JP5261003B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
1a 第1グループ
1b 第2グループ
1c 第3グループ
1d 第4グループ
2 Xデコーダ
3 Yデコーダ/ページバッファ
4 昇圧回路(チャージポンプ)
WL ワードライン
BL ビットライン
CL コントロールライン
SL ソースライン
ST 選択用トランジスタ
DS ドレイン
SS ソース
G ゲート
MT メモリトランジスタ
DM ドレイン
SM ソース
CG コントロールゲート
FG フローティングゲート
Claims (2)
- メモリセルが複数配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに対するアクセス制御を行うデコーダと、電源電圧を昇圧して前記デコーダに供給する昇圧回路と、を有して成る半導体記憶装置であって、
前記メモリセルアレイは、少なくともワードライン方向に沿って複数のグループに分割されており、各グループ毎に個別のソースラインが共通接続されており、
各グループ毎のソースラインを個別に制御するための信号ラインが接続される前記デコーダは、複数のグループ間に挟み込まれる形で配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、1回のアクセスで同時に読み書きされるメモリセルの個数が1グループに含まれるように分割されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008091498A JP5261003B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008091498A JP5261003B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009245527A JP2009245527A (ja) | 2009-10-22 |
JP5261003B2 true JP5261003B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=41307243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008091498A Active JP5261003B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 半導体記憶装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5261003B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9362001B2 (en) * | 2014-10-14 | 2016-06-07 | Ememory Technology Inc. | Memory cell capable of operating under low voltage conditions |
US9773553B1 (en) | 2016-08-19 | 2017-09-26 | Micron Technology, Inc. | Segmented memory and operation |
KR102262682B1 (ko) | 2017-01-31 | 2021-06-08 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 메모리 뱅크 내의 메모리 유닛에 대한 액세스 기법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629499A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH06349288A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-22 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3099926B2 (ja) * | 1993-04-30 | 2000-10-16 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2785655B2 (ja) * | 1993-11-01 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3660503B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2003346488A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP4709523B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2007234776A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置、半導体記憶装置 |
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2008
- 2008-03-31 JP JP2008091498A patent/JP5261003B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009245527A (ja) | 2009-10-22 |
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