JP2009519604A - 改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオード - Google Patents
改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009519604A JP2009519604A JP2008545477A JP2008545477A JP2009519604A JP 2009519604 A JP2009519604 A JP 2009519604A JP 2008545477 A JP2008545477 A JP 2008545477A JP 2008545477 A JP2008545477 A JP 2008545477A JP 2009519604 A JP2009519604 A JP 2009519604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor layer
- transparent electrode
- electrode structure
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオードが開示される。この発光ダイオードは、単一基板上に形成された複数個の発光セルを含み、各発光セルは、第１の導電型半導体層、第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、および第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を含む。透明電極構造体が、各発光セル上に位置する。この透明電極構造体は、互いに分離された少なくとも二つの部分を含み、または、中心部分と、前記中心部分から両側に延長された分岐とを含む。一方、配線が、発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結する。これにより、複数個の発光セルを電気的に連結し、交流電源下で駆動可能な発光ダイオードを提供することができ、改善された透明電極構造体を採用し、局部的な電流密度の増加を防ぐことができる交流駆動型発光ダイオードを提供することができる。
Description
本発明は、交流駆動型発光ダイオードに関し、特に、改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオードに関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光ダイオードが、約１０年間適用されてきている。ＧａＮ系ＬＥＤは、ＬＥＤ技術を相当程度変化させており、現在、天然色ＬＥＤ表示素子、ＬＥＤ交通信号機、白色ＬＥＤ等、様々な応用に用いられている。最近、高効率白色ＬＥＤは、蛍光ランプを代替するものと期待されており、特に、白色ＬＥＤの効率は、通常の蛍光ランプの効率とほぼ同水準に達している。
一般に、発光ダイオードは、順方向電流により光を放出し、直流電流の供給を必要とする。したがって、発光ダイオードは、交流電源に直接連結して使用する場合、電流の方向によりオン／オフを繰り返し、その結果、連続的に光を放出せず、逆方向電流により破損しやすいという問題点があった。
このような発光ダイオードの問題点を解決して、高電圧交流電源に直接連結して使用可能な発光ダイオードが、国際公開番号ＷＯ２００４／０２３５６８（Ａ１）号に「発光成分を有する発光素子」（LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS）という題目で、サカイ等（Sakai et. al.）により開示されたことがある。
図１は、前記ＷＯ２００４／０２３５６８（Ａ１）号による交流駆動型発光ダイオードを説明するための部分的な平面図であり、図２は、図１のＩＶ−ＩＶ線による断面図である。
図１および図２を参照すると、基板１０上に複数個の発光セル１が形成される。また、前記発光セル１上にｐ-電極２２およびｎ-電極２４が形成される。エアブリッジ配線２８が、隣接した発光セルのｐ-電極２２とｎ-電極２４を電気的に連結し、複数個の発光セル１を直列連結する。
各発光セルは、ｎ-ＧａＮ層１４、ｐ-ＧａＮ層２０を含む。図示してはいないが、ｎ-ＧａＮ層１４とｐ-ＧａＮ層２０との間にＩｎＧａＮ活性層が介在されてもよい。ｐ-電極２２は、前記ｐ-ＧａＮ層２０上に形成され、ｎ-電極２４は、前記ｎ-ＧａＮ層１４上に形成される。一方、エアブリッジ配線２８は、ｎ-電極２４とｐ-電極２２を電気的に連結する。
前記国際公開番号ＷＯ２００４／０２３５６８（Ａ１）号によると、ＬＥＤ（発光セル）がサファイア基板のような絶縁性基板上に二次元的に直列連結され、ＬＥＤアレイを形成する。このような二つのＬＥＤアレイが、前記サファイア基板上にて逆並列で連結される。その結果、交流電源により駆動される単一チップ発光素子が提供される。
しかしながら、図１に示すように、ｐ-電極２２とｎ-電極２４をエアブリッジ配線２８で連結した場合、エアブリッジ配線２８を通じて流入する順方向電流がｐ-電極２２の一部領域に局部的に集中する。したがって、ｐ-電極２２の一部領域で電流密度が増加し、その他の領域では、電流密度が相対的に低くなる。このような局部的な電流密度の増加は、活性層の発光領域を制限するのみならず、過度な電流密度により、ｐ-電極２２が剥がれる現象（ピーリング）を引き起こすことがあり得る。また、局部的な電流密度の増加は、その領域内の接合部温度を増加させ、発光効率を減少させることがあり得る。このような問題点は、高出力を得るために電流を増加させる場合、さらに顕著となる。したがって、ｐ-電極２２内で局部的に電流が集中することを防ぎ、ｐ-電極の全体に均一に電流を分散させることができる発光ダイオードが要求される。
本発明が解決しようとする技術的課題は、発光セル内で局部的に電流が集中することを防止または緩和し、電流を均一に分散させることができる交流駆動型発光ダイオードを提供することにある。
上述した技術的課題を達成するために、本発明の一態様は、単一基板上に形成された複数個の発光セルを含む。前記発光セルのそれぞれは、第１の導電型半導体層、前記第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、および前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を含む。一方、透明電極構造体が、前記各発光セル上に位置する。前記透明電極構造体は、互いに分離された少なくとも二つの部分を含む。これに加えて、配線が、前記発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結する。前記配線は、前記隣接した発光セルの一方の発光セル上に位置する前記透明電極構造体の少なくとも二つの部分を、それぞれ他方の発光セルの第１の導電型半導体層に電気的に連結する。
本発明の一態様によると、透明電極構造体の互いに分離された部分と隣接した第１の導電型半導体層をそれぞれ連結することにより、前記透明電極構造体を流れる電流を分散させることができ、局部的な電流密度の増加を防ぐことができる。
前記透明電極構造体の少なくとも二つの部分のそれぞれは、前記発光セル間において、電流の流れ方向に長い形状を有してもよい。これにより、前記透明電極構造体を流れる電流が各部分内でも均一に分散される。
一方、ｎ型電極が、前記各発光セルの第１の導電型半導体層の他の領域上に形成され、ｐ型電極パッドが、前記各発光セル上の前記透明電極構造体の少なくとも二つの部分のそれぞれに形成されて位置してもよい。この際、前記配線は、前記ｎ型電極と前記ｐ型電極パッドを電気的に連結する。
上述した技術的課題を達成するために、本発明の他の態様による交流駆動型発光ダイオードは、前記透明電極構造体を変形したものである。すなわち、本発明の他の態様において、透明電極構造体は、前記各発光セル上に位置するが、中心部分と、前記中心部分から両側に延長された分岐とを含む。これにより、中心部分に沿って流れる電流が分岐の端にも流れるようになり、電流を均一に分散させることができる。
一方、配線は、前記発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結するが、前記隣接した発光セルの一方の発光セル上に位置する前記透明電極構造体を、他方の発光セルの第１の導電型半導体層にそれぞれ電気的に連結する。
これに加えて、前記中心部分は、前記発光セル間において、電流の流れ方向に長い形状を有してもよい。また、前記分岐は、前記電流の流れ方向に垂直に延長される。これにより、前記中心部分内でも、電流が局部的に集中することを防ぐことができる。
また、ｎ型電極が、前記各発光セルの第１の導電型半導体層の他の領域上に形成され、ｐ型電極パッドが、前記各発光セル上の前記透明電極構造体の中心部分に形成されて位置してもよい。この際、前記配線のそれぞれは、前記ｎ型電極と前記ｐ型電極パッドを電気的に連結する。
本発明の実施例によると、発光セル内で局部的に電流が集中することを防止または緩和し、電流を均一に分散させることができる交流駆動型発光ダイオードを提供することができる。これにより、局部的に集中する過度な電流により、ｐ-電極が剥がれる現象（ピーリング）を防ぐことができ、発光セルの全領域に均一に電流を分散させ、発光効率が改善される。また、電流を均一に分散させることができるので、従来の技術に比べて、電流をさらに増加させ、高出力が得られる交流駆動型発光ダイオードを提供することができる。
以下、添付した図面に基づき、本発明の実施例について詳述する。以下に紹介される実施例は、本発明の思想を当業者に充分伝達するために、例として提供されるものである。したがって、本発明は、後述する実施例に限定されず、他の形態に具体化され得る。なお、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、便宜のために誇張して表現されることもある。明細書の全体にわたって、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
図３は、本発明の一実施例による交流駆動型発光ダイオードを説明するための平面図であり、図４は、図３のＩ−Ｉ’線による断面図である。
図３および図４を参照すると、単一基板５０上に複数個の発光セル５７が位置する。前記基板５０は、絶縁または導電性基板であってもよい。
図３および図４を参照すると、単一基板５０上に複数個の発光セル５７が位置する。前記基板５０は、絶縁または導電性基板であってもよい。
前記発光セル５７のそれぞれは、第１の導電型半導体層５４、前記第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層６０、および前記第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層５６を含む。ここで、前記第１の導電型および第２の導電型は、それぞれｎ型およびｐ型、またはｐ型およびｎ型である。
第１の導電型半導体層５４、活性層５６、および第２の導電型半導体層６０は、それぞれ窒化ガリウム系半導体物質、すなわち、（Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎで形成されてもよい。前記活性層５６は、要求される波長の光、例えば紫外線または青色光を放出するように、組成元素および組成比が決定され、第１の導電型半導体層５４および第２の導電型半導体層６０は、前記活性層５６に比べてバンドギャップの大きい物質で形成される。
前記第１の導電型半導体層５４および／または第２の導電型半導体層６０は、図示のように、単一層で形成されてもよいが、多層構造で形成されてもよい。また、活性層５６は、単一量子井戸または多重量子井戸構造を有してもよい。
一方、前記発光セル５７と前記基板５０との間にバッファ層５２が介在されてもよい。バッファ層５２は、基板５０と、その上に形成される第１の導電型半導体層５４との格子不整合を緩和させるために採用される。
前記第１の導電型半導体層５４の他の領域、すなわち、第２の導電型半導体層６０が形成された領域に隣接する領域上にｎ型電極６４が形成されてもよい。前記ｎ型電極６４は、第１の導電型半導体層５４にオーム接触される。一方、第２の導電型半導体層２９上に透明電極構造体６２が位置する。前記透明電極構造体６２は、第２の導電型半導体層６０にオーム接触され、活性層５６から放出された光を透過させる。
前記透明電極構造体６２は、図１に示すように、分離された少なくとも二つの部分を含む。前記部分のそれぞれは、発光セル５７を動作させるために、電流の流れ方向、すなわち、ｘ方向に長い形状を有することが好ましい。
一方、前記各部分上にｐ型電極パッド６６が形成されてもよい。前記ｐ型電極パッド６６は、前記透明電極６２を貫通し、第２の導電型半導体層６０に接触してもよく、この場合、前記ｐ型電極パッド６６と第２の導電型半導体層６０の接触抵抗が大きいことが好ましい。
配線６８が、図示のように、隣接した発光セルの第１の導電型半導体層５４と透明電極構造体６２を電気的に連結する。前記配線は、伝導性物質、例えば、金属で形成される。配線６８は、前記透明電極構造体６２の少なくとも二つの部分のそれぞれを、隣接した発光セルの第１の導電型半導体層５４に電気的に連結する。一方、ｎ型電極６４およびｐ型電極パッド６６が形成された場合、前記配線６８は、第１の導電型半導体層５４上に形成されたｎ型電極６４と、前記透明電極構造体６２の各部分に形成されたｐ型電極パッド６６を、それぞれ電気的に連結してもよい。
前記配線６８は、発光セル５７を直列連結し、発光セルの直列アレイを形成する。このようなアレイが複数個形成されてもよく、複数個のアレイが互いに逆並列で連結され、交流電源に連結されてもよい。また、発光セルの直列アレイに連結されたブリッジ整流器（図示せず）が形成されてもよく、前記ブリッジ整流器により、前記発光セルが交流電源下で駆動されてもよい。
本実施例によると、透明電極構造体６２が、分離された少なくとも二つの部分を含むので、配線６８を通じて透明電極構造体６２に流入する電流は、分離された各部分に分散される。したがって、従来の単一電極（図１の２２）に比べて、一部領域に電流が集中することを防ぐことができる。また、前記各部分が、電流の流れ方向、すなわち、ｘ方向に長い形状を有するので、前記各部分内でも、電流が一部領域に集中することを防ぐことができる。
図５乃至図７は、本発明の一実施例による交流駆動型発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図である。
図５を参照すると、基板５０上に、第１の導電型半導体層５４、活性層５６、および第２の導電型半導体層６０を形成する。また、前記第１の導電型半導体層５４を形成する前、前記基板５０上にバッファ層５２を形成してもよい。
図５を参照すると、基板５０上に、第１の導電型半導体層５４、活性層５６、および第２の導電型半導体層６０を形成する。また、前記第１の導電型半導体層５４を形成する前、前記基板５０上にバッファ層５２を形成してもよい。
前記基板５０は、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、リチウム-アルミナ（ＬｉＡｌ2Ｏ3）、窒化ホウ素（ＢＮ)、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、または窒化ガリウム（ＧａＮ）基板であってもよいが、これに限定されるものではなく、基板２１上に形成される半導体層の物質により多様に選択され得る。窒化ガリウム系半導体層を形成する場合、前記基板５０は、サファイアまたは炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板が主に用いられている。
バッファ層５２は、基板５０と、その上に形成される半導体層５４との格子不整合を緩和するために形成され、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成されてもよい。前記基板５０が伝導性基板である場合、前記バッファ層５２は、絶縁層または半絶縁層で形成されることが好ましく、ＡｌＮまたは半絶縁ＧａＮで形成されてもよい。
第１の導電型半導体層５４、活性層５６、および第２の導電型半導体層６０は、それぞれ窒化ガリウム系半導体物質、すなわち、（Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎで形成されてもよい。前記活性層５６は、要求される波長の光を放出するように、組成元素および組成比が決定され、第１の導電型半導体層５４および第２の導電型半導体層６０は、前記活性層５６に比べてバンドギャップの大きい物質で形成される。前記第１および第２の導電型半導体層５４、６０および活性層５６は、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（molecular beam epitaxy）、またはハイドライド気相成長法（hydride vapor phase epitaxy；HVPE）等を用いて断続的または連続的に成長されてもよい。
ここで、前記第１の導電型および第２の導電型は、それぞれｎ型およびｐ型、またはｐ型およびｎ型であってもよい。窒化ガリウム系化合物半導体層において、ｎ型半導体層は、不純物としてシリコン（Ｓｉ）をドープして形成されてもよく、ｐ型半導体層は、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）をドープして形成されてもよい。
図６を参照すると、前記第２の導電型半導体層６０、活性層５６、および第１の導電型半導体層５４をパターニングし、互いに離隔した発光セル５７を形成する。この際、前記バッファ層５２も一緒にパターニングされてもよい。前記第１および第２の導電型半導体層５４、６０および活性層５６は、フォトリソグラフィーおよびエッチング工程を用いてパターニングされてもよい。
一方、第２の導電型半導体層６０および活性層５６は、図示のように、パターニングされた第１の導電型半導体層５４の一領域上に位置するようにパターニングされる。これにより、前記パターニングされた第１の導電型半導体層５４の一部領域が露出する。
図７を参照すると、前記パターニングされた第２の導電型半導体層６０上に透明電極構造体６２を形成する。透明電極構造体６２は、リフトオフ技術を用いて、図１に示すように、互いに分離された少なくとも二つの部分を有するように形成されてもよい。これとは異なり、電子ビーム蒸着(e-beam evaporation)法等の蒸着技術を用いて透明電極層を形成した後、これを、フォトリソグラフィーおよびエッチング工程を用いてパターニングし、少なくとも二つの部分を有する透明電極構造体６２を形成してもよい。前記透明電極構造体６２は、活性層５６から放出された光を透過させることができる電極物質であれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ／Ａｕまたはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）で形成されてもよい。
本実施例において、前記透明電極構造体６２は、発光セル５７を形成した後に形成されるものと説明しているが、これに限定されるものではなく、発光セル５７を分離する前に形成されてもよい。特に、電子ビーム蒸着法を用いて透明電極層を蒸着する場合、第２の導電型半導体層６０を成長させた後、前記発光セル５７を分離する前に、透明電極層を形成することが好ましい。以降、配線６８を形成する前に、所定の段階で透明電極層がパターニングされ、透明電極構造体６２が形成される。
前記透明電極構造体６２の一部領域上に、ｐ型電極パッド６６が形成されてもよい。ｐ型電極パッド６６は、リフトオフ技術を用いて形成されてもよい。一方、前記ｐ型電極パッド６６を形成する前に、前記透明電極構造体６２をパターニングし、前記第２の導電型半導体層６０を露出させる開口部（図示せず）を形成してもよい。その後、前記開口部およびその周辺にｐ型電極パッド６２を形成する。その結果、前記開口部を通じて、ｐ型電極パッド６６が第２の導電型半導体層６０に接触され得る。
一方、第１の導電型半導体層５４の他の領域上にｎ型電極６４が形成されてもよい。前記ｎ型電極６４もまた、リフトオフ技術を用いて形成されてもよく、前記ｐ型電極パッド６６と同時に形成されてもよい。前記ｐ型電極パッド６６および／またはｎ型電極６４は、Ｔｉ／Ａｕで形成されてもよい。
次いで、隣接した発光セル５７を電気的に連結する配線６８を形成する。前記配線は、前記ｎ型電極６４とｐ型電極パッド６６を連結することができ、これにより、図３および図４を参照して説明した発光ダイオードが形成される。
配線６８は、エアブリッジ工程を用いて形成されてもよく、図４は、エアブリッジ工程を用いて形成された配線を示している。前記配線６８はまた、ステップカバー工程を用いて形成されてもよい。
先ず、前記エアブリッジ工程の一例について簡単に説明する。図７に示すように、ｎ型電極６４およびｐ型電極パッド６６が形成された基板５０上に感光膜を形成した後、露光技術を用いて、ｎ型電極６４およびｐ型電極パッド６６を露出させる開口部を有する第１の感光膜パターンを形成する。その後、電子ビーム蒸着法等を用いて、金属物質層を薄く形成する。前記金属物質層は、開口部および感光膜パターンの上部の全面に形成される。次いで、前記感光膜パターン上に、連結しようとする隣接した発光セル間の領域および前記開口部内の前記金属物質層を露出させる第２の感光膜パターンを形成する。その後、金等をメッキ技術を用いて形成した後、前記第１および第２の感光膜パターンを全て除去する。その結果、隣接した発光セルのｎ型電極６４とｐ型電極パッド６６をそれぞれ連結する配線６８は残り、他の金属物質層および感光膜パターンは全て除去され、前記配線６８が、図示のように、ブリッジの形態で、前記発光セル５７を電気的に連結する。
一方、ステップカバー工程は、図７に示すように、ｎ型電極６４およびｐ型電極パッド６６を有する基板上に絶縁層を形成することを含む。その後、フォトリソグラフィーおよびエッチング工程を用いて、前記絶縁層をパターニングし、ｎ型電極６４およびｐ型電極パッド６６を露出させる開口部を形成する。次いで、電子ビーム蒸着法を用いて、前記開口部を満たし、前記絶縁層の上部を覆う金属層を形成する。その後、前記金属層を、フォトリソグラフィーおよびエッチング工程を用いてパターニングし、互いに隣接した発光セル５７を連結する配線５８を形成する。このような、ステップカバー工程は、様々な変形例が可能である。ステップカバー工程を用いると、配線６８が絶縁層により支持されるので、信頼性を増加させることができる。
前記配線６８は、図３に示すように、ｎ型電極６４上において互いに分離されるように形成されてもよいが、ｎ型電極６４上において互いに連結されてもよい。
図８は、本発明の他の実施例による交流駆動型発光ダイオードを説明するための平面図である。
図８は、本発明の他の実施例による交流駆動型発光ダイオードを説明するための平面図である。
本実施例による交流駆動型発光ダイオードは、図３を参照して説明した交流駆動型発光ダイオードと略同一の構成要素を有する。但し、本実施例による交流駆動型発光ダイオードは、透明電極構造体７２が三つの部分に分離されていることを示しており、ｎ型電極６４上において、配線７８が互いに連結されていることを示している。
前記透明電極構造体７２は、ｘ方向に沿って長い形状を有する部分に分離されてもよく、前記部分は、局部的な電流の集中を防止するために、多様な数に分離され得る。
一方、配線７８が、ｎ型電極６４上において互いに連結される場合、配線６８の接着力が改善され得るが、互いに分離されてもよい。
一方、配線７８が、ｎ型電極６４上において互いに連結される場合、配線６８の接着力が改善され得るが、互いに分離されてもよい。
図９は、本発明の他の実施例による交流駆動型発光ダイオードを説明するための平面図である。
図９を参照すると、本実施例による交流駆動型発光ダイオードは、図３を参照して説明した交流駆動型発光ダイオードと略同一の構成要素を有する。但し、透明電極構造体８２が、図３の透明電極構造体６２と異なり、これにより、配線８８が図３の配線６８と異なる。以下、前記差異点について説明する。
図９を参照すると、本実施例による交流駆動型発光ダイオードは、図３を参照して説明した交流駆動型発光ダイオードと略同一の構成要素を有する。但し、透明電極構造体８２が、図３の透明電極構造体６２と異なり、これにより、配線８８が図３の配線６８と異なる。以下、前記差異点について説明する。
前記透明電極構造体８２は、中心部分８２ａと、前記中心部分８２ａから両側に延長された分岐８２ｂとを含む。中心部分８２ａは、発光セル５７間において、電流の流れ方向、すなわち、ｘ方向に長い形状を有してもよい。また、分岐８２ｂは、電流の流れ方向に垂直な方向、すなわち、ｙ方向に延長される。
一方、配線８８が、隣接した発光セル５７を電気的に連結する。前記配線８８は、ｎ型電極６４と透明電極構造体８２を電気的に連結し、特に、前記透明電極構造体８２の中心部分８２ａとｎ型電極６４を連結することができる。
これにより、前記中心部分８２ａ内において電流が一部領域に集中することを防ぐことができ、分岐８２ｂを通じて発光セル領域に電流を分散させることができる。
Claims (6)
- 単一基板上に形成され、それぞれ、第１の導電型半導体層、前記第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、および前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を含む複数個の発光セルと、
前記各発光セル上に位置し、互いに分離された少なくとも二つの部分を含む透明電極構造体と、
前記発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結するが、前記隣接した発光セルの一方の発光セル上に位置する前記透明電極構造体の少なくとも二つの部分を、それぞれ他方の発光セルの第１の導電型半導体層に電気的に連結する配線と、
を備えることを特徴とする交流駆動型発光ダイオード。 - 前記透明電極構造体の少なくとも二つの部分のそれぞれは、前記発光セル間において、電流の流れ方向に長い形状を有することを特徴とする請求項１に記載の交流駆動型発光ダイオード。
- 前記各発光セルの第１の導電型半導体層の他の領域上に形成されたｎ型電極と、
前記各発光セル上の前記透明電極構造体の少なくとも二つの部分のそれぞれに形成されたｐ型電極パッドとをさらに備え、
前記配線は、前記ｎ型電極と前記ｐ型電極パッドを電気的に連結することを特徴とする請求項１に記載の交流駆動型発光ダイオード。 - 単一基板上に形成され、それぞれ、第１の導電型半導体層、前記第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、および前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を含む複数個の発光セルと、
前記各発光セル上に位置し、中心部分と、前記中心部分から両側に延長された分岐とを含む透明電極構造体と、
前記発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結するが、前記隣接した発光セルの一方の発光セル上に位置する前記透明電極構造体を、他方の発光セルの第１の導電型半導体層にそれぞれ電気的に連結する配線と、
を備えることを特徴とする交流駆動型発光ダイオード。 - 前記中心部分は、前記発光セル間において、電流の流れ方向に長い形状を有し、前記分岐は、前記電流の流れ方向に垂直に延長されたことを特徴とする請求項４に記載の交流駆動型発光ダイオード。
- 前記各発光セルの第１の導電型半導体層の他の領域上に形成されたｎ型電極と、
前記各発光セル上の前記透明電極構造体の中心部分に形成されたｐ型電極パッドとをさらに備え、
前記配線のそれぞれは、前記ｎ型電極と前記ｐ型電極パッドを電気的に連結することを特徴とする請求項４に記載の交流駆動型発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050124256A KR100652864B1 (ko) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 개선된 투명전극 구조체를 갖는 교류용 발광 다이오드 |
| KR10-2005-0124256 | 2005-12-16 | ||
| PCT/KR2006/005050 WO2007083884A1 (en) | 2005-12-16 | 2006-11-28 | Ac light emitting diode having improved transparent electrode structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009519604A true JP2009519604A (ja) | 2009-05-14 |
| JP5073675B2 JP5073675B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=37731748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008545477A Expired - Fee Related JP5073675B2 (ja) | 2005-12-16 | 2006-11-28 | 改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオード |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7994523B2 (ja) |
| JP (1) | JP5073675B2 (ja) |
| KR (1) | KR100652864B1 (ja) |
| CN (1) | CN100552995C (ja) |
| DE (2) | DE112006002883B4 (ja) |
| TW (1) | TWI367572B (ja) |
| WO (1) | WO2007083884A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012015480A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 光電素子 |
| JP2012243972A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 発光素子 |
| JP2021034652A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101396586B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2014-05-21 | 서울반도체 주식회사 | 하이브리드 발광 소자 |
| US8461613B2 (en) | 2008-05-27 | 2013-06-11 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
| JP2010205910A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| KR101138975B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전파 발광셀 및 반파 발광셀을 갖는 교류용 발광 다이오드 |
| US20110203656A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Nanoscale High-Aspect-Ratio Metallic Structure and Method of Manufacturing Same |
| JP5195798B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-05-15 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| WO2011126248A2 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
| CN102446948B (zh) * | 2010-10-12 | 2014-07-30 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| KR101040140B1 (ko) | 2010-11-03 | 2011-06-09 | (주)더리즈 | 반도체 발광 소자 어레이 및 그 제조방법 |
| CN102097562A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-06-15 | 金木子 | 交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管 |
| CN102903818A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-01-30 | 南通同方半导体有限公司 | 一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法 |
| KR101803014B1 (ko) | 2011-08-24 | 2017-12-01 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광다이오드 |
| KR101926360B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2018-12-07 | 삼성전자주식회사 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 |
| TWI549278B (zh) * | 2012-03-12 | 2016-09-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體元件 |
| CN103367384B (zh) * | 2012-03-30 | 2018-04-03 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管元件 |
| CN103594600B (zh) * | 2012-08-15 | 2018-05-15 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
| US9171826B2 (en) * | 2012-09-04 | 2015-10-27 | Micron Technology, Inc. | High voltage solid-state transducers and solid-state transducer arrays having electrical cross-connections and associated systems and methods |
| WO2016129873A2 (ko) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광소자 및 발광 다이오드 |
| KR102357188B1 (ko) | 2015-07-21 | 2022-01-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 |
| KR20200011187A (ko) * | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 아연 산화물층을 구비하는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| TWI700683B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
| CN114256390A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种led阵列芯片及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277806A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードアレイ |
| JP2002324915A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
| WO2004023568A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Nitride Semiconductors Co.,Ltd. | 複数の発光素子を有する発光装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223723A (en) * | 1990-10-19 | 1993-06-29 | At&T Bell Laboratories | Light emitting device |
| DE19517697A1 (de) * | 1995-05-13 | 1996-11-14 | Telefunken Microelectron | Strahlungsemittierende Diode |
| JP2868081B2 (ja) * | 1996-09-17 | 1999-03-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH118442A (ja) * | 1996-10-07 | 1999-01-12 | Canon Inc | 光半導体デバイス、それを用いた光通信システム及び方法 |
| JP3934730B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2007-06-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2000068555A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 照明システム |
| US6307218B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-10-23 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Electrode structures for light emitting devices |
| TW583774B (en) | 1999-12-01 | 2004-04-11 | Cree Inc | Scalable LED with improved current spreading structures |
| US6885035B2 (en) | 1999-12-22 | 2005-04-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-chip semiconductor LED assembly |
| KR100387099B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2003-06-12 | 광주과학기술원 | 질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2004014899A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Para Light Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップの直列構造 |
| JP4309106B2 (ja) | 2002-08-21 | 2009-08-05 | 士郎 酒井 | ＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法 |
| JP2004048067A (ja) | 2003-10-14 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光部品およびその製造方法 |
| TWI224876B (en) | 2003-12-23 | 2004-12-01 | Uni Light Technology Inc | Method for forming an LED device with a metallic substrate |
| US7615798B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-11-10 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device having an electrode made of a conductive oxide |
| DE102004021175B4 (de) * | 2004-04-30 | 2023-06-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung |
| TW200501464A (en) | 2004-08-31 | 2005-01-01 | Ind Tech Res Inst | LED chip structure with AC loop |
-
2005
- 2005-12-16 KR KR1020050124256A patent/KR100652864B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-11-28 JP JP2008545477A patent/JP5073675B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-28 DE DE112006002883T patent/DE112006002883B4/de active Active
- 2006-11-28 DE DE112006004103.7T patent/DE112006004103B4/de active Active
- 2006-11-28 US US12/088,999 patent/US7994523B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-28 CN CNB2006800415821A patent/CN100552995C/zh active Active
- 2006-11-28 WO PCT/KR2006/005050 patent/WO2007083884A1/en active Application Filing
- 2006-12-13 TW TW095146587A patent/TWI367572B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277806A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードアレイ |
| JP2002324915A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
| WO2004023568A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Nitride Semiconductors Co.,Ltd. | 複数の発光素子を有する発光装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012015480A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 光電素子 |
| JP2012243972A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 発光素子 |
| JP2021034652A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7014973B2 (ja) | 2019-08-28 | 2022-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200725952A (en) | 2007-07-01 |
| CN101305475A (zh) | 2008-11-12 |
| DE112006004103B4 (de) | 2021-06-02 |
| DE112006002883B4 (de) | 2010-09-09 |
| US20080217629A1 (en) | 2008-09-11 |
| WO2007083884A1 (en) | 2007-07-26 |
| TWI367572B (en) | 2012-07-01 |
| CN100552995C (zh) | 2009-10-21 |
| KR100652864B1 (ko) | 2006-12-04 |
| US7994523B2 (en) | 2011-08-09 |
| DE112006002883T5 (de) | 2008-09-18 |
| JP5073675B2 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5073675B2 (ja) | 改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオード | |
| KR100690323B1 (ko) | 배선들을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 | |
| US7015512B2 (en) | High power flip chip LED | |
| US7880181B2 (en) | Light emitting diode with improved current spreading performance | |
| US8026530B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, lighting module and lighting apparatus | |
| EP1905103B1 (en) | Method of fabricating a light emitting diode having a thermal conductive substrate | |
| US7285801B2 (en) | LED with series-connected monolithically integrated mesas | |
| KR101423723B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| US7897981B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| KR101064006B1 (ko) | 발광소자 | |
| US20100044744A1 (en) | Light emitting diode having extensions of electrodes for current spreading | |
| US11430934B2 (en) | Light-emitting diode device | |
| JP2009094459A (ja) | 発光ダイオードチップ及びその製造方法 | |
| KR100691497B1 (ko) | 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| US11784210B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR100670929B1 (ko) | 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| US20210119084A1 (en) | Optoelectronic device | |
| KR100646635B1 (ko) | 복수 셀의 단일 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR100765452B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR100898585B1 (ko) | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2012243972A (ja) | 発光素子 | |
| KR101216934B1 (ko) | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR20150020096A (ko) | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090330 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090401 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090513 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110801 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111026 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120619 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120626 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120822 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5073675 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |