TWI401762B - Gate valves and semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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TWI401762B
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Shinji Komoto
Toshihisa Nozawa
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Tokyo Electron Ltd
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Description

閘閥與半導體製造裝置
本發明係關於一種閘閥及一種半導體製造裝置。詳而言之，係關於在製程處理裝置將基板的搬出入口的開口封閉之閘閥與具備該等之半導體製造裝置。
電漿技術被廣泛用於積體電路或液晶、太陽能電池等多種半導體元件。電漿技術被利用於半導體製造過程之薄膜沈積或蝕刻工程等，但為製造出更高性能且高功能之製品，必須使用譬如超微細加工技術等之高度電漿處理。特別是使用微波帶域的電漿之微波電漿處理裝置便受到矚目。
進行電漿處理時，進行電漿處理的室內係保持一高溫真空狀態。進行晶圓搬出入之搬送室及電漿處理室則以閘閥隔開。閘閥所具備之O型環會隨著電漿氣氛而明顯劣化，但同時具有電漿耐受性及密封性之O型環並不存在。因電漿氣氛等造成O型環劣化的原因會導致微塵粒子的產生或密封性降低，而為了預防處理基板的不良發生，多定期更換O型環。然而伴隨著O型環更換次數的增加使得維修時間增加，而導致機台稼動時間的減少。
專利文獻中(日本特開平2004-141803號公報)記載一可防止因O型環劣化所導致之微塵粒子產生及密封性降低之電漿製程裝置。專利文獻之技術係在反應室與搬送室之間設置2個閘閥，於反應室側設置一金屬網狀之O型環，於搬送室側設置一氟樹脂系之O型環而將電漿氣氛阻隔。
由於電漿處理係在高溫下進行，故所連結之閘閥也被置放於高溫下。閘閥所具備之密封組件在高溫或頻繁地變動溫度的條件下使用時，較常溫使用的情況更容易劣化，導致微塵粒子產生或耐久性降低而使交換頻率變高。此外，密封性之可靠度也隨之降低。
又，與具有密封性之密封組件相比，具電漿耐受性之密封組件的耐久期短，且更換次數多，因交換作業每次都需將電漿處理裝置停機或是進行大氣壓力開放而使工作效率變差。
本發明有鑑於上述狀況，其目的在於提供一種可防止因密封組件劣化所導致之密封性降低及微塵粒子的產生，並可維持稼動率之閘閥與半導體製造裝置。
為達成上述目的，本發明第1觀點之閘閥，係設置於進行半導體製造裝置的製程處理之製程處理室與搬送實施該製程處理的基板之搬送室之間的閘閥，其特徵在於具備：一製程處理室側閘閥，係開閉該製程處理室側的開口部；一設置於該製程處理室側閘閥之密封組件，係將該製程處理室的開口與該製程處理室側閘閥的閥體之間的縫隙密封；一搬送室側閘閥，係開閉該搬送室側的開口部；一設置於該搬送室側閘閥之密封組件，係將該搬送室的開口與該搬送室側閘閥的閥體之間的縫隙密封；以及一絕熱材，係抑制該製程處理室側閘閥與該搬送室側閘閥之間的熱傳導。
再者，設置於製程處理室側閘閥之密封組件可具有與設置於該搬送室側閘閥之密封組件同等以上之對於該製程處理氣氛之耐受性。
特別是設置於搬送室側閘閥之密封組件可具有與設置於該製程處理室側閘閥之密封組件同等以上之密封性。
又，特別是製程處理為電漿處理時，設置於該製程處理室側閘閥之密封組件可具有與設置於該搬送室側閘閥之密封組件同等以上之抗電漿性。
較佳地，設置於該製程處理室側閘閥之密封組件係具備以接觸該製程處理室側之方式設置之一內側密封組件，以及以將該內側密封組件包覆之方式設置之一外側密封組件。
再者，該內側密封組件與該外側密封組件，可分別具有與設置於該搬送室側閘閥之密封組件同等以上之對熱、微波或電漿(自由基)中的至少一者之耐受性，該內側密封組件亦可具有與設置於該搬送室側閘閥之密封組件同等以上之對於該製程處理氣氛之耐受性。
又，該內側密封組件可較該外側密封組件更具抗電漿(自由基)性，該外側密封組件可較該內側密封組件更具密封性，且其密封性可等同於設置於該搬送室側閘閥之密封組件。
本發明第2觀點之半導體製造裝置，其特徵在於具備：一製程處理室，係進行製程處理；一搬送室，係搬送進行該製程處理之基板；一本發明第1觀點之閘閥，係連結該製程處理室及搬送室。
較佳地，係具備2個以上之該製程處理室，以及分別連接該2個以上之製程處理室與該搬送室之多個閘閥，其中連接該2個以上之製程處理室與該搬送室的閘閥中之至少一者係本發明第1觀點之閘閥。
依本發明之閘閥與半導體製造裝置，可防止因密封組件劣化所導致之密封性降低及微塵粒子的產生，並可維持稼動率。
茲配合圖式將本發明第1觀點之閘閥詳細說明如下。另外，對圖式中相同或與其相當的部分賦予相同符號，並不加以重複說明。圖1係表示本發明實施型態之半導體製造裝置的構成例之結構圖。譬如，半導體製造裝置1係使用於包含電漿處理之半導體製造製程的晶圓製造裝置。
半導體製造裝置1係由處理站2與晶圓匣盒站3所構成。處理站2設有單元搬送機構7、搬送室8、暫置台9及處理單元10、11、12、13。利用閘閥20、21、22、23將搬送室8與處理單元10、11、12、13連結。
晶圓匣盒站3設有晶圓匣盒載置台4，從外部將以晶圓匣盒為單位所供給之晶圓W從晶圓匣盒5搬入半導體製造裝置1，並且將處理後之晶圓W從半導體製造裝置1搬出至晶圓匣盒5。於晶圓匣盒載置台4之晶圓W搬送係利用站台搬送機構6進行。站台搬送機構6係可於水平方向(實線箭頭方向)移動以存取晶圓匣盒載置台4上所載置之複數個晶圓匣盒5並升降(向紙面垂直方向移動)。此外，亦可迴轉(向虛線箭頭方向移動)以將晶圓W從處理站2搬送至晶圓匣盒載置台4。
將從處理站2搬入之晶圓W置放於暫置台9，然後將搬送機構從站台搬送機構6切換至單元搬送機構7。單元搬送機構7如同站台搬送機構6，可向水平方向移動，亦可以升降或迴轉。經由單元搬送機構7將晶圓W搬送至搬送室8。從搬送室8搬入至處理單元10、11、12、13時，位於搬送室8與處理單元10、11、12、13之間的閘閥20、21、22、23則打開。閘閥20、21、22、23的楔塊為上下滑動以進行開閉。
晶圓W依序在各處理單元間移動並進行處理。控制部係由記憶處理程式之唯讀記憶體等所構成，控制半導體製造裝置1整體與所構成之各個處理單元10、11、12、13的系統。處理完後之晶圓W再度被置放於暫置台9，然後經由站台搬送機構6從處理站2搬出。
圖2係本發明實施型態的半導體製造裝置1之閘閥的截面圖。圖3係半導體製造裝置1的一部份且可進行電漿處理之單元的截面圖。閘閥20、21、22、23將處理單元10、11、12、13流出的氣氛阻隔，以防止洩漏至搬送室8。
閘閥20具備有閘閥20a、閘閥20b及位於閘閥20a與閘閥20b之間的絕熱材30。閘閥20a具備有閥箱31a、閥體32a、閥桿33a及設置於閥體32a之O型環34a。閘閥20b包含閥箱31b、閥體32b、閥桿33b及設置於閥體32b之O型環34b。閥箱31a、31b，閥體32a、32b，閥桿33a、33b係由具有電磁遮蔽效果的材質，譬如鋁等所形成。
閘閥20a位於處理單元10側，O型環34a係將處理單元10的氣氛密封。O型環34a為對於處理單元10之氣氛具有耐受性者，譬如具有電漿耐受性及耐熱性之全氟化橡膠(Tetrafluoroethylene-Perfluorovinylether，FFKM)。
閘閥20b位於搬送室8側，其功用為將搬送室8與處理單元10隔開。O型環34b為具有優異的密封性者，例如氟化橡膠等。
處理單元10為一可進行電漿處理之單元，由電漿處理室(反應室)40、導波管41、天線42、頂板43、氣體導入口44及基板持定台45所構成。反應室40係利用頂板43將其封閉。此時，預先將反應室40內以真空幫浦形成氣壓為10mPa~數10Pa之相對氣壓較低的高真空狀態。頂板43上結合有天線42，天線42上連接有導波管41。天線42係由微波沿著徑向傳播之輻射狀槽孔天線(RLSA)與將微波波長壓縮之慢波板所構成，頂板43係由介電體所形成。由微波波源經由導波管41供給微波，並從天線42放射出去。頂板43所傳播之微波具有偏振面，而整體則形成圓偏振波。
微波供電至反應室40內以放射電漿時，藉由經氣體導入口44導入之氬(Ar)、氙(Xe)及氮(N2 )等非活性氣體，或依需要一併導入氫氣(H2 )等之處理氣體來形成氬(Ar)或氙(Xe)電漿。利用所形成之電漿，可對設置於基板持定台45的晶圓W實施電漿處理。
在電漿形成期間，保持處理單元10之反應室40於一高真空且最適於產生電漿的高溫狀態。閘閥20係利用設置於2段式閘閥之間的絕熱材30，一邊抑制熱傳導，同時將處理單元10與搬送室8阻隔。藉此，可在不對半導體製造裝置1之其他的處理單元10、11、12、13及搬送室8造成溫度影響下進行電漿處理。
以下說明電漿處理前與電漿處理後之閘閥20的操作方式。將閘閥20的2個閥體32a、32b下降以打開閘閥20，再以單元搬送機構7將晶圓W搬送至處理單元10。將欲實施電漿處理之晶圓W置放於反應室40的基板持定台45上。將搬送室8側的閥體32b上升以關閉閘閥20b，再以真空幫浦將反應室40及閘閥20內部抽真空。然後，將處理單元10側的閥體32a上昇以關閉閘閥20a，並在反應室40施行電漿處理。
因O型環34a係暴露於電漿氣氛中，故選擇具電漿(自由基)耐受性者。保持處理單元10於最適合產生電漿的溫度。因連接於處理單元10之閘閥20a大致保持在150~200℃，故設置於閘閥20a之O型環34a也需具有耐熱性。
為了使O型環34b可將處理單元10的氣氛阻隔、防止朝搬送室8側之洩露以及搬送室8側的氣氛侵入處理單元10，故而使用高密封性者。反應室40內的電漿氣氛係藉由設置於閘閥20之O型環34a將其抑制住，故無法滲透到閘閥20內及搬送室8內。藉此，設置於閘閥20b之O型環34b不會被暴露於電漿氣氛中，因此較不易劣化，且可防止密封性降低及微塵粒子的產生。
再者，利用閘閥20內之絕熱材30將熱傳導阻隔，故閘閥20b的溫度可被保持在跟搬送室8同樣溫度(通常室溫)。O型環34b因不會受到高溫或溫度變化的影響，故較不易劣化而可確保密封性之可靠度。因可不考慮溫度變化，故亦可選擇更具密封性之O型環34b。微塵粒子的產生或密封性降低所導致的問題減少，且O型環交換次數降低，維修時間亦隨之減少。
以和搬入時相反順序的步驟將電漿處理完之晶圓W搬出。首先，將閘閥20a的閥體32a下降以打開閘閥20a，並停止抽真空。接下來，將閘閥20b的閥體32b下降以打開閘閥20b。將處理單元10與搬送室8之間開放後，經由單元搬送機構7將晶圓W由處理單元10搬出。即使處理單元10溫度很高，藉由絕熱材30將處理單元10的熱傳導阻隔，故可將閘閥20b保持在與搬送室8同樣溫度(通常室溫)。處理單元10內或閘閥20內產生微塵粒子時，因熱泳動現象，微塵粒子會附著於溫度急速下降部份附近的閘閥20b內壁上。其結果為，懸浮的微塵粒子變少，並可維持晶圓W或處理單元於一潔淨狀態。
連接於處理單元10之閘閥20a上的O型環34a，即使是使用具電漿耐受性(自由基)及耐熱性者，和連接於搬送室8(溫度較低)之閘閥20b上的O型環34b相比，其耐久期較短。因此，處理單元10側的部份更換頻率較高，且只有閘閥20a的O型環34a在特定期間經過後仍需進行更換的情況發生。此情況下，藉由將搬送室8側的閘閥20b關閉，將處理單元10作為一與搬送室8隔開的空間，故不需將半導體製造裝置1的其他處理單元11、12、13停止，即可進行O型環34a更換。
再者，處理單元10的電漿溫度較高，當O型環34a為全氟化橡膠(FFKM)等之樹酯製的O型環而耐熱性不足時，則使用金屬製O型環。金屬製O型環保持在一壓縮狀態下會發生塑性變形，故必須定期更換，然而，藉由利用閘閥20，不需將其他的處理單元11、12、13停止即可進行O型環34a的更換，並可維持半導體製造裝置1的稼動率。
圖4(a)係本發明實施型態的變形例之閘閥的截面圖。圖4(b)為閘閥的閥體之部分平面圖。除了在設置於處理單元10側的閘閥20a之O型環34a的外側設置O型環35a以外，其餘和圖2相同。內側的O型環34a較外側的O型環35a暴露於處理單元10的氣氛中。O型環34a和O型環35a之間稍有空隙。
從處理單元10傳來的熱傳導係利用閘閥20a與閘閥20b之間的絕熱材30加以阻隔，使搬送室8側與閘閥20b的溫度不會上昇。閘閥20a的O型環34a、35a需具有耐熱性，但閘閥20b上的O型環34b則不需具耐熱性。
一個密封組件要同時滿足密封性、電漿(自由基)耐受性、耐熱性及微波遮蔽性相當不容易。本發明實施型態之閘閥20係利用將不同特性的O型環組合，可有效地將電漿氣氛阻隔，且藉由設置於閘閥20a之2道O型環，可得到更好的效果。不只是將電漿氣氛阻隔，利用將不同功能或耐受性之O型環組合，可抑制O型環34a、35a、34b各自的劣化至最小程度，且可防止微塵粒子產生，或減少O型環34a、35a、34b的更換頻率。
譬如，內側的O型環34a可由具耐電漿(自由基)性與耐熱性之全氟化橡膠(FFKM)，外側的O型環35a則由可阻隔微波之具導電性與耐熱性者所構成。藉由利用外側的O型環35a來防止微波，和只有O型環34a的情況相比，較可從O型環劣化原因來保護搬送室8側的O型環34b。
再者，搬送室8側的O型環34b可為較O型環34a、35a更具高密封性者，而可不考慮電漿耐受性或耐熱性等因素。因O型環34b不會被暴露於電漿氣氛等導致劣化的因素，且不受溫度變化或高溫影響，故密封性可靠度高，且更換次數亦少。
處理單元10側之閘閥20a外側的O型環35a可和搬送室8側的O型環34b具有同樣的高密封性。只要將處理單元10側之閘閥20a開閉即可阻隔處理單元10與搬送室8。此時，搬送室8側之閘閥20b亦可在欲提高密封性時使用，也有通常是不使用而只在更換O型環34a、35a時使用的方法。在使半導體製造裝置1之其他的處理單元11、12、13維持稼動的情況下可進行O型環34a、35a、34b之更換，而可更維持稼動率。
藉由在內側的O型環34a與外側的O型環35a之間的空隙間導入非活性氣體，可保護O型環35a不受電漿(自由基)影響。再者，藉由測定所導入之空隙間的氣體量或空隙的壓力，當超出特定值時，可檢測出O型環34a的劣化。惟，以此方法實施時，必須另外設定將非活性氣體導入空隙的機構，為了進一步檢測出O型環劣化，必須另外設定氣體測量機構或壓力測量機構。
O型環的功能性組合或材質可依處理內容任意地選擇。將處理單元10側的閘閥20a設置為2道O型環，也可將搬送室8側的閘閥20b設置為2道O型環，或閘閥20a與閘閥20b兩者皆設置為2道O型環亦可。不侷限於實施形態之例，而可任意選擇。
以下，針對本發明第2觀點之半導體製造裝置加以說明。半導體製造裝置係一種，例如設置有可實施電漿處理的單元之裝置。半導體製造裝置1及實施電漿處理單元之處理單元10係與圖1及圖3中所說明者相同。又，位於半導體製造裝置1之搬送室8與處理單元10之間的閘閥20係與圖2中所說明者相同。
在半導體製造裝置1的處理站2中，以晶圓匣盒為單位所運送之晶圓W依處理單元10、11、12、13的順序，在搬送室8與各處理單元10、11、12、13之間一邊相互移動，並進行所有的處理。當搬送室8及各處理單元10、11、12、13為一用以防止晶圓的表面氧化膜而以氮氣等之非活性氣體加以清潔所形成的空間，或為一潔淨的工作室時，多為一與一般的氣氛不同之區域。特別是，當包含電漿處理時，各處理單元10、11、12、13及搬送室8多係較大氣壓力更接近真空的狀態。
於處理單元10進行電漿處理。連結處理單元10與搬送室8的閘閥20係由位於處理單元10側的閘閥20a、位於搬送室8側的閘閥20b之2段式閘閥所構成，並且閘閥20a與閘閥20b之間具有絕熱材30。
電漿形成時，處理單元10的溫度會變高，而導致連結於處理單元10的閘閥20發生熱傳導。雖處理單元10側的閘閥20a溫度會變高，但係藉由絕熱材30而將熱傳導阻隔。閘閥20b與搬送室8為相同溫度，對搬送室8側無熱傳導，對其他的處理單元11、12、13亦無溫度影響。閘閥20b的溫度不會變高，也不會受到溫度變化的影響，因此設置於閘閥20b之O型環34b可不考慮耐熱性，而選擇重視密封性之O型環。
設置於閘閥20a之O型環34a係藉由選擇具有電漿耐受性、耐熱性的功能之O型環，而防止劣化並防止處理單元10的電漿氣氛往搬送室8側移動。O型環34b係藉由O型環34a而被保護於電漿氣氛，並藉由絕熱材3而不會受溫度的影響，且不會被暴露於導致O型環劣化的因素下，因此密封性的可靠度提高，而交換頻率亦減少。
電漿處理後，開放用以將晶圓W搬出入的閘閥20時，高溫的反應室40與低溫的搬送室8之間會發生熱傳導，但藉由絕熱材30而被抑制，且搬送室8側的閘閥20b係與搬送室8為相同溫度，通常為室溫。處理單元10內或閘閥20內產生微塵粒子時，因熱泳動現象，微塵粒子會附著於閘閥20b的內壁附近，因此懸浮的微塵粒子變少，並可維持晶圓W或處理單元10於一潔淨狀態。
處理單元10側之O型環34a具有電漿耐受性、耐熱性，但與O型環34b相比交換頻率較高。關閉閘閥20b以將處理單元10與搬送室8阻隔，使得處理單元10成為一獨立空間，因此不只是O型環34a的更換，即使是進行處理單元10的維修時，仍可進行處理單元11、12、13之稼働。
再者，使得閘閥20之處理單元10側的閘閥20a為接觸處理單元10的氣氛之方式所設置之內側O型環34a，以及將該內側O型環34a包覆之方式所設置之外側O型環35a的2道構造，而亦使其各自保有功能。藉由組合並使用具有電漿(自由基)耐受性、耐熱性、微波遮蔽效果中之任一者的功能之O型環，可有效地防止電漿氣氛。
本發明之實施形態中，雖處理單元所實施之處理係以電漿處理作為說明，但非特別限定。但可用於電漿化學氣相沈積處理、濺鍍處理等，特別是進行高溫真空状態之處理。又，位於搬送室的周圍之處理單元的數量幾個都可以，位於處理單元與搬送室之間的閘閥可至少使用一個本發明之閘閥，亦可全部使用本發明之閘閥。
又，本發明之實施形態中，雖設置於閘閥之密封組件係以O型環作為說明，但只要是環状的密封組件即可，且其截面形状，譬如，可為中空的圓形、D型、圓角四方形、橢圓形等。再者，密封組件的材質亦可使用不限於實施形態中所列舉之物。
1．．．半導體製造裝置
2．．．處理站
3．．．晶圓匣盒站
4．．．晶圓匣盒載置台
5．．．晶圓匣盒
6．．．站台搬送機構
7．．．單元搬送機構
8．．．搬送室
9．．．暫置台
10、11、12、13．．．處理單元
20、20a、20b、21、22、23．．．閘閥
30．．．絕熱材
31a、31b．．．閥箱
32a、32b．．．閥體
33a、33b．．．閥桿
34a、34b、35a．．．O型環
40．．．電漿處理室(反應室)
41．．．導波管
42．．．天線
43．．．頂板
44．．．氣體導入口
45．．．基板持定台
W．．．晶圓
圖1係本發明實施型態之半導體製造裝置的構成例之結構圖。
圖2係本發明實施型態之半導體製造裝置的閘閥之截面圖。
圖3係半導體製造裝置的一部份且可進行電漿處理之單元的截面圖。
圖4(a)係本發明實施型態的變形例之閘閥的截面圖。
圖4(b)係閘閥的閥體之部分平面圖。
8‧‧‧搬送室
10‧‧‧處理單元
20、20a、20b‧‧‧閘閥
30‧‧‧絕熱材
31a、31b‧‧‧閘箱
32a、32b‧‧‧閘體
33a、33b‧‧‧閘桿
34a、34b‧‧‧O型環
40‧‧‧電漿處理室(反應室)

Claims (25)

  1. 一種閘閥，係設置於進行半導體製造裝置的製程處理之製程處理室與搬送實施該製程處理之基板的搬送室之間，其特徵在於具備：一製程處理室側第1閘閥，係開閉該製程處理室之開口部，且包含有第1閥體及第1閥箱，其中該第1閥箱係具有朝向該製程處理室的開口部之第1開口；一第1密封組件，係設置於該第1閘閥的該第1閥體，且將該第1開口與該第1閥體之間的縫隙密封；一搬送室側第2閘閥，係開閉該搬送室之開口部，且包含有第2閥體及第2閥箱，其中該第2閥箱係具有朝向該搬送室的開口部之第2開口；以及一第2密封組件，係設置於該第2閘閥的該第2閥體，且將該第2開口與該第2閥體之間的縫隙密封；其中，該第1閥體與該第2閥體係相互附接於彼此而能夠經由該第1與第2開口來將該基板從該搬送室搬入至該製程處理室，或從該製程處理室搬入至該搬送室；並且一絕熱材係插入於該第1與該第2閘閥之間，以抑制熱從該第1閘閥傳導至該第2閘閥；該第1密封組件係由第1材料所形成，該第2密封組件係由真空密封性與對於該製程處理室氣氛的耐受性相異於該第1材料之材料特性的第2材料所形 成。
  2. 如申請專利範圍第1項之閘閥，其中該第1密封組件係具有大於該第2密封組件之對於該製程處理氣氛之耐受性。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之閘閥，其中該第2密封組件係具有大於該第1密封組件之密封性。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之閘閥，其中該製程處理係電漿處理，且該第1密封組件係具有大於該第2密封組件之抗電漿性。
  5. 如申請專利範圍第3項之閘閥，其中該製程處理係電漿處理，且該第1密封組件係具有大於該第2密封組件之抗電漿性。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之閘閥，其中該第1密封組件係具備以接觸該製程處理室之方式設置之一內側密封組件，以及以將該內側密封組件包覆之方式設置之一外側密封組件。
  7. 如申請專利範圍第3項之閘閥，其中該第1密封組件係具備以接觸該製程處理室之方式設置之一內側密封組件，以及以將該內側密封組件包覆之方式設置之一外側密封組件。
  8. 如申請專利範圍第4項之閘閥，其中該第1密封組件係具備以接觸該製程處理室之方式設置之一內側密封組件，以及以將該內側密封組件包覆之方式設置之一外側密封組件。
  9. 如申請專利範圍第5項之閘閥，其中該第1密封組件係具備以接觸該製程處理室之方式設置之一內側密封組件，以及以將該內側密封組件包覆之方式設置之一外側密封組件。
  10. 如申請專利範圍第6項之閘閥，其中該內側密封組件與該外側密封組件係分別具有大於該第2密封組件之對熱、微波或電漿(自由基)中的至少一者之耐受性，該內側密封組件係具有大於該第2密封組件之對於該製程處理氣氛之耐受性。
  11. 如申請專利範圍第7項之閘閥，其中該內側密封組件與該外側密封組件係分別具有大於該第2密封組件之對熱、微波或電漿(自由基)中的至少一者之耐受性，該內側密封組件係具有大於該第2密封組件之對於該製程處理氣氛之耐受性。
  12. 如申請專利範圍第8項之閘閥，其中該內側密封組件與該外側密封組件係分別具有大於該第2密封組件之對熱、微波或電漿(自由基)中的至少一者之耐受性，該內側密封組件係具有大於該第2密封組件之對於該製程處理氣氛之耐受性。
  13. 如申請專利範圍第9項之閘閥，其中該內側密封組件與該外側密封組件係分別具有大於該第2密封組件之對熱、微波或電漿(自由基)中的至少一者之耐受性，該內側密封組件係具有大於該第2密封組件之對於該製程處理氣氛之耐受性。
  14. 如申請專利範圍第6項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  15. 如申請專利範圍第7項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  16. 如申請專利範圍第8項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  17. 如申請專利範圍第9項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  18. 如申請專利範圍第10項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同 於該第2密封組件。
  19. 如申請專利範圍第11項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  20. 如申請專利範圍第12項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  21. 如申請專利範圍第13項之閘閥，其中該內側密封組件係具有大於該外側密封組件之對於電漿(自由基)之耐受性，該外側密封組件係具有大於該內側密封組件之密封性，且該外側密封組件之密封性係等同於該第2密封組件。
  22. 一種半導體製造裝置，其特徵在於具備：一製程處理室，係進行製程處理；一搬送室，係搬送實施該製程處理之基板；一閘閥，係設置於該製程處理室與該搬送室之間之申請專利範圍第1至21項中任一項之閘閥。
  23. 一種半導體製造裝置，其特徵在於具備：2個以上之製程處理室，係進行製程處理；一搬送室，係搬送實施該製程處理之基板；以及 2個以上之閘閥，係分別設置於該製程處理室與該搬送室之間；其中，該2個以上之閘閥中之至少一者係申請專利範圍第1至21項中任一項之閘閥。
  24. 一種半導體製造裝置之閘閥，係設置於進行製程處理之製程處理室與搬送實施該製程處理的基板之搬送室之間，其具備：一製程處理室側第1閘閥，係開閉該製程處理室之開口部，且包含有第1閥體；一第1密封組件，係設置於該第1閘閥的該第1閥體，且將該製程處理室之開口與該第1閥體之間的縫隙密封；一搬送室側第2閘閥，係開閉該搬送室之開口部，且包含有第2閥體；以及一第2密封組件，係設置於該第2閘閥的該第2閥體，且將該搬送室之開口與該第2閥體之間的縫隙密封；其中，一絕熱材係插入於該第1與該第2閘閥之間，以抑制熱從該第1閘閥傳導至該第2閘閥；該第1密封組件係由第1材料所形成，該第2密封組件係由真空密封性與對於該製程處理室氣氛的耐受性相異於該第1材料之材料特性的第2材料所形成。
  25. 一種半導體製造裝置之閘閥，係設置於進行製程處 理之製程處理室與搬送實施該製程處理的基板之搬送室之間，其具備：一製程處理室側第1閘閥，係開閉該製程處理室之開口部，且包含有第1閥體與第1閥箱，其中該第1閥箱係具有朝向該製程處理室的開口部之第1開口；一第1密封組件，係設置於該第1閘閥的該第1閥體，且將該第1開口與該第1閥體之間的縫隙密封；一搬送室側第2閘閥，係開閉該搬送室之開口部，且包含有第2閥體與第2閥箱，其中該第2閥箱係具有朝向該搬送室的開口部之第2開口；以及一第2密封組件，係設置於該第2閘閥的該第2閥體，且將該第2開口與該第2閥體之間的縫隙密封；其中，該第1閥體與該第2閥體係相互附接於彼此而能夠經由該第1與第2開口來將該基板從該搬送室搬入至該製程處理室，或從該製程處理室搬入至該搬送室；並且一絕熱材係插入於該第1與該第2閘閥之間，以抑制熱從該第1閘閥傳導至該第2閘閥。
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