JP2009260305A5 - - Google Patents
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- 光が照射されると電流を生成するフォトダイオードと、
前記電流が供給されることができる機能を有する回路と、
前記フォトダイオードと直列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆に接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第1の電流が供給されることで、第2の電流を生成することができる機能を有する回路と、
前記第2の電流の経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第1の電流が供給されることで、第2の電流を生成することができる機能を有する回路と、
前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が同じになるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第1の電流が供給されることで、第2の電流を生成することができる機能を有する回路と、
前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている複数のダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記複数のダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると電流を生成するフォトダイオードと、
前記電流を増幅する単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記フォトダイオードと直列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第1の電流を増幅することで第2の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記第2の電流の経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第1の電流を増幅することで第2の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が同じになるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第1の電流を増幅することで第2の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている複数のダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記複数のダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記ダイオードはフォトダイオードであることを特徴とする光電変換装置。
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US4959797A (en) * | 1987-12-11 | 1990-09-25 | Tensor Development, Inc. | System for tightening threaded fastener assemblies |
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US5389776A (en) * | 1993-11-22 | 1995-02-14 | At&T Corp. | FET-based optical receiver |
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JP3628936B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2005-03-16 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | フォトダイオードの製造方法 |
JP2001332567A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Sony Corp | 電界効果トランジスタの保護回路 |
US6596981B1 (en) * | 2002-01-14 | 2003-07-22 | Texas Advanced Optoelectronic Solutions, Inc. | Method and apparatus for optical detector with special discrimination |
JP2004187168A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 回路構成、光受信器、及び光リンク |
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