JP2009277884A - 電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面に再配線された電子素子ウェハ4とその上の接着樹脂層5(接着剤)により一定の間隔で保たれた透明ガラス板1の割断が、フルダイシングにより生じた切断間隙を通したレーザー光により為されるため、チッピングが少なく割断面の品位と割断速度が向上し、歩留まりの向上を図ることができる。また、ダイサーのダイシングブレード7は、裏面に再配線された電子素子ウェハ4の切断だけであるため、透明ガラス板1を切ることの比較において非常に切断速度が速く単位ブレード当りの処理量が上がり長寿命化を図ることができる。
【選択図】図5
Description
図15は、従来の電子素子ウェハモジュールから各電子素子モジュールに切断する方法を説明するための要部縦断面図である。
図1〜図8は、本発明の実施形態1に係る電子素子モジュールの製造方法を説明するための各製造工程を模式的に示す要部縦断面図である。
イシングブレード7のブレード高さを精度良く管理しておく必要がある。
図12は、本発明の実施形態2に係るセンサモジュールの要部構成例を示す縦断面図である。
(実施形態3)
図13は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態2のセンサモジュール50を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
1a スクライブ線
3 入出力端子
4 電子素子ウェハ
4a 隙間
5 接着樹脂層
6 ダイシングテープ
7 ダイシングブレード
8 レーザー発生装置
10、50 センサモジュール
51 貫通ウエハ
51a 撮像素子51a(電子素子)
51b 貫通孔
52 樹脂接着層
53 ガラス板
54、541〜543 レンズ板
55、56 レンズ接着層
57 遮光部材
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
Claims (21)
- 複数の電子素子が設けられた電子素子ウェハの表面とガラス製の光学素子とが貼り合わされた複合構造体を該電子素子毎に切断して個片化する電子素子モジュールの製造方法であって、
該複合構造体を、該電子素子ウェハの裏面より該電子素子間のスクライブラインに沿って該電子素子ウェハだけのフルダイシングにより生じた切断間隙を通してレーザー光を該ガラス製の光学素子に照射して、該ガラス製の光学素子を該スクライブラインに沿ってスクライブする工程を有する電子素子モジュールの製造方法。 - 複数の電子素子が設けられた電子素子ウェハの表面とガラス製の光学素子とが貼り合わされた複合構造体を該電子素子毎に切断して個片化する電子素子モジュールの製造方法であって、
該複合構造体を、該電子素子ウェハの裏面より該電子素子間のスクライブラインに沿って該電子素子ウェハだけのフルダイシングを行うフルダイシング工程と、該フルダイシングにより生じた切断間隙を通してレーザー光を該ガラス製の光学素子に照射して、該ガラス製の光学素子を該スクライブラインに沿ってスクライブするガラススクライブ工程とを有する電子素子モジュールの製造方法。 - 前記フルダイシングの前工程として、裏面に再配線された前記電子素子ウェハの表面と前記ガラス製の光学素子を、接着樹脂層により一定の間隔を保って貼り付ける接着工程を更に有する請求項1または2に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記接着工程の前工程として、前記電子素子のサイズと同サイズにスクライブホイールにより前記ガラス製の光学素子の表面を浅くスクライブするガラス表面スクライブ工程を更に有する請求項3に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記接着工程は、前記電子素子ウェハの表面を、前記ガラス製の光学素子のスクライブ線側の面に対向するように貼り合わせる請求項4に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記接着工程は、前記浅くスクライブしたガラス製の光学素子のスクライブ線に対して前記電子素子ウェハのスクライブラインを位置合わせして前記接着樹脂層により貼り付ける請求項4または5に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記接着工程と前記フルダイシングとの間に、前記電子素子ウェハと前記ガラス製の光学素子との複合構造体を、該電子素子ウェハの裏面を上にして該ガラス製の光学素子側をダイシングテープ上にテープマウントするテープマウント工程を更に有する請求項3に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記スクライブラインに沿ってスクライブされたガラス製の光学素子を、該電子素子ウェハのスクライブラインに沿ってブレークするガラスブレーク工程を更に有する請求項1または2に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記ガラスブレーク工程の後に、前記電子素子ウェハと前記ガラス製の光学素子との複合構造体がテープマウントされたダイシングテープを拡張して、該電子素子ウェハに複数設けられた電子素子毎に個片化する個片化工程を更に有する請求項8に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記フルダイシング工程は、前記電子素子ウェハと前記ガラス製の光学素子との複合構造物を、ダイサーまたはマルチブレードダイサーのチャックテーブルで固定し、上から該電子素子ウェハを撮影して電子素子間のスクライブラインを検出し、ダイシングブレードの刃先と該スクライブラインとの位置合わせを行った後に、該スクライブラインに沿って、該ダイシングブレードにより該電子素子ウェハだけを切断する請求項1または2に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記ガラス製の光学素子は、透明ガラス板と、赤外線カット層が表面に設けられた透明ガラス板と、一または複数枚のレンズ板と、該透明ガラス板およびその上の一または複数枚のレンズ板と、該赤外線カット層が表面に設けられた透明ガラス板およびその上の一または複数枚のレンズ板と、プリズムと、ホログラム素子とのうちのいずれかである請求項1または2に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 前記レーザー光は、UVピコ秒レーザー光またはフェムト秒レーザー光である請求項1または2に記載の電子素子モジュールの製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の電子素子モジュールの製造方法により製造された電子素子モジュールであって、前記電子素子が設けられた電子素子ウェハの切断面にダイシングブレードによる切断跡が残り、前記ガラス製の光学素子の割断面に前記レーザー光の照射痕が残り、該切断面と該割断面とが整合している電子素子モジュール。
- 貫通電極を有する電子素子が配設された電子素子チップと、
該電子素子チップ上の所定領域に形成された接着樹脂層と、
該電子素子チップ上を覆い、該接着樹脂層上に固定された前記ガラス製の光学素子としての透明ガラス板とを有する請求項13に記載の電子素子モジュール。 - 貫通電極を有する電子素子が配設された電子素子チップと、
該電子素子チップ上の所定領域に形成された接着樹脂層と、
該電子素子チップ上を覆い、該接着樹脂層上に固定され、赤外線カット層が表面に設けられた前記ガラス製の光学素子としての透明ガラス板とを有する請求項13に記載の電子素子モジュール。 - 前記電子素子に対応するように前記透明ガラス板上に接着固定された前記ガラス製の光学素子としての一または複数枚のレンズ板を更に有する請求項14または15に記載の電子素子モジュール。
- 貫通電極を有する電子素子が配設された電子素子チップと、
該電子素子チップ上の所定領域に形成された接着樹脂層と、
該電子素子チップ上を覆い、該電子素子に対応するように該接着樹脂層上に固定された前記ガラス製の光学素子としての一または複数枚のレンズ板とを有する請求項13に記載の電子素子モジュール。 - 前記電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である請求項13に記載の電子素子モジュール。
- 前記電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している請求項13に記載の電子素子モジュール。
- 請求項18に記載の電子素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
- 請求項19に記載の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いた電子情報機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008127768A JP5198142B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 電子素子モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008127768A JP5198142B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 電子素子モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277884A true JP2009277884A (ja) | 2009-11-26 |
JP5198142B2 JP5198142B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=41443040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008127768A Expired - Fee Related JP5198142B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 電子素子モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5198142B2 (ja) |
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-
2008
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Publication number | Publication date |
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JP5198142B2 (ja) | 2013-05-15 |
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A621 | Written request for application examination |
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