JP2009289987A - 炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素単結晶基板表面に炭化珪素エピタキシャル膜が成膜された基板又は炭化珪素単結晶基板をエッチングしてトレンチを形成する方法において、前記トレンチを形成後、1600℃以上1700℃以下の温度範囲で90分以上又は1700℃以上1800℃以下の温度範囲で60分以上、シランとアルゴンの混合減圧雰囲気中で熱処理する。
【選択図】 図1
Description
ところが、SiC基板の場合は、基板の物理的な硬度が高く、化学的にも安定な難エッチング材料であるので、量産的なトレンチ形成方法としては、Si半導体のトレンチ形成に通常用いられるRIE(Reactive Ion Ecthing)エッチング方法と異なり、基板に加速されたプラズマイオンを衝突させて表面を削るという物理的エッチング(ドライエッチング)によってトレンチ形成を行わざるを得ない。従って、RIE法によりトレンチが形成されるSi半導体に比べると、その形状制御が難しく、形状良くエッチングすることは容易とは言えない。たとえば、トレンチ底部の形状を、半導体デバイスの耐圧特性には好ましいU字型にすることやトレンチ側壁の平滑性を高めることは物理的ドライエッチングだけでは困難なことが多い。この結果、このドライエッチング直後の約3μm幅のトレンチ形状には、トレンチ開口部のエッジコーナーが尖っていたり、トレンチの側壁や底に突起や表面凹凸のような形状不良が存在する。このような形状不良などがトレンチ内にあると、その部分で電界集中が起こりやすく、絶縁耐圧が低くなりやすいということが問題となる。
SiCを用いて、例えばトレンチ型半導体デバイス(トレンチMOSFETなど)を作成する場合はマスク材料のテーパー角度や、エッチング条件によりトレンチ角度が制御しづらく、トレンチ角度にバラつきが発生したり、サイドエッチングやサブトレンチなどが発生し、形状に不都合が出る場合がある。このようにドライエッチングにより形成したSiCの凹部の側壁の角度を制御するには困難な場合が多い。
さらに、SiC基板では原子の表面拡散よりも、高温の水素によるSiC表面のエッチング作用が活発であると共にその制御が難しいので、形状制御については高温水素処理の影響の方が大きいことも分かった。その結果、高温水素処理は、そのままではトレンチ形状が過剰に変化し過ぎる傾向があるので、トレンチの形状を改善する実用的な生産方法という意味では採用の難しいことが分かった。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、炭化珪素(SiC)基板にドライエッチングによりトレンチを形成する際に、容易にトレンチ内表面性状を平滑にすると共に、トレンチの側壁角度を90°とすることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。
また、本発明は、前記トレンチの形成は、ドライエッチングで行うこととする。
また、本発明は、前記混合減圧雰囲気中の雰囲気が2666.44Pa(20Torr)〜1.01325×105Pa(760Torr)とする。
また、本発明は、シランをアルゴンに対して流量(sccm(standard cc/min))比で0.3%以上0.6%以下とする。
また、本発明は、前記トレンチの側壁面の結晶方位が4H-SiCの場合で(1-100)面とする。
図1は、SiC基板をドライエッチングしたトレンチの電子顕微鏡写真断面図であり、図2は、熱処理圧力とトレンチコーナの曲率半径の関係を示した特性図であり、図3は、熱処理時間とトレンチ側壁角度の関係を示した特性図であり、図4〜図6は、熱処理時間を変えてのトレンチの電子顕微鏡写真断面図であり、図7は、本発明にかかる方法を用いて作成されたトレンチ型MOSFETの要部断面図である。
ドライエッチングでSiCに形成した凹部(トレンチ)の側壁を垂直化する方法を図を用いて説明する。結晶構造が4HのSiC基板の(000-1)C面(またはSiCエピタキシャル膜付4H-SiC基板のC面基板)をよく洗浄した後、基板上にプラズマCVD法によりSiO2膜を2.5μm成膜する。成膜ガスはSiH4+O2+Arで50Paの圧力で60MHzのVHF電力500W、基板加熱温度400℃で行った。成膜後の基板を洗浄後、コーターでレジストをSiO2膜上に塗布する。その後、ステッパー装置で1μm幅のトレンチパターンが形成されたレチクルを用いて露光を行った。露光後現像を行い、パターニングがきちんと行えていることを確認後、100℃で1分間べークを行った。その後レジストのRIEエッチング耐性を向上するために更に120℃で15分ベークを行った。このときのレジストの膜厚は約2.5μmである。
エッチング後にフッ酸に基板を30分間以上浸し、SiO2マスクの残りを除去した。この状態でのSiCトレンチの形状を電子顕微鏡(SEM)で断面観察した結果を図1に示す。図1のトレンチ開口部から、深さ0.5μm〜1μm付近(矢印の位置)にかけてサイドエッチングが起こっておりトレンチ幅が若干広がっている。またトレンチの底の方になると幅が減少して細くなっているのがわかる。この結果トレンチ側壁は場所にもよるが側壁角度は深いところで78°、開口部付近でも85°程度になり、完全に90°にエッチングすることは困難である。
図2に熱処理時の圧力によるトレンチ開口部のコーナー曲率半径の変化を示す。熱処理はSiH4-0.4%添加Ar雰囲気で1700℃5分間行った。2Torrではトレンチ形状に変化はなく、SiCに変形は起こらないことが確認できた。20Torr以上ではトレンチコーナーは徐々にラウンドし、120Torr以上では760Torrまで曲率半径の値に変化はなく一定になった。
この結果からSiCを変形させるには20Torr以上の圧力が必要で20Torrから760Torrの範囲で熱処理する必要がある。変形量を多くするには、好ましくは80Torrから760Torrの範囲の圧力で熱処理することが望ましい。
図3に熱処理温度1600℃、1700℃、1800℃の3つの条件で時間を10分から120分間熱処理した場合のトレンチ側壁角度の変化を示す。トレンチ側壁角度は熱処理温度が高い方が90°になる時間が短時間になる。1600℃の温度では120分の熱処理でも完全に90°になるまで変形しない。図3からわかるようにトレンチ側壁角度を完全に90°にするには1700℃では90分以上の熱処理、1800℃では60分以上の熱処理が必要であった。これ以上の時間の熱処理を行っても側壁角度は変わらず、トレンチコーナーのラウンド量が増加するだけである。トレンチコーナーのラウンドがあまり大きくなるとトレンチ側壁の直線部分が少なくなりトレンチMOSとしては好ましくない。トレンチ側壁が90°になるとこれ以上角度は変化しなくなる。これはトレンチ側壁に安定な1-100面(結晶軸のマイナス座標表示として、2個目の1の上につくバーを1の左側に記載している)が露出し、それ以上の表面拡散が起こらなくなるためであると考えられる。これにより温度と熱処理時間を適切に行えば確実にトレンチ側壁角度を垂直にすることが可能となる。図4に1700℃でSiH4-0.4%添加Arガス中で圧力80Torrの条件で10分間熱処理、図5に同じく90分間熱処理、図6に同じく120分間熱処理した場合の電子顕微鏡での断面写真を示す。1700℃10分の熱処理のものは図1の熱処理前(ドライエッチング直後)に比べるとトレンチ底部に近い深い部分の幅の広がりが見られるが、サイドエッチング部分の変形(表面拡散)が不十分(図4の矢印部分)で、トレンチ側壁の角度も垂直にはなっていないことが確認できる。1700℃90分、1700℃で120分熱処理したものは、トレンチ側壁の角度が90°になっており、90分でも120分でもトレンチ側壁角度は同じ垂直であることからトレンチ側壁に1-100面が露出するとそれ以上の形状の変形は起こらず、トレンチ側壁を確実に垂直にすることが出来ることが確認できる。
SiH4添加量はArガスに対する添加量、表面RMSは原子間力顕微鏡(AFM)で測定した10μm角の範囲のRMSの値、Si/C組成比はSiC表面をX線光電子分光法で分析した結果である。
以上説明したようにドライエッチングで形状不具合があり、凹部側壁角度を制御することが困難でも40Torrから760Torr以上の減圧雰囲気で1600℃から1700℃の熱処理温度で90分間以上又は1700℃から1800℃の熱処理温度で60分間以上の熱処理を行うことでトレンチ側壁角度を確実に垂直に変形させることができる。
この結果、トレンチMOSFETのトレンチ側壁角度で変化してしまう移動度を安定に再現性よく得ることができるようになり、トレンチの底部にイオン注入する必要がある場合にもプロセスを簡素化できたり、側壁への注入ダメージを低減できるようになる。
トレンチ44は、n+型ソースコンタクト領域48とp型ボディー層45とn型電流広がり層52を貫通してn型耐圧層42に達している。トレンチ44の側壁面および底面はゲート酸化膜51により覆われている。トレンチ44内の、ゲート酸化膜51の内側には、ゲート電極43が埋め込まれている。ゲート電極43の上側は、層間絶縁膜50により覆われている。ソース電極47はn+型ソースコンタクト領域48とp+型ボディーコンタクト領域46の両方にオーミック接触している。n+型4H−SiC基板40の他方の主面にはドレイン電極49がオーミック接触している。
なお、n型フィールドストッピング層41とn型電流広がり層52はなくてもよい。
次に、図7に示すデバイスの作製手順を説明する。まず、(000−1)C8度オフ面と(0001)Si8度オフ面(ドナー密度:1×1018cm-3以上、オフ方向:[11−20]方向)を主面とするn+型4H−SiC基板40を用意する。
ここで、上述した各層の厚さおよびドーピング密度は一例であり、それらの値は、耐圧などの特性および許容すべきプロセス誤差に基づいて、適切に設計される。また、いずれの層も均一なドーピング密度である必要はなく、成膜方向に沿ってドーピング密度が変化していてもよい。
上述した各層のエピタキシャル成長に続いて、TEOS(Tetra EtylOxy Silicate)を原料ガスに用いてプラズマCVDを行い、SiO2を例えば約3.5μmの厚さに堆積する。次いで、フォトリソグラフィ工程を行ってフォトレジストマスクパターンを形成し、CHF3を原料ガスとするICPプラズマエッチングを行ってSiO2のマスクパターンを形成する。そして、O2プラズマにより、SiO2のエッチング中に生成された堆積物とフォトレジストを除去して、イオン注入用のSiO2マスクとする。その後、例えば1200℃のウェット雰囲気で30分間の熱酸化を行い、スクリーン酸化膜を形成する。
次いで、トレンチ44を形成する。トレンチエッチングの条件は前記エッチング条件18を用いた。すなわち、ICPプラズマを生成する電力を600W、RFバイアス電力を9Wとし、エッチングガス流量はSF6を10sccm、O2を無し、Arを43sccmで圧力を2.7Paの条件で、プラズマエッチングし、トレンチ深さ3.2μm、トレンチ幅は3.4μm、トレンチ角は88度のトレンチ44を形成した。
続いて、SiO2膜からなるプラズマエッチング用のマスクを除去する。その後、ゲート酸化膜51を形成する。ゲート酸化膜51の形成に続いて、例えば高濃度にリンドープしたポリシリコンを堆積する。そして、トレンチ44の外側のポリシリコンをエッチバックして除去することによって、ゲート電極43を形成する。続いて、熱CVD法等によりおもて面の全面にSiO2膜を堆積して層間絶縁膜50とする。
続いて、おもて面に例えばNiをスパッタにより成膜してパターニングする。その後、裏面およびおもて面に対して同時に、例えばAr雰囲気中で1000℃、30分間のアニールを行って、ドレイン電極49およびソース電極47とする。
次いで、フォトリソグラフィ工程によりゲートコンタクトホール形成用のマスクを形成し、バッファードフッ酸によりゲートコンタクトホールを形成する。そして、たとえば、おもて面にAlをスパッタにより成膜してパターニングし、Ar雰囲気中で450℃、5分間のアニールを行って、ゲート取り出し電極とすると、本発明の実施例2にかかる縦型トレンチMOSFETが完成する。
Claims (5)
- 炭化珪素単結晶基板表面に炭化珪素エピタキシャル膜が成膜された基板又は炭化珪素単結晶基板をエッチングしてトレンチを形成する方法において、前記トレンチを形成後、1600℃以上1700℃以下の温度範囲で90分以上又は1700℃以上1800℃以下の温度範囲で60分以上、シランとアルゴンの混合減圧雰囲気中で熱処理することを特徴とする炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法。
- 前記トレンチの形成は、ドライエッチングで行うことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法。
- 前記混合減圧雰囲気中の雰囲気が2666.44Pa〜1.01325×105Paとすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法。
- シランをアルゴンに対して流量(sccm(standard cc/min))比で0.3%以上0.6%以下とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法。
- 前記トレンチの側壁面の結晶方位が4H-SiCの場合で(1-100)面とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法。
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