JP2009272013A - メモリの試験装置および試験方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リフレッシュ制御回路10は、所定のタイミングごとにアサートされるDRAM(Dynamic Random Access Memory)200のリフレッシュを要求する割込信号REFTENDを受ける。リフレッシュ制御回路10は、割込信号REFTENDがアサートされた回数をカウントし、DRAM200が外部からアクセス可能なアイドル状態において、カウントした回数、DRAM200をリフレッシュさせるための割込サブルーチン開始信号IJMPをアサートする。リフレッシュ回路4は、割込サブルーチン開始信号IJMPがアサートされると、所定の割込サブルーチンを実行し、リフレッシュパターンをDRAM200に供給する。
【選択図】図2
Description
アップダウンカウンタを利用することにより、リフレッシュ回数を適切に保持することができる。
・DRAMがアイドル状態であり、かつリフレッシュ回路が割込サブルーチンを実行中でなく、かつカウンタのカウント値が非ゼロのとき、または、
・リフレッシュ回路が割込サブルーチンを実行中であり、かつDRAMがアイドル状態であり、かつカウント値が非ゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたとき
に、割込サブルーチン開始信号をアサートしてもよい。
・リフレッシュ回路が割込サブルーチンを実行中であり、かつDRAMが非アイドル状態であり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたとき、または、
・リフレッシュ回路が割込サブルーチンを実行中であり、かつカウンタのカウント値がゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたとき
に、割込サブルーチン復帰信号をアサートしてもよい。
・割込開始信号がアサートされるとき、割込判定信号をアサートし、
・割込開始信号がネゲートされた状態において、割込サブルーチン復帰信号がアサートされると、割込判定信号をネゲートし、
・割込開始信号がネゲートされた状態において、割込サブルーチン復帰信号がネゲートされると、割込判定信号を前回の値に保持してもよい。
DRAMに何らかのエラーが発生すると、非アイドル状態が長期間にわたり持続する可能性がある。カウンタのカウント値はこの場合のエラー処理に利用することができる。
1.所定のタイミングごとにアサートされるDRAMのリフレッシュを要求する割込信号を生成する。
2. 割込信号がアサートされた回数をカウントする。
3. DRAMが外部からアクセス可能なアイドル状態において、カウントした回数、DRAMをリフレッシュさせるための割込サブルーチン開始信号をアサートする。
4. 割込サブルーチン開始信号がアサートされると、所定の割込サブルーチンを実行し、リフレッシュパターンをDRAMに供給する。
試験装置100は、DUTであるDRAM200の良否を判定し、あるいは不良箇所を特定する機能を有する。
本明細書において、リフレッシュ制御回路10の内部で生成される信号は小文字で表記し、外部から入力され、あるいは外部へと出力される信号は大文字で表記する。
itcntz=(itcnt==0)
である。“=”は右辺の値を左辺のシンボルに代入することを示す。“==”は2つの値が等しいときに「真」を返す演算子である。
条件1. DRAM200がアイドル状態であり、かつリフレッシュ回路4が割込サブルーチンを実行中でなく、かつカウンタ12のカウント値itcntが非ゼロのとき
条件2. リフレッシュ回路4が割込サブルーチンを実行中であり、かつDRAM200がアイドル状態であり、かつカウント値itcntが非ゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号RTNがアサートされたとき
IREF=(!(INTINH|nowint))&(!itcntz) …(1)
“!”は論理否定を、“&”は論理積を、“|”は論理和を示す演算子である。
(nowint&(!(INTINH|itcntz)))&RTN …(2)
したがって、割込サブルーチン開始信号生成部20により生成される割込サブルーチン開始信号IJMPは、以下の論理式(3)で表現できる。
IJMP=IREF|((nowint&(!(INTINH|itcntz)))&RTN) …(3)
割込サブルーチン復帰信号IRTNは、割込サブルーチンの実行中に復帰命令RTNを受けるたことをトリガとしてアサートされるが、インタラプトサブルーチンを繰り返すループ中ではアサートすべきでない。そのために、カウント値itcntの値も評価対象となる(条件3)。
nowint&itcntz&RTN …(4)
条件4を満たすとき、以下の論理式(5)が真となる。
nowint&INTINH&RTN …(5)
IRTN=(nowint&(INTINH|itcntz))&RTN …(6)
割込判定信号生成部18は、割込開始信号IREFがアサートされるとき、割込判定信号nowintをアサートする。
また、割込開始信号IREFがネゲートされた状態において、割込サブルーチン復帰信号IRTNがアサートされると、割込判定信号nowintをネゲートする。
さらに、割込開始信号IREFがネゲートされた状態において、割込サブルーチン復帰信号IRTNがネゲートされると、割込判定信号nowintを前回の値に保持する。
図4に示すように、割込禁止信号INTINHがアサートされた状態で、割込信号REFTENDがアサートされると(6サイクル目、11サイクル目)、カウント値itcntがインクリメントされる。15サイクル目で割込禁止信号INTINHがネゲートされると、16サイクル目で条件1を満たすため、論理式(1)で表される割込開始信号IREFがアサートされ、さらに論理式(3)にしたがい、割込サブルーチン開始信号IJMPがアサートされる。続く17サイクル目でカウンタ12がデクリメントされる。17サイクル目でリフレッシュ動作が開始し、割込判定信号nowintがアサートされる。
このように、書き込みデータ信号WBUS[15:0]によってカウント値itcntに初期値を与え、モード信号DGMDを“1”とした状態でプログラムを開始することにより、予めリフレッシュパターン(割込サブルーチン)を設定回数分、実行させることが可能となる。
Claims (15)
- DRAM(Dynamic Random Access Memory)の試験装置であって、
所定のタイミングごとにアサートされる前記DRAMのリフレッシュを要求する割込信号を受け、前記割込信号がアサートされた回数をカウントし、前記DRAMが外部からアクセス可能なアイドル状態において、カウントした回数、前記DRAMをリフレッシュさせるための割込サブルーチン開始信号をアサートするリフレッシュ制御回路と、
前記割込サブルーチン開始信号がアサートされると、所定の割込サブルーチンを実行し、リフレッシュパターンを前記DRAMに供給するリフレッシュ回路と、
を備えることを特徴とする試験装置。 - 前記リフレッシュ制御回路は、前記割込信号がアサートされるとカウントアップし、前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを開始するとカウントダウンするカウンタを含むことを特徴とする請求項1に記載の試験装置。
- 前記リフレッシュ制御回路は、
前記割込サブルーチン開始信号を生成する割込サブルーチン開始信号生成部を含み、当該割込サブルーチン開始信号生成部は、
前記DRAMがアイドル状態であり、かつ前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを実行中でなく、かつ前記カウンタのカウント値が非ゼロのとき、
または、
前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを実行中であり、かつ前記DRAMがアイドル状態であり、かつ前記カウント値が非ゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたときに、
前記割込サブルーチン開始信号をアサートすることを特徴とする請求項2に記載の試験装置。 - 前記カウンタは、前記割込サブルーチン開始信号がアサートされると、カウントダウンすることを特徴とする請求項3に記載の試験装置。
- 前記割込サブルーチン開始信号生成部は、前記割込サブルーチン開始信号に加えて、前記割込サブルーチンからの復帰を示す割込サブルーチン復帰信号を生成し、
前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを実行中であり、かつ前記DRAMが非アイドル状態であり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたとき、
または、
前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを実行中であり、かつ前記カウンタのカウント値がゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたときに、
前記割込サブルーチン復帰信号をアサートすることを特徴とする請求項3に記載の試験装置。 - 前記リフレッシュ制御回路は、
前記DRAMがアイドル状態であり、かつ前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを実行中でなく、かつ前記カウンタのカウント値が非ゼロのときアサートされる割込開始信号を生成する割込開始信号生成部と、
前記リフレッシュ回路が前記割込サブルーチンを実行中であることを示す割込判定信号を生成する割込判定信号生成部と、
をさらに含み、
前記割込判定信号生成部は、
前記割込開始信号がアサートされるとき、前記割込判定信号をアサートし、
前記割込開始信号がネゲートされた状態において、前記割込サブルーチン復帰信号がアサートされるとき、前記割込判定信号をネゲートし、
前記割込開始信号がネゲートされた状態において、前記割込サブルーチン復帰信号がネゲートされるとき、前記割込判定信号を前回の値に保持することを特徴とする請求項5に記載の試験装置。 - 前記リフレッシュ制御回路は、
前記カウンタのカウント値が所定の上限値を超えるとアサートされるリフレッシュエラー信号を生成するリフレッシュエラー信号生成部を含み、
前記試験装置は、当該リフレッシュエラー信号がアサートされると、前記割込信号を発生するパターン発生器を停止させることを特徴とする請求項2に記載の試験装置。 - 前記カウンタのカウント値の初期値を、外部から設定可能であることを特徴とする請求項2に記載の試験装置。
- DRAM(Dynamic Random Access Memory)の試験方法であって、
所定のタイミングごとにアサートされる前記DRAMのリフレッシュを要求する割込信号を生成するステップと、
前記割込信号がアサートされた回数をカウントするステップと、
前記DRAMが外部からアクセス可能なアイドル状態において、カウントした回数、前記DRAMをリフレッシュさせるための割込サブルーチン開始信号をアサートするステップと、
前記割込サブルーチン開始信号がアサートされると、所定の割込サブルーチンを実行し、リフレッシュパターンを前記DRAMに供給するステップと、
を備えることを特徴とする試験方法。 - 前記カウントするステップは、前記割込信号がアサートされるとカウンタをカウントアップし、前記割込サブルーチンが開始すると前記カウンタをカウントダウンすることを特徴とする請求項9に記載の試験方法。
- 前記割込サブルーチン開始信号を生成するステップをさらに備え、
前記DRAMがアイドル状態であり、かつ前記割込サブルーチンを実行中でなく、かつ前記カウンタのカウント値が非ゼロのとき、
または、
前記割込サブルーチンを実行中であり、かつ前記DRAMがアイドル状態であり、かつ前記カウンタのカウント値が非ゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたときに、
前記割込サブルーチン開始信号をアサートすることを特徴とする請求項10に記載の試験方法。 - 前記カウンタは、前記割込サブルーチン開始信号がアサートされると、カウントダウンすることを特徴とする請求項11に記載の試験方法。
- 前記割込サブルーチンからの復帰を示す割込サブルーチン復帰信号を生成するステップをさらに備え、
前記割込サブルーチンを実行中であり、かつ前記DRAMが非アイドル状態であり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたとき、
または、
前記割込サブルーチンを実行中であり、かつ前記カウンタのカウント値がゼロであり、かつサブルーチンからの復帰を示す復帰信号がアサートされたときに、
前記割込サブルーチン復帰信号をアサートすることを特徴とする請求項11に記載の試験方法。 - 前記DRAMがアイドル状態であり、かつ前記割込サブルーチンを実行中でなく、かつ前記カウンタのカウント値が非ゼロのときアサートされる割込開始信号を生成するステップと、
前記割込サブルーチンを実行中であることを示す割込判定信号を生成するステップと、
をさらに備え、
前記割込判定信号は、
前記割込開始信号がアサートされるとき、アサートされ、
前記割込開始信号がネゲートされた状態において、前記割込サブルーチン復帰信号がアサートされるとき、ネゲートされ、
前記割込開始信号がネゲートされた状態において、前記割込サブルーチン復帰信号がネゲートされるとき、前回の値が保持されることを特徴とする請求項13に記載の試験方法。 - 前記カウンタのカウント値が所定の上限値を超えるとアサートされるリフレッシュエラー信号を生成するステップをさらに備え、
当該リフレッシュエラー信号がアサートされると、前記割込信号の発生を停止することを特徴とする請求項10に記載の試験方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6464050A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Nec Corp | Refresh control circuit for memory test device |
JPH06236683A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリリフレッシュ制御回路 |
JPH06259962A (ja) * | 1991-11-20 | 1994-09-16 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 半導体メモリ装置 |
JPH08327703A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-12-13 | Teledyne Inc | ベクトル・モジュール・テーブルを用いる自動テスト装置のためのメモリ・アーキテクチャ |
JPH117763A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Dramリフレッシュ制御方法及びその回路 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
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WO2004027780A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Fujitsu Limited | 半導体メモリ |
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US7444577B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-10-28 | Rambus Inc. | Memory device testing to support address-differentiated refresh rates |
US7734866B2 (en) * | 2005-08-04 | 2010-06-08 | Rambus Inc. | Memory with address-differentiated refresh rate to accommodate low-retention storage rows |
JP2011248964A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその制御方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6464050A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Nec Corp | Refresh control circuit for memory test device |
JPH06259962A (ja) * | 1991-11-20 | 1994-09-16 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 半導体メモリ装置 |
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JPH08327703A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-12-13 | Teledyne Inc | ベクトル・モジュール・テーブルを用いる自動テスト装置のためのメモリ・アーキテクチャ |
JPH117763A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Dramリフレッシュ制御方法及びその回路 |
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