JP2009218477A - ゲートバルブおよび半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体製造装置のプロセス処理が行われる処理ユニット10とプロセス処理が施されるウェハを搬送する搬送室8との間に設けられるゲートバルブ20であって、処理ユニット10側のゲートバルブ20aと、処理ユニット10側のゲートバルブ20aに備えたOリング34aと、搬送室8側のゲートバルブ20bと、搬送室8側のゲートバルブ20bに備えたOリング34bと、処理ユニット10側のゲートバルブ20aと搬送室8側のゲートバルブ20bとの間に断熱材30と、を備える。
【選択図】図2
Description
半導体製造装置のプロセス処理が行われるプロセス処理室と前記プロセス処理が施される基板を搬送する搬送室との間に設けられるゲートバルブであって、
前記プロセス処理室側の開口部を開閉するゲートバルブと、
前記プロセス処理室側のゲートバルブに設けられて、前記プロセス処理室の開口と前記プロセス処理室側のゲートバルブの弁体との隙間を密封する封止部材と、
前記搬送室側のゲートバルブと、
前記搬送室側のゲートバルブに設けられて、前記搬送室の開口と前記搬送室側のゲートバルブの弁体との隙間を密封する封止部材と、
前記プロセス処理室側のゲートバルブと前記搬送室側のゲートバルブとの間の熱伝導を抑止する断熱材と、
を備えることを特徴とする。
プロセス処理が行われるプロセス処理室と、
前記プロセス処理が施される基板を搬送する搬送室と、
前記プロセス処理室と前記搬送室を連結する、本発明の第1の観点に係るゲートバルブと、
を備えることを特徴とする。
前記2以上のプロセス処理室のそれぞれと前記搬送室とを連結する複数のゲートバルブと、
を備え、
前記2以上のプロセス処理室と前記搬送室とを連結するゲートバルブの少なくとも1つは、本発明の第1の観点に係るゲートバルブである、
ことを特徴とする。
以下、本発明の本発明の第1の観点に係るゲートバルブについて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰り返さない。図1は本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の構成例を示すブロック図である。例えば半導体製造装置1は、プラズマ処理を含む半導体製造工程のウェハ製造に使用される装置である。
8 搬送室
10、11、12、13 処理ユニット
20、20a、20b
21、22、23 ゲートバルブ
30 断熱材
34a、34b、35a Oリング
40 プラズマ処理室(反応室)
Claims (9)
- 半導体製造装置のプロセス処理が行われるプロセス処理室と前記プロセス処理が施される基板を搬送する搬送室との間に設けられるゲートバルブであって、
前記プロセス処理室側の開口部を開閉するゲートバルブと、
前記プロセス処理室側のゲートバルブに設けられて、前記プロセス処理室の開口と前記プロセス処理室側のゲートバルブの弁体との隙間を密封する封止部材と、
前記搬送室側のゲートバルブと、
前記搬送室側のゲートバルブに設けられて、前記搬送室の開口と前記搬送室側のゲートバルブの弁体との隙間を密封する封止部材と、
前記プロセス処理室側のゲートバルブと前記搬送室側のゲートバルブとの間の熱伝導を抑止する断熱材と、
を備えることを特徴とするゲートバルブ。 - 前記プロセス処理室側のゲートバルブに設けられた封止部材は、前記搬送室側のゲートバルブに設けられた封止部材と同等以上の、前記プロセス処理の雰囲気の耐性を有することを特徴とする請求項1に記載のゲートバルブ。
- 前記搬送室側のゲートバルブに設けられた封止部材は、前記プロセス処理室側のゲートバルブに設けられた封止部材と同等以上のシール性を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のゲートバルブ。
- 前記プロセス処理はプラズマ処理であって、前記プロセス処理室側のゲートバルブに設けられた封止部材は、前記搬送室側のゲートバルブに設けられた封止部材と同等以上の、耐プラズマ性を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のゲートバルブ。
- 前記プロセス処理室側のゲートバルブに設けられた封止部材は、前記プロセス処理室側に接するように置かれた内側の封止部材と、前記内側の封止部材を囲うように置かれた外側の封止部材と、を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のゲートバルブ。
- 前記内側の封止部材と前記外側の封止部材はそれぞれ、熱、マイクロ波およびプラズマ(ラジカル)の少なくとも1つに、前記搬送室側のゲートバルブに設けられた封止部材と同等以上の耐性を有し、
前記内側の封止部材は、前記搬送室側のゲートバルブに設けられた封止部材と同等以上の、前記プロセス処理の雰囲気の耐性を有することを特徴とする請求項5に記載のゲートバルブ。 - 前記内側の封止部材は前記外側の封止部材よりもプラズマ(ラジカル)耐性を有し、
前記外側の封止部材は前記内側の封止部材よりもシール性を有し、そのシール性は前記搬送室側のゲートバルブに設けられた封止部材と同等である
ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載のゲートバルブ。 - プロセス処理が行われるプロセス処理室と、
前記プロセス処理が施される基板を搬送する搬送室と、
前記プロセス処理室と前記搬送室を連結する請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のゲートバルブと、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 2以上の前記プロセス処理室と、
前記2以上のプロセス処理室のそれぞれと前記搬送室とを連結する複数のゲートバルブと、
を備え、
前記2以上のプロセス処理室と前記搬送室とを連結するゲートバルブの少なくとも1つは、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のゲートバルブである、
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008062478A JP5000555B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | ゲートバルブおよび半導体製造装置 |
TW098107217A TWI401762B (zh) | 2008-03-12 | 2009-03-06 | Gate valves and semiconductor manufacturing equipment |
KR1020090019837A KR101084493B1 (ko) | 2008-03-12 | 2009-03-09 | 게이트 밸브 및 반도체 제조 장치 |
US12/401,076 US8091863B2 (en) | 2008-03-12 | 2009-03-10 | Gate valve and semiconductor manufacturing apparatus |
CN2009101270115A CN101533762B (zh) | 2008-03-12 | 2009-03-10 | 闸阀和半导体制造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008062478A JP5000555B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | ゲートバルブおよび半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009218477A true JP2009218477A (ja) | 2009-09-24 |
JP5000555B2 JP5000555B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=41062008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008062478A Expired - Fee Related JP5000555B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | ゲートバルブおよび半導体製造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8091863B2 (ja) |
JP (1) | JP5000555B2 (ja) |
KR (1) | KR101084493B1 (ja) |
CN (1) | CN101533762B (ja) |
TW (1) | TWI401762B (ja) |
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- 2008-03-12 JP JP2008062478A patent/JP5000555B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-06 TW TW098107217A patent/TWI401762B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-03-09 KR KR1020090019837A patent/KR101084493B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-10 CN CN2009101270115A patent/CN101533762B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-10 US US12/401,076 patent/US8091863B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101533762B (zh) | 2011-02-09 |
TW201005861A (en) | 2010-02-01 |
CN101533762A (zh) | 2009-09-16 |
KR101084493B1 (ko) | 2011-11-17 |
TWI401762B (zh) | 2013-07-11 |
JP5000555B2 (ja) | 2012-08-15 |
KR20090097802A (ko) | 2009-09-16 |
US20090230342A1 (en) | 2009-09-17 |
US8091863B2 (en) | 2012-01-10 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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