JP2009266225A - 分圧回路 - Google Patents
分圧回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009266225A JP2009266225A JP2009103235A JP2009103235A JP2009266225A JP 2009266225 A JP2009266225 A JP 2009266225A JP 2009103235 A JP2009103235 A JP 2009103235A JP 2009103235 A JP2009103235 A JP 2009103235A JP 2009266225 A JP2009266225 A JP 2009266225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- mos transistor
- voltage
- drain
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
- H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45051—Two or more differential amplifiers cascade coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45481—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising only a direct connection to the supply voltage, no other components being present
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45646—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising an extra current source
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45674—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one current mirror
Abstract
【解決手段】本発明の分圧回路は、入力電圧に対応して第1抵抗に流れる電流を定電流として出力する定電流回路と、定電流が入力電流となり、第1出力電流を出力する第1カレントミラー回路と、第1出力電流が入力電流となり、第2出力電流を出力する第2カレントミラー回路と、第2カレントミラー回路の第2出力電流が出力される出力端子に接続された第2抵抗とを有し、第1カレントミラー回路及び第2カレントミラー回路のカレントミラー比と、第2抵抗及び第1抵抗の抵抗比とにより、第2抵抗の両端の電位差である分圧電圧を調整する。
【選択図】図1
Description
分圧回路としては、正確な電位差を発生させるために、図3に示すように抵抗(例えば500、501、502)を直列に接続し、それらの抵抗値の比により電圧源あるいは信号源からの入力電圧を分圧して分圧電圧を出力する抵抗分圧回路が一般的であり、種々の回路構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、抵抗分圧回路から分圧した電圧を、この電圧を使用する負荷回路へ供給する際、この負荷回路からのソース電流や、負荷回路へのシンク電流が発生した場合、電圧降下が分圧抵抗内にて発生し、等価的に分圧抵抗比を変化させ、分圧した電圧値を正確に得ることができないという問題がある。
このため、抵抗分圧回路は、入力の信号源が電力を供給できない高インピーダンスの場合や、分圧回路から負荷電流を供給しなければならない場合など、高精度の分圧が行えないという問題がある。
また、本発明によれば、従来例のように抵抗比のみでなく、第1カレントミラー回路及び第2カレントミラー回路とのカレントミラー比を用いて、入力電圧の分圧比を設定することができ、抵抗比のみに比較し、より分圧比の設定の範囲における自由度を大きく取ることができる。
また、本発明によれば、分圧する入力電圧を出力する電圧源または信号源以外の他の電圧を用いているため、電流源及び信号源の消費電力を増加させることなく、高い精度にて入力電圧を、所定の比の分圧電圧に分圧することができる。
この図において、本実施形態の分圧回路1は、オペアンプ11、抵抗R1、抵抗R2、MOSトランジスタM1、M2、M3、M4、M5,M6、バッファ12を有している。
ここで、MOSトランジスタM1、M4,M5,M6はnチャネル型MOSトランジスタであり、MOSトランジスタM2及びM3はpチャネル型MOSトランジスタである。また、バッファ12は、ゲインが「1」のバッファアンプであり、入力インイーダンスの低い負荷回路に電力を供給する場合、抵抗R2(抵抗値r2)を介して電流を供給する場合、電流容量がとれずに電圧値が変化してしまうことを抑制するために設けられている。
MOSトランジスタM1は、ゲートが上記オペアンプ11の出力端子に接続され、ソースがオペアンプ11の非反転入力端子と接続点Aにおいて接続されている。ここで、上記抵抗R1は、一端が接続点Aに接続され、他端が接地されている。
上記オペアンプ11、抵抗R1及びMOSトランジスタM1が定電流回路を構成しており、この定電流回路において、オペアンプ11は、接続点Aの電圧が入力電圧の電圧値VINPUTと同様となるよう、MOSトランジスタM1のゲートに対して出力電圧を印加し、MOSトランジスタM1にドレイン電流を流す。このドレイン電流が定電流となる。
MOSトランジスタM3は、ソースが上記電源200に接続され、ゲートが上記MOSトランジスタM2のドレインに接続されている。この電源200は、電圧源100とは異なる電圧源である。
MOSトランジスタM1及びMOSトランジスタM2が第1カレントミラー回路を構成しており、この第1カレントミラー回路において、MOSトランジスタM2のドレインに対して上記定電流が入力電流として入力されると(すなわち、上記定電流がドレイン電流として、MOSトランジスタM2に流れると)、MOSトランジスタM2とMOSトランジスタM3との電流比n1(同一のゲート電圧が印加された場合に流れるドレイン電流の比)に対応した第1出力電流が、MOSトランジスタM3のドレインから出力される。
MOSトランジスタM5は、ゲートがMOSトランジスタM4のドレインに接続され、ソースが接地されている。
MOSトランジスタM4とMOSトランジスタM5が第2カレントミラー回路を構成しており、この第2カレントミラー回路において、MOSトランジスタM4のドレインに対して上記第1出力電流が入力電流として入力されると(すなわち、上記第1出力電流がドレイン電流として、MOSトランジスタM4に流れると)、MOSトランジスタM4とMOSトランジスタM5との電流比n2に対応した第2出力電流が、MOSトランジスタM5のドレインから出力される。
また、上述した第1のカレントミラー回路及び第2のカレントミラー回路は、一例であり、いずれもこの構成のカレントミラー回路に限らず、他の構成のカレントミラー回路を用いても良い。
抵抗R2は、他端が接続点Cにおいて上記MOSトランジスタM5のドレインに接続されている。
上述したように、本実施形態においては、分圧対象となる入力電圧が印加される入力段が、オペアンプ11の非反転入力端子及びMOSトランジスタM6のゲートのみであり、それぞれ高い入力インピーダンスを有しているため、電圧源100に対して、従来のようにソース電流及びシンク電流が発生せず、電圧源100から出力される入力電圧の電圧値VINPUTを変動させることがない。
また、接続点Bの出力抵抗は、ほぼMOSトランジスタM6のオン抵抗、すなわちトランスコンダクタンスgmの逆数となる。
一方、接続点Cの出力抵抗は、ほぼ抵抗R2の抵抗値r2となるが、上述したように、ゲインが「1」のバッファ12を用いることにより、低出力抵抗にて接続点Cから出力電圧を出力することができる。
ここで、電源200の電圧値は、電圧源100の出力電圧の電圧値VINPUTにMOSトランジスタM6の閾値電圧を加算した電圧値より高く設定する必要がある。
ここで、それぞれの抵抗間の抵抗値は、製造プロセスのバラツキにより、抵抗のサイズによっては設計値に対して大きく変動してしまい、抵抗比の絶対値が変化し、高精度な分圧比の制御を行うことができなくなる可能性がある。分圧比を大きくしようし、抵抗間の抵抗値の比が大きいほどこの傾向は顕著となる。
すなわち、分圧比を大きくしようとする際、抵抗R1及び抵抗R2の抵抗値の差を大きくし、かつ抵抗R1及び抵抗R2の抵抗値比の絶対値を安定させるようにサイズを決定すると、抵抗を形成する領域として非常に大きな面積を必要とする。一方、抵抗に代えて、MOSトランジスタにより電流比を調整する場合、電流比の絶対値を安定させるのに必要なMOSトランジスタのサイズは、同様の電流比を抵抗を用いて得る場合に比較して小さく設定することができる。
したがって、本実施形態によれば、電圧源の電圧の変動、使用環境としての温度変動、製造プロセスのバラツキに依存せずに、一定の分圧電圧を出力する分圧回路を得ることができる。また、MOSトランジスタも電圧源の電圧の変動、使用環境としての温度変動、製造プロセスのバラツキに対し、MOSトランジスタ相互間において電気特性が同様の変化をするため、電流値の比(例えば、上述したn1、n2)の絶対値は保たれることになる。
ここで、MOSトランジスタM6を、ピンチオフ電圧Vpがマイナスの数値であるデプレッション型のMOSトランジスタ(nチャネル型)に変更することにより、入力電圧値VINPUTの最低値は、MOSトランジスタM5の飽和電圧VDSSAT以上とすることができる。また、入力電圧値VINPUTの最大値は、電源200の電圧値からMOSトランジスタM6の飽和電圧VDSSATを減算した数値となる。
また、通常のエンハンスメント型のMOSトランジスタM1を、上記MOSトランジスタM6と同様に、デプレッション型に変更することにより、MOSトランジスタM1は、入力電圧の電圧値VINPUTが「0」Vであっても動作可能となる。しかしながら、オペアンプ11の出力段がAB級動作であっても、入力電圧の電圧値VINPUTは接地電位からMOSトランジスタM1の飽和電圧VDSSAT以上である必要がある。
・MOSトランジスタM1及びM6をデプレッション型にした場合
0V+VDSAT <CMVINPUT < Vdd−VDSSAT
・MOSトランジスタM1及びM6をエンハンスメント型にした場合
VGS+VDSAT <CMVINPUT < Vdd−VGS
と設定することができる。
低電圧回路は、定電流源I1と、MOSトランジスタM18、MOSトランジスタM19、MOSトランジスタM20、MOSトランジスタM21、MOSトランジスタM26及びMOSトランジスタM27から構成されている。
ここで、MOSトランジスタM18、MOSトランジスタM19、MOSトランジスタM20はnチャネル型であり、MOSトランジスタM21、MOSトランジスタM26及びMOSトランジスタM27はpチャネル型である。
ここで、MOSトランジスタM11、MOSトランジスタM12、MOSトランジスタM13、MOSトランジスタM14、MOSトランジスタM15、MOSトランジスタM16、MOSトランジスタM22、MOSトランジスタM23、MOSトランジスタM24、MOSトランジスタM28、MOSトランジスタM29及びMOSトランジスタM30はpチャネル型であり、MOSトランジスタM15及びMOSトランジスタM16はnチャネル型である。
上記定電圧回路が生成した定電圧により、差動増幅回路及び出力回路を駆動し、反転入力端子と非反転入力端子との間の電圧差の増幅を行う。
図1においては、ボルテージフォロワの構成となっており、イマジナリショートとして、反転入力端子と非反転入力端子との間の電圧差を「0」とするように、出力電圧が出力される構成となっている。
これにより、オペアンプ11の反転入力端子及び非反転入力端子の入力インピーダンスを高くすることができ、電圧源100に対してシンク電流およびソース電流を発生させ、電圧値VINPUTを変動させることが無くなる。
上述した図2のオペアンプ11は一例であり、電圧源100に対してシンク電流及びソース電流のいずれの発生を抑制し、入力電圧の電圧値VINPUTを変動させない程度に入力インピーダンスが高いタイプであれば、どのような回路構成のものを使用しても良い。
11…オペアンプ
12…バッファ
100…電圧源
200…電源
C1…コンデンサ
M1,M2,M3,M4,M5,M6,M11,M12,M13,M14,M15,M16,M17,M18,M19,M20,M21,M22,M23,M24,M25,M26,M27,M28,M29,M30…MOSトランジスタ
Claims (5)
- 入力電圧に対応して第1抵抗に流れる電流を定電流として出力する定電流回路と、
前記定電流が入力電流となり、第1出力電流を出力する第1カレントミラー回路と、
前記第1出力電流が入力電流となり、第2出力電流を出力する第2カレントミラー回路と、
前記第2カレントミラー回路の第2出力電流が出力される出力端子に接続された第2抵抗と
を有し、
前記第1カレントミラー回路及び前記第2カレントミラー回路のカレントミラー比と、前記第2抵抗及び前記第1抵抗の抵抗比とにより、該第2抵抗の両端に生じる電位差を調整し、該電位差を前記入力電圧の分圧電圧として出力することを特徴とする分圧回路。 - 前記定電流回路が、
非反転入力端子に前記入力電圧が入力され、反転入力端子が前記第1抵抗を介して接地されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端子がゲートに接続され、ソースが前記オペアンプの前記反転入力端子に接続され、ドレインから前記定電流を出力する第1MOSトランジスタと
から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の分圧回路。 - 前記第1カレントミラー回路が、
ソースが電源に接続され、ゲートがドレインに接続された第2MOSトランジスタと、
ソースが前記電源に接続され、ゲートが前記第2MOSトランジスタのドレインに接続された第3MOSトランジスタと
から構成され、前記第2MOSトランジスタのドレインより前記定電流が流れ、前記第3MOSトランジスタのドレインより第1出力電流が流れることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の分圧回路。 - 前記第2のカレントミラー回路が、
ソースが接地され、ゲートがドレインに接続された第4MOSトランジスタと、
ソースが接地され、ゲートが前記第4MOSトランジスタのドレインに接続された第5MOSトランジスタと
から構成され、前記第4MOSトランジスタのドレインに前記第1出力電流が流れ、前記第5MOSトランジスタのドレインから、前記第2抵抗を介して第2出力電流が流れることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の分圧回路。 - 前記電源にドレインが接続され、ゲートに前記入力電圧が印加され、ソースが前記第2抵抗を介して前記第5MOSトランジスタのドレインに接続されている第6MOSトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の分圧回路。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4699008P | 2008-04-22 | 2008-04-22 | |
US61/046,990 | 2008-04-22 | ||
US12/417,455 | 2009-04-02 | ||
US12/417,455 US7872519B2 (en) | 2008-04-22 | 2009-04-02 | Voltage divider circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009266225A true JP2009266225A (ja) | 2009-11-12 |
JP5334180B2 JP5334180B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=41200617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009103235A Expired - Fee Related JP5334180B2 (ja) | 2008-04-22 | 2009-04-21 | 分圧回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7872519B2 (ja) |
JP (1) | JP5334180B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7906994B2 (en) * | 2009-02-24 | 2011-03-15 | Standard Microsystems Corporation | Fast common mode feedback control for differential driver |
JP5921996B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2016-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6343132B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2018-06-13 | 株式会社デンソーテン | 電流制御回路、及び、電子制御装置 |
US9246439B2 (en) * | 2014-05-20 | 2016-01-26 | Cambridge Silicon Radio Limited | Current regulated transimpedance amplifiers |
US9857824B1 (en) * | 2016-06-13 | 2018-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Calibration of a resistor in a current mirror circuit |
US10228714B1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-03-12 | Lite-On Singapore Pte. Ltd. | Low dropout shunt voltage regulator with wide input supply voltage range |
WO2020097932A1 (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 一种阻抗调整电路、芯片及参考电压产生电路 |
CN111404529B (zh) * | 2020-04-03 | 2023-04-25 | 电子科技大学 | 一种耗尽型GaN功率器件的分段直接栅驱动电路 |
CN112367055A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-02-12 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种过压保护电路、装置及设备 |
CN113252959B (zh) * | 2021-05-08 | 2023-06-09 | 国网冀北电力有限公司计量中心 | 多变比交流电压分压器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321551A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 分圧回路 |
JP2006140888A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Denso Corp | 定電流生成回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2715531B2 (ja) | 1989-03-24 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 電圧分圧回路 |
US5300837A (en) * | 1992-09-17 | 1994-04-05 | At&T Bell Laboratories | Delay compensation technique for buffers |
DE10148487B4 (de) * | 2001-10-01 | 2006-07-06 | Infineon Technologies Ag | Referenzspannungsschaltung |
KR100493174B1 (ko) * | 2003-06-16 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 주파수 분주기용 기준 전압 발생기 및 그 방법 |
JP2006018663A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Fujitsu Ltd | 電流安定化回路、電流安定化方法、及び固体撮像装置 |
-
2009
- 2009-04-02 US US12/417,455 patent/US7872519B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-21 JP JP2009103235A patent/JP5334180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321551A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 分圧回路 |
JP2006140888A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Denso Corp | 定電流生成回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090261866A1 (en) | 2009-10-22 |
JP5334180B2 (ja) | 2013-11-06 |
US7872519B2 (en) | 2011-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5334180B2 (ja) | 分圧回路 | |
TWI476557B (zh) | 低壓降電壓調節器及其方法 | |
JP5657853B2 (ja) | 定電流源回路 | |
JP5012412B2 (ja) | 増幅装置及びバイアス回路 | |
JP2001274641A (ja) | 差動増幅器及びこれを用いたフィルタ回路 | |
JP2007267016A (ja) | 演算増幅器 | |
TW201339785A (zh) | 具可調適米勒補償的電壓調節器 | |
JP5092687B2 (ja) | 増幅装置及びGm補償バイアス回路 | |
CN111506146A (zh) | 一种恒流源电路和电源 | |
CN116700418A (zh) | 一种钳位电压精确可调电路 | |
JP2017011396A (ja) | 演算増幅回路 | |
CN103312282A (zh) | 偏压生成电路和差动电路 | |
US7859339B2 (en) | Differential amplification circuit | |
US9864387B2 (en) | Voltage regulator | |
KR20140102603A (ko) | 센서 회로 | |
US20100013556A1 (en) | Transconductance amplifier | |
JP4868868B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP6132881B2 (ja) | 電圧可変利得増幅回路及び差動入力電圧の増幅方法 | |
JP5788739B2 (ja) | 電圧可変利得増幅回路 | |
JP2018019223A (ja) | シングル差動変換回路 | |
JP2015046193A (ja) | 定電流源回路 | |
JP5974998B2 (ja) | 演算増幅器 | |
JP2013093733A (ja) | バイアス回路およびそれを有するアンプ回路 | |
JP2013073375A (ja) | 基準電圧回路 | |
JP2017169092A (ja) | オフセット補正回路およびトランスコンダクタンス比例電流生成回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5334180 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |