JP2012243972A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LED領域XにおいてはLEDが形成され、保護ダイオード領域Yにおいては保護ダイオードが形成される。この際、LEDアノード電極51aと保護ダイオードカソード電極52b、LEDカソード電極52aと保護ダイオードアノード電極51bとは、分離溝Zを挟んでそれぞれ対向する。p側電極51とn側電極52の厚さが同等である場合には、LED領域XにおけるLEDアノード電極51a、LEDカソード電極52a、保護ダイオード領域Yにおける保護ダイオードアノード電極51b、保護ダイオードカソード電極52bの高さは同等となる。
【選択図】図1
Description
本発明の発光素子は、n型層とp型層とが積層された構成を具備する半導体層が絶縁性の基板上に形成され、前記半導体層を用いて発光ダイオードと保護ダイオードとが形成された構成を具備する発光素子であって、前記基板上における前記発光ダイオードが形成された領域である発光ダイオード領域と前記基板上における前記保護ダイオードが形成された領域である保護ダイオード領域との間で前記半導体層が除去された分離溝を具備し、前記発光ダイオード領域における前記半導体層の上に発光ダイオードカソード電極及び発光ダイオードアノード電極が、前記保護ダイオード領域における前記半導体層の上に保護ダイオードカソード電極及び保護ダイオードアノード電極が、絶縁層を介してそれぞれ形成され、前記分離溝を挟んで、前記発光ダイオードアノード電極と前記保護ダイオードカソード電極、前記発光ダイオードカソード電極と前記保護ダイオードアノード電極、がそれぞれ対向するように配置され、前記半導体層の上における前記発光ダイオードアノード電極、前記発光ダイオードカソード電極、前記保護ダイオードカソード電極、及び前記保護ダイオードアノード電極の高さが略同一とされたことを特徴とする。
本発明の発光素子は、前記発光ダイオードアノード電極と前記保護ダイオードカソード電極、前記発光ダイオードカソード電極と前記保護ダイオードアノード電極、を前記分離溝をまたいでそれぞれ接続する接続電極を上面に具備することを特徴とする。
本発明の発光素子において、前記発光ダイオードカソード電極は、前記絶縁層に形成された複数の開口を介して前記半導体層におけるn型層に接続されたことを特徴とする。
本発明の発光素子において、前記発光ダイオードアノード電極、前記発光ダイオードカソード電極は、それぞれ前記発光ダイオード領域における一方の端部側、他方の端部側に形成されたことを特徴とする。
本発明の発光素子において、前記半導体層の上には、前記発光ダイオードアノード電極又は前記発光ダイオードカソード電極と接続する透明電極が形成され、前記透明電極には、前記発光ダイオードカソード電極から前記発光ダイオードアノード電極に向かって延伸する透明電極開口部が平行に複数設けられたことを特徴とする。
11 基板
12 緩衝層
20 半導体層
21 n型GaN層(n型層)
22 p型GaN層(p型層)
23 MQW層(発光層)
30 透明電極
31 透明電極開口部
40 絶縁層
51 p側電極
51a LEDアノード電極(アノード電極:p側電極)
51b 保護ダイオードアノード電極(アノード電極:p側電極)
52 n側電極
52a LEDカソード電極(カソード電極:n側電極)
52b 保護ダイオードカソード電極(カソード電極:n側電極)
71 LEDn側コンタクト領域
72 LEDp側コンタクト開口
73 LEDn側コンタクト開口
81 保護ダイオードn側コンタクト領域
82 保護ダイオードn側コンタクト開口
83 保護ダイオードp側コンタクト開口
91 発光ダイオード(LED)
92 保護ダイオード
110、120 接続電極
200 実装基板
721 LEDp側コンタクト開口延伸部
X LED(発光ダイオード)領域
Y 保護ダイオード領域
Z 分離溝
Claims (5)
- n型層とp型層とが積層された構成を具備する半導体層が絶縁性の基板上に形成され、前記半導体層を用いて発光ダイオードと保護ダイオードとが形成された構成を具備する発光素子であって、
前記基板上における前記発光ダイオードが形成された領域である発光ダイオード領域と前記基板上における前記保護ダイオードが形成された領域である保護ダイオード領域との間で前記半導体層が除去された分離溝を具備し、
前記発光ダイオード領域における前記半導体層の上に発光ダイオードカソード電極及び発光ダイオードアノード電極が、前記保護ダイオード領域における前記半導体層の上に保護ダイオードカソード電極及び保護ダイオードアノード電極が、絶縁層を介してそれぞれ形成され、
前記分離溝を挟んで、前記発光ダイオードアノード電極と前記保護ダイオードカソード電極、前記発光ダイオードカソード電極と前記保護ダイオードアノード電極、がそれぞれ対向するように配置され、前記半導体層の上における前記発光ダイオードアノード電極、前記発光ダイオードカソード電極、前記保護ダイオードカソード電極、及び前記保護ダイオードアノード電極の高さが略同一とされたことを特徴とする発光素子。 - 前記発光ダイオードアノード電極と前記保護ダイオードカソード電極、前記発光ダイオードカソード電極と前記保護ダイオードアノード電極、を前記分離溝をまたいでそれぞれ接続する接続電極を上面に具備することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記発光ダイオードカソード電極は、前記絶縁層に形成された複数の開口を介して前記半導体層におけるn型層に接続されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記発光ダイオードアノード電極、前記発光ダイオードカソード電極は、それぞれ前記発光ダイオード領域における一方の端部側、他方の端部側に形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記半導体層の上には、前記発光ダイオードアノード電極又は前記発光ダイオードカソード電極と接続する透明電極が形成され、前記透明電極には、前記発光ダイオードカソード電極から前記発光ダイオードアノード電極に向かって延伸する透明電極開口部が平行に複数設けられたことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
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---|---|---|---|---|
JP2005093970A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光装置 |
JP2009519604A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオード |
JP2009531852A (ja) * | 2006-03-26 | 2009-09-03 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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TWI220321B (en) * | 2003-06-19 | 2004-08-11 | Uni Light Technology Inc | Light-emitting device and forming method thereof |
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---|---|---|---|---|
JP2005093970A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光装置 |
JP2009519604A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオード |
JP2009531852A (ja) * | 2006-03-26 | 2009-09-03 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
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