JP2011187647A5 - - Google Patents
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本発明の光電変換装置は、光電変換により光を電流に変換する第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子により変換された電流を増幅する第１の電流増幅手段と、前記第１の電流増幅手段により増幅された電流をモニタし、モニタ信号を出力する第１の電流モニタ手段と、前記第１の電流モニタ手段から出力される前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかけ、前記ゲインをかけられたモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第１の光電変換素子に印加する第１のバイアス電圧設定手段とを有することを特徴とする。
Claims (9)
- 光電変換により光を電流に変換する第１の光電変換素子と、
前記第１の光電変換素子により変換された電流を増幅する第１の電流増幅手段と、
前記第１の電流増幅手段により増幅された電流をモニタし、モニタ信号を出力する第１の電流モニタ手段と、
前記第１の電流モニタ手段から出力される前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかけ、前記ゲインをかけられたモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第１の光電変換素子に印加する第１のバイアス電圧設定手段と
を有することを特徴とする光電変換装置。 - 前記第１の電流増幅手段は、ベースが前記第１の光電変換素子のアノードに接続され、コレクタが電源端子に接続され、エミッタから前記増幅された電流を出力する第１のバイポーラトランジスタを有し、
前記第１の電流モニタ手段は、ソースが前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続され、ドレインから前記増幅された電流を出力し、ゲートの電位を前記モニタ信号として出力する第１の電界効果トランジスタを有し、
前記第１のバイアス電圧設定手段は、
前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかける第１のゲイン手段と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴと同一の極性であり、ソースが電源端子に接続され、ゲートが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、ドレインが前記第１のゲイン手段に接続された第２の電界効果トランジスタと、
前記第２の電界効果トランジスタのドレイン及び基準電位端子間に接続された第１の定電流源とを有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 前記第１のゲイン手段は、ゲートが定電位のバイアス端子に接続され、ソースが前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１の電界効果トランジスタのゲートに接続された第３の電界効果トランジスタを有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
- 前記第１のゲイン手段は、
ソースが前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１の電界効果トランジスタのゲートに接続された第３の電界効果トランジスタと、
入力端子が前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、出力端子が前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続された反転増幅器とを有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。 - 前記第１のゲイン手段は、
正転入力端子が前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、出力端子が前記第１の電界効果トランジスタのゲートに接続されたオペアンプと、
前記第１の電界効果トランジスタのゲート及び前記オペアンプの反転入力端子間に接続された第１の抵抗素子と、
前記オペアンプの反転入力端子及び定電圧端子間に接続された第２の抵抗素子とを有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。 - さらに、ドレインが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、ソースが前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続され、ゲートがリセット信号入力端子に接続された第４の電界効果トランジスタを有することを特徴とする請求項３記載の光電変換装置。
- さらに、光電変換により光を電流に変換する第２の光電変換素子と、
前記第２の光電変換素子により変換された電流を増幅する第２の電流増幅手段と、
前記第２の電流増幅手段により増幅された電流をモニタし、第２のモニタ信号を出力する第２の電流モニタ手段と、
前記第２の電流モニタ手段から出力される前記第２のモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第２の光電変換素子に印加する第２のバイアス電圧設定手段とを有し、
第１のＮ型領域、第１のＰ型領域、第２のＮ型領域、第２のＰ型領域及び第３のＮ型領域が積層され、前記第１の光電変換素子は前記第１のＮ型領域、前記第１のＰ型領域及び前記第２のＮ型領域を有し、前記第２の光電変換素子は前記第２のＮ型領域、前記第２のＰ型領域及び前記第３のＮ型領域を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 前記第１のバイアス電圧設定手段は、前記第１の電流モニタ手段から出力される前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかける第１のゲイン手段を有することを特徴とする請求項７記載の光電変換装置。
- 前記第２のバイアス電圧設定手段は、前記第２の電流モニタ手段から出力される前記第２のモニタ信号に対して１より小さいゲインをかける第２のゲイン手段を有し、前記第２のゲイン手段によりゲインをかけられた第２のモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第２の光電変換素子に印加することを特徴とする請求項８記載の光電変換装置。
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