JP2009260305A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009260305A5
JP2009260305A5 JP2009064283A JP2009064283A JP2009260305A5 JP 2009260305 A5 JP2009260305 A5 JP 2009260305A5 JP 2009064283 A JP2009064283 A JP 2009064283A JP 2009064283 A JP2009064283 A JP 2009064283A JP 2009260305 A5 JP2009260305 A5 JP 2009260305A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodiode
current
diode
light
path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009064283A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009260305A (ja
JP5587558B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009064283A priority Critical patent/JP5587558B2/ja
Priority claimed from JP2009064283A external-priority patent/JP5587558B2/ja
Publication of JP2009260305A publication Critical patent/JP2009260305A/ja
Publication of JP2009260305A5 publication Critical patent/JP2009260305A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5587558B2 publication Critical patent/JP5587558B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. 光が照射されると電流を生成するフォトダイオードと、
    前記電流が供給されることができる機能を有する回路と、
    前記フォトダイオードと直列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆に接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  2. 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
    前記第1の電流が供給されることで、第2の電流を生成することができる機能を有する回路と、
    前記第2の電流の経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  3. 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
    前記第1の電流が供給されることで、第2の電流を生成することができる機能を有する回路と、
    前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が同じになるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、
    前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  4. 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
    前記第1の電流が供給されることで、第2の電流を生成することができる機能を有する回路と、
    前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている複数のダイオードと、
    前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記複数のダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  5. 光が照射されると電流を生成するフォトダイオードと、
    前記電流を増幅する単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
    前記フォトダイオードと直列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  6. 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
    前記第1の電流を増幅することで第2の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
    前記第2の電流の経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  7. 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
    前記第1の電流を増幅することで第2の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
    前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が同じになるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、
    前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  8. 光が照射されると第1の電流を生成するフォトダイオードと、
    前記第1の電流を増幅することで第2の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
    前記第2の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている複数のダイオードと、
    前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
    前記フォトダイオード及び前記複数のダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか項において、
    前記ダイオードはフォトダイオードであることを特徴とする光電変換装置。
JP2009064283A 2008-03-21 2009-03-17 光電変換装置 Expired - Fee Related JP5587558B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009064283A JP5587558B2 (ja) 2008-03-21 2009-03-17 光電変換装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008072811 2008-03-21
JP2008072811 2008-03-21
JP2009064283A JP5587558B2 (ja) 2008-03-21 2009-03-17 光電変換装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009260305A JP2009260305A (ja) 2009-11-05
JP2009260305A5 true JP2009260305A5 (ja) 2012-04-12
JP5587558B2 JP5587558B2 (ja) 2014-09-10

Family

ID=41087925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009064283A Expired - Fee Related JP5587558B2 (ja) 2008-03-21 2009-03-17 光電変換装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8779348B2 (ja)
JP (1) JP5587558B2 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
KR20120027708A (ko) 2010-09-13 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 X-선 검출기 패널
JP2013058562A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
US8947155B2 (en) * 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
JP2016214512A (ja) * 2015-05-19 2016-12-22 株式会社東芝 センサ
JP2018107161A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像パネル、および撮像パネルの製造方法、レントゲン装置、並びに撮像装置
CN110854143B (zh) * 2018-08-20 2023-04-25 夏普株式会社 有源矩阵基板及x射线摄像面板
CN110911428A (zh) 2018-09-14 2020-03-24 夏普株式会社 有源矩阵基板、以及具备该有源矩阵基板的拍摄面板
CN110911430A (zh) 2018-09-14 2020-03-24 夏普株式会社 有源矩阵基板、以及具备该有源矩阵基板的拍摄面板
US11114496B2 (en) 2019-01-30 2021-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, X-ray imaging panel with the same, and method for producing the same
US20220375980A1 (en) * 2019-11-06 2022-11-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light receiving device and distance measuring device
KR20210075515A (ko) * 2019-12-13 2021-06-23 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법
US12002888B2 (en) * 2021-03-09 2024-06-04 Xerox Corporation Switching device for driving an actuator
US11673796B2 (en) * 2021-03-09 2023-06-13 Palo Alto Research Center Incorporated Scalable high-voltage control circuits using thin film electronics
WO2024004378A1 (ja) * 2022-06-28 2024-01-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置および測距装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3450888A (en) * 1966-10-11 1969-06-17 Gen Electric Speed control of moving paper responsive to transmittance of paper
DE3321503A1 (de) * 1983-06-15 1984-12-20 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Verfahren und schaltungsanordnungen zur verstaerkung eines eingangsstroms
JPS6260275A (ja) * 1985-09-10 1987-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換素子の製造方法
US4959797A (en) * 1987-12-11 1990-09-25 Tensor Development, Inc. System for tightening threaded fastener assemblies
JPH0567765A (ja) * 1991-01-11 1993-03-19 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
US5216274A (en) 1991-01-11 1993-06-01 Fuji Xerox Co., Ltd. Image sensor
JPH0629567A (ja) 1992-07-13 1994-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 受光回路
JPH06335162A (ja) * 1993-03-19 1994-12-02 Nec Corp 半導体集積回路
US5389776A (en) * 1993-11-22 1995-02-14 At&T Corp. FET-based optical receiver
JPH10242773A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Oki Electric Ind Co Ltd 帰還増幅回路
JP3628936B2 (ja) * 2000-05-11 2005-03-16 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 フォトダイオードの製造方法
JP2001332567A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Sony Corp 電界効果トランジスタの保護回路
US6596981B1 (en) * 2002-01-14 2003-07-22 Texas Advanced Optoelectronic Solutions, Inc. Method and apparatus for optical detector with special discrimination
JP2004187168A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 回路構成、光受信器、及び光リンク
JP2006040976A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Hamamatsu Photonics Kk 光検出器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009260305A5 (ja)
JP2012256812A5 (ja) センサ
JP2012099797A5 (ja)
JP2012008541A5 (ja) 光検出装置、及び、タッチパネル
JP2007005774A5 (ja)
TW200703632A (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
TWI632348B (zh) Environmental light filtering circuit, optical sensor and photoelectric detecting device using same
JP2013146045A5 (ja)
JP2013138174A5 (ja)
JP2010206186A5 (ja)
WO2010135723A3 (en) Conjugated polymers and their use in optoelectronic devices
JP2014074713A5 (ja)
JP2014529923A5 (ja)
JP2009047688A5 (ja)
JP2008199493A5 (ja)
JP2012256009A5 (ja) 光センサ、及び、入出力装置
WO2010011859A8 (en) Layered semiconductor neutron detectors
JP2010272641A5 (ja)
JP2012109812A5 (ja)
JP2012109555A5 (ja)
ATE438200T1 (de) Mehrfarben-photonendetektor
JP2013126174A5 (ja)
JP2011187647A5 (ja)
WO2015025224A3 (en) Opto-electronic unit composed of an opto-photonic platform for light processing, photonic converters and one or more light-to-electricity converters to form a solar light converter
WO2009109445A3 (en) Photovoltaic devices with high-aspect-ratio nanostructures