JP2009248443A - シリコン製ノズル基板、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 174
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 7
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン製ノズル基板1は、ノズル孔11を有し、ノズル孔11の液滴吐出側の面1aからノズル孔11の内壁11cを経て液滴吐出側の面と反対側の面1bまで連続する耐吐出液保護膜Aが形成され、この耐吐出液保護膜Aが熱酸化処理により形成されたシリコン酸化膜である。その製造方法は、熱酸化によって第1のシリコン酸化膜101を形成する工程と、石英ガラスの支持基板500を活性化接合する工程と、薄板化する工程と、薄板化された側の面100bからノズル孔11を形成する工程と、熱酸化処理して、薄板化された側の面100bからノズル孔11の内壁1cまで第2のシリコン酸化膜103を形成し、耐吐出液保護膜Aを設ける工程とを有する。
【選択図】図2
Description
ノズル孔の内壁は吐出口縁部まで親水性であるため、液滴吐出面への吐出液残留がなく、飛行曲がりのない良好な吐出特性を有する。
耐久性に優れ、良好な吐出特性を有する液滴吐出ヘッドを得ることができる。
耐久性に優れ、良好な吐出特性を有する液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
また、シリコン基材はノズル孔の形成前に薄板化するため、基板厚みの均一性がよく、かつ、ノズルの周りに異常が発生することがない。そして、研削屑がノズル孔に詰まることがなく、研削屑の洗浄工程を省くことができる。
シリコン基材と石英ガラスの支持基板とをポリシリコンを介して活性化接合するため、高温下であっても支持基板が剥離することがなく、熱酸化による新たな保護膜の形成が可能である。
耐久性に優れ吐出特性の良い液滴吐出ヘッドを得ることができる。
耐久性に優れ吐出特性の良い液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
図1は本発明の形態1に係るインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッドの一例)の一部を断面で示した分解斜視図、図2は図1の組立てた状態の要部を示す縦断面図、図3は図2のノズル孔の近傍を拡大して示した縦断面図である。
インクジェットヘッド10は、図1および図2に示すように、複数のノズル孔11が所定のピッチで設けられたノズル基板1と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティ基板2と、キャビティ基板2の振動板22に対峙して個別電極31が配設された電極基板3とを貼り合わせることにより構成されている。
耐吐出液保護膜Aの液滴吐出面1a側にはシロキサンを原材料とするプラズマ重合膜12が形成されており、その上にはフッ素原子を含むシリコン化合物を主成分とする撥水膜(撥インク膜)13が形成されている。一方、ノズル孔11の吐出口縁部11dを境にして、ノズル孔11の内壁11cから接合面1bには、親水膜(親インク膜)14が形成されている。
凹部240はノズル孔11に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、ノズル基板1とキャビティ基板2を接合した際、各凹部240は吐出室24を構成し、それぞれがノズル孔11に連通し、またインク供給口であるオリフィス23ともそれぞれ連通している。そして、吐出室24(凹部240)の底壁が振動板22となっている。
また、キャビティ基板2の全面、もしくは少なくとも電極基板3との対向面には、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜26が形成されており、この絶縁膜26は、インクジェットヘッドを駆動させたときに、絶縁破壊や短絡を防止する。
まず、最初に、図5〜図10により、ノズル基板1の製造方法を説明する。なお、以下に記載の数値はその一例を示すもので、これに限定するものではない。
次に、シリコン酸化膜102に、第2のノズル孔部110b(図7(i)参照)に対応する第2の凹部101bと、これと同心的に第1のノズル孔部110a(図7(i)参照)に対応する第1の凹部101aとを、パターニング形成する。
この場合、まず、第2の凹部101bをBHF(Buffered HF)によりハーフエッチングして形成し、次に、第1の凹部101aをその残し厚みが零になるようにBHFによりエッチングして形成する。こうして、フォトリソグラフィー技術により2段のノズルパターニングを行う。
次に、シリコン基材100の表面に残るシリコン酸化膜102をフッ酸水溶液で除去する。
第2のシリコン酸化膜103を形成する際、第1のシリコン酸化膜101も同一の条件下で再度加熱されるため、第2のシリコン酸化膜103と第1のシリコン酸化膜101とは、連続して一体化した耐吐出液保護膜Aとなる。
こうして、シリコン基材100からノズル基板1が完成する。
さらに、研削屑がノズル孔11に詰まることがなく、研削屑の洗浄工程を省くことができる。
ここでは、電極基板3にシリコン基材200を接合した後、そのシリコン基材200からキャビティ基板2を製造する方法について、図11、図12を用いて説明する。
そして、凹部32の底部に、例えばスパッタによりITO(Indium Tin Oxide)からなる個別電極31を形成する。
その後、ドリル等によってインク供給孔34となる孔部34aを形成することにより、電極基板3が作製される。
その後、シリコン基材200を水酸化カリウム水溶液等でエッチングして、図12(e)に示すように、吐出室24となる凹部240、オリフィス23となる凹部230、及びリザーバ25となる凹部250を形成する。このとき、配線のための電極取り出し部となる部分29aもエッチングして薄板化しておく。なお、図12(e)のウェットエッチングの工程では、例えば初めに35重量%の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後、3重量%の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板22の面荒れを抑制することができる。
そして最後に、このキャビティ基板2に、前述のようにして作製されたノズル基板1を接着剤等により接合することにより、図2に示したインクジェットヘッド10の本体部が作製される。
図13は、実施の形態1に係るインクジェットヘッド10を搭載したインクジェット記録装置を示す斜視図である。図13に示すインクジェット記録装置800はインクジェットプリンタであり、実施の形態1のインクジェットヘッド10を搭載しているため、吐出液に対する耐久性に優れ、良好な吐出特性を有し、高品質の印字が可能である。
なお、実施の形態1に係るインクジェットヘッド10は、図13に示すインクジェットプリンタの他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
Claims (8)
- 液滴を吐出するためのノズル孔を有し、
前記ノズル孔の液滴吐出側の面から前記ノズル孔の内壁を経て前記液滴吐出側の面と反対側の面まで連続する耐吐出液保護膜が形成され、
前記耐吐出液保護膜が熱酸化処理により形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とするシリコン製ノズル基板。 - 前記ノズル基板に形成された耐吐出液保護膜の液滴吐出側の面を撥水性にし、前記ノズル孔の吐出口縁部より内壁側の面を親水性にしたことを特徴とする請求項1記載のシリコン製ノズル基板。
- 請求項1または2記載のシリコン製ノズル基板を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項3記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
- 熱酸化によってシリコン基材の表面に第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン基材に石英ガラスの支持基板を活性化接合する工程と、
前記石英ガラスの支持基板を接合した側の面と反対側の面を薄板化する工程と、
前記薄板化された側の面から前記シリコン基材にノズル孔を形成する工程と、
前記シリコン基材を熱酸化処理して、前記薄板化された側の面から前記ノズル孔の内壁まで第2のシリコン酸化膜を形成し、前記第1のシリコン酸化膜と前記第2のシリコン酸化膜とを一体化して耐吐出液保護膜とする工程と、
前記薄板化された側の面を第1のサポート部材によって保護して前記石英ガラスの支持基板を剥離し、剥離した側の面に撥水膜を形成する工程と、
前記薄板化された側の面と反対側の面を第2のサポート部材によって保護して前記第1のサポート部材を剥離し、剥離した側の面から親水化処理し、前記第2のサポート部材を剥離する工程と、
を有することを特徴とするシリコン製ノズル基板の製造方法。 - 前記シリコン基材にポリシリコンを介して石英ガラスの支持基板を活性化接合することを特徴とする請求項5記載のシリコン製ノズル基板の製造方法。
- 請求項5記載のシリコン製ノズル基板の製造方法を適用して、液滴吐出ヘッドのノズル基板部分を形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 請求項7記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008099071A JP5648262B2 (ja) | 2008-04-07 | 2008-04-07 | シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008099071A JP5648262B2 (ja) | 2008-04-07 | 2008-04-07 | シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009248443A true JP2009248443A (ja) | 2009-10-29 |
JP5648262B2 JP5648262B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=41309577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008099071A Expired - Fee Related JP5648262B2 (ja) | 2008-04-07 | 2008-04-07 | シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5648262B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8435414B2 (en) | 2009-04-01 | 2013-05-07 | Seiko Epson Corporation | Nozzle plate manufacturing method, nozzle plate, droplet discharge head manufacturing method, droplet discharge head, and printer |
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-
2008
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---|---|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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