JP2009245527A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置において、複数のメモリセルを配列して成るメモリセルアレイは、ビットライン方向、またはワードライン方向の少なくとも一方に沿って複数のグループ1a、1bに分割されており、各グループ毎に個別のソースラインSL(a)、SL(b)が共通接続されている。
【選択図】図6
Description
1a 第1グループ
1b 第2グループ
1c 第3グループ
1d 第4グループ
2 Xデコーダ
3 Yデコーダ/ページバッファ
4 昇圧回路(チャージポンプ)
WL ワードライン
BL ビットライン
CL コントロールライン
SL ソースライン
ST 選択用トランジスタ
DS ドレイン
SS ソース
G ゲート
MT メモリトランジスタ
DM ドレイン
SM ソース
CG コントロールゲート
FG フローティングゲート
Claims (4)
- メモリセルが複数配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに対するアクセス制御を行うデコーダと、電源電圧を昇圧して前記デコーダに供給する昇圧回路と、を有して成る半導体記憶装置であって、
前記メモリセルアレイは、複数のグループに分割されており、各グループ毎に個別のソースラインが共通接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、ビットライン方向、及び、ワードライン方向の少なくとも一方に沿って分割されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルアレイは、1回のアクセスで同時に読み書きされるメモリセルの個数が1グループに含まれるように分割されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルアレイは、ワードライン方向に沿って分割されており、前記ソースラインを制御する前記デコーダは、複数のグループ間に挟み込まれる形で配置されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体記憶装置。
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