KR20150037476A - 이미지 센서용 웨이퍼 적층체의 분단 방법 및 분단 장치 - Google Patents
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Abstract
(과제) 다이싱 소를 이용하지 않고, 드라이 방식의 간단한 수법으로 효과적으로 또한 깨끗하게 분단할 수 있는 이미지 센서용 웨이퍼 적층체의 분단 방법 및 분단 장치를 제공한다.
(해결 수단) 유리 웨이퍼(1)와, 실리콘 웨이퍼(2)가 각 포토 다이오드 형성 영역(3)을 둘러싸도록 배치된 수지층(4)으로 접합된 구조의 이미지 센서용 웨이퍼 적층체(W)의 분단 방법으로서, 스크라이빙 휠(10)을, 유리 웨이퍼(1) 상면의 분단 예정 라인을 따라 압압·전동시켜 스크라이브 라인(S1)을 형성하고, 이어서, 날체(25a) 선단에 돌기 형상의 날끝(25b)을 갖는 다이아몬드 포인트 커터(25)를, 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압·이동시켜 스크라이브 라인(S2)을 형성하고, 이어서, 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면측으로부터 스크라이브 라인(S2)을 따라 압압 부재(14)를 가압하여 웨이퍼 적층체(W)를 휘게 하여, 유리 웨이퍼(1)와 실리콘 웨이퍼(2)를 분단한다.
(해결 수단) 유리 웨이퍼(1)와, 실리콘 웨이퍼(2)가 각 포토 다이오드 형성 영역(3)을 둘러싸도록 배치된 수지층(4)으로 접합된 구조의 이미지 센서용 웨이퍼 적층체(W)의 분단 방법으로서, 스크라이빙 휠(10)을, 유리 웨이퍼(1) 상면의 분단 예정 라인을 따라 압압·전동시켜 스크라이브 라인(S1)을 형성하고, 이어서, 날체(25a) 선단에 돌기 형상의 날끝(25b)을 갖는 다이아몬드 포인트 커터(25)를, 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압·이동시켜 스크라이브 라인(S2)을 형성하고, 이어서, 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면측으로부터 스크라이브 라인(S2)을 따라 압압 부재(14)를 가압하여 웨이퍼 적층체(W)를 휘게 하여, 유리 웨이퍼(1)와 실리콘 웨이퍼(2)를 분단한다.
Description
본 발명은, CMOS 이미지 센서의 웨이퍼 레벨 패키지가 패턴 형성된 웨이퍼 적층체를 개편화(個片化)하기 위한 분단 방법 그리고 그 분단 장치에 관한 것이다.
최근, 저전력, 고기능, 고집적화가 중요시되는 모바일 폰, 디지털 카메라, 광 마우스 등의 각종 소형 전자 기기 분야에 있어서, CMOS 이미지 센서의 사용이 급증하고 있다.
도 8은, CMOS 이미지 센서의 웨이퍼 레벨 패키지(칩 사이즈의 단위 제품)(W1)의 구성예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 웨이퍼 레벨 패키지(W1)는, (개편화된) 유리 웨이퍼(1)와 (개편화된) 실리콘 웨이퍼(2)가 수지 격벽(4)을 사이에 두고 접합된 적층 구조를 갖고 있다.
실리콘 웨이퍼(2)의 상면(접합면측)에는 포토 다이오드 영역(센싱 영역)(3)이 형성되고, 그 주위를 수지 격벽(4)이 격자 형상으로 둘러싸도록 배치함으로써, 포토 다이오드 영역(3)이 형성된 내측 공간이 기밀 상태가 되도록 되어 있다. 또한, (포토 다이오드 영역(3)의 외측의) 실리콘 웨이퍼(2)의 상면에는 금속 패드(5)가 형성되고, 이 금속 패드(5)가 형성된 부분의 바로 아래에는 실리콘 웨이퍼(2)를 상하로 관통하는 비어(관통공)(6)가 형성되어 있다. 비어(6)에는 전기적 도전성이 우수한 도전재(7)가 충전되고, 비어(6) 하단에는 땜납 범프(8)가 형성되어 있다. 이와 같이, 비어(6)를 형성함과 함께 도전재(7)를 충전하여 전기적 접속을 행하는 구성을 TSV(Through Silicon Via)라고 한다.
또한, 상기한 땜납 범프(8)의 하면에, 소정의 전기 회로가 패터닝된 PCB 기판 등(도시 생략)이 접합된다.
칩 사이즈의 단위 제품인 웨이퍼 레벨 패키지(W1)는, 도 8∼도 10에 나타내는 바와 같이, 모체가 되는 대면적의 유리 웨이퍼(1)와 대면적의 실리콘 웨이퍼(2)가 수지 격벽(4)을 개재하여 접합된 웨이퍼 적층체(W) 위에, X-Y 방향으로 연장되는 분단 예정 라인(L)으로 격자 형상으로 구분되어 다수개가 패턴 형성되어 있으며, 이 웨이퍼 적층체(W)가 당해 분단 예정 라인(L)을 따라 분단됨으로써, (개편화된) 칩 사이즈의 웨이퍼 레벨 패키지(W1)가 된다.
그런데, 실리콘 웨이퍼를 분단하여 웨이퍼 레벨 패키지의 제품으로 하는 가공에서는, CMOS 이미지 센서용을 포함하여, 종래부터, 특허문헌 1∼특허문헌 4에 나타내는 바와 같은 다이싱 소가 이용되고 있다. 다이싱 소는, 고속 회전하는 회전 블레이드를 구비하고, 회전 블레이드의 냉각과 절삭시에 발생하는 절삭 부스러기를 세정하는 절삭액을 회전 블레이드에 분사하면서 절삭하도록 구성되어 있다.
상기한 다이싱 소는, 회전 블레이드를 이용한 절삭에 의한 분단이기 때문에, 절삭 부스러기가 다량으로 발생하여, 가령 절삭액으로 세정했다고 해도, 절삭액의 일부가 잔류하거나, 혹은 절삭시의 비산에 의해 절삭 부스러기가 패키지 표면에 부착되는 경우가 있어, 품질이나 수율의 저하의 큰 원인이 된다. 또한, 절삭액의 공급이나 폐액 회수를 위한 기구나 배관을 필요로 하기 때문에 장치가 대규모가 된다. 또한, 절삭에 의해 유리 웨이퍼를 분단하는 것이기 때문에, 절삭면에 작은 치핑(chipping)(이빠짐)이 발생하는 경우가 많아, 깨끗한 분단면을 얻을 수 없다. 또한, 고속 회전하는 회전 블레이드의 날끝은 톱날 형상 또는 연속된 요철 형상으로 형성되어 있기 때문에, 날끝의 마모나 파손이 발생하기 쉬워 사용 수명이 짧다. 또한, 회전 블레이드의 두께는 강도의 면에서 그다지 얇게 할 수 없고, 소경(小徑)의 것이라도 60㎛ 이상의 두께로 형성되어 있기 때문에, 절삭폭이 그만큼 필요해져 재료의 유효 이용이 제한되는 요인 중 하나가 되기도 하는 등의 문제점이 있었다.
그래서 본 발명은, 상기한 종래 과제의 해결을 도모하여, 다이싱 소를 이용하는 일 없이, 드라이 방식의 간단한 수법으로 효과적으로, 또한, 깨끗하게 분단할 수 있는 이미지 센서 웨이퍼·패키지의 분단 방법 그리고 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 다음과 같은 기술적 수단을 강구했다. 즉 본 발명의 분단 방법은, 유리 웨이퍼와, 복수의 포토 다이오드 형성 영역이 종횡으로 패턴 형성된 실리콘 웨이퍼가, 상기 각 포토 다이오드 형성 영역을 둘러싸도록 배치된 수지층을 개재하여 접합된 구조를 갖는 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 방법으로서, 원주 능선을 따라 소정의 날끝 각도를 갖는 날끝이 형성된 유리용 스크라이빙 휠을, 상기 유리 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동(轉動)시킴으로써, 유리 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 유리 스크라이브 공정 및, 선단에 다이아몬드에 의한 돌기 형상의 날끝을 갖는 다이아몬드 포인트 커터, 또는, 상기 유리용 스크라이빙 휠보다도 원주 능선을 따른 날끝 각도가 작은 날끝이 형성된 실리콘용 스크라이빙 휠을, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 이동 또는 전동시킴으로써, 실리콘 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 실리콘 스크라이브 공정을 갖고, 상기 유리 스크라이브 공정 및 실리콘 스크라이브 공정에 이어, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면측, 또는, 유리 웨이퍼의 외표면측으로부터 상기 스크라이브 라인을 따라 압압 부재를 가압함으로써, 상기 웨이퍼 적층체를 휘게 하여 유리 웨이퍼 그리고 실리콘 웨이퍼를, 각각의 스크라이브 라인을 따라 분단하는 분단 공정을 갖도록 했다.
여기에서, 압압 부재는, 실리콘 웨이퍼의 외표면측으로부터 가압해도 좋고, 유리 웨이퍼의 외표면측으로부터 가압해도 좋지만, 일반적으로 유리 웨이퍼 쪽이 분단되기 어려운 경향이 있기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 외표면측으로부터 가압하는 것이 바람직하다.
또한, 유리 스크라이브 공정과 실리콘 스크라이브 공정은 어느 쪽을 먼저 실행해도 좋고, 유리 웨이퍼의 외표면과 실리콘 웨이퍼의 외표면을 동시에 스크라이브해도 좋지만, 특히 분단 공정에 있어서 실리콘 웨이퍼의 외표면에 압압 부재를 가압하는 경우에는, 웨이퍼 적층체의 반전 등의 점에서, 유리 스크라이브 공정을 먼저 실행하는 것이 바람직하다.
또한, 다른 관점에서 이루어진 본 발명의 분단 장치는, 유리 웨이퍼와, 복수의 포토 다이오드 형성 영역이 종횡으로 패턴 형성된 실리콘 웨이퍼가, 상기 각 포토 다이오드 형성 영역을 둘러싸도록 배치된 수지층을 개재하여 접합된 구조를 갖는 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 장치로서, 링체로 이루어져 원주 능선을 따라 소정의 날끝 각도를 갖고, 상기 유리 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동함으로써, 상기 유리 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 유리용 스크라이빙 휠과, 선단부에 다이아몬드에 의한 돌기 형상의 날끝이 형성되고, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 이동함으로써, 실리콘 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 다이아몬드 포인트 커터, 또는, 상기 유리용 스크라이빙 휠보다도 원주 능선을 따른 날끝 각도가 작고, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동함으로써, 실리콘 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 실리콘용 스크라이빙 휠 중의 어느 것과, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면측 또는 상기 유리 웨이퍼의 외표면측으로부터 상기 스크라이브 라인을 따라 압압함으로써, 상기 웨이퍼 적층체를 휘게 하여, 상기 유리 웨이퍼 그리고 실리콘 웨이퍼를 상기 각각의 스크라이브 라인을 따라 분단하는 압압 부재를 구비하도록 하고 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유리용 스크라이빙 휠은, 원주 능선을 따라 홈 또는 절결이 형성되고, 잔존한 능선(돌기)이 날끝이 되는 스크라이빙 휠로서, 유리 웨이퍼로의 걸림 및/또는 스크라이브 라인을 따라 형성되는 수직 크랙의, 유리 웨이퍼의 두께 방향으로의 신전(침투성)이 양호한 스크라이빙 휠로 해도 좋고, 또한, 원주 능선을 따라 홈 및 절결이 형성되어 있지 않은 통상의 스크라이빙 휠이라도 좋다. 상기 유리용 스크라이빙 휠은, 원주 능선에 대하여 수직 방향의 단면에 있어서의 날끝 선단의 각도(날끝 각도)가, 예를 들면, 95도∼155도인 것이 바람직하다.
한편, 상기 실리콘용 스크라이빙 휠은, 원주 능선을 따라 홈 및 절결이 형성되어 있지 않은 통상의 스크라이빙 휠이며, 날끝 각도가, 유리용 스크라이빙 휠의 날끝 각도보다도 작은 스크라이빙 휠(예를 들면, 날끝 각도: 85도∼135도)인 것이 바람직하다.
또한, 전술한 유리용 스크라이빙 휠과 실리콘용 스크라이빙 휠의 바람직한 범위는 일부 중복되고 있지만(95도∼135도), 가령, 이 수치 범위의 휠을 사용하는 경우라도, 실리콘용 스크라이빙 휠의 날끝 각도가, 유리용 스크라이빙 휠의 날끝 각도보다도 상대적으로 작아지도록 조합한 휠의 쌍을 사용하는 것이 필요하다.
본 발명에 의하면, 압압 부재의 가압에 의해, 유리 웨이퍼 그리고 실리콘 웨이퍼의 각각에 형성한 스크라이브 라인을 따라 분단되는 것이기 때문에, 종래의 다이싱 소의 절삭에 의한 경우와 같은 큰 절삭폭을 필요로 하지 않아, 재료를 유효하게 이용할 수 있다. 또한, 절삭에 의한 경우와 같은 치핑이나 절삭 부스러기 등의 발생을 억제할 수 있어, 깨끗한 절단면으로 수율 좋게 분단할 수 있다. 특히, 실리콘 웨이퍼의 스크라이브에 다이아몬드 포인트 커터를 사용하는 경우에는, 다이아몬드 포인트 커터가 고정날임과 함께, 실리콘 웨이퍼에 저하중으로 스크라이브 라인을 형성할 수 있기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 절단 단면(端面)에 치핑 등의 불필요한 흠집이 형성되기 어렵다는 이점도 있다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 스크라이브에 실리콘용 스크라이빙 휠을 사용하는 경우에는, 날끝 각도가 유리용 스크라이빙 휠의 날끝 각도보다도 작은 실리콘용 스크라이빙 휠을 사용함으로써, 상대적으로 저하중으로 스크라이브 라인을 형성할 수 있기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 절단 단면에 있어서의 치핑 등의 불필요한 흠집의 발생을 억제할 수 있다.
특히 본 발명에서는, 종래의 다이싱 소와 같은 절삭액을 사용하지 않고, 드라이 환경하에서 분단하는 것이기 때문에, 절삭액의 공급이나 폐액 회수를 위한 기구나 배관을 생략할 수 있고, 또한, 절단 후의 세정이나 건조 공정도 생략할 수 있어 장치를 콤팩트하게 구성할 수 있다. 또한, 원주 능선을 따라 날끝을 갖는 링체로 형성된 스크라이빙 휠이나, 날체의 선단부에 다이아몬드에 의한 날끝을 구비한 다이아몬드 포인트 커터는, 이빠짐 등이 발생하기 쉬운 종래의 회전 블레이드에 비해 사용 수명이 길기 때문에, 러닝 코스트를 억제할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 분단 방법의 제1 단계를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 분단 방법의 제2 단계를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 분단 방법의 제3 단계를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 이용하는 스크라이빙 휠과 그 홀더 부분을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 이용하는 다이아몬드 포인트 커터와 그 홀더 부분을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 이용되는 스크라이브 기구의 개략적인 정면도이다.
도 8은 CMOS 이미지 센서용의 웨이퍼 레벨 패키지의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 모재가 되는 CMOS 이미지 센서용 웨이퍼 적층체의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 8의 CMOS 이미지 센서용 웨이퍼 적층체를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 분단 방법의 제2 단계를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 분단 방법의 제3 단계를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 이용하는 스크라이빙 휠과 그 홀더 부분을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 이용하는 다이아몬드 포인트 커터와 그 홀더 부분을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 이용되는 스크라이브 기구의 개략적인 정면도이다.
도 8은 CMOS 이미지 센서용의 웨이퍼 레벨 패키지의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 모재가 되는 CMOS 이미지 센서용 웨이퍼 적층체의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 8의 CMOS 이미지 센서용 웨이퍼 적층체를 나타내는 개략적인 평면도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명에 따른 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 방법의 상세를, 도면에 기초하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 분단 방법의 제1 단계인, 가공 대상이 되는 CMOS 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체(W)의 일부 단면을 나타내는 것이다. 웨이퍼 적층체(W)의 구조는, 전술한 도 8∼도 10에 나타낸 것과 기본적으로 동일한 구조이다.
즉, 모체가 되는 대면적(예를 들면 직경 8인치)의 유리 웨이퍼(1)와, 그 하면측에 배치되는 실리콘 웨이퍼(2)가 격자 형상의 수지 격벽(4)을 개재하여 접합된다.
실리콘 웨이퍼(2)의 상면(접합면측)에는 포토 다이오드 형성 영역(센싱 영역)(3)이 형성되어 있다. 포토 다이오드 영역(3)에는 포토 다이오드 어레이가 형성되어 있으며, 이미지 센서의 수광면으로서 기능한다. 그리고, 포토 다이오드 영역(3) 근방에는, 금속 패드(5)가 형성되고, 이 금속 패드(5)가 형성된 부분의 바로 아래에는 실리콘 웨이퍼(2)를 상하로 관통하는 비어(관통공)(6)가 형성되어 있다. 비어(6)에는 전기적 도전성이 우수한 도전재(7)가 충전되고(TSV), 비어(6) 하단에는 땜납 범프(8)가 형성되어 있다. 또한, 상기한 땜납 범프(8)의 하면에, 소정의 전기 회로가 패터닝된 PCB 기판 등(도시 생략)이 접합된다.
이 CMOS 이미지 센서용 웨이퍼 적층체(W)는, 도 10에 나타낸 바와 같이 X-Y방향으로 연장되는 격자 형상의 분단 예정 라인(L)을 따라 분단됨으로써 개편화되고, 칩 사이즈의 단위 제품인 웨이퍼 레벨 패키지(W1)가 취출되게 된다.
다음으로 분단 가공 순서에 대해서 설명한다. 웨이퍼 적층체(W)를 도 10의 분단 예정 라인(L)을 따라 분단할 때에, 처음에, 도 5에 나타내는 바와 같은 스크라이빙 휠(10)을 이용하여 유리 웨이퍼(1)의 표면에 스크라이브 라인(S1)을 가공한다.
스크라이빙 휠(10)은, 초경 합금이나 소결 다이아몬드 등의 공구 특성이 우수한 재료로 형성되어 있으며, 원주 능선(외주면)에 날끝(10a)이 형성되어 있다. 구체적으로는 직경이 1∼6㎜, 바람직하게는 1.5∼4㎜이고 날끝 각도가 85∼150도, 바람직하게는 105∼140도의 것을 사용하는 것이 바람직하지만, 가공되는 유리 웨이퍼(1)의 두께나 종류에 따라서 적절하게 선택된다.
이 스크라이빙 휠(10)은 유리용이고, 홀더(11)에 회전 가능하게 지지되며, 승강 기구(12)를 개재하여 스크라이브 기구(A)의 스크라이브 헤드(24)(도 7 참조)에 부착되어 있다.
스크라이브 기구(A)는, 웨이퍼 적층체(W)를 올려놓고 보유지지하는 테이블(15)을 구비하고 있다.
테이블(15)은, 수평인 레일(17)을 따라 Y방향(도 7의 전후 방향)으로 이동할 수 있게 되어 있으며, 모터(도시 생략)에 의해 회전하는 나사축(18)에 의해 구동된다. 또한 테이블(15)은, 모터를 내장하는 회전 구동부(19)에 의해 수평면 내에서 회전운동할 수 있게 되어 있다.
테이블(15)을 사이에 두고 형성되어 있는 양측의 지지 기둥(20, 20)과, X방향으로 수평하게 연장되는 빔(동살)(21)을 구비한 브리지(22)가, 테이블(15) 위를 걸치도록 하여 형성되어 있다. 빔(21)에는, X방향으로 수평하게 연장되는 가이드(23)가 형성되고, 이 가이드(23)에 상기한 스크라이브 헤드(24)가, 모터(M)에 의해 빔(21)을 따라 X방향으로 이동할 수 있도록 부착되어 있다. 또한, 스크라이브 헤드(24)에는, 스크라이빙 휠(10)과 함께 후술하는 다이아몬드 포인트 커터(25)도 부착되어 있다.
상기한 스크라이브 기구(A)의 테이블(15) 위에, 도 1에 나타내는 바와 같이, 유리 웨이퍼(1)를 상향으로 한 상태에서 웨이퍼 적층체(W)를 올려놓고, 스크라이빙 휠(10)을 유리 웨이퍼(1)의 외표면에서 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동시킴으로써, 유리 웨이퍼(1)에 스크라이브 라인(S1)을 형성한다. 또한, 스크라이브 라인(S1)은 웨이퍼 레벨 패키지(W1)의 수지 격벽(4)의 외측에 형성된다.
이어서 제2 단계로서, 도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 적층체(W)를 반전하여, 다이아몬드 포인트 커터(25)를, 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 이동시킴으로써, 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면에 스크라이브 라인(S2)을 형성한다.
다이아몬드 포인트 커터(25)는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 날체(25a)의 선단 하면에 다이아몬드에 의한 돌기 형상의 날끝(25b)을 구비하고 있으며, 홀더(26)에 부착되어 있다. 홀더(26)는, 스크라이빙 휠(10)과 동일하게, 승강 기구(27)를 개재하여 상기한 스크라이브 기구(A)의 스크라이브 헤드(24)에 보유지지되고, 분단 예정 라인의 방향을 따라 이동할 수 있도록 형성되어 있다.
이어서 제3 단계로서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 하측이 되어 있는 유리 웨이퍼(1)의 외표면에서, 스크라이브 라인(S1)을 사이에 두도록 그 양 옆을 따라 연장되는 좌우 한 쌍의 받침대(13, 13)를 배치하고, 상측이 되어 있는 실리콘 웨이퍼(2)의 외표면으로부터 스크라이브 라인(S2)을 향하여 압압 부재(14)를 가압한다. 본 실시예에서는, 이 압압 부재(14)로서 장척이며 판 형상의 브레이크 바를 이용했지만, 이 대신에 가압하면서 전동하는 롤러로 형성할 수도 있다. 압압 부재(14)로서의 브레이크 바는, 유체 실린더 등의 승강 기구(도시 생략)를 개재하여 상하로 승강할 수 있도록 형성되어 있다.
이 압압 부재(14)를 가압함으로써, 유리 웨이퍼(1) 그리고 실리콘 웨이퍼(2)가 압압 방향과는 반대측으로 휘고, 유리 웨이퍼(1)의 스크라이브 라인(S1) 그리고 실리콘 웨이퍼(2)의 스크라이브 라인(S2)을 따라 균열이 두께 방향으로 침투하여 분단되고, 이에 따라 개편화된 웨이퍼 레벨 패키지(W1)가 분단 예정 라인을 따라 완전히 분단된다.
이 휨에 의한 분단에 있어서, 유리 웨이퍼(1)도 실리콘 웨이퍼(2)도 각각의 스크라이브 라인(S1, S2)으로부터 균열이 두께 방향으로 침투하여 분단되는 것이기 때문에, 종래의 다이싱 소에 의한 절삭 가공의 경우와 같은 절삭폭을 필요로 하지 않아, 재료를 유효하게 이용할 수 있음과 함께, 절삭에 의한 경우와 같은 치핑이나 절삭 부스러기 등의 발생을 억제할 수 있어, 깨끗한 절단면으로 수율 좋게 분단할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 종래의 다이싱 소와 같이 절삭액을 사용하지 않고, 드라이 환경하에서 분단하는 것이기 때문에, 절삭액의 공급이나 폐액 회수를 위한 기구나 배관을 생략할 수 있고, 또한, 절단 후의 세정이나 건조 공정도 생략할 수 있어, 장치를 콤팩트하게 구성할 수 있다. 또한, 본 발명에서 이용한 원주 능선을 따라 날끝(10a)을 갖는 링체로 형성된 스크라이빙 휠(10)이나, 날체(25a)의 선단부에 다이아몬드에 의한 날끝(25b)을 구비한 다이아몬드 포인트 커터(25)는, 이빠짐 등이 발생하기 쉬운 종래의 회전 블레이드에 비해 사용 수명이 길기 때문에, 러닝 코스트를 저렴하게 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서, 압압 부재(14)에 의한 브레이크 가공시에, 유리 웨이퍼(1)를 받치는 좌우 한 쌍의 받침대(13, 13) 대신에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 유리 웨이퍼(1)가 휠 정도로 움푹들어가게 하는 것이 가능한 두께를 갖는 쿠션재(16)를, 유리 웨이퍼(1)의 스크라이브 라인(S1) 형성면에 접하여 배치하도록 해도 좋다.
이상 본 발명의 대표적인 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 반드시 상기의 실시 형태에 특정되는 것은 아니다. 예를 들면 상기 실시예에서는, 스크라이빙 휠(10)과 다이아몬드 포인트 커터(25)를 공통의 스크라이브 헤드(24)에 보유지지시켰지만, 각각을 다른 스크라이브 헤드에 보유지지하도록 구성해도 좋다.
또한, 다이아몬드 포인트 커터(25) 대신에, 유리용 스크라이빙 휠(10)보다 도 날끝 각도가 작은 실리콘용 스크라이빙 휠을 사용해도 좋다.
그 외 본 발명에서는 그 목적을 달성하고, 청구의 범위를 일탈하지 않는 범위 내에서 적절하게 수정, 변경하는 것이 가능하다.
본 발명의 분단 방법은, 유리 웨이퍼와 실리콘 웨이퍼를 접합한 웨이퍼 적층체의 분단에 이용할 수 있다.
A : 스크라이브 기구
S1 : 유리 웨이퍼의 스크라이브 라인
S2 : 실리콘 웨이퍼의 스크라이브 라인
W : 웨이퍼 적층체
W1 : 웨이퍼 레벨 패키지
1 : 유리 웨이퍼
2 : 실리콘 웨이퍼
10 : 스크라이빙 휠
10a : 날끝
14 : 압압 부재
15 : 테이블
25 : 다이아몬드 포인트 커터
25a : 날체
25b : 날끝
S1 : 유리 웨이퍼의 스크라이브 라인
S2 : 실리콘 웨이퍼의 스크라이브 라인
W : 웨이퍼 적층체
W1 : 웨이퍼 레벨 패키지
1 : 유리 웨이퍼
2 : 실리콘 웨이퍼
10 : 스크라이빙 휠
10a : 날끝
14 : 압압 부재
15 : 테이블
25 : 다이아몬드 포인트 커터
25a : 날체
25b : 날끝
Claims (3)
- 유리 웨이퍼와, 복수의 포토 다이오드 형성 영역이 종횡으로 패턴 형성된 실리콘 웨이퍼가, 상기 각 포토 다이오드 형성 영역을 둘러싸도록 배치된 수지층을 개재하여 접합된 구조를 갖는 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 방법으로서,
원주 능선을 따라 소정의 날끝 각도를 갖는 날끝이 형성된 유리용 스크라이빙 휠을, 상기 유리 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동(轉動)시킴으로써, 유리 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 유리 스크라이브 공정 및,
선단에 다이아몬드에 의한 돌기 형상의 날끝을 갖는 다이아몬드 포인트 커터, 또는, 상기 유리용 스크라이빙 휠보다도 원주 능선을 따른 날끝 각도가 작은 날끝이 형성된 실리콘용 스크라이빙 휠을, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 이동 또는 전동시킴으로써, 실리콘 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 실리콘 스크라이브 공정을 갖고,
유리 스크라이브 공정 및 실리콘 스크라이브 공정에 이어, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면측, 또는, 유리 웨이퍼의 외표면측으로부터 상기 스크라이브 라인을 따라 압압 부재를 가압함으로써, 상기 웨이퍼 적층체를 휘게 하여 유리 웨이퍼 그리고 실리콘 웨이퍼를, 각각의 스크라이브 라인을 따라 분단하는 분단 공정을 갖도록 한 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 방법. - 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 적층체는 TSV가 형성되어 있는 CMOS 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체인 웨이퍼 적층체의 분단 방법. - 유리 웨이퍼와, 복수의 포토 다이오드 형성 영역이 종횡으로 패턴 형성된 실리콘 웨이퍼가, 상기 각 포토 다이오드 형성 영역을 둘러싸도록 배치된 수지층을 개재하여 접합된 구조를 갖는 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 장치로서,
링체로 이루어져 원주 능선을 따라 소정의 날끝 각도를 갖고, 상기 유리 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동함으로써, 상기 유리 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 유리용 스크라이빙 휠과,
선단부에 다이아몬드에 의한 돌기 형상의 날끝이 형성되고, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 이동함으로써, 실리콘 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 다이아몬드 포인트 커터, 또는, 상기 유리용 스크라이빙 휠보다도 원주 능선을 따른 날끝 각도가 작고, 상기 실리콘 웨이퍼의 외표면의 분단 예정 라인을 따라 압압하면서 전동함으로써, 실리콘 웨이퍼의 외표면에 스크라이브 라인을 형성하는 실리콘용 스크라이빙 휠 중의 어느 것과,
상기 실리콘 웨이퍼의 외표면측 또는 상기 유리 웨이퍼의 외표면측으로부터 상기 스크라이브 라인을 따라 압압함으로써, 상기 웨이퍼 적층체를 휘게 하여, 유리 웨이퍼 그리고 실리콘 웨이퍼를 상기 각각의 스크라이브 라인을 따라 분단하는 압압 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 이미지 센서용의 웨이퍼 적층체의 분단 장치.
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---|---|---|---|---|
JP6561565B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-08-21 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分割方法及び分割装置 |
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JP6696263B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-05-20 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のスクライブ方法及びスクライブヘッドユニット |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590403A (ja) | 1991-08-01 | 1993-04-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JPH06244279A (ja) | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | ダイシングソー |
JP2002224929A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-13 | Takemoto Denki Seisakusho:Kk | 板状被加工物の切削装置 |
JP2003051464A (ja) | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Takemoto Denki Seisakusho:Kk | 板状被加工物の切削装置における切削検査手段 |
US20050245051A1 (en) * | 2002-04-01 | 2005-11-03 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Parting method for fragile material substrate and parting device using the method |
US20060162173A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Micro Processing Technology, Inc. | Scribing system with particle remover |
KR20070117183A (ko) * | 2006-06-07 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 스크라이브 장비 및 이를 이용한 스크라이브 방법 |
JP2009277884A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sharp Corp | 電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
US20100102437A1 (en) * | 2007-06-29 | 2010-04-29 | Fujikura Ltd. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
KR20100086436A (ko) * | 2009-01-22 | 2010-07-30 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2013122984A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Canon Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2013140916A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI226877B (en) * | 2001-07-12 | 2005-01-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Method of manufacturing adhered brittle material substrates and method of separating adhered brittle material substrates |
JP2005001264A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Sharp Corp | 分断装置および分断方法 |
TWI241018B (en) * | 2003-12-19 | 2005-10-01 | Chipmos Technologies Inc | Method for manufacturing wafer level image sensor package with chip on glass configuration and structure of the same |
KR100608420B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 칩 패키지 및 그 제조방법 |
TWI488824B (zh) * | 2011-12-05 | 2015-06-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | The method and scribing device of glass substrate |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013203711A patent/JP6185813B2/ja active Active
-
2014
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590403A (ja) | 1991-08-01 | 1993-04-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JPH06244279A (ja) | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Fujitsu Miyagi Electron:Kk | ダイシングソー |
JP2002224929A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-13 | Takemoto Denki Seisakusho:Kk | 板状被加工物の切削装置 |
JP2003051464A (ja) | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Takemoto Denki Seisakusho:Kk | 板状被加工物の切削装置における切削検査手段 |
US20050245051A1 (en) * | 2002-04-01 | 2005-11-03 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Parting method for fragile material substrate and parting device using the method |
US20060162173A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Micro Processing Technology, Inc. | Scribing system with particle remover |
KR20070117183A (ko) * | 2006-06-07 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 스크라이브 장비 및 이를 이용한 스크라이브 방법 |
US20100102437A1 (en) * | 2007-06-29 | 2010-04-29 | Fujikura Ltd. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
JP2009277884A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sharp Corp | 電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
KR20100086436A (ko) * | 2009-01-22 | 2010-07-30 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2013122984A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Canon Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2013140916A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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