JP2012044549A5 - - Google Patents

Description

本発明のサンプルホールド回路は、信号を増幅するアンプと、信号を蓄積するホールド容量と、前記アンプの出力端子及び前記ホールド容量の間に接続されるスイッチとを有し、前記スイッチがオンの状態で前記アンプは第１の信号帯域幅で増幅し、その後、前記スイッチがオンの状態で前記アンプは前記第１の信号帯域幅より狭い第２の信号帯域幅で増幅し、その後、前記アンプが前記第２の信号帯域幅で増幅する状態において、前記スイッチをオフにすることを特徴とする。

Claims (11)

1. 信号を増幅するアンプと、
   信号を蓄積するホールド容量と、
   前記アンプの出力端子及び前記ホールド容量の間に接続されるスイッチとを有し、
   前記スイッチがオンの状態で前記アンプは第１の信号帯域幅で増幅し、その後、前記スイッチがオンの状態で前記アンプは前記第１の信号帯域幅より狭い第２の信号帯域幅で増幅し、その後、前記アンプが前記第２の信号帯域幅で増幅する状態において、前記スイッチをオフにすることを特徴とするサンプルホールド回路。
2. 信号を増幅するアンプと、
   信号を蓄積するホールド容量と、
   前記アンプの出力端子及び前記ホールド容量の間に接続されるスイッチとを有し、
   前記スイッチがオンの状態で前記アンプは第１のバイアス電流の供給を受けることにより増幅し、その後、前記スイッチがオンの状態で前記アンプは前記第１のバイアス電流より小さい第２のバイアス電流の供給を受けることにより増幅し、その後、前記アンプが前記第２のバイアス電流の供給を受けることにより増幅する状態において、前記スイッチをオフにすることを特徴とするサンプルホールド回路。
3. 前記アンプは、容量及び可変抵抗の直列接続回路を有する位相補償回路を有する負帰還アンプであり、前記可変抵抗を第１の抵抗値にすることにより前記第１の信号帯域幅で増幅し、前記可変抵抗を前記第１の抵抗値より低い第２の抵抗値にすることにより前記第２の信号帯域幅で増幅することを特徴とする請求項１記載のサンプルホールド回路。
4. 前記可変抵抗は、ＭＯＳトランジスタのドレイン及びソース間抵抗であり、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電圧に応じて抵抗値が変化することを特徴とする請求項３記載のサンプルホールド回路。
5. 前記アンプは、負帰還アンプであることを特徴とする請求項１又は２記載のサンプルホールド回路。
6. 前記アンプは、ソースフォロワーアンプであることを特徴とする請求項１又は２記載のサンプルホールド回路。
7. 光電変換素子を有する画素と、
   前記画素の信号を増幅するアンプと、
   信号を蓄積するホールド容量と、
   前記アンプの出力端子及び前記ホールド容量の間に接続されるスイッチとを有し、
   前記スイッチがオンの状態で前記アンプは第１の信号帯域幅で増幅し、その後、前記スイッチがオンの状態で前記アンプは前記第１の信号帯域幅より狭い第２の信号帯域幅で増幅し、その後、前記スイッチがオフの状態で前記アンプは第２の信号帯域幅で増幅することを特徴とする撮像装置。
8. 前記アンプは、第１のバイアス電流の供給を受けることにより前記第１の信号帯域幅で増幅し、前記第１のバイアス電流より小さい第２のバイアス電流の供給を受けることにより前記第２の信号帯域幅で増幅することを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
9. 前記アンプは、容量及び可変抵抗の直列接続回路を有する位相補償回路を有する負帰還アンプであり、前記可変抵抗を第１の抵抗値にすることにより前記第１の信号帯域幅で増幅し、前記可変抵抗を前記第１の抵抗値より低い第２の抵抗値にすることにより前記第２の信号帯域幅で増幅することを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
10. 前記アンプは、負帰還アンプであることを特徴とする請求項７又は８記載の撮像装置。
11. 前記画素は、２次元的に複数配列され、
    前記アンプは、前記画素の各列に設けられることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の撮像装置。