JPH117763A - Dramリフレッシュ制御方法及びその回路 - Google Patents

Dramリフレッシュ制御方法及びその回路

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JPH117763A
JPH117763A JP9171254A JP17125497A JPH117763A JP H117763 A JPH117763 A JP H117763A JP 9171254 A JP9171254 A JP 9171254A JP 17125497 A JP17125497 A JP 17125497A JP H117763 A JPH117763 A JP H117763A
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refresh
dram
bus
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Taketsugu Matsubara
岳次 松原
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 システムの処理速度低下,データの破壊を回
避でき、高速アクセスモードの効果を最大限に発揮でき
るDRAMリフレッシュ制御方式を提供する。 【解決手段】 リフレッシュ要求数をカウントするステ
ップ、リフレッシュ要求数が1以上の場合に現在のバス
サイクルがDRAMアクセスであるか否かを判定するス
テップ、DRAMアクセスである場合はリフレッシュを
保留し、DRAMアクセス以外のアクセスである場合は
リフレッシュを並列実行するステップ、保留されたリフ
レッシュ要求数が予め定めた保留数溜った場合には強制
的に保留回数分だけのリフレッシュを連続して実行させ
るステップを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータシス
テムの記憶装置として利用されるダイナミックメモリ
(DRAM)のリフレッシュ制御方式に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図6は、一般的なリフレッシュ制御回路
のブロック図である。図6に示すリフレッシュ制御回路
は、DRAM制御回路3とリフレッシュカウンタ12か
ら構成されている。DRAM制御回路3は、DRAM4
をアクセスするためのロウアドレスストーブ信号RA
S、カラムアドレスストーブ信号CASを生成し、リフ
レッシュ要求信号REERQを検出すると、ロウアドレ
スストーブ信号RAS,カラムアドレスストーブ信号C
ASを使用してリフレッシュを行うための信号を生成す
る。リフレッシュカウンタ12は、カウントクロックC
LKからカウントクロックを入力して、一定時間毎にオ
ーバフローすることでリフレッシュ要求信号REFRQ
を発生する。
【0003】次に図6に示す従来の回路の動作について
説明する。図7は、図6に示すリフレッシュ制御回路の
動作を示すフローチャートである。DRAM制御回路3
は、リフレッシュカウンタ12からオーバーフロー出力
であるリフレッシュ要求信号REFRQを検出すると
(ステップS31)、バス使用権を獲得するためにCP
U11に対しバスホールド要求信号HLDRQをアクテ
ィブにする(ステップS32)。バスホールド要求信号
HLDRQを検出したCPU11は、それまで実行して
いた処理を中断し、ホールド状態に移行してバスを開放
した後、バスホールドアクノリッジ信号HLDAKをア
クティブにする。DRAM制御回路3は、バスホールド
アクノリッジ信号HLDAKがアクティブになったのを
検出すると(ステップS33)、DRAM4のリフレッ
シュを実行する(ステップS34)。
【0004】リフレッシュ終了後、DRAM制御回路3
はバスホールド要求信号HLDRQをインアクテイブに
し(ステップS35)、CPU11はバスホールド要求
信号HLDRQがインアクティブになったのを検出し
て、バスホールドアクノリッジ信号HLDAKをインア
クティブにし、ホールド状態から通常状態に復帰して中
断していた処理を再会する。この一連の動作をリフレッ
シュカウンタのオーバーフロー毎に行う。
【0005】一般的にこの手法は分散型リフレッシュと
呼ばれ、リフレッシュ周期は15μs程度である。然し
ながら上述の分散型リフレッシュ制御方式では、リフレ
ッシュ毎にバスホールドが発生するため、CPUのバス
使用効率が低下し、相対的にシステム全体の処理速度が
低下する。この問題を解決するために、特開平3−37
891号公報「ダイナミック型半導体記憶装置のリフレ
ッシュ回路」(以下、第1の先行出願と称する)では、
リフレッシュを任意に設定した数まで保留し、設定値に
達したときにCPUをバスホールドさせて設定値の回数
分だけ連続してリフレッシュを実行することで、バスホ
ールドの発生回数を減らし、バスの使用効率を向上させ
る技術が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の一
般的なDRAMリフレッシュ制御方式では、CPUがリ
フレッシュ毎に処理を中断しなければならないので、シ
ステム全体の処理速度が低下するという問題がある。ま
た第1の先行出願に係わるシフレッシュ制御方式であっ
ても、リフレッシュのためにバスホールドさせる点では
同じであり、バスホールドに起因するシステムの処理速
度の低下は避けられない。このような問題を解決する方
法の1つに、例えば特開平4−141886号公報「マ
イクロコンピュータ」(以下、第2の先行出願と称す
る)で開示された技術がある。この第2の先行出願のリ
フレッシュ制御方式は、DRAM以外のメモリアクセス
と同時にリフレッシュを並列動作させることで、リフレ
ッシュのためにバスホールドを発生させないようにし、
リフレッシュによるCPUの処理の中断を無くすことと
している。
【0007】然しながらこの第2の先行出願のリフレッ
シュ制御方式では、第1の問題として、リフレッシュ周
期以上にDRAMアクセスが連続して発生する場合に、
データの保証ができなくなる。このような場合に第2の
先行出願ではカウンタを設けておいて、カウンタのオー
バーフローでもリフレッシュを行うことで対処すること
としているが、DRAMアクセスとリフレッシュが競合
した場合については考慮されてない。
【0008】第2の問題として、DRAMアクセス以外
のメモリアクセスであれば無条件でリフレッシュを行う
ため、DRAM以外のメモリに対してのアクセスが頻繁
に発生する場合に、リフレッシュが必要以上に行われて
しまい消費電流が増大する。
【0009】第3の問題として、近年では同じロウアド
レスであればRAS信号をアクティブにしたままカラム
アドレスとCAS信号のみでアクセスし、ロウアドレス
を取り込む時間を削除することで高速にアクセスできる
ページモード等の高速アクセスモードを備えたDRAM
が一般的であるが、このページモードを備えたDRAM
に第2の先行技術のリフレッシュ制御方式を適用する
と、ページモードはリフレッシュを行った時点で終了し
てしまうため、DRAM以外のメモリアクセス後、つま
りリフレッシュ実行後の最初のDRAMアクセスはペー
ジミスヒットとなり、ページモードによる高速アクセス
を行うことができなくなる。この問題はDRAM以外の
メモリアクセスの頻度が高くなるほど顕著に現れてしま
う等の問題点があった。
【0010】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、可能な限りリフレッシュ動作をDR
AMアクセス以外のバスサイクルと同時に実行させるこ
とで、リフレッシュによるバスホールドを無くしてバス
の使用効率を向上させ、且つ高速アクセスモードを備え
たDRAMにおいてもリフレッシュ周期まではDRAM
アクセス以外のバスサイクルが発生してもリフレッシュ
を実行せずに高速アクセスモードを可能な限り継続させ
ることで、DRAMを使用するシステム全体の処理速度
の向上が図れるDRAMリフレッシュ制御方式を提供す
ることを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のDRAMリフレ
ッシュ制御方法は、DRAMのスペックで定められる規
定時間内に規定回数分のリフレッシュを開始させるため
のトリガを検出してDRAMリフレッシュ要求数をカウ
ントする第1のステップ、前記第1のステップによりカ
ウントされたDRAMリフレッシュ要求数が1以上の場
合に現在のバスサイクルがDRAMアクセスであるか否
かを判定する第2のステップ、前記第2のステップでの
判定がDRAMアクセスである場合はDRAMリフレッ
シュを保留する第3のステップ、前記第2のステップで
の判定がDRAMアクセス以外のアクセスである場合は
このバスサイクルとDRAMリフレッシュとを並列実行
する第4のステップ、前記第3のステップにより保留さ
れたDRAMリフレッシュ要求数が予め定めた保留数溜
った場合には、強制的にCPUにバスをホールドさせ、
保留回数分だけのDRAMリフレッシュを連続して実行
させる第5のステップを備えたことを特徴とする。
【0012】また本発明のDRAMリフレッシュ制御回
路は、DRAMスペックで定められる規定時間内に規定
回数分のリフレッシュを開始させるためのトリガを出力
するリフレッシュ開始トリガ出力手段と、前記リフレッ
シュ開始トリガ出力手段のトリガをカウントし、カウン
ト数が予め定めた保留数に達した場合、バス制御装置に
対してバスホールド要求を出力し、またDRAM制御回
路からのDRAMリフレッシュ終了出力によりカウント
数をデクリメントする機能を有するリフレッシュ要求カ
ウント手段と、現在のバスサイクルがDRAMアクセス
であるか否かを判定し、その結果を出力するDRAMア
クセス判定手段と、前記バス制御装置のバスホールドア
クノリッジ,前記リフレッシュ要求カウント手段のカウ
ント出力,前記DRAMアクセス判定手段の出力より、
DRAMリフレッシュを実行するか保留するかを決定す
るリフレッシュ実行・保留判定手段とを備えたことを特
徴とする。
【0013】また、前記リフレッシュ要求カウント手段
は保留数設定手段を備え、その保留数が任意に設定され
る構成であることを特徴とする。
【0014】さらに、前記保留数設定手段はレジスタで
構成され、前記CPUに備えられている入力手段により
その保留数が任意に設定される構成であることを特徴と
する。
【0015】本発明のDRAMリフレッシュ制御方式は
上述のような方法および回路とすることにより、リフレ
ッシュをDRAMアクセス以外のバスサイクルと同時に
並列して実行させることで、リフレッシュのためバスが
ホールドされることによる処理の中断を減少させること
が可能となる。また、リフレッシュを保留回数分だけ連
続実行するようにしたので、DRAMアクセスがリフレ
ッシュ周期を遥かに超過して連続した場合でも、DRA
Mのデータ破壊を回避することが可能となる。さらに、
DRAMアクセス以外のバスサイクルの発生または保留
数が設定値に達するまではDRAMリフレッシュを保留
することで、高速ページモード等の高速アクセスモード
を備えたDRAMにおいても、この高速アクセスモード
の効果を最大限に発揮させることが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は、本発明のDRAMリフレッ
シュ制御方法の一実施形態を実施するための構成を示す
ブロック図であり、図1において、1はバス制御装置、
2はリフレッシュ開始トリガ出力手段、3はDRAM制
御回路、4はDRAM、5はDRAMアクセス判定手
段、6はリフレッシュ要求カウント手段、7はリフレッ
シュ実行・保留判定手段である。
【0017】図1に示すように本実施形態のDRAMリ
フレッシュ制御方法は、システムのバスを制御,管理す
るバス制御装置1と、DRAM4に対してアクセスを行
うための信号を生成し、またリフレッシュ実行・保留手
段からのリフレッシュ要求信号を検出するとリフレッシ
ュを行うための信号を生成し、リフレッシュ終了後にリ
フレッシュ要求カウント手段6へリフレッシュ終了信号
を出力するDRAM制御回路3と、システムで使用する
DRAMのスペックで定められる規定時間内に規定回数
分のリフレッシュ開始トリガを出力するリフレッシュ開
始トリガ出力手段2と、このリフレッシュ開始トリガ出
力手段2の出力をカウントし、カウント数が特定の値に
達すると、バス制御装置1に対してバスホールド要求を
出力し、またDRAM制御回路3からのリフレッシュ終
了出力によりカウント数をデクリメントする機能を有し
たリフレッシュ要求カウント手段6と、現在のバスサイ
クルがDRAMアクセスであるか否かを判定し、その結
果を出力するDRAMアクセス判定手段5と、バス制御
装置1のバスホールドアクノリッジと、リフレッシュ要
求カウント手段6のカウント出力と、DRAMアクセス
判定手段5の出力とにより、リフレッシュを実行するか
保留するかを判定し、その結果を出力するリフレッシュ
実行・保留判定手段7との構成により実行される。
【0018】図2は、図1に示す実施形態の動作を説明
するためのフローチャートである。リフレッシュ開始ト
リガ出力手段2からの出力を検出したリフレッシュ要求
カウント手段6は、リフレッシュ要求をカウントしてリ
フレッシュ実行・保留手段7へその情報を出力する。リ
フレッシュ要求カウント手段6のカウント数が1以上に
なったことを検出したリフレッシュ実行・保留手段7
は、DRAMアクセス判定手段5からの出力により、現
在のバスサイクルがDRAMアクセスであるか否かを判
定し、DRAMアクセスであればDRAMアクセス以外
のバスサイクルが発生するまで、リフレッシュ要求出力
を保留し、DRAMアクセス以外のバスサイクルであれ
ばDRAM制御回路3に対してリフレッシュ要求を出力
する。
【0019】リフレッシュ要求を検出したDRAM制御
回路3は、DRAM4のリフレッシュを実行し、リフレ
ッシュ終了信号をリフレッシュ要求カウント手段6へ出
力する。DRAM制御回路3からのリフレッシュ終了信
号を検出したリフレッシュ要求カウント手段6は、カウ
ント数をデクリメントする。カウント数のデクリメント
の結果カウント数が0になるまで上記動作を繰り返す
(S1〜S6の並列動作ステップ)。
【0020】DRAMアクセスが連続し、リフレッシュ
要求カウント手段6のカウント数が特定の値に達した場
合、リフレッシュ要求カウント手段6はバス制御装置1
に対してバスホールド要求を出力する(S7〜S9の保
留動作ステップ)。
【0021】バス制御装置1は、バスホールド要求を検
出するとリフレッシュ制御装置にバス使用権を移すため
にシステムのバス調停を行い、バス使用権を確保したこ
とを示すバスホールドアクノリッジをリフレッシュ実行
・保留判定手段7へ出力する。バス制御装置1からのバ
スホールドアクノリッジを検出したリフレッシュ実行・
保留判定手段7は、強制的にリフレッシュ要求をDRA
M制御回路3へ出力する。リフレッシュ要求を検出した
DRAM制御回路3は、DRAM4に対しリフレッシュ
を実行し、リフレッシュ終了信号をリフレッシュ要求カ
ウント手段6へ出力する。DRAM制御回路3からのリ
フレッシュ終了信号を検出したリフレッシュ要求カウン
ト手段6は、カウント数をデクリメントする。カウント
数のデクリメントの結果カウント数が0になるまで、上
記動作を繰り返す(S10〜S14の強制動作ステッ
プ)。
【0022】カウント数が0になった時点でリフレッシ
ュ要求カウント手段6は、バス制御装置1に対するバス
ホールド要求を解除する。バスホールド要求の解除を検
出したバス制御装置1は、バスホールドアクノリッジを
解除し、バス使用権をリフレッシュ制御装置から他のバ
スを使用する装置に移す。
【0023】図3は、本発明のDRAMリフレッシュ制
御回路の一実施形態を示すブロック図である。図3にお
いて、図6と同一符号は同一又は相当部分を示し、15
はDRAMデコード回路、16はリフレッシュ要求判定
回路、17は保留数設定手段(レジスタ)であり、シス
テム(CPU)に備えられている入力手段(図示せず)
によりその保留数を任意に設定できる構成となってい
る。リフレッシュカウンタ12は、基準クロックCLK
よりカウントアップし、一定周期毎にオーバーフローし
てオーバーフロー出力信号OVをリフレッシュ要求判定
回路16へ出力する。DRAMデコード回路15は、D
RAMアクセスであるか否かを判定し、DRAMアクセ
ス以外のバスサイクルであれば、DRAM以外のアクセ
ス信号DCSをアクテイブにする。
【0024】図4は、リフレッシュ要求判定回路16の
構成の一例を示すブロック図である。図4に示すように
リフレッシュ要求判定回路16は、リフレッシュ保留カ
ウンタ21とORゲート22とANDゲート23により
構成されている。リフレッシュ保留カウンタ21は、保
留数設定レジスタ17により予め保留数が設定され、リ
フレッシュカウンタ12からのオーバーフロー出力信号
OVの検出毎にカウントアップし、カウント数が保留数
設定レジスタ17により設定された値と等しくなったと
きに、CPU11に対ホールド要求信号HLDRQを出
力する。また、DRAM制御回路3からのリフレッシュ
終了信号REFAKの検出毎にカウント数をカウントダ
ウンする。さらにカウント数0の時にインアクティブに
なるステータス出力信号STATUSを出力する。
【0025】ORゲート22は、DRAMデコード回路
15の出力であるDRAM以外アクセス信号DCSと、
CPU11がバスホールド状態に移行したことを示す出
力信号HLDAKを入力する2入力ORゲートであり、
ANDゲート23に対してリフレッシュ許可信号REF
ENを出力する。ANDゲート23は、ORゲート22
の出力であるリフレッシュ許可信号REFENと、リフ
レッシュ保留カウンタ21のステータス出力信号STA
TUSを入力とする2入力ANDゲートであり、DRA
M制御回路3に対してリフレッシュ要求信号REFRQ
を出力する構成となっている。
【0026】次に図5のフローチャートを参照し、図3
に示す制御回路の動作について説明する。予め保留数設
定レジスタ17によりリフレッシュ保留カウンタ21に
保留数を設定しておく。リフレッシュカウンタ12は、
一定周期毎にオーバーフローし、オーバーフロー出力信
号OVをリフレッシュ要求判定回路16へ出力する。オ
ーバーフロー出力信号OVを検出したリフレッシュ保留
カウンタ21は、カウントアップし、リフレッシュ要求
を保留すると同時に、ステータス信号STATUSをア
クティブにする。DRAMデコード回路15は、バスサ
イクルがDRAMアクセスか否かをバスサイクル毎に判
断し、DRAMアクセス以外の場合にはDRAM以外ア
クセス信号DCSをアクティブにする。ORゲート22
は、DRAMデコード回路15の出力であるDRAM以
外アクセス信号DCSがアクティブになったことで、A
NDゲート23に対してリフレッシュ許可信号REFE
Nをアクティブにする。
【0027】ANDゲート23は、リフレッシュ保留カ
ウンタ21のステータス出力信号STATUSと、OR
ゲート22の出力信号REFENが共にアクティブであ
れば、DRAM制御回路3に対してリフレッシュ要求信
号REFRQを出力する。リフレッシュ要求信号REF
RQを検出したDRAM制御回路3は、DRAM4に対
してリフレッシュを行い、リフレッシュ終了後、リフレ
ッシュ終了信号REFAKをリフレッシュ保留カウンタ
21へ出力する。リフレッシュ終了信号REFAKを検
出したリフレッシュ保留カウンタ21は、カウントダウ
ンし、リフレッシュ保留数をデクリメントし、カウント
数が0であればステータス信号STATUSをインアク
ティブにする(図5のS21〜S26の並列動作ステッ
プ)。
【0028】DRAMアクセス(DRAM以外アクセス
信号DCSがインアクティブ)がリフレッシュ周期を超
過して連続した場合は、リフレッシュ保留カウンタ21
によりリフレッシュ要求を保留するが(図5のS27〜
S29の保留動作ステップ)、保留数が保留数設定レジ
スタ17により設定された値と等しくなったとき、リフ
レッシュ保留カウンタ21がCPU11に対してバスホ
ールド要求HLDRQを出力する。CPU11はバスホ
ールド要求HLDRQを検出すると、処理を中断し、バ
スホールド状態へ移行すると同時にホールドアクノリッ
ジ信号HLDAKを出力する。
【0029】以降の動作は上述と同様に行われ、リフレ
ッシュ保留数が0になり、リフレッシュ保留カウンタ2
1のステータス出力信号STATUSがインアクティブ
になるまで連続してリフレッシュが行われる。保留数が
0になると、リフレッシュ保留カウンタ21はステータ
ス出力信号STATUSをインアクティブにし、同時に
バスホールド要求信号HLDRQをインアクテイブにす
る。バスホールド要求信号HLDRQのインアクテイブ
を検出したCPU11は、ホールドアクノリッジ信号H
LDAKをインアクティブにし、中断していた他のじょ
りを処理を再開する(図5のS30〜S34の強制動作
ステップ)。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明のDRAMリ
フレッシュ制御方式は、第1に、リフレッシュのためC
PUのバスがホールドされることによる他の処理の中断
を減少させ、システムの処理速度低下が回避できるとい
う効果がある。すなわち、リフレッシュをDRAMアク
セス以外のバスサイクルと同時に並列して実行させるこ
とで、リフレッシュを実行するためのバスホールドを発
生させないようにしたためである。例えば、動作周波数
25MHz(1クロック:40ns)のCPUと、リフ
レッシュサイクルが1024/16msのDRAMを接
続したシステムにおいて、従来技術のリフレッシュ制御
方式を適用した場合、仮にリフレッシュにかかるクロッ
ク数を10クロック,前後のバス調停時間が平均17ク
ロックとすると、27×1024で、27648クロッ
クの間、リフレッシュに使用するためにCPUの処理を
中断することになるが、本発明ではリフレッシュと他の
バスサイクルの並列実行が80%の確率で行われ、リフ
レッシュ保留数の最大値を10回と仮定すれば、下記の
計算式より、 1024×(1−0.8)/10=20.48 20.48×(10×10+17)=2397 リフレッシュによるCPUの処理中断クロックは、23
97クロックとなり、従来技術と比較して10%以下に
できる。
【0031】第2に、DRAMアクセスがリフレッシュ
周期を遥かに超過して連続した場合でも、DRAMのデ
ータ破壊を回避できるという効果がある。リフレッシュ
保留回数が予め設定しておいた値に達した場合に、CP
Uをバスホールドさせリフレッシュを保留回数分だけ連
続実行するようにし、1回のバスホールドで複数回のリ
フレッシュを実行することで、バスホールドによる処理
速度低下を従来方式と比較して軽減できるようにしたた
めである。例として規定時間内にT回のリフレッシュを
行う必要があるDRAMの場合、従来技術ではT回のバ
スホールドが発生するが、本発明では設定する保留数を
nとした場合、バスホールドの発生回数はT/n回とな
り、最悪の条件であっても従来技術の1/n以下に抑え
ることができる。
【0032】第3は、高速ページモード等の高速アクセ
スモードを備えたDRAMにおいても、この高速アクセ
スモードの効果を最大限に発揮させることができるとい
う効果がある。リフレッシュ要求信号REFRQの基本
出力判定基準をリフレッシュカウンタからのリフレッシ
ュ要求を検出後で、且つDRAMアクセス以外のバスサ
イクルであるとし、更にDRAMアクセス以外のバスサ
イクルの発生または保留数が設定値に達するまでは、リ
フレッシュを保留することで、リフレッシュを実行する
ことによる高速アクセスモードの解除を可能な限り遅ら
せたためである。例えば、リフレッシュカウンタからの
リフレッシュ要求周期がTμsの場合、従来例では最大
Tμsでページモードが終了するが、本発明では設定す
る保留数をnとすると、最大Tnμsとなり、従来技術
と比較してn倍の時間ページモードを継続できることに
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のDRAMリフレッシュ制御方法の一実
施形態を実施するための構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示す実施形態の動作を説明するためのフ
ローチャートである。
【図3】本発明のDRAMリフレッシュ制御回路の一実
施形態を示すブロック図である。
【図4】図3に示すリフレッシュ要求判定回路16の構
成の一例を示すブロック図である。
【図5】図3に示す回路の動作を説明するためのフロー
チャートである。
【図6】従来のこの種のDRAMリフレッシュ制御回路
の一例を示すブロック図である。
【図7】図6に示す回路の動作を説明するためのフロー
チャートである。
【符号の説明】
1 バス制御装置 2 リフレッシュ開始トリガ出力手段 3 DRAM制御回路 4 DRAM 5 DRAMアクセス判定手段 6 リフレッシュ要求カウント手段 7 リフレッシュ実行・保留判定手段 11 CPU 12 リフレッシュカウンタ 15 DRAMデコード回路 16 リフレッシュ要求判定回路 17 保留数設定手段 21 リフレッシュ保留カウンタ 22 ORゲート 23 ANDゲート

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイナミックメモリ(以下DRAMと記
    す)のリフレッシュを行うDRAMリフレッシュ制御方
    法において、 当該DRAMのスペックで定められる規定時間内に規定
    回数分のDRAMリフレッシュを開始させるためのトリ
    ガを検出してリフレッシュ要求数をカウントする第1の
    ステップ、 前記第1のステップによりカウントされたDRAMリフ
    レッシュ要求数が1以上の場合に現在のバスサイクルが
    DRAMアクセスであるか否かを判定する第2のステッ
    プ、 前記第2のステップでの判定がDRAMアクセスである
    場合はDRAMリフレッシュを保留する第3のステッ
    プ、 前記第2のステップでの判定がDRAMアクセス以外の
    アクセスである場合はこのバスサイクルとDRAMリフ
    レッシュとを並列実行する第4のステップ、 前記第3のステップにより保留されたDRAMリフレッ
    シュ要求数が予め定めた保留数溜った場合には、強制的
    にCPUにバスをホールドさせ、保留回数分だけのDR
    AMリフレッシュを連続して実行させる第5のステッ
    プ、 を備えたことを特徴とするDRAMリフレッシュ制御方
    法。
  2. 【請求項2】 DRAMのリフレッシュを行うDRAM
    リフレッシュ制御回路において、 当該DRAMのスペックで定められる規定時間内に規定
    回数分のリフレッシュを開始させるためのトリガを出力
    するリフレッシュ開始トリガ出力手段と、 前記リフレッシュ開始トリガ出力手段のトリガをカウン
    トし、カウント数が予め定めた保留数に達した場合、バ
    ス制御装置に対してバスホールド要求を出力し、またD
    RAM制御回路からのDRAMリフレッシュ終了出力に
    よりカウント数をデクリメントする機能を有するリフレ
    ッシュ要求カウント手段と、 現在のバスサイクルがDRAMアクセスであるか否かを
    判定し、その結果を出力するDRAMアクセス判定手段
    と、 前記バス制御装置のバスホールドアクノリッジ,前記リ
    フレッシュ要求カウント手段のカウント出力,前記DR
    AMアクセス判定手段の出力より、DRAMリフレッシ
    ュを実行するか保留するかを決定するリフレッシュ実行
    ・保留判定手段と、 を備えたことを特徴とするDRAMリフレッシュ制御回
    路。
  3. 【請求項3】 前記リフレッシュ要求カウント手段は保
    留数設定手段を備え、その保留数が任意に設定される構
    成であることを特徴とする請求項2記載のDRAMリフ
    レッシュ制御回路。
  4. 【請求項4】 前記保留数設定手段はレジスタで構成さ
    れ、前記CPUに備えられている入力手段によりその保
    留数が任意に設定される構成であることを特徴とする請
    求項3記載のDRAMリフレッシュ制御回路。
JP9171254A 1997-06-13 1997-06-13 Dramリフレッシュ制御方法及びその回路 Pending JPH117763A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7526602B2 (en) 2005-08-26 2009-04-28 Nec Electronics Corporation Memory control system and memory control circuit
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