JP6483150B2 - 放射線検出器 - Google Patents

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Description

本発明は、放射線検出器、特にX線検出器に関し、より詳細には感度の高いX線検出機能を備えた放射線検出パネルを実現する技術に関するものである。
入射した放射線、特にX線の線量に応じた電気信号を出力するセンサー素子としては、X線を直接電気信号に変換する直接変換型や、X線をシンチレーターにより光に変換してから光電変換素子により電気信号に変換する間接変換型のものが用いられている。このようなセンサー素子を、基板(パネル)上に2次元マトリクス状に配置された複数のピクセルの1ピクセル毎に設けたX線画像撮像用のパネルが開発されている。このようなパネルでは、各ピクセルの制御に薄膜トランジスタ素子(TFT(Thin Film Transistor)素子)が使われている。そして、直接変換型および間接変換型の何れにおいても、X線の線量に応じて発生した電気信号(電荷)が各ピクセル内の容量に蓄積されるようになっている。
この容量に蓄積された電気信号を、TFT素子を介して、パネルの外部にある増幅器に転送するものをパッシブピクセル型といい、既に、デジタルX線撮像装置として広く実用化されている。
一方、特許文献1、非特許文献1および非特許文献2に記載されているように、読出しラインの熱雑音や外部の読出し回路の雑音の影響を軽減できることから、電気信号が蓄積された容量を、TFT素子を増幅素子として使うことで増幅して外部の回路に伝えるアクティブピクセル型と称されるものの開発も行われている。
図9は、従来のアクティブピクセル型の放射線検出器100に備えられたアクティブピクセル101と読出し回路102の一例を示す図である。
図示されているように、アクティブピクセル101におけるセンサー素子103の一端には、センサー素子103のバイアス電圧であるVs_bが与えられる。そして、X線がアクティブピクセル101に入射されるとセンサー素子103により電気信号が発生し、センサー素子103に接続されたアンプトランジスタ105のゲート電極の電圧が変化する。これは、発生した上記電気信号が、アンプトランジスタ105のゲート電極に接続された静電容量に蓄積されるためである。
アンプトランジスタ105は、発生した上記電気信号によるゲート電圧の変化を、ドレインソース間の電流変化として出力する。アンプトランジスタ105は、上記電気信号を増幅するトランジスタであって、その電源電圧はVdである。
リセットトランジスタ104は、アンプトランジスタ105のゲート電極と、アクティブピクセル101の外部から与えられるリセット電圧Vdとを、リセット信号線109を介して供給されるリセット信号に基づいて、導通状態あるいは遮断状態に制御する。
読出しトランジスタ106は、アンプトランジスタ105のドレインソース間の電流をアクティブピクセル101の外部に出力するためのスイッチであり、読出し信号線108を介して供給される読出し信号に基づいて、制御される。
そして、アクティブピクセル101の外部に出力されたアンプトランジスタ105のドレインソース間の電流は、積分用アンプ107と、積分用アンプ107のマイナス入力端子と積分用アンプ107の出力端子との間に接続された容量Cf110と、を備えた読出し回路102によって読み出され、読出し回路102は出力電圧Vo111を出力するようになっている。
日本国公開特許公報「特開2014−60725号公報(2014年4月3日公開)」
K. S. Karim, et al.,"Readout Circuit in Active Pixel Sensors in Amorphous Silicon Technology,"IEEE Electron, Device Letters, Vol.22, No.10, October 2001. K.S.Karim, et.al,, "Amorphous Silicon Active Pixel Sensor Readout Circuit for Digital Imaging," IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 50, NO. 1, JANUARY 2003
しかしながら、従来のアクティブピクセル型の放射線検出器100において、一つのアクティブピクセル101内や複数のアクティブピクセル101間で、アンプトランジスタ105の閾値電圧や移動度がばらつくことが考えらえる。この場合、アンプトランジスタ105のゲート電圧の初期値を一律に決めると、アクティブピクセル101の外部に出力されるアンプトランジスタ105のドレインソース間の電流の初期値がばらついてしまう。そのため、放射線がアクティブピクセル101に入射され、センサー素子103によって発生した電気信号が蓄積された静電容量によって変動したアンプトランジスタ105のドレインソース間の電流量を正確に見積もることができない。
アンプトランジスタ105のドレインソース間の初期電流値を測定して、放射線入射後の電流値との差をとることで、初期電流値のバラツキを補正することはできる。しかし、得られる初期電流値が大きい場合には、フリッカノイズが大きくなり、所望のS/N比(Signal/Noise比)が得られない。また、得られる初期電流値が大きすぎて飽和した場合には、出力信号(出力電流)を検出できなくなったりすることがあるので問題である。一方で、得られる初期電流値が小さすぎる場合には、アンプトランジスタ105の増幅率も小さく、S/N比の低下につながる可能性や所望の出力信号が得られないことがあり得るので問題である。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、アンプトランジスタの閾値電圧や移動度がばらついた場合においても、所望のS/N比を維持した出力信号を得ることのできる放射線検出器を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る放射線検出器は、入射した放射線の線量に基づいた電気信号を発生させるセンサー素子と、上記電気信号を増幅するアンプトランジスタと、オンされた場合に上記アンプトランジスタのゲート電極を初期電圧にリセットするリセットトランジスタと、を有するアクティブピクセルを備え、記アンプトランジスタの上記ゲート電極の電圧変化に基づく上記アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す放射線検出器であって、上記電圧変化は、上記センサー素子の出力から上記アンプトランジスタの上記ゲート電極に供給される上記電気信号によって発生させられ、増幅器を含み、当該増幅器を用いて上記電流値を読み出すリセット読出し回路を備え、上記リセット読出し回路は、一方の側が上記アンプトランジスタの上記ドレイン電極および上記増幅器のマイナス側入力端子に接続され、かつ、他方の側がグランドに接続された抵抗を含む初期値決定回路を有し、上記リセットトランジスタのソース電極は、上記増幅器の出力端子に接続され、上記リセットトランジスタのドレイン電極は、上記センサー素子の上記出力および上記アンプトランジスタの上記ゲート電極に接続され、上記リセットトランジスタのゲート電極は、リセット信号線に接続され、上記増幅器の上記出力は、上記増幅器の上記マイナス側入力端子にフィードバックされ、基準電圧は、上記増幅器のプラス側入力端子に入力され、上記リセット読出し回路は、上記リセットトランジスタがオンされた場合に、上記電流値が上記基準電圧と上記抵抗との商に等しい所定の値となるように、上記リセットトランジスタの上記ソース電極および上記ドレイン電極を介して、上記アンプトランジスタの上記ゲート電極に上記初期電圧を出力することを特徴とする。また、本発明の一態様に係る放射線検出器は、入射した放射線の線量に基づいた電気信号を発生させるセンサー素子と、上記電気信号を増幅するアンプトランジスタと、を備え、上記電気信号による上記アンプトランジスタのゲート電極の電圧変化に基づく上記アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す放射線検出器であって、増幅器を含み、当該増幅器を用いて上記電流値を読み出すリセット読出し回路を備え、上記リセット読出し回路は、上記電流値が予め定められた値となるように、上記ゲート電極に初期電圧を出力し、上記リセット読出し回路が、上記電流値を読み出す動作と、上記ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作とを、切り替える際には、上記増幅器の一方の入力端子と上記増幅器の出力端子との間に接続されたフィードバック容量を変更することを特徴とする。
本発明の一態様によれば、アンプトランジスタの閾値電圧や移動度がばらついた場合においても、所望のS/N比を維持した出力信号を得ることのできる放射線検出器を実現できる。
本発明の実施形態1に係る放射線センサーの概略的な回路構成を示す図である。 (a)および(b)は、上記放射線センサーの変形例におけるリセット読出し回路の概略的な構成を示す図である。 (a)および(b)は本発明の実施形態2に係る放射線撮像装置の概略構成およびアクティブピクセル内の概略的な回路構成を示す図である。 上記放射線撮像装置を駆動する信号のタイミングチャートの一例を示す図である。 上記放射線撮像装置におけるリセット読出し回路の概略的な構成を示す図である。 本発明の実施形態3に係る放射線撮像装置におけるリセット読出し回路の概略的な構成を示す図である。 本発明の実施形態4に係る放射線撮像装置におけるリセット読出し回路の概略的な構成を示す図である。 本発明の実施形態5に係る放射線撮像装置におけるリセット読出し回路の概略的な構成を示す図である。 従来のアクティブピクセル型の放射線検出器に備えられたアクティブピクセルおよび読出し回路の一例を示す図である。
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。なお、説明の便宜上、各実施形態に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付記し、適宜その説明を省略する。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1について、図1を参照して説明する。ただし、この実施形態に記載されている構成の寸法、材質、形状、相対配置、加工法などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。さらに図面は模式的なものであり、寸法の比率、形状は現実のものとは異なる。
〔放射線センサーの概略構成〕
図1は、本発明の実施形態1に係る放射線センサー1の概略的な回路構成を示す図である。
放射線センサー1(放射線検出器)は、放射線の有無または放射線の強度を検知するセンサーであり、図1に示すように、アクティブピクセル2およびリセット読出し回路10を備えている。
なお、本実施形態では、放射線センサー1が入射された放射線を直接電気信号に変換する直接変換型であるとして説明するが、上記に限らない。放射線センサー1は、入射された放射線をシンチレーター等により光に変換してから光電変換素子により電気信号に変換する間接変換型であってもよい。
〔アクティブピクセル〕
アクティブピクセル2(ピクセル)は、入射された放射線の線量に応じた電流を後述するリセット読出し回路10に出力する。アクティブピクセル2の制御には、TFT(Thin Film Transistor)が用いられている。アクティブピクセル2は、センサー素子3、リセットトランジスタ4、アンプトランジスタ5、および読出しトランジスタ6を備えている。
センサー素子3は、放射線を直接、電気信号(電荷またはホール)に変換する素子である。言い換えると、センサー素子3は、入射した放射線の線量に応じた電気信号を生成する(電気信号を発生させる)。センサー素子3の出力端は、アンプトランジスタ5のゲート電極およびリセットトランジスタ4のドレイン電極に接続されている。センサー素子3の入力端はバイアス電源(図示なし)に接続されている。センサー素子3の入力端にはバイアス電源からバイアス電圧Vs_bが印加されている。
センサー素子3に放射線が入射されると、センサー素子3から入射された放射線の線量に応じた電気信号が出力され、センサー素子3の出力端に接続されたアンプトランジスタ5のゲート電極にかかる電圧が変動する。これは、アンプトランジスタ5のゲート電極とバイアス電圧Vs_bとの間の静電容量に、センサー素子3から出力された電気信号が蓄積されるためである。アンプトランジスタ5のゲート電極とバイアス電圧Vs_bとの間の静電容量は、アンプトランジスタ5のゲート電極の寄生容量、およびセンサー素子3の入出力端子間容量などで形成されている。
なお、センサー素子3が、間接変換型の場合は、シンチレーター等により、入射された放射線から変換された光を電気信号に変換する。
リセットトランジスタ4は、アンプトランジスタ5のゲート電極と、アクティブピクセル2の外部から与えられるリセット電圧とを、リセット信号線Lresetを介して供給されるリセット信号に基づいて、導通状態あるいは遮断状態に制御する。
リセットトランジスタ4のソース電極はリセット読出し回路10の出力端に接続されている。リセットトランジスタ4のゲート電極は、リセット信号線Lresetに接続されており、リセット信号線Lresetからのリセット信号がHighになるとリセットトランジスタ4がオンされる。
アンプトランジスタ5は、センサー素子3により生成された電気信号を増加させるトランジスタであって、電気信号によるアンプトランジスタ5のゲート電圧の電圧変化を、アンプトランジスタ5のドレインソース間の電流として出力する。
アンプトランジスタ5のドレイン電極は、読出しトランジスタ6のソース電極に接続されている。アンプトランジスタ5のソース電極は、アンプトランジスタ5の電源(図示なし)に接続されている。アンプトランジスタ5のソース電極にはアンプトランジスタ5の電源から、電源電圧Vdが印加されている。
読出しトランジスタ6は、アンプトランジスタ5の出力電流をアクティブピクセル2の外部に出力するためのスイッチである。
読出しトランジスタ6のドレイン電極は、後述するリセット読出し回路10の入力端に接続されている。読出しトランジスタ6のゲート電極は読出し信号線Lreadに接続されており、読出し信号線Lreadからの信号がHighになると読出しトランジスタ6がオンされる。
ここで、アンプトランジスタ5を適切な信号増幅率で動作させるためには、以下に示す理由から、アンプトランジスタ5のゲート電極に印加するゲート電圧を適切な電圧に初期化(リセット)し、アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる初期電流値を適正範囲内に設定する必要がある。
例えば、アンプトランジスタ5がN型トランジスタである場合、ゲート電圧が高すぎると、アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値が大きすぎて、後述するリセット読出し回路10が読出した出力電圧Voは飽和する可能性がある。また、大きすぎる電流はノイズの増大を招き、S/N比の低下につながる可能性がある。
一方で、ゲート電圧が低すぎると、ゲート電圧が閾値以下になり、アンプトランジスタ5のドレインソース間に電流が流れない可能性がある。また、小さすぎる電流は増幅率の低下によるS/N比の低下につながる可能性がある。
アンプトランジスタ5のゲート電圧の適切な初期電圧(アンプトランジスタ5のゲート電極を初期化したときのアンプトランジスタ5のゲート電圧)は、トランジスタの閾値により変動する。そのため、あらかじめ固定された所定の電圧をゲート電圧の初期電圧としても、アンプトランジスタ5のゲート電圧を適切に初期化することはできない。
ここで、アンプトランジスタ5の増幅率は、アンプトランジスタ5からの出力電流の関数であるため、アンプトランジスタ5からの出力電流を決めることでアンプトランジスタ5の増幅率を適切な値に制御できる。
つまり、アンプトランジスタ5のゲート電圧を適切な電圧に初期化するためには、アンプトランジスタ5のドレインソース間の電流があらかじめ定めた一定の電流値となるように、アンプトランジスタ5のゲート電圧の初期電圧を決定すればよい。
〔リセット読出し回路〕
リセット読出し回路10は、アンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の変化によるアンプトランジスタ5からの出力電流値(アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値)を読み出す。また、リセット読出し回路10は、ドレインソース間の電流値が予め定められた一定の値になるように、アンプトランジスタ5のゲート電極に初期電圧を出力する。
リセット読出し回路10は、フィードバック回路12、および初期値決定回路13を備えている。さらに、アクティブピクセル2のアンプトランジスタ5のゲート電極に初期電圧および読み出した出力電圧Voを出力するための端子P1と、アクティブピクセル2からの出力電流を受け取るための端子P2とを備えている。
フィードバック回路12は、アンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の変化によるアンプトランジスタ5からの出力電流値を積分する。また、フィードバック回路12は、アンプトランジスタ5からの出力電流値が、増幅器11のプラス側入力端子に入力される基準電圧Vint_bと初期値決定回路13における抵抗Rとで予め定められた電流値となるように、フィードバック制御を利用してアンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の初期値(初期電圧)を生成する。フィードバック回路12は、増幅器11および容量Cfを備えている。
増幅器11は、プラス側入力端子が基準電圧Vint_bに接続されている。増幅器11のマイナス側入力端子は、アクティブピクセル2の読出しトランジスタ6を介してアンプトランジスタ5のドレイン電極に接続されるとともに、初期値決定回路13に接続されている。増幅器11の出力はリセットトランジスタ4を介してアンプトランジスタ5のゲート電極に接続されているとともに、出力電圧Voを出力する端子にも接続されている。
増幅器11のマイナス側の入力端子と出力端子とは容量Cfを介して接続されており、フィードバック回路12を構成している。
後述する放射線センサー1のリセット動作時においては、増幅器11の出力は、増幅器11のマイナス側入力端子にフィードバックされ、上記フィードバックにより、増幅器11の出力によって、アンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の初期電圧が生成(設定)される。
初期値決定回路13は、アンプトランジスタ5から出力される電流の初期値を決定する。初期値決定回路13は、抵抗Rを備えている。なお、抵抗Rはグランドに接続されている。初期値決定回路13は、アクティブピクセル2の読出しトランジスタ6を介してアンプトランジスタ5のドレイン電極に接続されるとともに、増幅器11のマイナス側入力端子に接続されている。
〔放射線センサーの動作〕
次に、放射線センサー1の動作について、リセット動作、放射線センシング動作、および読出し動作に分けて説明する。
ここで、放射線センサー1の構成を整理しておく。放射線センサー1は入射した放射線の線量に基づいた電気信号を発生させるセンサー素子3と、上記電気信号を増幅するアンプトランジスタ5と、を備え、上記電気信号による上記アンプトランジスタ5のゲート電極の電圧変化に基づく上記アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す放射線検出器であって、増幅器11を含み、当該増幅器11を用いて上記電流値を読み出すリセット読出し回路10を備え、上記リセット読出し回路10は、上記電流値が予め定められた値となるように、上記ゲート電極に初期電圧を出力する。
〔リセット動作〕
リセット動作は、リセット読出し回路10が、アンプトランジスタ5のドレインソース間の電流があらかじめ定められた値となるように、アンプトランジスタ5のゲート電極の初期電圧を設定し、アンプトランジスタ5のゲート電圧をリセット(初期化)する。リセット動作おいては、リセットトランジスタ4および読出しトランジスタ6はオンされる。
読出しトランジスタ6およびリセットトランジスタ4がともにオンされるとき、増幅器11のフィードバックにより、増幅器11のマイナス側入力端子の電圧はプラス側入力端子と同じVint_bになる。このため、電流Vint_b/Rがアンプトランジスタ5のドレインソース間から読出しトランジスタ6および抵抗Rを介してグランドに流れる。
したがって、電流Vint_b/Rが所望の値になるように抵抗Rの値を選ぶことで、アンプトランジスタ5のドレインソース間を流れる電流Ids_IがIds_I=Vint_b/Rとなるように、アンプトランジスタ5のゲート電圧を決めることができる。
このフィードバック制御によりアンプトランジスタ5のゲート電圧を初期化した後、リセットトランジスタ4をオフすることで、アンプトランジスタ5のゲート電圧は初期電圧値に保持される。
つまり、増幅器11のフィードバックにより、電流Vint_b/Rがアンプトランジスタ5のドレインソース間に流れるように、アンプトランジスタ5のゲート電圧の初期電圧が設定される。
上述したように、アンプトランジスタ5のゲート電圧の初期電圧を一律に決めると、アンプトランジスタ5の閾値電圧や移動度がばらついた場合、アンプトランジスタ5のドレインソース間に流れる電流の初期値がばらつく。このため、センサー素子3からの電気信号により変動したアンプトランジスタ5のドレインソース間の電流量を正確に見積もることができない。アクティブピクセル2に放射線が入射する前の初期電流値を測定して、アクティブピクセル2に放射線が入射した後の電流との差をとることで、初期電流値のバラツキを補正することはできる。しかし、初期電流値が大きいと、フリッカノイズが大きくなり、所望のS/N比が得られないこともある。一方、初期電流値が小さすぎると、アンプトランジスタ5の増幅率が小さく、所望の出力信号が得られない可能性がある。
〔放射線センシング動作〕
放射線センシング動作は、アンプトランジスタ5のゲート電圧がリセットされた状態から、アクティブピクセル2に放射線が入射される。放射線センシング動作は、図1において、リセットトランジスタ4および読出しトランジスタ6はオフ(N型トランジスタの場合、ゲート電圧がlow)される。
放射線の入射によりセンサー素子3において電気信号が生成され、放射線の線量に応じた電気信号がアクティブピクセル2の静電容量に蓄積される。これにより、アンプトランジスタ5のゲート電圧が初期電圧値から変化する。アクティブピクセル2の静電容量に蓄積された放射線の線量に応じた電気信号は、アンプトランジスタ5を増幅素子として使うことで増幅され、出力電流として読出しトランジスタ6のソース電極に出力される。
〔読出し動作〕
読出し動作は、リセット読出し回路10がアンプトランジスタ5からの出力電流値を読み出す。読出し動作は、図1において、リセットトランジスタ4はオフ、読出しトランジスタ6はオン(N型トランジスタの場合、ゲート電圧がhigh)される。
アンプトランジスタ5のドレインソース間に電流が流れている状態で、読出しトランジスタ6をオンにすると、読出しトランジスタ6のドレインソース間が導通する。これにより、アンプトランジスタ5のドレインソース間に流れる電流が外部にあるリセット読出し回路10に出力される。
これにより、アンプトランジスタ5のドレインソース間電流が容量Cfに積分されるため、増幅器11の出力電圧は、積分動作を開始してからの時間をTiとすると、Vo=−Ids×Ti/Cfにしたがって変化する。ここでVoは増幅器11からの出力電圧、Idsは、アンプトランジスタ5のドレインソース間を流れる電流である。出力電圧Voは電流Idsに比例する。放射線の入射による変化分は、Vod=Vo−(−Ids_I×Ti/Cf)により算出することができる。
読出し動作においては、アンプトランジスタ5の出力電流の初期値からの変化分が、フィードバック回路12により容量Cfに積分され、出力電流の変化分に比例した電圧が増幅器11の出力端に出力される。
ここで、リセット読出し回路10は、常にアクティブピクセル2に接続されているが、リセット動作以外は、リセットトランジスタ4がオフになるため、リセット読出し回路10からの電圧はアンプトランジスタ5のゲート電圧に作用しない。
また、読出し動作においては、抵抗Rがアクティブピクセル2の出力端に接続されているため、リセット動作と同じ電流が抵抗Rを介してグランドに流れ、容量Cfでは、リセット時の電流からの変動分の電流のみが積分される。これにより出力のダイナミックレンジを大きくとることが可能となる。
以上の動作により、本実施形態に係る放射線センサー1によれば、各アクティブピクセル2に使われているアンプトランジスタ5の閾値が変動しても、一定の初期電流となるようにアンプトランジスタ5のバイアス電圧が決まり、同じ増幅率で電流を出力できる。このため、アンプトランジスタ5からの出力電流が大きすぎて飽和したり、増幅率が小さすぎて電流が検出できなくなったりすることを防止することが可能になる。このようにして、本実施形態1ではアクティブピクセル2の初期化と読出しの両方の動作を一つの増幅器11で実現することが可能となる。
〔回路の面積について〕
本実施形態では、リセット読出し回路10が(1)アンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の変化によるアンプトランジスタ5のドレインソース間の電流値を読出し(リード動作)、および(2)ドレインソース間の電流値が予め定められた一定の値になるように、フィードバック制御を用いてアンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の初期電圧を設定する(リセット動作)を行う。
ここで、(1)および(2)について、それぞれ専用の増幅器を設けて回路を構成することが考えられるが、本実施形態1に係る回路構成を用いれば、一つの増幅器11を含むリセット読出し回路10を用いるだけで、回路面積を大幅に増加させることなく、(1)および(2)を行うことができる。その結果、製造原価の増加および装置の小型化を実現することができる。
〔変形例〕
本発明の実施形態1の変形例について、図2を参照して説明する。図2は放射線センサー1の変形例におけるリセット読出し回路10aの概略的な構成を示す図であり、図2の(a)は、読出し動作中のリセット読出し回路10aであり、図2の(b)はリセット動作中のリセット読出し回路10aである。
〔リセット読出し回路〕
図2に示すリセット読出し回路10aは、リセット読出し回路10と比較して、初期値決定回路13に代えて、初期値決定回路13aが設けられる点が異なり、その他の構成は同様である。
初期値決定回路13aは、スイッチSW1および抵抗Rを備えている。増幅器11のマイナス側入力端子にスイッチSW1を介して抵抗Rが接続されている。抵抗RのスイッチSW1とは反対側の端部はグランドに接続されている。
〔読み取りおよびリセット動作〕
スイッチSW1は、図2の(a)に示すように、読出し動作期間にはオフされ、図2の(b)に示すように、リセット動作期間にはオンされる。言い換えると、リセット読出し回路10aは、少なくとも一つの抵抗Rを含む上記電流値の予め定められた値を決定する初期値決定回路13aを備え、初期値決定回路13aは、アンプトランジスタ5のゲート電極の初期電圧を出力する動作時には、少なくとも一つの抵抗Rのいずれか一つと増幅器11とを接続させる。これにより、読出し動作時に抵抗Rを回路から切り離すことができるので、抵抗Rが発生するノイズによるS/Nの劣化を回避できる。
スイッチSW1は、例えば、フィードバック信号FbがHigh時にオンになり、フィードバック信号FbがLow時にオフされるように制御することで実現することができる。上記スイッチSW1のオンオフ制御するフィードバック信号Fbは、例えば、読出し信号やリセット信号を生成する制御信号生成回路(図示なし)にクロック信号、スタートパルス信号などを供給する制御部(図示なし)で生成されるが、これに限定されることはない。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2について、図3〜図5を参照して説明する。図3の(a)は本発明の実施形態2に係る放射線撮像装置20の概略構成を示す図である。図3の(b)はアクティブピクセル21内の概略的な回路構成を示す図である。図4は放射線撮像装置20を駆動する信号のタイミングチャートの一例を示す図である。図5は放射線撮像装置20におけるリセット読出し回路10bの概略的な構成を示す図である。
なお、図3の(a)の放射線撮像装置20およびリセット読出し回路10bは、実施形態3では放射線撮像装置20aおよびリセット読出し回路10c、実施形態4では放射線撮像装置20bおよびリセット読出し回路10d、実施形態5では放射線撮像装置20cおよびリセット読出し回路10eに読み換えて参照する。
放射線撮像装置20は、放射線センサー1と比較して、複数のアクティブピクセル21がマトリクス状に形成され、マトリクス状に形成されたアクティブピクセル21の1列毎に、一つのリセット読出し回路10bを備えている点が異なり、その他の構成は同様である。
〔放射線撮像装置の概略構成〕
放射線撮像装置20(放射線検出器)は、図3の(a)に示すように、複数のアクティブピクセル21、フラットパネル7、読出し用集積回路8、およびデータ処理部9を備えている。
フラットパネル7には、アクティブピクセル21(ピクセル)が、複数個配置されている。具体的には、フラットパネル7には、アクティブピクセル21(ピクセル)が、M×N個マトリックス状に備えられており、図3の(b)は、M×N個のアクティブピクセル21中、一例として、M行N列目のアクティブピクセル21の回路構成について図示している。なお、各アクティブピクセル21の構成は、実施形態1において説明したアクティブピクセル2の構成と同じであるため、その説明は省略する。
放射線撮像装置20においては、M×N個のアクティブピクセル21の行毎に読出し信号線Lreadとリセット信号線Lresetとが共有化されており、M×N個のアクティブピクセル21の列毎にリセット用電圧ラインVamp_bと出力ラインIoutとが共有化されている。そのため、読出し信号線Lreadおよびリセット信号線LresetはM個、リセット用電圧ラインVamp_bおよび出力ラインIoutはN個備えられている。
したがって、図3の(b)に図示されているように、例えば、M行N列目のアクティブピクセル21においては、リセットトランジスタ4のゲート電極は、M行目のリセット信号線Lreset_Mに接続されており、読出しトランジスタ6のゲート電極は、M行目の読出し信号線Lread_Mに接続されている。
そして、N列目のリセット用電圧ラインVamp_b_Nは、リセットトランジスタ4を介して、アンプトランジスタ5のゲート電極に接続されており、N列目の出力ラインIout_Nは、読出しトランジスタ6を介して、アンプトランジスタ5のドレイン電極に接続されている。
読出し用集積回路8は、N個のリセット読出し回路10bを備えている。読出し用集積回路8は、N個のリセット読出し回路10bにより、下記の(1)および(2)の動作を行う。(1)各アクティブピクセル21におけるアンプトランジスタ5のドレインソース間の電流変化を読出し、読み出した電流に基づくN個の出力電圧Vo_1・Vo_2・・・Vo_Nをデータ処理部9に出力する。(2)各アクティブピクセル21におけるアンプトランジスタ5のゲート電圧に初期電圧を出力する。
読出し信号やリセット信号を生成する制御信号生成回路(図示なし)においては、図4に図示されているように、リセット期間(上記(2)の動作期間)には、順次、読出し信号およびリセット信号が同時にHighになる信号を生成し、第1読出し期間および第2読出し期間(上記(1)の動作期間)には、順次、読出し信号がHighになる信号を生成し、読出し信号およびリセット信号の状態によって、上記(1)の動作と上記(2)の動作との切り替えが行われる。
データ処理部9は、M×N個の出力電圧に基づいて、M×N解像度の放射線撮像2次元画像を得ることができる。データ処理部9には、リセット読出し回路10bから一度に出力されるN個の出力電圧Vo_1・Vo_2・・・Vo_Nが入力される。
〔リセット読出し回路〕
リセット読出し回路10bは、図3および図5に示すように、リセット読出し回路10と比較して、読出し用集積回路8にM×N個のアクティブピクセル21の列毎に備えられている点、および、フィードバック回路12に代えて、フィードバック回路12bを備えている点が異なり、その他の構成は同様である。
リセット読出し回路10bは、各列のアクティブピクセル21のアンプトランジスタ5のゲート電極に初期電圧を与えるための端子Pj1(1≦j≦N)と、放射線撮像装置20の各列のアクティブピクセル21からの出力を受け取るための端子Pj2(1≦j≦N)と、を備えている。端子Pj1および端子Pj2は、それぞれ、上述したj列目のリセット用電圧ラインVamp_b_j(1≦j≦N)およびj列目の出力ラインIout_j(1≦j≦N)に接続されている。
フィードバック回路12bは、フィードバック回路12と比較して、さらに、スイッチSW2を備えている点が異なり、その他の構成は同じである。
スイッチSW2は容量Cfと並列に接続されおり、容量Cfに蓄積された電荷を放電してリセット(初期化)する。リセット読出し回路10bは、アクティブピクセル21から出力される電流を積分することで放射線の入射により変化した電流を得る。しかし、積分を始めるにあたって容量Cfを初期化する必要がある。
スイッチSW2をオンにし、容量Cfを短絡させることで、容量Cfがリセットされ、アクティブピクセル21から出力される電流を積分する準備が完了する。スイッチSW2を設けることで、容量Cfを一定の出力電圧の状態に初期化できるため、積分結果の出力電圧Voが正確に電流に比例する。
なお、スイッチSW2がなく容量Cfの初期化を行わない場合は、積分前の増幅器11の出力電圧Voと、積分後の増幅器11の出力電圧Voとの両者を測定して、その差を取ることで出力電流に比例した測定値を得ることも可能である。
〔タイムチャート〕
図4は、放射線撮像装置20を駆動する信号のタイミングチャートの一例を示す図である。図4に示すように、M×N解像度の放射線撮像2次元画像を1枚取得する期間(1フレーム期間と呼ぶ)は、例えば、リセット期間と、第1読出し期間と、放射線センシング期間と、第2読出し期間との4フェーズを含む。
リセット期間においては、M×N個のアクティブピクセル21の各アンプトランジスタ5のゲート電圧が行毎に順に初期化(リセット)される。言い換えると、放射線撮像装置20はアクティブピクセル21の行毎にリセット動作を行う。
なお、この期間においては、N個のリセット読出し回路10b各々からN個のリセット用電圧ラインVamp_b_j(1≦j≦N)のそれぞれを介して、各行に属するアクティブピクセル21の各アンプトランジスタ5のゲート電圧に初期電圧が与えられる。
具体的には、まず、リセット信号Reset_1と読出し信号Read_1とがHighになり、1行目のアクティブピクセル21におけるリセットトランジスタ4と読出しトランジスタ6とがオンになる。これにより、1行目のアクティブピクセル21におけるアンプトランジスタ5のゲート電圧にリセット読出し回路10bから初期電圧が出力され、1行目のアクティブピクセル21におけるアンプトランジスタ5のゲート電圧が初期化される。
また、リセット信号Reset_1と読出し信号Read_1とがLowになるタイミングで、リセット信号Reset_2と読出し信号Read_2とがHighになり、2行目のアクティブピクセル21におけるリセットトランジスタ4と読出しトランジスタ6とがオンになる。これにより、2行目のアクティブピクセル21におけるアンプトランジスタ5のゲート電圧が初期化される。
上記リセット期間中には、このように、順次M行目に属するアクティブピクセル21まで各アンプトランジスタ5のゲート電圧を初期化する。
次に、第1読出し期間においては、M×N個の初期化されたアクティブピクセル21の各アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる初期電流値が順にリセット読出し回路10bにより読み出される。言い換えると、放射線撮像装置20は露光期間前の読出し動作を行う。第1読出し期間における各アンプトランジスタ5のドレインソース間の電流の読出しはアクティブピクセル21の行毎に行われる。
なお、この期間においては、N個のリセット読出し回路10b各々からN個の出力電圧Vo_1・Vo_2・・・Vo_Nがデータ処理部9に出力される。
この第1読出し期間においては、読出し信号Read_1、読出し信号Read_2・・・読出し信号Read_Mが順次、Highとなり、対応するi行目(1≦i≦M)に属するアクティブピクセル21における読出しトランジスタ6がオンになる。
これにより、M×N個の初期化されたアクティブピクセル21の行毎に、各アンプトランジスタ5のドレインソース間を流れる初期電流値が、N個の出力電圧Voとして読み出される。読み出されたN個の出力電圧Voは、AD変換されデジタル値として、データ処理部9に備えられた記憶素子(図示なし)に保持される。M×N個のアクティブピクセル21のM行目までの読出しが完了すると第1読出し期間が完了する。
次に、放射線センシング期間(露光期間)においては、放射線撮像装置20に備えられたM×N個のアクティブピクセル21には放射線が入射される。各アクティブピクセル21に備えられたセンサー素子3により入射された放射線量に応じて生成された電気信号が、各アクティブピクセル21の静電容量に蓄積される。
最後に、第2読出し期間においては、M×N個のアクティブピクセル21の各アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる放射線の入射によって変化した電流値が、順にリセット読出し回路10bにより読み出される。言い換えると、放射線撮像装置20は露光期間後の読出し動作を行う。第2読出し期間における各アンプトランジスタ5のドレインソース間の電流の読出しはアクティブピクセル21の行毎に行われる。
なお、この期間においては、N個のリセット読出し回路10b各々からN個の出力電圧Vo_1・Vo_2・・・Vo_Nがデータ処理部9に出力される。
この第2読出し期間においては、読出し信号Read_1、読出し信号Read_2・・・読出し信号Read_Mが順次、Highとなり、対応するi行目(1≦i≦M)属するアクティブピクセル21における読出しトランジスタ6がオンになる。
これにより、M×N個のアクティブピクセル21の行毎に、各アンプトランジスタ5のドレインソース間を流れる電流値が、リセット読出し回路10bによりN個の出力電圧Voとして読み出される。読み出されたN個の出力電圧Voは、AD変換されてデジタル値として取得することができる。さらに、データ処理部9において、第2読出し期間値に取得した出力電圧Voから、上記第1読出し期間においてデータ処理部9の記憶素子(図示なし)に保持した初期電流値に対応する出力電圧Voを引くことで、放射線が入射される前からの電流の変化分を信号として取得することができる。
M×N個のアクティブピクセル21のM行目までの読出しが完了すると第2読出し期間が完了する。
本実施形態においては、1フレーム期間は、リセット期間と、第1読出し期間と、放射線センシング期間と、第2読出し期間とで構成され、1フレーム毎に全ての期間が繰り返される場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、リセット期間は、数フレーム期間に1回含まれていてもよく、第1読出し期間を設けずに、前フレームの第2読出し期間の読出し結果を用いることもできる。また、放射線センシング期間を明示的に別途設けることなく、放射線センシング期間と他の期間を兼用することも可能である。
また、図5に図示されたスイッチSW2を第1読出し期間の最初に短時間のみオンにすることで、積分の初期値を決定する(容量Cfを初期化する)ことができる。上記第1読出し期間の最初の短時間以外は、スイッチSW2はオフとなる。これにより、第1読出し期間を設けずに、第2読出し期間の読出し結果のみで放射線が入射される前からの電流の変化分を信号として取得することができる。言い換えると、第1読出し期間および第2読出し期間を設ける場合は、積分前後の出力電圧の差を測定することにより、スイッチSW2がなくとも放射線が入射される前からの電流の変化分を信号として取得することができる。
なお、フラットパネル7は半導体基板などであってもよく、この場合には、半導体基板上に各回路を直接、作り込むことができる。
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3について、図6を参照して説明する。図6は、本発明の実施形態3に係る放射線撮像装置20aにおけるリセット読出し回路10cの概略的な構成を示す図である。放射線撮像装置20a(図3の(a)参照)は、放射線撮像装置20と比較して、リセット読出し回路10bに代えて、リセット読出し回路10cを備えている点が異なり、その他の構成は同様である。
〔リセット読出し回路〕
リセット読出し回路10cは、フィードバック回路12bに代えて、フィードバック回路12cを備えている点が異なり、その他の構成は同様である。
フィードバック回路12cは、フィードバック回路12bと比較して、容量Cfに代えて、容量Cf1、容量Cf2およびスイッチSW3を備えている点が異なり、その他の構成は同じである。
フィードバック回路12cは、リセット読出し回路10cが、読出し動作とリセット動作とを切り替える際には、増幅器11の一方の入力端子と増幅器11の出力端子との間に接続された容量を変更する。上記変更は、例えば、図4で示すリセット期間と、第1読出し期間および第2読出し期間とで、増幅器11に接続される容量を、容量Cf1から容量Cf1+容量Cf2に、スイッチSW3より切り替える。
アンプトランジスタ5からの出力電流を読み出す時には、読出しのゲインがフィードバック容量により決まる。そのため、読出し時間との関係で適切なフィードバック容量を選択する必要がある。一方、アンプトランジスタ5のゲート電圧の初期電圧を設定する時には、フィードバック容量をフィードバックが安定になるように選ぶ必要がある。本実施形態によれば、これら二つの要求を満たす容量が異なる場合にも容量を切り替えることで適切な容量を設定することができる。
〔容量の切り替え動作〕
リセット期間では、スイッチSW3がオフ、スイッチSW2がオフされる。スイッチSW3がオフのとき、フィードバック回路12cにおいて、フィードバック容量は、容量Cf1となる。読出し期間(第1読出し期間および第2読出し期間)では、スイッチSW3はオン、スイッチSW2は読出し期間の最初に短期間のみオンされ、それ以外はオフされる。スイッチSW3がオンのとき、フィードバック容量は容量Cf1+容量Cf2となる。
これにより、リセット期間では、フィードバックが不安定にならない範囲でフィードバック容量を小さくすることができ、フィードバックが短期間で収束することができる。
また、スイッチSW2は読み出し期間の最初に短時間オンにすることで、容量Cfを短絡させ、積分されたアンプトランジスタ5からの電流を初期化することができる。
〔実施形態4〕
本発明の実施形態4について、図7を参照して説明する。図7は本発明の実施形態4に係る放射線撮像装置20bにおけるリセット読出し回路10dの概略的な構成を示す図である。放射線撮像装置20b(図3の(a)参照)は、放射線撮像装置20と比較して、リセット読出し回路10bに代えて、リセット読出し回路10dを備えている点が異なり、その他の構成は同様である。
〔リセット読出し回路〕
リセット読出し回路10dは、リセット読出し回路10bと比較して、初期値決定回路13に代えて、初期値決定回路13dを備えている点が異なり、その他の構成は同じである。
初期値決定回路13dは、初期値決定回路13と比較して、抵抗Rに代えて、抵抗R1、抵抗R2、スイッチSW4およびスイッチSW5を備えている点が異なり、その他の構成は同じである。
初期値決定回路13dにおいて、アンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値の予め定められた値(初期値)は、複数個備えられており、上記複数個の中からアンプトランジスタ5のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値の初期値が選択される。
初期値決定回路13dは、例えば、図4で示すリセット期間において、目標とする電流の初期値をVint_b/R1またはVint_b/R2の2つの中から選択する。
アンプトランジスタ5の移動度が経時変化により低下した場合、経年変化前と同じ電流値を目標としてアンプトランジスタ5のゲート電圧の初期化を行うと、アンプトランジスタ5の増幅度が減少する。これに対し、予め大きな電流値を含めて目標値(初期値)を選択できるようにしておくことで、移動度が経時変化により低下した場合であっても、目標値を上記の大きな電流値に変更することにより、増幅度の減少を補正することができ、増幅度の減少を防ぐことができる。
なお、初期値決定回路13dに接続される抵抗の数、すなわち選択できる電流の目標値の数は特に限定されず、回路面積を顧慮し、適宜、増やすことができる。
抵抗R1および抵抗R2の切り替え(スイッチSW4およびスイッチSW5のオンオフ)は、ユーザが外部から行ってもよい。また、上記切り替えは、リセット動作時のアンプトランジスタ5のゲート電圧を、例えば放射線撮像装置20bに備えられた装置がモニターすることにより自動的に行ってもよい。
この場合、リセット動作時のアンプトランジスタ5のゲート電圧を測定する回路が上記装置に内蔵されており、アンプトランジスタ5のゲート電圧が所定の値より高くなると、アンプトランジスタ5の移動度が劣化したと判定する。移動度が劣化したと判定されると、上記回路がSW4およびSW5を切り替えることにより抵抗を切り替え、電流の目標値を変更する。
〔実施形態5〕
本発明の実施形態5について、図8を参照して説明する。図8は本発明の実施形態5に係る放射線撮像装置20cにおけるリセット読出し回路10eの概略的な構成を示す図である。放射線撮像装置20c(図3の(a)参照)は、放射線撮像装置20と比較して、リセット読出し回路10bに代えて、リセット読出し回路10eを備えている点が異なり、その他の構成は同様である。
〔リセット読出し回路〕
リセット読出し回路10eは、リセット読出し回路10bと比較して、さらに保持回路14を備えている点が異なり、その他の構成は同じである。
〔保持回路〕
保持回路14は、リセット期間(リセット動作時)において、増幅器11からリセット用電圧ラインVamp_b_jに印加されている電圧を容量Cbに保持する。
保持回路14は、スイッチSW6と、増幅器11の出力端子にスイッチSW6を介して接続された容量Cb(保持容量)とを備えている。
保持回路14は、リセット期間では、スイッチSW6がオンされ、読出し期間では、スイッチSW6はオフされる。リセット期間では無いときに、スイッチSW6がオフされることで、ゲート電極の初期電圧を出力する動作時以外は、初期電圧が容量Cbに保持される。言い換えると、保持回路14は、リセット期間以外には、アンプトランジスタ5のゲート電極の電圧の初期電圧を設定する端子から出力される電圧を容量Cbに保持するように構成されている。これにより、増幅器11の出力が容量Cbに保持された電圧を変化させることを防いでいる。
また、この回路構成により、リセット期間時に増幅器11からアンプトランジスタ5のゲート電極に印加される電圧に近い電圧が、リセット期間時以外においても、リセット用電圧ラインVamp_b_jに与えられている。そのため、リセットトランジスタ4がオフの時にリセットトランジスタ4の両端の電位差が小さくなるため、リセットトランジスタ4のリークによりアンプトランジスタ5のゲート電圧が変動することを防ぐことが可能である。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係る放射線検出器(放射線センサー1、放射線撮像装置20・20a・20b・20c)は、入射した放射線の線量に基づいた電気信号を発生させるセンサー素子(3)と、上記電気信号を増幅するアンプトランジスタ(5)と、を備え、上記電気信号による上記アンプトランジスタのゲート電極の電圧変化に基づく上記アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す放射線検出器であって、増幅器(11)を含み、当該増幅器を用いて上記電流値を読み出すリセット読出し回路(10・10a・10b・10c・10d・10e)を備え、上記リセット読出し回路は、上記電流値が予め定められた値となるように、上記ゲート電極に初期電圧を出力する。
上記の構成によれば、上記ゲート電極は、上記電流値が予め定められた値となるように、リセット読出し回路から電圧が出力される(リセット動作)。
そのため、リセット読出し回路は、アンプトランジスタの閾値電圧や移動度がばらついた場合においても、アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を予め定められた値となるようにできる。これにより、上記の場合においても、アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる初期電流値を適正範囲内に設定することができ、所望のS/N比を維持した出力信号を得ることのできる放射線検出器を実現することができる。
また、アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値は、リセット読出し回路により読み出される(リード動作)。このため、放射線検出器は、1つの増幅器により、リセット動作とリード動作とを行うことができる。これにより、回路面積を大幅に増加させることなく、リセット動作およびリード動作が可能な放射線検出器を実現することができる。
本発明の態様2に係る放射線検出器(放射線センサー1、放射線撮像装置20・20a・20b・20c)は、上記態様1において、上記増幅器(11)の出力は、上記増幅器の一方の入力端子にフィードバックされ、上記フィードバックにより、上記初期電圧が生成されてもよい。
上記の構成によれば、増幅器からの出力がフィードバック制御されることにより、上記初期電圧が生成される。このため、リセット読出し回路は、例えば、読み出し動作で利用される容量を利用して上記初期電圧を生成することができ、リセット動作を行うことができる。これにより、リセット読出し回路は1つの増幅器でリセット動作とリード動作とを行うことができる。そのため、回路面積を大幅に増加させることなく、リセット動作およびリード動作が可能な放射線検出器を実現することができる。
本発明の態様3に係る放射線検出器(放射線撮像装置20・20a・20b・20c)は、上記態様1または2において、上記センサー素子(3)と上記アンプトランジスタ(5)とを備えたピクセルが、マトリクス状に複数個配置されていてもよい。
上記構成によれば、放射線検出器には、センサー素子とアンプトランジスタとを備えたピクセルが、マトリクス状に複数個配置されている。このため、放射線検出器は、複数のピクセルの電気信号を読み出すことで、例えば、放射線撮像2次元画像を得ることができる。
本発明の態様4に係る放射線検出器(放射線撮像装置20a)は、上記態様1から3において、上記リセット読出し回路(10c)が、上記電流値を読み出す動作と、上記ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作とを、切り替える際には、上記増幅器(11)の一方の入力端子と上記増幅器の出力端子との間に接続されたフィードバック容量(容量Cf1・Cf2)を変更してもよい。
上記構成によれば、リセット読出し回路において、電流値を読み出す動作と、ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作とが、切り替えらえる際には、上記増幅器の一方の入力端子と上記増幅器の出力端子との間に接続されたフィードバック容量が変更される。つまり、フィードバック回路の容量を各動作により変更することができるので、電流値を読み出す動作時と、上記ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作時とで、適切なフィードバック容量を設定することができる。
本発明の態様5に係る放射線検出器(放射線撮像装置20b)は、上記態様1から4において、上記電流値の予め定められた値(抵抗R1・R2)は、複数個備えられており、上記複数個の中から選択されてもよい。
上記構成によれば、電流の予め定められた値は、複数の中から選択することができる。そのため、経時変化により最適な初期電圧が変化した場合にも、再度最適な初期電圧を設定することができる。
本発明の態様6に係る放射線検出器(放射線撮像装置20c)は、上記態様1から5において、上記リセット読出し回路(10e)は、上記増幅器(11)の出力端子に接続されている保持容量(容量Cb)を備えており、上記保持容量は上記初期電圧を保持する。
上記構成によれば、初期電圧は増幅器の出力端子に接続されている保持容量に保持される。これにより、上記初期電圧を出力する動作時以外であってもアクティブピクセルに初期電圧に近い電圧がかかる。その結果、アクティブピクセルから出力される電流の変動を防ぐことができる。
本発明の態様7に係る放射線検出器(放射線センサー1)は、上記態様1において、上記リセット読出し回路(10)が少なくとも一つの抵抗を含む上記電流値の予め定められた値を決定する初期値決定回路(13)を備え、上記初期値決定回路は、上記ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作時には、上記少なくとも一つの抵抗のいずれか一つと上記増幅器(11)とを接続させてもよい。
上記構成によれば、電流値の予め定められた値を決定する初期値決定回路は、ゲート電極の初期電圧を出力する動作時に増幅器と接続され、電流値を読み出す動作時には、増幅器と接続されていない。これにより、電流値を読み出す動作時に抵抗をリセット読出し回路から切り離すことができるので、抵抗が発生するノイズによるS/Nの劣化を回避できる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
本発明は、放射線センサーおよび放射線撮像装置、特に放射線を用いたものに好適に利用することができる。
1 放射線センサー(放射線検出器)
3 センサー素子
5 アンプトランジスタ
10・10a・10b・10c・10d・10e リセット読出し回路
11 増幅器
20・20a・20b 放射線撮像装置(放射線検出器)
Cf1・Cf2 容量(フィードバック容量)
Cb 容量(保持容量)

Claims (5)

  1. 入射した放射線の線量に基づいた電気信号を発生させるセンサー素子と、上記電気信号を増幅するアンプトランジスタと、オンされた場合に上記アンプトランジスタのゲート電極を初期電圧にリセットするリセットトランジスタと、を有するアクティブピクセルを備え、
    記アンプトランジスタの上記ゲート電極の電圧変化に基づく上記アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す放射線検出器であって、
    上記電圧変化は、上記センサー素子の出力から上記アンプトランジスタの上記ゲート電極に供給される上記電気信号によって発生させられ、
    増幅器を含み、当該増幅器を用いて上記電流値を読み出すリセット読出し回路を備え、
    上記リセット読出し回路は、一方の側が上記アンプトランジスタの上記ドレイン電極および上記増幅器のマイナス側入力端子に接続され、かつ、他方の側がグランドに接続された抵抗を含む初期値決定回路を有し、
    上記リセットトランジスタのソース電極は、上記増幅器の出力端子に接続され、上記リセットトランジスタのドレイン電極は、上記センサー素子の上記出力および上記アンプトランジスタの上記ゲート電極に接続され、上記リセットトランジスタのゲート電極は、リセット信号線に接続され、
    上記増幅器の上記出力は、上記増幅器の上記マイナス側入力端子にフィードバックされ、基準電圧は、上記増幅器のプラス側入力端子に入力され、
    上記リセット読出し回路は、上記リセットトランジスタがオンされた場合に、上記電流値が上記基準電圧と上記抵抗との商に等しい所定の値となるように、上記リセットトランジスタの上記ソース電極および上記ドレイン電極を介して、上記アンプトランジスタの上記ゲート電極に上記初期電圧を出力することを特徴とする放射線検出器。
  2. 上記アクティブピクセルが、マトリクス状に複数個配置されていることを特徴とする請求項に記載の放射線検出器。
  3. 上記リセット読出し回路が、上記電流値を読み出す動作と、上記ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作とを、切り替える際には、上記増幅器の上記マイナス側入力端子と上記増幅器の上記出力端子との間に接続されたフィードバック容量を変更することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出器。
  4. 上記リセット読出し回路は、上記増幅器の上記出力端子に接続されている保持容量を備えており、
    上記保持容量は上記初期電圧を保持することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の放射線検出器。
  5. 入射した放射線の線量に基づいた電気信号を発生させるセンサー素子と、上記電気信号を増幅するアンプトランジスタと、を備え、
    上記電気信号による上記アンプトランジスタのゲート電極の電圧変化に基づく上記アンプトランジスタのソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値を読み出す放射線検出器であって、
    増幅器を含み、当該増幅器を用いて上記電流値を読み出すリセット読出し回路を備え、
    上記リセット読出し回路は、上記電流値が予め定められた値となるように、上記ゲート電極に初期電圧を出力し、
    上記リセット読出し回路が、上記電流値を読み出す動作と、上記ゲート電極の上記初期電圧を出力する動作とを、切り替える際には、上記増幅器の一方の入力端子と上記増幅器の出力端子との間に接続されたフィードバック容量を変更することを特徴とする放射線検出器。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102474305B1 (ko) * 2016-06-27 2022-12-06 에스케이하이닉스 주식회사 저항 변화 메모리 장치 및 그 센싱 방법
JP2019220685A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 シャープ株式会社 放射線検出器
US11131782B2 (en) * 2018-11-12 2021-09-28 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Ionizing radiation detector
JP7319809B2 (ja) * 2019-03-29 2023-08-02 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その制御方法及び放射線撮像システム
CN111800094A (zh) * 2020-07-17 2020-10-20 中山大学 一种传感器信号读取电路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777660B1 (en) 2002-02-04 2004-08-17 Smal Technologies CMOS active pixel with reset noise reduction
JP4812503B2 (ja) 2006-04-13 2011-11-09 株式会社日立メディコ X線撮影装置
US8546765B2 (en) 2008-06-26 2013-10-01 Trixell High dynamic range X-ray detector with improved signal to noise ratio
JP5250474B2 (ja) * 2009-04-28 2013-07-31 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP2010264181A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影装置
JPWO2011058684A1 (ja) 2009-11-12 2013-03-28 パナソニック株式会社 固体撮像装置
EP2362640B1 (en) 2010-02-15 2019-05-01 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Compact low noise signal readout circuit and method for operating thereof
US8928789B2 (en) 2010-09-30 2015-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus
JP5764468B2 (ja) * 2010-11-26 2015-08-19 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置、及び放射線画像撮影システム
JP5988291B2 (ja) 2012-06-13 2016-09-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像表示システム

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