰの一構成例について簡単に説明する。
すなわち、副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動制御される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２について、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極は信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極はキャパシタ４を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ３のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ３について、ソース電極はキャパシタ４を構成する他方の電極及び電源線ＰＬに接続され、ドレイン電極は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０のカソードは、給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は、図示した例に限らない。

表示素子２０は、発光素子である有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。表示素子２０の構成については、後述する。

図２は、本実施形態に係る画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図２には、説明に必要な構成のみを示している。
表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２、下部電極Ｅ１、及び補助配線ＣＡＷ等を備えている。図２に示した例では、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２（１２１１、１２１２、１２１３、１２１４、１２２１、及び１２２２）、下部電極Ｅ１（Ｅ１１、Ｅ１２、及びＥ１３）、及び補助配線ＣＡＷ（ＣＡＷ１１、ＣＡＷ１２、ＣＡＷ１３、ＣＡＷ１４、ＣＡＷ２１，及びＣＡＷ２２）等を備えている。

下部電極Ｅ１は、副画素ＳＰに配置されている。図２に示した例では、下部電極Ｅ１は、下部電極Ｅ１１、Ｅ１２、及びＥ１３を有している。下部電極Ｅ１１は、副画素ＳＰ１に配置されている。下部電極Ｅ１２は、副画素ＳＰ２に配置されている。下部電極Ｅ１３は、副画素ＳＰ３に配置されている。下部電極Ｅ１１乃至Ｅ１３は、第１方向Ｘに並んでいる。下部電極Ｅ１１乃至Ｅ１３を含む下部電極は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であり、画素電極、アノードなどと称される場合がある。

下部電極Ｅ１は、平面視で矩形形状に形成されている。この場合、下部電極Ｅ１は、４つの端部Ｅｇを有する。図２に示した例では、下部電極Ｅ１１乃至Ｅ１３は、それぞれ、第１方向Ｘに短軸を有し、且つ第２方向Ｙに長軸を有する長方形状に形成されている。下部電極Ｅ１１は、第１方向Ｘの矢印の先端側の端部Ｅｇ（Ｅｇ１１）と、第１方向Ｘの矢印の先端と反対側の端部Ｅｇ（Ｅｇ１２）と、第２方向Ｙの先端側の端部Ｅｇ（Ｅｇ１３）と、第２方向Ｙの先端と反対側の端部Ｅｇ（Ｅｇ１４）と、を有している。下部電極Ｅ１２は、第１方向Ｘの矢印の先端側の端部Ｅｇ（Ｅｇ２１）と、第１方向Ｘの矢印の先端と反対側の端部Ｅｇ（Ｅｇ２２）と、第２方向Ｙの先端側の端部Ｅｇ（Ｅｇ２３）と、第２方向Ｙの先端と反対側の端部Ｅｇ（Ｅｇ２４）と、を有している。下部電極Ｅ１３は、第１方向Ｘの矢印の先端側の端部Ｅｇ（Ｅｇ３１）と、第１方向Ｘの矢印の先端と反対側の端部Ｅｇ（Ｅｇ３２）と、第２方向Ｙの先端側の端部Ｅｇ（Ｅｇ３３）と、第２方向Ｙの先端と反対側の端部Ｅｇ（Ｅｇ３４）と、を有している。なお、下部電極Ｅ１は、平面視で矩形形状以外の形状に形成されていてもよい。

絶縁層１２は、平面視で格子状に形成されている。絶縁層１２は、表示素子あるいは副画素を区画するように形成されており、バンク、リブ、隔壁などと称される場合がある。図２に示した例では、絶縁層１２は、絶縁層（バンク）１２１１、１２１２、１２１３、１２１４、１２２１、及び１２２２を有している。絶縁層１２１１，１２１２、１２１３、及び１２１４は、第２方向Ｙに延出している。絶縁層１２１１乃至１２１４は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。絶縁層１２１１、１２１２、１２１３、及び１２１４は、第１方向Ｘの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。絶縁層１２２１及び１２２２は、第１方向Ｘに延出している。絶縁層１２２１及び１２２２は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。絶縁層１２２１及び１２２２は、第２方向Ｙの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。絶縁層１２１１乃至１２１４と絶縁層１２２１及び１２２２とは、それぞれ、交差している。絶縁層１２は、下部電極Ｅ１に重畳する開口部ＯＰを有している。

図２に示した例では、絶縁層１２は、下部電極Ｅ１１に重畳する開口部ＯＰ１と、下部電極Ｅ１２に重畳する開口部ＯＰ２と、下部電極Ｅ１３に重畳する開口部ＯＰ３と、を有している。開口部ＯＰ１は、絶縁層１２１１及び１２１２と絶縁層１２２１及び１２２２とで囲まれた領域に相当する。つまり、開口部ＯＰ１に重畳する下部電極Ｅ１１の中央部は、絶縁層１２から露出している。開口部ＯＰ２は、絶縁層１２１２及び１２１３と絶縁層１２２１及び１２２２とで囲まれた領域に相当する。つまり、開口部ＯＰ２に重畳する下部電極Ｅ１２の中央部は、絶縁層１２から露出している。開口部ＯＰ３は、絶縁層１２１３及び１２１４と絶縁層１２２１及び１２２２とで囲まれた領域に相当する。つまり、開口部ＯＰ３に重畳する下部電極Ｅ１３の中央部は、絶縁層１２から露出している。

図２に示した例では、絶縁層１２は、下部電極Ｅ１１乃至Ｅ１３のそれぞれの周縁部を覆っている。絶縁層１２２１は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１４、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２４、及び下部電極Ｅ１３の端部Ｅｇ３４に重畳している。絶縁層１２２２は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１３、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２３、及び下部電極Ｅ１３の端部Ｅｇ３３に重畳している。絶縁層１２１１は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１２に重畳している。絶縁層１２１２は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１及び下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２に重畳している。絶縁層１２１３は、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２１及び下部電極Ｅ１３の端部Ｅｇ３２に重畳している。絶縁層１２１４は、下部電極Ｅ１３の端部Ｅｇ３１に重畳している。

補助配線ＣＡＷは、絶縁層１２に重畳している。例えば、補助配線ＣＡＷは、平面視で絶縁層１２に重畳するように格子状に配置されている。例えば、補助配線ＣＡＷは、平面視で下部電極Ｅ１に重畳していない。

図２に示した例では、補助配線ＣＡＷは、補助配線ＣＡＷ１１、ＣＡＷ１２、ＣＡＷ１３、ＣＡＷ１４、ＣＡＷ２１、及びＣＡＷ２２を有している。補助配線ＣＡＷ１１、ＣＡＷ１２、ＣＡＷ１３、及びＣＡＷ１４は、第２方向Ｙに延出している。補助配線ＣＡＷ１１乃至ＣＡＷ１４は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、補助配線ＣＡＷ１１、ＣＡＷ１２、ＣＡＷ１３、及びＣＡＷ１４は、第１方向Ｘの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。補助配線ＣＡＷ２１及びＣＡＷ２２は、第１方向Ｘに延出している。補助配線ＣＡＷ２１及びＣＡＷ２２は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。例えば、補助配線ＣＡＷ２１及びＣＡＷ２２は、第２方向Ｙの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。補助配線ＣＡＷ１１乃至１４と補助配線ＣＡＷ２１及びＣＡＷ２２とは、それぞれ、交差している。

図２に示した例では、補助配線ＣＡＷ１１は、絶縁層１２１１に重畳し、補助配線ＣＡＷ１２は、絶縁層１２１２に重畳し、補助配線ＣＡＷ１３は、絶縁層１２１３に重畳し、補助配線ＣＡＷ１４は、絶縁層１２１４に重畳している。補助配線ＣＡＷ２１は、絶縁層１２２１に重畳し、補助配線ＣＡＷ２２は、絶縁層１２２２に重畳している。補助配線ＣＡＷ１１乃至ＣＡＷ１４と補助配線ＣＡＷ２１及びＣＡＷ２２とは、下部電極Ｅ１に重畳していない。

ここで、副画素ＳＰの外形は、例えば、下部電極Ｅ１の外形に相当する。すなわち、１個の画素ＰＸを構成する副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３は、それぞれ第２方向Ｙに延びた略長方形状に形成され、第１方向Ｘに並んでいる。第１方向Ｘに並んだ隣接する副画素の発光色は互いに異なる。なお、第１方向Ｘに並んだ隣接する副画素の発光色は同じであってもよい。副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３の各々の面積は、同一であってもよいし、後述するように互いに異なっていてもよい。また、副画素の外形は、表示素子の発光領域の外形で規定されてもよい。

図３は、本実施形態に係るメタル配線ＭＷの構成例を示す平面図である。図３に示す構成は、図２に示す構成に対応している。図３には、説明に必要な構成のみを示している。
表示装置ＤＳＰは、メタル配線ＭＷ等を備えている。図３に示した例では、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２（１２１１、１２１２、１２１３、１２１４、１２２１、及び１２２２）、下部電極Ｅ１（Ｅ１１、Ｅ１２、及びＥ１３）、及びメタル配線ＭＷ（ＭＷ１１、ＭＷ１２、ＭＷ１３、ＭＷ１４、ＭＷ２１、及びＭＷ２２）等を備えている。

メタル配線ＭＷは、絶縁層１２に重畳している。例えば、メタル配線ＭＷは、平面視で絶縁層１２に重畳するように格子状に配置されている。また、メタル配線ＭＷは、補助配線ＣＡＷに重畳している。例えば、メタル配線ＭＷは、平面視で補助配線ＣＡＷに重畳するように格子状に配置されている。例えば、メタル配線ＭＷは、平面視で下部電極Ｅ１に重畳していない。メタル配線ＭＷは、補助配線ＣＡＷとの間に容量（寄生容量）を形成する。メタル配線ＭＷは、所定の配線に接続されている。例えば、メタル配線ＭＷは、トランジスタに接続されていてもよい。また、メタル配線ＭＷは、フローティングであってもよい。なお、メタル配線ＭＷは、格子状に配置されていなくともよい。「同じ」、「同一」、及び「同等」とは、複数の対象となる物体、空間又は領域等の物理量、材料、又は構成（構造）等が全く同じであることはもちろん、実質的に同じであると見做せる程度にわずかに異なることも含む。

図３に示した例では、メタル配線ＭＷは、メタル配線ＭＷ１１、ＭＷ１２、ＭＷ１３、ＭＷ１４、ＭＷ２１、及びＭＷ２２を有している。メタル配線ＭＷ１１、ＭＷ１２、ＭＷ１３、及びＭＷ１４は、第２方向Ｙに延出している。メタル配線ＭＷ１１乃至ＭＷ１４は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、メタル配線ＭＷ１１、ＭＷ１２、ＭＷ１３、及びＭＷ１４は、第１方向Ｘの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。メタル配線ＭＷ２１及びＭＷ２２は、第１方向Ｘに延出している。メタル配線ＭＷ２１及びＭＷ２２は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。例えば、メタル配線ＭＷ２１及びＭＷ２２は、第２方向Ｙの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。メタル配線ＭＷ１１乃至ＭＷ１４とメタル配線ＭＷ２１及びＭＷ２２とは、それぞれ、交差している。

図３に示した例では、メタル配線ＭＷ１１は、絶縁層１２１１に重畳し、メタル配線ＭＷ１２は、絶縁層１２１２に重畳し、メタル配線ＭＷ１３は、絶縁層１２１３に重畳し、メタル配線ＭＷ１４は、絶縁層１２１４に重畳している。メタル配線ＭＷ２１は、絶縁層１２２１に重畳し、メタル配線ＭＷ２２は、絶縁層１２２２に重畳している。メタル配線ＭＷ１１乃至ＭＷ１４とメタル配線ＭＷ２１及びメタル配線ＭＷ２２とは、下部電極Ｅ１に重畳していない。

図３に示した例では、メタル配線ＭＷ１１は、補助配線ＣＡＷ１１に重畳し、メタル配線ＭＷ１２は、補助配線ＣＡＷ１２に重畳し、メタル配線ＭＷ１３は、補助配線ＣＡＷ１３に重畳し、メタル配線ＭＷ１４は、補助配線ＣＡＷ１４に重畳している。メタル配線ＭＷ２１は、補助配線ＣＡＷ２１に重畳し、メタル配線ＭＷ２２は、補助配線ＣＡＷ２２に重畳している。

図４は、図３に示したＡ－Ａ線に沿って切断した表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。なお、図４には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。
表示装置ＤＳＰは、基材１０と、絶縁層１１と、下部電極Ｅ１（Ｅ１１及びＥ１２）と、メタル配線ＭＷ（ＭＷ１２）と、絶縁層１２（１２１２）と、有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２、及びＯＲ３）と、上部電極Ｅ２（Ｅ２１、Ｅ２２、及びＥ２３）と、補助配線ＣＡＷ（ＣＡＷ１２）と、を備えている。表示装置ＤＳＰは、表示素子２０を有している。表示素子２０（２０Ａ及び２０Ｂ）は、下部電極Ｅ１（Ｅ１１及びＥ１２）と、有機層ＯＲ（ＯＲ１及びＯＲ２）と、上部電極Ｅ２（Ｅ２１及びＥ２２）とによって構成されている。

図４に示した例では、表示素子２０は、表示素子２０Ａ及び２０Ｂを有している。表示素子２０Ａは、下部電極Ｅ１１と、有機層ＯＲ１と、上部電極Ｅ２１とによって構成されている。表示素子２０Ｂは、下部電極Ｅ１２と、有機層ＯＲ２と、上部電極Ｅ２２とによって構成されている。

絶縁層１１は、基材１０の上に配置されている。絶縁層１１は、表示素子２０の下地層に相当し、例えば、有機絶縁層である。なお、図１に示した画素回路１の画素スイッチ２などは、基材１０の上に配置され、絶縁層、例えば、絶縁層１１によって覆われているが、ここでは図示を省略する。図４に示した例では、絶縁層１１は、表示素子２０Ａ及び２０Ｂの下地層に相当する。なお、絶縁層１１は、単層で形成されていてもよいし、複数の層で形成されていてもよい。また、基材１０及び絶縁層１１の間には、他の層が配置されていてもよい。

下部電極Ｅ１は、絶縁層１１の上に配置されている。図４に示した例では、下部電極Ｅ１は、下部電極Ｅ１１及びＥ１２を有している。下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、絶縁層１１の上に配置されている。複数の下部電極Ｅ１は、第１方向Ｘにおいて間隔を置いて並んでいる。図４に示した例では、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１と下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２とは、第１方向Ｘおいてギャップ（又は間隔）ＧＰ１を置いて配置されている。下部電極Ｅ１は、図示していないが、絶縁層１１に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子と電気的に接続されていてもよい。例えば、下部電極Ｅ１１は、図示していないが、絶縁層１１に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子と電気的に接続されていてもよい。例えば、下部電極Ｅ１２は、図示していないが、絶縁層１１に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子と電気的に接続されていてもよい。なお、下部電極Ｅ１及び絶縁層１１の間には、他の層が配置されていてもよい。

下部電極Ｅ１（Ｅ１１及びＥ１２）は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、下部電極Ｅ１は、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極であってもよい。また、下部電極Ｅ１は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。例えば、下部電極Ｅ１は、単層で構成されていてもよいし、透明電極、金属電極、及び、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、３層以上の積層体として構成されていてもよい。

メタル配線ＭＷは、絶縁層１１の上に配置されている。なお、メタル配線ＭＷは、絶縁層１１の上以外に配置されていてもよい。図４に示した例では、メタル配線ＭＷは、メタル配線ＭＷ１２を有している。メタル配線ＭＷ１２は、絶縁層１１の上に配置されている。つまり、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１及びＥ１２と同じ層に配置されている。なお、メタル配線ＭＷ１２は、絶縁層１１の上以外に配置されていてもよい。つまり、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１及びＥ１２と異なる層に配置されていてもよい。

メタル配線ＭＷは、隣接する２つの下部電極Ｅ１の間に配置されている。図４に示した例では、メタル配線ＭＷ１２は、幅Ｗ１を有している。メタル配線ＭＷ１２は、第１方向Ｘにおいて下部電極Ｅ１１及びＥ１２のギャップＧＰ１の中心部に配置されている。メタル配線ＭＷ１２は、例えば、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１から第１方向ＸにギャップＧＰ２で離れ、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２から第１方向ＸにギャップＧＰ２で離れている。なお、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１及びＥ１２の間のギャップＧＰ１の中心部からずれて配置されていてもよい。また、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１と下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２とからそれぞれ異なるギャップで離れていてもよい。

メタル配線ＭＷは、例えば、下部電極Ｅ１と同じ材料で形成されている。なお、メタル配線ＭＷは、下部電極Ｅ１と異なる材料で形成されていてもよい。メタル配線ＭＷは、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、メタル配線ＭＷは、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極であってもよい。メタル配線ＭＷは、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。例えば、メタル配線ＭＷは、透明電極、金属電極、及び、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、３層以上の積層体として構成されてもよい。なお、メタル配線ＭＷは、単層として構成されていてもよい。また、メタル配線ＭＷは、画素の電荷を保持するような容量を形成する用途で用いられてもよい。メタル配線ＭＷが下部電極Ｅ１と同じ材料及び同じ層に形成される場合、容量を形成するために新たなプロセスを追加することが不要となり、表示装置ＤＳＰを低コストで製造することが可能となる。

絶縁層１２は、絶縁層１１、下部電極Ｅ１、及びメタル配線ＭＷの上に配置されている。絶縁層１２は、例えば、有機絶縁層である。絶縁層１２は、開口部ＯＰ（ＯＰ１、及びＯＰ２）を有している。開口部ＯＰは、下部電極Ｅ１の上に形成されている。開口部ＯＰは、絶縁層１２を下部電極Ｅ１まで貫通して形成される。図４に示した例では、絶縁層１２は、開口部ＯＰ１、開口部ＯＰ２、及びバンク１２１２を有している。開口部ＯＰ１は、下部電極Ｅ１１の上に形成されている。開口部ＯＰ２は、下部電極Ｅ１２の上に形成されている。バンク１２１２は、絶縁層１１、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２、及びメタル配線ＭＷ１２の上に位置している。言い換えると、バンク１２１２は、メタル配線ＭＷ１２に重畳（又は対向）している。バンク１２１２は、例えば、頂点部分に平坦部ＦＰ１が形成されている。平坦部ＦＰ１は、例えば、絶縁層１２において、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１に対応する部分から下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２に対応する部分に亘って形成されている。バンク１２１２は、例えば、開口部ＯＰ１から平坦部ＦＰ１に亘って湾曲している表面と、開口部ＯＰ２から平坦部ＦＰ１に亘って湾曲する表面とを有している。バンク１２１２は、厚さＴＨ１を有している。図４に示した例では、厚さＴＨ１は、バンク１２１２の最も高い位置、例えば、平坦部ＦＰ１と絶縁層１１との間の間隔に相当する。厚さＴＨ１は、数μｍ、例えば、１．５～２．０μｍである。

有機層ＯＲは、下部電極Ｅ１及び絶縁層１２の上に配置されている。図４に示した例では、有機層ＯＲは、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、及びＯＲ３を有している。有機層ＯＲ１は、開口部ＯＰ１に対応する下部電極Ｅ１１の上、及びバンク１２１２の上に配置されている。有機層ＯＲ１は、バンク１２１２において、開口部ＯＰ１に対応する下部電極Ｅ１１から平坦部ＦＰ１に亘って湾曲する表面に配置されている。有機層ＯＲ２は、開口部ＯＰ２に対応する下部電極Ｅ１２の上、及びバンク１２１２の上に配置されている。有機層ＯＲ２は、バンク１２１２において、開口部ＯＰ２に対応する下部電極Ｅ１２からバンク１２１２の平坦部ＦＰ１に亘って湾曲する表面に配置されている。有機層ＯＲ３は、後述する補助配線ＣＡＷ１２の上に配置されている。有機層ＯＲ１乃至ＯＲ３は、それぞれ、互いに接触していない。言い換えると、有機層ＯＲ１乃至ＯＲ３は、分断されている。つまり、有機層ＯＲ１は、有機層ＯＲ２及びＯＲ３から離れており、有機層ＯＲ２は、有機層ＯＲ３及びＯＲ１から離れており、有機層ＯＲ３は、有機層ＯＲ１及びＯＲ２から離れている。有機層ＯＲ１は、後述する補助配線ＣＡＷ１２、例えば、補助配線ＣＡＷ１２の第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の端部に接触している。なお、有機層ＯＲ１は、補助配線ＣＡＷ１２に接触していなくてもよい。有機層ＯＲ２は、後述する補助配線ＣＡＷ１２、例えば、補助配線ＣＡＷ１２の第１方向Ｘの矢印の先端側の端部に接触している。なお、有機層ＯＲ２は、補助配線ＣＡＷ１２に接触していなくてもよい。

有機層ＯＲは、下部電極Ｅ１及び上部電極Ｅ２の間に所定の電圧を印加することにより流れる電流の大きさで発光する発光層を含む。有機層ＯＲは、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び、電子輸送層の少なくとも１つを含んでいる。例えば、有機層ＯＲ１乃至ＯＲ３は、同一色の発光層を含んでいる。なお、有機層ＯＲ１乃至ＯＲ３は、異なる色の発光層を含んでいてもよい。

上部電極Ｅ２は、有機層ＯＲの上に配置されている。上部電極Ｅ２は、有機層ＯＲを覆っている。図４に示した例では、上部電極Ｅ２は、上部電極Ｅ２１、Ｅ２２、及びＥ２３を有している。上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１の上に配置されている。上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１を覆っている。上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２の上に配置されている。上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２を覆っている。上部電極Ｅ２３は、有機層ＯＲ３の上に配置されている。上部電極Ｅ２３は、有機層ＯＲ３を覆っている。上部電極Ｅ２１は、後述する補助配線ＣＡＷ１２、例えば、補助配線ＣＡＷ１２の第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の端部に接触している。上部電極Ｅ２２は、後述する補助配線ＣＡＷ１２、例えば、補助配線ＣＡＷ１２の第１方向Ｘの先端側の端部に接触している。上部電極Ｅ２３は、上部電極Ｅ２１及びＥ２２から離れている。

上部電極Ｅ２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成された透明電極である。上部電極Ｅ２は、図１に示した表示領域ＤＡに位置する給電線ＦＬと電気的に接続されている。上部電極Ｅ２は、複数の副画素あるいは複数の表示素子に対して共通に配置された電極であり、共通電極、対向電極、カソードなどと称される場合がある。なお、上部電極Ｅ２は、透明な保護層（無機絶縁層及び有機絶縁層の少なくとも１つを含む）によって覆われていてもよい。上部電極Ｅ２は、単層で構成されていてもよいし、積層体として構成されていてもよい。

補助配線ＣＡＷは、絶縁層１２の上に配置されている。補助配線ＣＡＷは、メタル配線ＭＷに重畳（又は対向）している。図４に示した例では、補助配線ＣＡＷは、補助配線ＣＡＷ１２を有している。補助配線ＣＡＷ１２は、バンク１２１２の上に配置されている。補助配線ＣＡＷ１２は、例えば、バンク１２１２の平坦部ＦＰ１の上に配置されている。補助配線ＣＡＷ１２は、メタル配線ＭＷ１２を重畳（又は対向）している。

補助配線ＣＡＷは、隣接する２つの有機層ＯＲの間に配置されている。言い換えると、補助配線ＣＡＷは、隣接する２つの上部電極Ｅ２の間に配置されている。図４に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、有機層ＯＲ１及びＯＲ２の間に配置されている。言い換えると、補助配線ＣＡＷ１２は、上部電極Ｅ２１及び上部電極Ｅ２２の間に配置されている。

補助配線ＣＡＷは、隣接する２つの有機層ＯＲを分離（又は分断）する。補助配線ＣＡＷは、隣接する２つの上部電極Ｅ２を分離（又は分断）し、且つ隣接する２つの上部電極Ｅ２を電気的に接続する。図４に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２とを分離（又は分断）する。補助配線ＣＡＷ１２は、隣接する上部電極Ｅ２１及び上部電極Ｅ２２を分離（又は分断）し、且つ隣接する上部電極Ｅ２１及び上部電極Ｅ２２を電気的に接続する。

補助配線ＣＡＷは、金属配線、例えば、低抵抗の金属配線である。補助配線ＣＡＷは、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料を含む電気抵抗の高い層の低抵抗化を補助するために用いられ得る。

補助配線ＣＡＷは、積層体で構成されている。なお、補助配線ＣＡＷは、積層体で構成されていなくともよく、単層で構成されていてもよい。補助配線ＣＡＷは、３層の金属膜、例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）で形成されている。図４に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、上層ＬＬと、中層ＭＬと、下層ＵＬとを有している。上層ＬＬ、中層ＭＬ、及び下層ＵＬは、例えば、低抵抗の金属配線である。上層ＬＬは、例えば、チタン（Ｔｉ）で形成される。中層ＭＬは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で形成される。下層ＵＬは、例えば、チタン（Ｔｉ）で形成される。なお、補助配線ＣＡＷ１２は、上層ＬＬ及び中層ＭＬが半導体又は絶縁体であり、且つ下層ＵＬが低抵抗の金属配線であってもよい。

図４に示した例では、下層ＵＬは、例えば、バンク１２１２の平坦部ＦＰ１の上に配置されている。補助配線ＣＡＷ１２において、中層ＭＬは、下層ＵＬの上に配置され、上層ＬＬは、中層ＭＬの上に配置されている。補助配線ＣＡＷ１２において、中層ＭＬは、下層ＵＬ及び上層ＬＬよりも中心部又は内側に後退している。言い換えると、中層ＭＬの幅Ｗ３は、下層ＵＬ及び上層ＬＬの幅Ｗ２よりも小さい。つまり、上層ＬＬ及び下層ＵＬの幅Ｗ２は、中層ＭＬの幅Ｗ３よりも長い。上層ＬＬ及び下層ＵＬの幅Ｗ２は、同じである。なお、上層ＬＬ及び下層ＵＬの幅Ｗ２は、異なっていてもよい。上層ＬＬ及び下層ＵＬの幅Ｗ２は、例えば、平坦部ＦＰ１の幅と同じである。なお、上層ＬＬ及び下層ＵＬの幅は、異なっていてもよい。上層ＬＬの幅Ｗ２は、メタル配線ＭＷ１２の幅Ｗ１と異なっていてもよい。なお、上層ＬＬの幅Ｗ２は、メタル配線ＭＷ１２の幅Ｗ１と同じであってもよい。中層ＭＬの幅Ｗ３は、メタル配線ＭＷ１２の幅Ｗ１と同じであってもよい。なお、中層ＭＬの幅Ｗ３は、メタル配線ＭＷ１２の幅Ｗ１と異なっていてもよい。下層ＵＬの幅Ｗ２は、メタル配線ＭＷ１２の幅Ｗ１と異なっていてもよい。なお、下層ＵＬの幅Ｗ２は、メタル配線ＭＷ１２の幅Ｗ１と同じであってもよい。

図４に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２において、上層ＬＬ及び下層ＵＬは、中層ＭＬよりも迫り出している。補助配線ＣＡＷ１２において、上層ＬＬは、有機層ＯＲが中層ＭＬに付着しないように遮蔽する中層ＭＬの庇としての機能を有する。補助配線ＣＡＷ１２において、下層ＵＬは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２を電気的に接続し、電気抵抗の高い層、例えば、上部電極Ｅ２を低抵抗化し、対向する電極、例えば、メタル配線ＭＷとの間に容量（寄生容量）を形成する機能を有する。

図４に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２の厚さＴＨ２は、バンク１２１２の上に配置された有機層ＯＲ（ＯＲ１及びＯＲ２）と上部電極Ｅ２（Ｅ２１及びＥ２２）とを積層した厚さ以上である。厚さＴＨ２は、例えば、平坦部ＦＰ１から有機層ＯＲ３の間の距離に相当する。上層ＬＬは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２から離れている。つまり、上層ＬＬは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２に接していない。中層ＭＬは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２から離れている。つまり、中層ＭＬは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２に接していない。下層ＵＬは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２に接している。また、下層ＵＬは、有機層ＯＲ１及びＯＲ２に接している。なお、下層ＵＬは、有機層ＯＲ１及びＯＲ２に接していなくてもよい。言い換えると、下層ＵＬは、有機層ＯＲ１及びＯＲ２から離れていてもよい。補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、メタル配線ＭＷ１２から距離ＴＨ３で離れている。補助配線ＣＡＷ１２は、メタル配線ＭＷ１２との間に容量を形成する。言い換えると、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、メタル配線ＭＷ１２との間に容量Ｃｓ１を形成する。

表示素子２０は、有機層ＯＲが下部電極Ｅ１と上部電極Ｅ２との間に配置されることにより発光領域が形成される。図４に示した例では、表示素子２０Ａは、有機層ＯＲ１が下部電極Ｅ１１と上部電極Ｅ２１との間に配置されていることにより発光領域が形成されている。表示素子２０Ｂは、有機層ＯＲ２が下部電極Ｅ１２と上部電極Ｅ２２との間に配置されていることにより発光領域が形成されている。なお、有機層ＯＲ３は、補助配線ＣＡＷ１２と上部電極Ｅ２３との間に配置され、有機層ＯＲ１及び有機層ＯＲ２から完全に分離されているため、ほとんど発光しない又は発光しない。また、有機層ＯＲ１の内のバンク１２１２を覆う部分は、バンク１２１２と上部電極Ｅ２１との間に位置しているため、ほとんど発光しない。同様に、有機層ＯＲ２の内のバンク１２１２を覆う部分は、バンク１２１２と上部電極Ｅ２２との間に位置しているため、ほとんど発光しない。

表示装置ＤＳＰにおいて、例えば、有機層ＯＲは、真空蒸着法によって形成される。図４に示した例では、バンク１２１２を形成した後に、有機層ＯＲ（ＯＲ１乃至ＯＲ３）を形成するための有機材料を蒸着する。有機材料を蒸着する場合、有機層ＯＲは、上層ＬＬの上に蒸着し、上層ＬＬによるシャドウイング効果で中層ＭＬに有機層ＯＲが付かない。有機層ＯＲは、下層ＵＬ、例えば、下層ＵＬの端部に付いている。図４に示した例では、有機層ＯＲ１は、下層ＵＬの第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の端部に接している。なお、有機層ＯＲ１は、下層ＵＬの第１方向の矢印の先端側と反対側の端部に接していなくてもよい。有機層ＯＲ２は、下層ＵＬの第１方向Ｘの矢印の先端側の端部に接している。なお、有機層ＯＲ２は、下層ＵＬの第１方向Ｘの矢印の先端側の端部に接していなくてもよい。上部電極Ｅ２は、例えば、スパッタ法によって形成される。スパッタ法で形成された場合、上部電極Ｅ２は、下層ＵＬに付き、補助配線ＣＡＷに電気的に接続している。図４に示した例では、上部電極Ｅ２１は、下層ＵＬの第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の端部に付いている有機層ＯＲ１よりも内側に回り込んで下層ＵＬに付き、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬに電気的に接続している。上部電極Ｅ２２は、下層ＵＬの第１方向Ｘの矢印の先端側の端部に付いている有機層ＯＲ２よりも内側に回り込んで下層ＵＬに付き、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬに電気的に接続している。そのため、上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、下層ＵＬを介して電気的に接続している。

図４に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、上層ＬＬ、中層ＭＬ、及び下層ＵＬを重ねてスパッタ成膜する。上層ＬＬ、中層ＭＬ、及び下層ＵＬを重ねてスパッタ成膜した補助配線ＣＡＷ１２をホト工程でパターニングし、エッチングして断面が矩形の３層膜を得る。その後、弱アルカリやアルミニウムのエッチング液を用いて中層（例えば、アルミニウム）ＭＬを選択的にエッチングすることで、中層（例えば、アルミニウム）ＭＬが凹んだ補助配線ＣＡＷ１２が得られる。

本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２、例えば、バンク１２１２を介して重畳する（又は対向する）メタル配線ＭＷ、例えば、メタル配線ＭＷ１２と補助配線ＣＡＷ、例えば、補助配線ＣＡＷ１２とを有している。メタル配線ＭＷと補助配線ＣＡＷとは、絶縁層１２を介して容量を形成する。例えば、メタル配線ＭＷ１２と補助配線ＣＡＷ１２とは、バンク１２１２を介して容量Ｃｓ１を形成する。したがって、表示装置ＤＳＰは、小面積で、且つプロセスをほぼ追加することなく低コストで大容量化できる。そのため、表示装置ＤＳＰは、高精細化及び狭額縁化することができる。

次に、本実施形態の変形例について図５乃至図１４を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する本実施形態の変形例において、前述と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の変形例においても、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（変形例１）
変形例１の表示装置ＤＳＰは、バンク１２１２の構成が前述した実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図５は、変形例１に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。なお、図５には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。
図５に示した例では、バンク１２１２は、頂点ＴＰ１を有している。バンク１２１２は、頂点ＴＰ１に向かって湾曲している。言い換えると、バンク１２１２は、半円状、又は山型状に形成されている。バンク１２１２は、例えば、開口部ＯＰ１から頂点ＴＰ１に亘って湾曲する表面と、開口部ＯＰ２から頂点ＴＰ１に亘って湾曲する表面とを有している。バンク１２１２は、厚さＴＨ１を有している。厚さＴＨ１は、バンク１２１２の最も高い位置、例えば、頂点ＴＰ１と絶縁層１１との間の間隔に相当する。

図５に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、バンク１２１２の頂点ＴＰ１に接し、バンク１２１２の形状に沿って湾曲して、バンク１２１２の上に配置されている。補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、例えば、バンク１２１２の頂点ＴＰ１に接し、バンク１２１２の形状（湾曲）に沿って湾曲して、バンク１２１２の上に配置されている。補助配線ＣＡＷ１２の中層ＭＬの底部は、例えば、下層ＵＬの形状（曲面）に沿って湾曲している。

図５に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２の厚さＴＨ２は、バンク１２１２の頂点ＴＰ１から有機層ＯＲ３の間の距離に相当する。バンク１２１２の頂点ＴＰ１に位置する下層ＵＬの部分は、メタル配線ＭＷ１２から距離ＴＨ３で離れている。メタル配線ＭＷとメタル配線ＭＷ１２から垂直な方向に位置する下層ＵＬの部分との間に容量Ｃｓ１が形成される。下層ＵＬがメタル配線ＭＷ１２に対して湾曲しているため、メタル配線ＭＷとメタル配線ＭＷ１２から斜めの方向に位置する下層ＵＬの部分との間に容量Ｃｓ２が形成される。下層ＵＬがメタル配線ＭＷ１２に対して湾曲しているため、メタル配線ＭＷとメタル配線ＭＷ１２から斜めの方向に位置する下層ＵＬの部分との間に容量Ｃｓ３が形成される。

そのため、変形例１に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。加えて、変形例１の表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態の表示装置ＤＳＰよりも大容量化することが可能である。

（変形例２）
変形例２の表示装置ＤＳＰは、バンク１２１２の構成が前述した実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図６は、変形例２に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。なお、図６には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。

図６に示した例では、バンク１２１２は、例えば、下側に窪んでいる凹部ＲＥが形成されている。凹部ＲＥは、下部電極Ｅ１１及びＥ１２の間に位置している。言い換えると、凹部ＲＥは、有機層ＯＲ１及びＯＲ２の間に位置している。言い換えると、凹部ＲＥは、上部電極Ｅ２１及びＥ２２の間に位置している。例えば、凹部ＲＥは、メタル配線ＭＷに対向する部分又はメタル配線ＭＷの直上に位置する部分に形成されている。例えば、凹部ＲＥは、図４に示したバンク１２１２の平坦部ＦＰ１のメタル配線ＭＷに対向する部分又はメタル配線ＭＷの直上に位置する部分に形成されている。凹部ＲＥの底部は、例えば、平坦に形成されている。なお、凹部ＲＥの底部は、平坦に形成されていなくてもよい、例えば、湾曲していてもよい。凹部ＲＥの幅は、例えば、メタル配線ＭＷの幅Ｗ１よりも小さい。なお、凹部ＲＥの幅は、メタル配線ＭＷの幅Ｗ１以上であってもよい。凹部ＲＥの深さは、例えば、補助配線ＣＡＷの厚さＴＨ２以下である。

図６に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、バンク１２１２の凹部ＲＥ内に配置されている。バンク１２１２の下層ＵＬは、例えば、バンク１２１２の凹部ＲＥ内に配置されている。下層ＵＬは、凹部ＲＥの形状に沿って下側に湾曲している。言い換えると、下層ＵＬは、凹部ＲＥの形状に沿って下側に窪んでいる。中層ＭＬは、例えば、下層ＵＬの形状に沿って下側に湾曲している。言い換えると、中層ＭＬは、下層ＵＬの形状に沿って下側に窪んでいる。上層ＬＬは、例えば、中層ＭＬの形状に沿って下側に湾曲している。言い換えると、上層ＬＬは、中層ＭＬの形状に沿って下側に窪んでいる。バンク１２１２の凹部ＲＥに位置する下層ＵＬの部分は、メタル配線ＭＷ１２から距離ＴＨ４で離れている。距離ＴＨ４は、距離ＴＨ３よりも小さい。補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、メタル配線ＭＷ１２との間に容量Ｃｓ４を形成する。容量Ｃｓ４は、容量Ｃｓ１よりも大きい。

そのため、変形例２に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。加えて、変形例２の表示装置ＤＳＰは、実施形態の表示装置ＤＳＰよりも大容量化することが可能である。

（変形例３）
変形例３の表示装置ＤＳＰは、メタル配線ＭＷ１２の構成が変形例２に係る表示装置ＤＳＰと相違する。
図７は、変形例３に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。図７に示す表示装置ＤＳＰは、図６に示す表示装置ＤＳＰに対応している。なお、図７には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。

図７に示した例では、メタル配線ＭＷ１２は、幅Ｗ４を有している。幅Ｗ４は、例えば、幅Ｗ１よりも小さい。メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１から第１方向ＸにギャップＧＰ３で離れ、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２から第１方向ＸにギャップＧＰ３で離れている。ギャップＧＰ３は、ギャップＧ２よりも大きい。なお、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１と下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２とからそれぞれ異なるギャップで離れていてもよい。
図７に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、メタル配線ＭＷ１２との間に容量Ｃｓ１を形成する。

そのため、変形例３に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。加えて、変形例３の表示装置ＤＳＰのメタル配線ＭＷ１２の幅は、実施形態、変形例１、及び変形例２の表示装置ＤＳＰのメタル配線ＭＷ１２の幅よりも小さくすることができる。

（変形例４）
変形例４の表示装置ＤＳＰは、バンク１２１２の構成が前述した実施形態及び変形例の表示装置ＤＳＰと相違する。
図８は、変形例４に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。なお、図８には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。

表示装置ＤＳＰは、基材１０と、絶縁層１１と、下部電極Ｅ１（E１１及びＥ１２）と、メタル配線ＭＷ（ＭＷ１２）と、絶縁層１２（１２１２）と、有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２、及びＯＲ３）と、上部電極Ｅ２（Ｅ２１、Ｅ２２、及びＥ２３）と、を備えている。

図８に示した例では、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１と下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２とは、第１方向Ｘおいてギャップ（又は間隔）ＧＰ４を置いて配置されている。ギャップＧＰ４は、ギャップＧＰ１と同じであってもよいし、ギャップＧＰ１よりも大きくてもよいし、ギャップＧＰ１よりも小さくてもよい。

図８に示した例では、メタル配線ＭＷ１２は、幅Ｗ５を有している。幅Ｗ５は、幅Ｗ１又はＷ４と同じであってもよいし、幅Ｗ１又はＷ４よりも大きくてもよいし、幅Ｗ１又はＷ４よりも小さくてもよい。メタル配線ＭＷ１２は、第１方向Ｘにおいて下部電極Ｅ１１及びＥ１２のギャップＧＰ４の中心部に配置されている。メタル配線ＭＷ１２は、例えば、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１から第１方向ＸにギャップＧＰ５で離れ、下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２から第１方向ＸにギャップＧＰ５で離れている。ギャップＧＰ５は、ギャップＧＰ２又はギャップＧＰ３と同じであってもよいし、ギャップＧＰ２又はギャップＧＰ３よりも大きくてもよいし、ギャップＧＰ２又はギャップＧＰ３よりも小さくてもよい。なお、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１及びＥ１２の間のギャップＧＰ４の中心部からずれて配置されていてもよい。また、メタル配線ＭＷ１２は、下部電極Ｅ１１の端部Ｅｇ１１と下部電極Ｅ１２の端部Ｅｇ２２とからそれぞれ異なるギャップで離れていてもよい。

図８に示した例では、バンク１２１２は、トレンチ（窪み又は凹部）Ｔ１２と、表面ＳＦ（ＳＦ１及びＳＦ２）と、を有している。トレンチＴ１２は、下部電極Ｅ１１及び下部電極Ｅ１２の間に配置されている。トレンチＴ１２は、例えば、下部電極Ｅ１（Ｅ１１及びＥ１２）に重畳していない。トレンチＴ１２は、メタル配線ＭＷ１２に重畳している。表面ＳＦは、表面ＳＦ１及び表面ＳＦ２を有している。表面ＳＦ１は、トレンチＴ１２と開口部ＯＰ１との間に位置している。表面ＳＦ２は、トレンチＴ１２と開口部ＯＰ２との間に位置している。絶縁層１２は、厚さＴＨ１を有している。

トレンチＴ１２は、底面（底部）ＢＳと、底面ＢＳから立ち上がった側面ＳＳ（ＳＳ１及びＳＳ２）と、を有している。図８に示した例では、側面ＳＳは、側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２を有している。側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２は、第１方向Ｘにおいて間隔を置いて対向している。側面ＳＳ１は、表面ＳＦ１に繋がっている。側面ＳＳ２は、表面ＳＦ２に繋がっている。トレンチＴ１２は、側面ＳＳ１、側面ＳＳ２、及び、底面ＢＳによって囲まれた空間に相当する。トレンチＴ１２は、深さＤＰを有している。深さＤＰは、例えば、０．５～１．０μｍである。

トレンチＴ１２は、その上部ＵＰにおいて、側面ＳＳ１と側面ＳＳ２との間のギャップ（又は間隔）ＧＰ６を有し、底面ＢＳにおいて、側面ＳＳ１と側面ＳＳ２との間のギャップ（又は間隔）ＧＰ７を有している。ギャップＧＰ６は、ギャップＧＰ７よりも小さい。つまり、トレンチＴ１２は、底面ＢＳから上部ＵＰに向かうほど、第１方向Ｘに沿った幅が小さくなるように形成されている。言い換えると、側面ＳＳ１は、底面ＢＳと重なるように底面ＢＳの法線方向に対して傾斜している。同様に、側面ＳＳ２は、底面ＢＳと重なるように底面ＢＳの法線方向に対して傾斜している。ギャップＧＰ６は、例えば、幅Ｗ５よりも大きい。なお、ギャップＧＰ６は、幅Ｗ５と同じであってもよいし、幅Ｗ５よりも小さくてもよい。

図８に示した例では、有機層ＯＲ１は、開口部ＯＰ１に位置する下部電極Ｅ１１と、表面ＳＦ１と、を覆っている。有機層ＯＲ２は、開口部ＯＰ２に位置する下部電極Ｅ１２と、表面ＳＦ２と、を覆っている。有機層ＯＲ３は、トレンチＴ１２内に配置されている。有機層ＯＲ３は、トレンチＴ１２の底面ＢＳの上に配置されている。有機層ＯＲ３は、有機層ＯＲ１及び有機層ＯＲ２から離れている。なお、有機層ＯＲ３と底面ＢＳとの間には、他の層が配置されていてもよい。

図８に示した例では、上部電極Ｅ２は、上部電極Ｅ２１及びＥ２２を有している。上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１の上からトレンチＴ１２の内部に亘って配置されている。上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２の上からトレンチＴ１２の内部に亘って配置されている。上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、トレンチＴ１２の内部において連続して配置されている。言い換えると、上部電極Ｅ２１と上部電極Ｅ２２とは、トレンチＴ１２の内部で接続されている。上部電極Ｅ２（Ｅ２１及び／又はＥ２２）は、トレンチＴ１２の内部において、有機層ＯＲ３を覆い、底面ＢＳに接している。また、上部電極Ｅ２（Ｅ２１及び／又はＥ２２）は、トレンチＴ１２の内部において、側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２に接している。メタル配線ＭＷ１２に重畳（又は対向）する上部電極Ｅ２（Ｅ２１及び／又はＥ２２）は、メタル配線ＭＷ１２から距離ＴＨ５で離れている。言い換えると、有機層ＯＲ３の上に配置された上部電極Ｅ２（Ｅ２１及び／Ｅ２２）は、メタル配線ＭＷ１２から距離ＴＨ５で離れている。距離ＴＨ５は、例えば、距離ＴＨ３及びＴＨ４よりも小さい。なお、距離ＴＨ５は、距離ＴＨ３以下、且つ距離ＴＨ４以上であってもよい。上部電極Ｅ２（Ｅ３１及び／又はＥ２２）は、絶縁層（バンク）１２１２及び有機層ＯＲ３を介してメタル配線ＭＷ１２との間に容量Ｃｓ５を形成する。容量Ｃｓ５は、容量Ｃｓ１よりも大きい。また、容量Ｃｓ５は、容量Ｃｓ４よりも大きくてもよいし、容量Ｃｓ４以下であってもよい。なお、容量Ｃｓ５は、容量Ｃｓ１以下であってもよい。

図８に示した例では、有機層ＯＲ３は、絶縁層１２と上部電極Ｅ２（Ｅ２１及び／又はＥ２２）との間に位置し、しかも、有機層ＯＲ１及び有機層ＯＲ２から完全に分離されているため、発光しない又はほとんど発光しない。また、有機層ＯＲ１の内、表面ＳＦ１を覆う領域は、絶縁層１２と上部電極Ｅ２との間に位置しているため、ほとんど発光しない。同様に、有機層ＯＲ２の内、表面ＳＦ２を覆う領域は、絶縁層１２と上部電極Ｅ２との間に位置しているため、ほとんど発光しない。

有機層ＯＲは、例えば、真空蒸着法によって形成される。開口部ＯＰ１、開口部ＯＰ２、及び、トレンチＴ１２を有する絶縁層１２を形成した後に、有機層ＯＲを形成するための有機材料を蒸着する。側面ＳＳ１が底面ＢＳと重なるように傾斜しているため、側面ＳＳ１には有機層ＯＲがほとんど形成されない又は形成されない。これにより、有機層ＯＲは、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ３とが分離して形成される。同様に、側面ＳＳ２が底面ＢＳと重なるように傾斜しているため、側面ＳＳ２には有機層ＯＲがほとんど形成されない又は形成されない。これにより、有機層ＯＲは、有機層ＯＲ２と有機層ＯＲ３とが分離して形成される。また、底面ＢＳのうち、側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２と第３方向Ｚに重なる領域には、有機層ＯＲがほとんど形成されない又は形成されない。なお、上部電極Ｅ２は、スパッタによって形成されるため、有機層ＯＲの上、底面ＢＳ、側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２に連続して形成される。

そのため、変形例４に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。加えて、変形例４の表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例の表示装置ＤＳＰよりも大容量化することが可能である。

（変形例５）
変形例５の表示装置ＤＳＰは、補助配線ＣＡＷを有している点が変形例４に係る表示装置ＤＳＰと相違する。
図９は、変形例５に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。図９に示す表示装置ＤＳＰは、図８に示す表示装置ＤＳＰに対応している。なお、図９には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。

図９に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２は、トレンチＴ１２の底面ＢＳに位置している。言い換えると、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、トレンチＴ１２の底面ＢＳの上に位置している。補助配線ＣＡＷ１２の幅は、例えば、ギャップＧＰ６以下である。補助配線ＣＡＷ１２の幅は、例えば、幅Ｗ５と同じである。なお、補助配線ＣＡＷ１２の幅は、例えば、幅Ｗ５よりも大きくてもよいし、幅Ｗ５よりも小さくてもよい。補助配線ＣＡＷ１２の厚さは、例えば、トレンチＴ１２の深さＤＰよりも小さい。言い換えると、トレンチＴ１２の深さＤＰは、補助配線ＣＡＷ１２の厚さよりも大きい。図９に示した例では、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、メタル配線ＭＷ１２から距離ＴＨ６で離れている。距離ＴＨ６は、例えば、距離ＴＨ５よりも小さい。補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬは、メタル配線ＭＷ１２との間に容量Ｃｓ６を形成する。容量Ｃｓ６は、例えば、容量Ｃｓ５よりも大きい。なお、容量Ｃｓ６は、容量Ｃｓ５以下であってもよい。有機層ＯＲ３は，トレンチ内において、補助配線ＣＡＷ１２を覆い、一部がトレンチＴ１２の底面ＢＳに位置している。
そのため、変形例５に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。

（変形例６）
変形例６の表示装置ＤＳＰは、メタル配線ＭＷの配置が前述した実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１０は、変形例６に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。なお、図１０には、表示装置ＤＳＰの主要部のみを図示している。

図１０に示した例では、絶縁層１１は、絶縁層１１１と、絶縁層１１２とを含んでいる。絶縁層１１２は、絶縁層１１１の上に配置されている。絶縁層１１２は、表示素子２０の下地層に相当する。図１０に示した例では、絶縁層１１２は、表示素子２０Ａ及び２０Ｂの下地層に相当する。

図１０に示した例では、下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、絶縁層１１２の上に配置されている。図１０に示した例では、メタル配線ＭＷ１２は、絶縁層１１１の上に配置され、絶縁層１１２で覆われている。言い換えると、メタル配線ＭＷ１２は、絶縁層１１１及び１１２の間に配置されている。メタル配線ＭＷ１２は、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬから距離ＴＨ７で離れている。距離ＴＨ７は、距離ＴＨ３よりも大きい。メタル配線ＭＷ１２は、補助配線ＣＡＷ１２の下層ＵＬとの間に容量Ｃｓ７を形成する。容量Ｃｓ７は、例えば、容量Ｃｓ１よりも小さい。なお、メタル配線ＭＷ１２は、絶縁層１１１及び１１２の間以外に配置されていてもよい。例えば、メタル配線ＭＷ１２は、基材１０及び絶縁層１１の間に配置されていてもよい。
そのため、変形例６に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。

（変形例７）
変形例７の表示装置ＤＳＰは、メタル配線ＭＷの構成が前述した実施形態及び変形例の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１１は、変形例７に係るメタル配線ＭＷの構成例を示す平面図である。図７に示す構成は、図２に示す構成に対応している。図１１には、説明に必要な構成のみを示している。

図１１に示した例では、メタル配線ＭＷ１１乃至ＭＷ１４とメタル配線ＭＷ２１及びＭＷ２２とは、それぞれ、分断されている。言い換えると、メタル配線ＭＷ１１乃至ＭＷ１４とメタル配線ＭＷ２１及びＭＷ２２とは、それぞれ、間隔を置いて配置された複数のメタル配線を含む。
そのため、変形例７に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。

（変形例８）
変形例８の表示装置ＤＳＰは、画素ＰＸの構成が前述した実施形態及び変形例の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１２は、変形例８に係る画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図１２には、説明に必要な構成のみを示している。
図１２に示した例では、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ４、ＳＰ５、及びＳＰ６を備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ４、緑色の副画素ＳＰ５、及び、青色の副画素ＳＰ６を備えている。

図１２に示した例では、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２（１２１５、１２１６、１２１７、１２２３、１２２４、及び１２２５）、下部電極Ｅ１（Ｅ１４、Ｅ１５、及びＥ１６）、及び補助配線ＣＡＷ（ＣＡＷ１５、ＣＡＷ１６、及びＣＡＷ１７）等を備えている。

図１２に示した例では、下部電極Ｅ１は、下部電極Ｅ１４、Ｅ１５、及びＥ１６を有している。下部電極Ｅ１４は、副画素ＳＰ４に配置されている。下部電極Ｅ１５は、副画素ＳＰ５に配置されている。下部電極Ｅ１６は、副画素ＳＰ６に配置されている。下部電極Ｅ１４及びＥ１５は、第２方向Ｙに並んでいる。下部電極Ｅ１４及びＥ１５と下部電極Ｅ１６とは、第１方向Ｘに並んでいる。

図１２に示した例では、絶縁層１２は、絶縁層（バンク）１２１５、１２１６、１２１７、１２２３、１２２４、及び１２２５を有している。絶縁層１２１５、１２１６、及び１２１７は、第２方向Ｙに延出している。絶縁層１２１５乃至１２１７は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、絶縁層１２１５、１２１６、及び１２１７は、第１方向Ｘの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。絶縁層１２２３、１２２４、及び１２２５は、第１方向Ｘに延出している。絶縁層１２２５は、絶縁層１２２３及び１２２４よりも短い。例えば、絶縁層１２２５の長さは、絶縁層１２１５及び１２１６の第１方向Ｘの間隔に相当する。絶縁層１２２３乃至１２２５は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。例えば、絶縁層１２２３、１２２５、及び１２２４は、第２方向Ｙの矢印の先端側に向かって記載の順番に並んでいる。絶縁層１２１５乃至１２１７と絶縁層１２２３及び１２２４とは、それぞれ、交差している。絶縁層１２１５及び１２１６と絶縁層１２２５とは、交差している。

図１２に示した例では、絶縁層１２は、下部電極Ｅ１４に重畳する開口部ＯＰ４と、下部電極Ｅ１５に重畳する開口部ＯＰ５と、下部電極Ｅ１６に重畳する開口部ＯＰ６と、を有している。開口部ＯＰ４は、絶縁層１２１５及び１２１６と絶縁層１２２３及び１２２５とで囲まれた領域に相当する。つまり、開口部ＯＰ４に重畳する下部電極Ｅ１４の中央部は、絶縁層１２から露出している。開口部ＯＰ５は、絶縁層１２１５及び１２１６と絶縁層１２２５及び１２２４とで囲まれた領域に相当する。つまり、開口部ＯＰ５に重畳する下部電極Ｅ１５の中央部は、絶縁層１２から露出している。開口部ＯＰ６は、絶縁層１２１６及び１２１７と絶縁層１２２３及び１２２４とで囲まれた領域に相当する。つまり、開口部ＯＰ６に重畳する下部電極Ｅ１６の中央部は、絶縁層１２から露出している。

図１２に示した例では、絶縁層１２２３は、第２方向Ｙの矢印の先端側と反対側の下部電極Ｅ１４の端部、及び第２方向Ｙの矢印の先端側と反対側の下部電極Ｅ１６の端部に重畳している。絶縁層１２２４は、第２方向Ｙの矢印の先端側の下部電極Ｅ１５の端部、及び第２方向Ｙの矢印の先端側の下部電極Ｅ１６の端部に重畳している。絶縁層１２２５は、第２方向Ｙの矢印の先端側の下部電極Ｅ１４の端部、及び第２方向Ｙの矢印の先端側と反対側の下部電極Ｅ１５の端部に重畳している。絶縁層１２１５は、第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の下部電極Ｅ１４の端部、及び第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の下部電極Ｅ１５の端部に重畳している。絶縁層１２１６は、第１方向Ｘの矢印の先端側の下部電極Ｅ１４の端部、第１方向Ｘの矢印の先端側の下部電極Ｅ１５の端部、及び第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側の下部電極Ｅ１６の端部に重畳している。絶縁層１２１７は、第１方向Ｘの矢印の先端側の下部電極Ｅ１６の端部に重畳している。

図１２に示した例では、補助配線ＣＡＷは、補助配線ＣＡＷ１５、ＣＡＷ１６、ＣＡＷ１７、ＣＡＷ２３、ＣＡＷ２４、及びＣＡＷ２５を有している。補助配線ＣＡＷ１５、ＣＡＷ１６、及びＣＡＷ１７は、第２方向Ｙに延出している。補助配線ＣＡＷ１５乃至ＣＡＷ１７は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、補助配線ＣＡＷ１５、ＣＡＷ１６、及びＣＡＷ１７は、第１方向Ｘの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。補助配線ＣＡＷ２３、ＣＡＷ２４、及びＣＡＷ２５は、第１方向Ｘに延出している。補助配線ＣＡＷ２５は、補助配線ＣＡＷ２３及びＣＡＷ２４よりも短い。例えば、補助配線ＣＡＷ２５の長さは、補助配線ＣＡＷ１５及び補助配線ＣＡＷ１６の第１方向Ｘの間隔に相当する。補助配線ＣＡＷ２３乃至ＣＡＷ２５は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。例えば、補助配線ＣＡＷ２３、ＣＡＷ２５、及びＣＡＷ２４は、第２方向Ｙの矢印の先端側に向かって記載の順番に並んでいる。補助配線ＣＡＷ１５乃至ＣＡＷ１７と補助配線ＣＡＷ２３及びＣＡＷ２４とは、それぞれ、交差している。補助配線ＣＡＷ１５及びＣＡＷ１６と補助配線ＣＡＷ２５とは、交差している。

補助配線ＣＡＷ１５は、絶縁層１２１５に重畳し、補助配線ＣＡＷ１６は、絶縁層１２１６に重畳し、補助配線ＣＡＷ１７は、絶縁層１２１７に重畳している。補助配線ＣＡＷ２３は、絶縁層１２２３に重畳し、補助配線ＣＡＷ２４は、絶縁層１２２４に重畳し、補助配線ＣＡＷ２５は、絶縁層１２２５に重畳している。補助配線ＣＡＷ１５乃至ＣＡＷ１７と補助配線ＣＡＷ２３乃至ＣＡＷ２５とは、下部電極Ｅ１に重畳していない。

ここで、副画素ＳＰ４は、第１方向Ｘに伸びた略長方形状に形成され、副画素ＳＰ５は、第２方向Ｙに伸びた略長方形状に形成され、副画素ＳＰ６は、第２方向Ｙに延びた略長方形状に形成されている。第１方向Ｘの副画素ＳＰ４の幅は、第１方向Ｘの副画素ＳＰ５の幅と同じである。第２方向Ｙの副画素ＳＰ６の幅は、第２方向Ｙの副画素ＳＰ４の幅と第２方向Ｙの副画素ＳＰ５の幅との合わせた幅とほぼ同じである。副画素ＳＰ４乃至ＳＰ６の各々の面積は、互いに異なっている。副画素ＳＰ５の面積は、副画素ＳＰ４の面積より大きく、副画素ＳＰ６の面積は、副画素ＳＰ５の面積よりも大きい。なお、副画素ＳＰ５の面積は、副画素ＳＰ４の面積と同じであってもよい。

図１３は、変形例８に係るメタル配線ＭＷの構成例を示す平面図である。図１３に示す構成は、図１２に示す構成に対応している。図１３には、説明に必要な構成のみを示している。
図１３に示した例では、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２（１２１５、１２１６、１２１７、１２２３、及び１２２４）、下部電極Ｅ１（Ｅ１４、Ｅ１５、及びＥ１６）、及びメタル配線ＭＷ（ＭＷ１５、ＭＷ１６、ＭＷ１７、ＭＷ２３、及びＭＷ２４）等を備えている。

図１３に示した例では、メタル配線ＭＷは、メタル配線ＭＷ１５、ＭＷ１６、ＭＷ１７、ＭＷ２３、ＭＷ２４、及びＭＷ２５を有している。メタル配線ＭＷ１５、ＭＷ１６、及びＭＷ１７は、第２方向Ｙに延出している。メタル配線ＭＷ１５乃至ＭＷ１７は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、メタル配線ＭＷ１５、ＭＷ１６、ＭＷ１７、及びＭＷ１８は、第１方向Ｘの矢印の先端側に向かって記載の順番で並んでいる。メタル配線ＭＷ２３、ＭＷ２４、及びＭＷ２５は、第１方向Ｘに延出している。メタル配線ＭＷ２５は、メタル配線ＭＷ２３及びＭＷ２４よりも短い。例えば、メタル配線ＭＷ２５の長さは、メタル配線ＭＷ１５及びメタル配線ＭＷ１６の第１方向Ｘの間隔に相当する。メタル配線ＭＷ２３乃至ＭＷ２５は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。例えば、メタル配線ＭＷ２３、ＭＷ２５、及びＭＷ２４は、第２方向Ｙの矢印の先端側に向かって記載の順番に並んでいる。メタル配線ＭＷ１５乃至ＭＷ１７とメタル配線ＭＷ２３及びＭＷ２４とは、それぞれ、交差している。メタル配線ＭＷ１５及びＭＷ１６とメタル配線ＭＷ２５とは、交差している。

図１３に示した例では、メタル配線ＭＷ１５は、絶縁層１２１５に重畳し、メタル配線ＭＷ１６は、絶縁層１２１６に重畳し、メタル配線ＭＷ１７は、絶縁層１２１７に重畳している。メタル配線ＭＷ２３は、絶縁層１２２３に重畳し、メタル配線ＭＷ２４は、絶縁層１２２４に重畳し、メタル配線ＭＷ２５は、絶縁層１２２５に重畳している。メタル配線ＭＷ１５乃至ＭＷ１７とメタル配線ＭＷ２３乃至ＭＷ２５とは、下部電極Ｅ１に重畳していない。

図１３に示した例では、メタル配線ＭＷ１５は、補助配線ＣＡＷ１５に重畳し、メタル配線ＭＷ１６は、補助配線ＣＡＷ１６に重畳し、メタル配線ＭＷ１７は、補助配線ＣＡＷ１７に重畳している。メタル配線ＭＷ２３は、補助配線ＣＡＷ２３に重畳し、メタル配線ＭＷ２４は、補助配線ＣＡＷ２４に重畳し、メタル配線ＭＷ２５は、補助配線ＣＡＷ２５に重畳している。
そのため、変形例８に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。

（変形例９）
変形例９の表示装置ＤＳＰは、画素ＰＸの構成が前述した実施形態及び変形例の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１４は、変形例９に係る画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図１４には、説明に必要な構成のみを示している。
図１４に示した例では、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにダイヤモンド配列で配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、例えば、隣接する複数の画素ＰＸで副画素ＳＰを共有するペンタイル画素に相当する。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ７、ＳＰ８、及びＳＰ９を備えている。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ７、緑色の副画素ＳＰ８、及び、赤色の副画素ＳＰ９を備えている。

図１４に示した例は、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１２、下部電極Ｅ１（Ｅ１７、Ｅ１８、及びＥ１９）、補助配線ＣＡＷ、及びメタル配線ＭＷ等を備えている。
図１４に示した例では、下部電極Ｅ１は、下部電極Ｅ１７、Ｅ１８、及びＥ１９を有している。下部電極Ｅ１７は、副画素ＳＰ７に配置されている。下部電極Ｅ１８は、副画素ＳＰ８に配置されている。下部電極Ｅ１９は、副画素ＳＰ９に配置されている。下部電極Ｅ１７乃至Ｅ１９は、平面視で三角形状に配置されている。下部電極Ｅ１７は、平面視で下部電極Ｅ１８に対して第１方向Ｘの矢印の先端側、且つ第２方向Ｙの矢印の先端側に配置されている。下部電極Ｅ１９は、平面視で下部電極Ｅ１８に対して第１方向Ｘの矢印の先端側と反対側、且つ第２方向Ｙの矢印の先端側に配置されている。下部電極Ｅ１７乃至Ｅ１９の形状は、異なる。なお、下部電極Ｅ１７乃至Ｅ１９の内の２つの下部電極Ｅ１の形状は、同じであってもよい。下部電極Ｅ１７乃至Ｅ１９の面積は、異なる。なお、下部電極Ｅ１７乃至Ｅ１９の内の２つの下部電極Ｅ１の面積は、同じであってもよい。

図１４に示した例では、絶縁層１２は、平面視で斜め格子状に形成されている。絶縁層１２は、下部電極Ｅ１７に重畳する開口部ＯＰ７と、下部電極Ｅ１８に重畳する開口部ＯＰ８と、下部電極Ｅ１９に重畳する開口部ＯＰ９とを有している。開口部ＯＰ７の中央部は、絶縁層１２から露出している。開口部ＯＰ８の中央部は、絶縁層１２から露出している。開口部ＯＰ９の中央部は、絶縁層１２から露出している。

図１４に示した例では、補助配線ＣＡＷは、平面視で絶縁層１２に重畳するように斜め格子状に配置されている。

図１４に示した例では、メタル配線ＭＷは、平面視で絶縁層１２に重畳するように斜め格子状に配置されている。言い換えると、メタル配線ＭＷは、平面視で補助配線ＣＡＷに重畳するように斜め格子状に配置されている。

ここで、副画素ＳＰ７の外形は、下部電極Ｅ１７の外形に相当する。例えば、副画素ＳＰ７の外形は、正方形状である。なお、副画素ＳＰ７の外形は、正方形状以外の形状であってもよい。副画素ＳＰ８の外形は、下部電極Ｅ１８の外形に相当する。例えば、副画素ＳＰ８の外形は、長方形形状である。なお、副画素ＳＰ８の外形は、長方形状以外の形状であってもよい。副画素ＳＰ９の外形は、下部電極Ｅ１９の外形に相当する。例えば、副画素ＳＰ９の外形は、正方形状である。なお、副画素ＳＰ９の外形は、正方形状以外の形状であってもよい。副画素ＳＰ７の面積は、副画素ＳＰ８及びＳＰ９の面積よりも大きい。副画素ＳＰ８の面積は、副画素ＳＰ９の面積以下である。なお、副画素ＳＰ８の面積は、副画素ＳＰ９の面積より大きくてもよい。
そのため、変形例８に係る表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例に係る表示装置ＤＳＰと同様の効果が得られる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置 １０…基材 １１、１２…絶縁層 ＭＷ…メタル配線 ＣＡＷ…補助配線 Ｔ１２…トレンチ ＳＦ…表面 ＳＳ…側面 ２０…表示素子 Ｅ１…下部電極 Ｅ２…上部電極 ＯＲ…有機層 ＦＬ…給電線。

Claims (17)

1. 基材と、
   前記基材の上に配置された第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、
   前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れ、前記第１下部電極と同じ材料で形成された第２下部電極と、
   前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、
   前記第１配線の上に配置された第２絶縁層と、
   前記第１下部電極の上に配置され、発光層を含む第１有機層と、
   前記第２下部電極の上に配置され、前記発光層を含む第２有機層と、
   前記第１有機層の上に配置された第１上部電極と、
   前記第２有機層の上に配置された第２上部電極と、
   前記第２絶縁層の上に配置され、前記第１配線と対向し、前記第１配線との間に容量を形成する第２配線と、を備える、表示装置。
2. 前記第１配線は、前記第１絶縁層の上に配置されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１配線、前記第１下部電極、及び前記第２下部電極は、同じ材料で形成されている、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記第１上部電極及び前記第２上部電極は、前記第２配線に接触している、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第２配線の上に配置され、前記第１有機層及び前記第２有機層から離れ、前記発光層を有する第３有機層と、
   前記第３有機層の上に配置され、前記第１上部電極及び前記第２上部電極から離れている、第３上部電極と、を備える、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第２配線は、低抵抗の金属配線で形成されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２絶縁層の断面は、半円状に形成され、
   前記第２配線は、前記第２絶縁層の形状に沿って湾曲して配置されている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第２絶縁層は、前記第１配線に対向する部分に凹部を有し、
   前記第２配線は、前記凹部内に配置されている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 基材と、
   前記基材の上に配置された第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、
   前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れている第２下部電極と、
   前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、
   前記第１配線の上に配置され、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と前記第２下部電極に重畳する第２開口部と前記第１下部電極及び前記第２下部電極の間に位置するトレンチと前記第１開口部及び前記トレンチの間の第１面と前記第１開口部及び前記トレンチの間の第２面とを有する、第２絶縁層と、
   前記第１下部電極から前記第１面に亘って配置され、発光層を含む第１有機層と、
   前記第２下部電極から前記第２面に亘って配置され、前記発光層を含む第２有機層と、
   前記トレンチ内に配置され、前記第１有機層及び前記第２有機層から離れ、前記発光層を含む第３有機層と、
   前記第１有機層、前記第２有機層、及び前記第３有機層を覆い、前記第１配線との間に容量を形成する上部電極と、を備え、
   前記トレンチは、底面と、前記底面から立ち上がり前記第１面に繋がる第１側面と、前記底面から立ち上がり前記第２面に繋がる第２側面とを有し、
   前記トレンチの上側における前記第１側面と前記第２側面との第１間隔は、前記トレンチの前記底面側における前記第１側面と前記第２側面との第２間隔よりも小さく、
   前記第３有機層は、前記底面の上に配置されている、表示装置。
10. 前記上部電極は、前記第１側面及び前記第２側面に接している、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１配線は、前記第１絶縁層の上に配置されている、請求項９又は１０に記載の表示装置。
12. 前記第１配線、前記第１下部電極及び前記第２下部電極は、同じ材料で形成されている、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 基材と、
    前記基材の上に配置された第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極と、
    前記第１絶縁層の上に配置され、前記第１下部電極から離れている第２下部電極と、
    前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置された第１配線と、
    前記第１配線の上に配置され、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と前記第２下部電極に重畳する第２開口部と前記第１下部電極及び前記第２下部電極の間に位置するトレンチと前記第１開口部及び前記トレンチの間の第１面と前記第１開口部及び前記トレンチの間の第２面とを有する、第２絶縁層と、
    前記トレンチ内に配置され、前記第１配線と対向し、前記第１配線との間に容量を形成する第２配線と、
    前記第１下部電極から前記第１面に亘って配置され、発光層を含む第１有機層と、
    前記第２下部電極から前記第２面に亘って配置され、前記発光層を含む第２有機層と、
    前記トレンチ内で前記第２配線を覆い、前記第１有機層及び前記第２有機層から離れ、前記発光層を含む第３有機層と、
    前記第１有機層、前記第２有機層、及び前記第３有機層を覆う上部電極と、を備え、
    前記トレンチは、底面と、前記底面から立ち上がり前記第１面に繋がる第１側面と、前記底面から立ち上がり前記第２面に繋がる第２側面とを有し、
    前記トレンチの上側における前記第１側面と前記第２側面との第１間隔は、前記トレンチの前記底面側における前記第１側面と前記第２側面との第２間隔よりも小さく、
    前記第２配線は、前記底面の上に配置されている、表示装置。
14. 前記上部電極は、前記第１側面及び前記第２側面に接している、請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第１配線は、前記第１絶縁層の上に配置されている、請求項１３又は１４に記載の表示装置。
16. 前記第１配線、前記第１下部電極、及び前記第２下部電極は、同じ材料で形成されている、請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置。
17. 前記第２配線は、低抵抗の金属配線で形成されている、請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載の表示装置。

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