CN101533762B - 闸阀和半导体制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种闸阀和半导体制造装置，该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生，能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀(20)设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元(10)和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室(8)之间，其包括：处理单元(10)侧的闸阀(20a)、设置在处理单元(10)侧闸阀(20a)中的O型密封圈(34a)、输送室(8)侧的闸阀(20b)、设置在输送室(8)侧闸阀(20b)中的O型密封圈(34b)、以及位于处理单元(10)侧闸阀(20a)和输送室(8)侧闸阀(20b)之间的隔热件(30)。

Description

闸阀和半导体制造装置
技术领域
本发明涉及闸阀和半导体制造装置。更详细地说涉及对用于将基板自工艺处理装置中取出、将基板放入工艺处理装置中的开口进行密封的闸阀以及具有该闸阀的半导体制造装置。
背景技术
等离子体技术被广泛地用于集成电路、液晶、太阳能电池等很多半导体装置上。等离子体技术被利用于半导体制造过程的薄膜的堆积、蚀刻工序等，但为了得到更高性能且高功能的产品，要求进行例如超微细加工技术等高度的等离子体处理。特别是，使用微波带的等离子体的微波等离子体处理装置引人注目。
进行等离子体处理时，进行等离子体处理的室内被保持为高温真空状态。用闸阀将取出、放入基板的输送室和等离子体处理室隔开。设置在闸阀上的O型密封圈因等离子体环境气体而明显老化，但不存在兼备耐等离子体性和密封性的O型密封圈。为了预防由于在等离子体环境气体等中O型密封圈老化所引起的产生颗粒、密封性降低而产生处理基板不良，大多定期更换O型密封圈。这关系到增加O型密封圈的更换次数等维护时间的增加、与之相伴的装置工作时间的减少。
专利文献1中记载有用于防止因O型密封圈老化而产生颗粒，而且防止密封性降低的等离子体处理装置。专利文献1的技术如下所述：在反应室和输送室之间设置2个闸阀，在反应室侧设置金属网眼状的O型密封圈，在输送室侧设置氟素树脂系的O型密封圈来隔断等离子体环境气体。
专利文献1：日本特开2004-141803号公报
由于等离子体处理在高温下进行，因此连结的闸阀也被置于高温下。设置在闸阀上的密封构件在高温或频繁地使温度升降的条件下使用的情况与在常温下使用的情况相比容易老化，造成产生颗粒，或耐久期限变短而更换频率变高。有时密封性的可靠性也降低。
而且，具有耐等离子体性的密封构件与具有密封性的密封构件相比，耐久期限短，更换次数多，但每次停止等离子体处理装置，或进行大气开放等造成工作效率降低。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而做成的，其目的在于提供一种闸阀和半导体制造装置，能防止因密封构件老化所导致的密封性的降低和产生颗粒，保持半导体制造装置的运转率。
为了达到上述目的，本发明的第1技术方案的闸阀，设在半导体制造装置的进行工艺处理的工艺处理室和输送被实施上述工艺处理的基板的输送室之间，其特征在于，
包括：
对上述工艺处理室侧的开口部进行开闭的工艺处理室侧闸阀；
设置在上述工艺处理室侧闸阀中、对上述工艺处理室的开口和上述工艺处理室侧闸阀的阀体之间的间隙进行密封的密封构件；
对上述输送室侧的开口部进行开闭的输送室侧闸阀；
设置在上述输送室侧闸阀中、对上述输送室的开口和上述输送室侧闸阀的阀体之间的间隙进行密封的密封构件；
用于阻止上述工艺处理室侧闸阀和上述输送室侧闸阀之间的热传导的隔热件。
并且，设置在工艺处理室侧闸阀中的密封构件也可以具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的、对上述工艺处理环境气体的耐受性。
特别是，设置在输送室侧闸阀中的密封构件也可以具有与设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件同等以上的密封性。
特别是工艺处理是等离子体处理，设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件也可以具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的耐等离子体性。
优选的是，第1技术方案的闸阀的特征在于，设置在工艺处理室侧闸阀中的密封构件具有与上述工艺处理室侧相接触地配置的内侧的密封构件以及围着上述内侧的密封构件配置的外侧的密封构件。
并且，也可以使上述内侧的密封构件和上述外侧的密封构件分别对热、微波和等离子体(自由基)中的至少1个具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的耐受性，上述内侧的密封构件也可以具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的、对上述工艺处理环境气体的耐受性。
而且，也可以使上述内侧的密封构件比上述外侧的密封构件具有更高的耐等离子体(自由基)性，上述外侧的密封构件比上述内侧的密封构件具有更高的密封性，该密封性与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件相同。
本发明的第2技术方案的半导体制造装置，其特征在于，包括：
进行工艺处理的工艺处理室；
输送被实施上述工艺处理的基板的输送室；
将上述工艺处理室和上述输送室连结起来的本发明的第1技术方案的闸阀。
优选的是，第2技术方案的半导体制造装置具有2个以上的上述工艺处理室和将上述2个以上的工艺处理室分别与上述输送室连结起来的多个闸阀，将上述2个以上的工艺处理室和上述输送室连结起来的闸阀中的至少1个是本发明的第1技术方案的闸阀。
根据本发明的闸阀和半导体制造装置，能防止因密封构件的老化所导致的密封性降低和产生颗粒，保持半导体制造装置的运转率。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的半导体制造装置的构成例的方框图
图2是本发明的实施方式的半导体制造装置的闸阀的剖视图。
图3是半导体制造装置的一部分即能进行等离子体处理的单元的剖视图。
图4的(a)是表示本发明的实施方式的变形例的闸阀的剖视图。图4的(b)是闸阀的阀体的局部俯视图。
具体实施方式
实施方式
下面参照附图对本发明的第1技术方案的闸阀进行详细地说明。另外，在图中对相同或相当部分标上相同的附图标记，不重复其说明。图1是表示本发明的实施方式的半导体制造装置的构成例的方框图。例如半导体制造装置1是用于包括等离子体处理在内的半导体制造工序的晶圆制造的装置。
半导体制造装置1由处理站2和盒站3构成。处理站2设有单元输送机构7、输送室8、临时载置台9以及处理单元10、11、12、13。输送室8和处理单元10、11、12、13用闸阀20、21、22、23进行连结。
盒站3设置有盒载置台4，从外部将以晶圆盒单位所供给的晶圆W从盒5输入到半导体制造装置1上，或将处理后的晶圆W从半导体制造装置1输出到盒5中。盒载置台4上的晶圆W的输送由站输送机构6进行。站输送机构6能沿水平方向(实线箭头方向)移动且能升降(沿与纸面垂直的方向移动)，以便能进入载置在盒载置台4上的多个盒5中。此外，站输送机构6能将晶圆W从处理站2输送到盒载置台4上地旋转(沿虚线箭头方向移动)。
被输入到处理站2的晶圆W放置在临时载置台9上，输送机构从站输送机构6切换到单元输送机构7。单元输送机构7也与站输送机构6同样地能沿水平方向移动，也能升降和旋转。利用单元输送机构7将晶圆W输送到输送室8中。从输送室8输入到处理单元10、11、12、13时，处于输送室8和处理单元10、11、12、13之间的闸阀20、21、22、23打开。闸阀20、21、22、23的分隔件上下滑动而进行开闭。
一边将晶圆W按顺序在各处理单元间移动一边进行处理。控制部由存储有处理程序等的ROM等构成，用于控制半导体制造装置1整体和构成的各处理单元10、11、12、13的系统。结束了处理的晶圆W再次被放到临时载置台9上，由站输送机构6从处理站2输出。
图2是本发明的实施方式的半导体制造装置1的闸阀的剖视图。图3是半导体制造装置1的一部分即能进行等离子体处理的单元的剖视图。闸阀20、21、22、23隔断来自处理单元10、11、12、13的环境气体，防止向输送室8泄漏。
闸阀20包括闸阀20a、闸阀20b以及位于闸阀20a和闸阀20b之间的隔热件30。闸阀20a具有阀壳31a、阀体32a、阀杆33a以及设置在阀体32a上的O型密封圈34a。闸阀20b具有阀壳31b、阀体32b、阀杆33b以及设置在阀体32b上的O型密封圈34b。阀壳31a、31b、阀体32a、32b、阀杆33a、33b是由具有电磁屏蔽效果的材料，例如由铝形成的。
闸阀20a位于处理单元10侧，O型密封圈34a密封处理单元10的环境气体。O型密封圈34a对处理单元10的环境气体具有耐受性，例如，是具有耐等离子体性和耐热性的全氟醚系(FFKM)等。
闸阀20b处于输送室8侧，O型密封圈34b具有分隔输送室8和处理单元10的作用。O型密封圈34b的密封性高，例如，是氟素橡胶等的密封圈。
处理单元10是能进行等离子体处理的单元，由等离子体处理室(反应室)40、波导管41、天线42、顶板43、气体导入口44以及基板保持台45构成。反应室40由顶板43堵塞。此时利用真空泵使反应室40内预先形成为10mPa～几十Pa左右的较低压力的高真空状态。天线42与顶板43结合。波导管41与天线42连接。天线42由使微波沿径向扩展的RLSA(径向隙缝天线)和压缩微波波长的滞波板构成，顶板43由电介质形成。从微波源通过波导管41供给微波，由天线42发射。微波在顶板43上传播而具有偏振波面，作为整体形成圆偏振波。
微波被导入到反应室40内而发射等离子体时，根据需要从气体导入口44将氩(Ar)或氙(Xe)和氮(N2)等惰性气体与氢等处理气体一起导入，从而形成氩(Ar)或氙(Xe)等离子体。利用形成的等离子体能对设置在基板保持台45上的晶圆W实施等离子体处理。
形成等离子体期间，处理单元10的反应室40被保持在高真空状态并且被保持在最适于产生等离子体的较高的温度下。闸阀20能利用设置在闸阀20a和闸阀20b这2级阀之间的隔热件30一边抑制热传导一边隔断处理单元10和输送室8。因此，不会对半导体制造装置1的其它处理单元11、12、13和输送室8带来温度的影响，能进行等离子体处理。
对等离子体处理前后的闸阀20的操作进行说明。使闸阀20的2个阀体32a、32b下降，打开闸阀20，利用单元输送机构7将晶圆W输入到处理单元10。将要实施等离子体处理的晶圆W载置到反应室40的基板保持台45上。使输送室8侧的阀体32b上升，关闭闸阀20b，用真空泵将反应室40和闸阀20内抽成真空。之后，使处理单元10侧的阀体32a上升，关闭闸阀20a，在反应室40内进行等离子体处理。
O型密封圈34a被暴露在等离子体环境气体下，因此选择具有耐等离子体(自由基)性的材料。处理单元10被保持在最适于产生等离子体的温度下。与处理单元10连结的闸阀20a被大致保持在150度～200度，因此需要设置在闸阀20a中的O型密封圈34a兼具耐热性。
O型密封圈34b使用高密封性的密封圈，以便隔断处理单元10的环境气体，能防止环境气体向输送室8侧的泄漏以及防止输送室8侧的环境气体进入处理单元10中。反应室40内的等离子体环境气体由设置在闸阀20a中的O型密封圈34a抑制，因此无法到达闸阀20内和输送室8内。因此，设置在闸阀20b中的O型密封圈34b不被暴露在等离子体环境气体下而不易老化，能防止密封性的降低和颗粒的产生。
并且，用闸阀20内的隔热件30隔断热传导，因此能将闸阀20b的温度保持在与输送室8(通常室温)相同的温度。O型密封圈34b不受到高温、温度变化的影响，因此不易老化，能保持密封性的可靠性。因为也可以不考虑温度，所以也能选择具有更好的密封性的O型密封圈34b。颗粒的产生、密封性的降低所导致的不良情况变少，O型密封圈34b的更换次数减少，可以使花费于维护的时间较少就行。
结束了等离子体处理的晶圆W按照与运入相反的顺序进行运出。首先使闸阀20a的阀体32a下降，打开闸阀20a，停止抽真空。接着使闸阀20b的阀体32b下降，打开闸阀20b。处理单元10和输送室8之间开放之后，利用单元输送机构7将晶圆W从处理单元10运出。即使处理单元10处于高温，也由隔热件30隔断来自处理单元10侧的热传导，因此能将闸阀20b保持在与输送室8(通常室温)相同的温度下。在处理单元10内、在闸阀20内产生了颗粒的情况下，由于热泳现象，颗粒附着在温度突然下降的部分附近的闸阀20b内壁上。其结果，颗粒的浮游少，能够将晶圆W、处理单元10保持在洁净的状态。
即使与处理单元10连结的闸阀20a的O型密封圈34a使用了具有耐等离子体(自由基)性和耐热性的材料，但相比于与输送室8连结(温度低)的闸阀20b的O型密封圈34b，耐久时间短。因此，处理单元10侧的密封圈更换频率很高，有时经过规定时间后只更换闸阀20a的O型密封圈34a。此时通过关闭输送室8侧的闸阀20b，形成将处理单元10与输送室8隔断的空间，能不停止半导体制造装置1的其它处理单元11、12、13来更换O型密封圈34a。
并且，处理单元10的等离子体处理温度高，O型密封圈34a是全氟醚系(FFKM)等树脂制的O型密封圈而耐热性不足时，使用金属制的O型密封圈。金属制的O型密封圈保持在压缩的状态下而产生塑性变形，因此需要定期更换，但是通过使用闸阀20，因此能在不停止其它处理单元11、12、13的情况下更换O型密封圈34a，能保持半导体制造装置1的运转率。
图4的(a)是表示本发明的实施方式的变形例的闸阀的剖视图。图4的(b)是闸阀的阀体的局部俯视图。在设于处理单元10侧的闸阀20a的O型密封圈34a的外侧设置O型密封圈35a，除此之外与图2相同。成为内侧的O型密封圈34a与外侧的O型密封圈35a相比，被暴露在处理单元10的环境气体中。O型密封圈34a和O型密封圈35a稍微分离而存在间隙。
使用位于闸阀20a和闸阀20b之间的隔热件30隔断来自处理单元10的热传导，使输送室8侧和闸阀20b的温度不上升。闸阀20a的O型密封圈34a、35a需要具有耐热性，但闸阀20b的O型密封圈34b不需要具有耐热性。
用1个密封构件很难全部满足密封性、耐等离子体(自由基)性、耐热性和微波隔断性。在本实施方式的闸阀20中，通过组合具有不同特性的O型密封圈能有效地隔断等离子体环境气体，但是通过使设置在闸阀20a中的O型密封圈为2层，能更加提高效果。不仅能隔断等离子体环境气体，而且通过功能性和耐受性的组合，使O型密封圈34a、35a、34b的各自的老化停留在最低限度，能防止颗粒的产生、减少O密封圈34a、35a、34b的更换频率。
例如，内侧的O型密封圈34a是具有耐等离子体(自由基)性和耐热性的全氟醚系(FFKM)，外侧的O型密封圈35a具有能隔断微波的导电性，因此能由具有耐热性的材料构成。通过用外侧的O型密封圈35a防止微波，与只有O型密封圈34a的情况相比，能进一步从O型密封圈老化的主要原因出发来保护输送室8侧的O型密封圈34b。
并且，输送室8侧的O型密封圈34b与O型密封圈34a、35a相比只要具有高密封性即可，也可以不考虑耐等离子体性、耐热性等。O型密封圈34b不易被暴露在作为老化的主要原因的等离子体环境气体中，也不受温度变化、高温的影响，因此密封性的可靠性高，更换少。
处理单元10侧的闸阀20a的外侧的O型密封圈35a也可以具有与输送室8侧的O型密封圈34b同样高的密封性。仅开闭处理单元10侧的闸阀20a就能隔断处理单元10和输送室8。此时，为了提高密封性也可以使用输送室8侧的闸阀20b，也有在通常不使用输送室8侧的闸阀20b而只在更换O型密封圈34a、35a时使用的方法。能够在使半导体制造装置1的其它处理单元11、12、13保持工作的状态下更换O型密封圈34a、35a、34b，并能保持更高的半导体制造装置的运转率。
将惰性气体导入到内侧的O型密封圈34a和外侧的O型密封圈35a之间的间隙，由此能自等离子(自由基)保护O型密封圈35a。并且，测量向间隙导入的气体量或间隙的压力，利用超过规定值也能检测出O型密封圈34a的老化。但是，为了实施上述测量，需要设置将惰性气体导入间隙的部件，为了检测O密封圈的老化，还另外需要气体量测量部件或压力测量部件。
O型密封圈的功能性的组合和材料能根据处理内容任意地选择。将处理单元10侧的闸阀20a的O型密封圈设置为2层，但是既可以将输送室8侧的闸阀20b的O型密封圈设置为2层，也可以将两闸阀20a、20b的O型密封圈设置为2层。不限于实施方式的例子，能任意地选择。
对本发明的第2技术方案的半导体制造装置进行说明。半导体制造装置例如是具有能进行等离子体处理的单元的装置。半导体制造装置1和进行等离子体处理的处理单元10与图1和图3所说明的装置相同。而且，位于半导体制造装置1的输送室8和处理单元10之间的闸阀20与图2说明的闸阀相同。
在半导体制造装置1的处理站2中，用盒单位输送的晶圆W一边依次在处理单元10、11、12、13、输送室8和各处理单元10、11、12、13间交替地移动，一边实施所有的处理。输送室8和各处理单元10、11、12、13是用于防止晶圆表面的自然氧化膜而清除了氮等惰性气体的空间，或多是洁净的工作区域，或是与一般环境气体不同的环境气体的区域。特别是在处理包括等离子体处理的情况下，各处理单元10、11、12、13和输送室8与处于大气压状态相比多处于真空状态。
在处理单元10中进行等离子体处理。连结处理单元10和输送室8的闸阀20由处理单元10侧的闸阀20a、输送室8侧的闸阀20b这两级闸阀构成，闸阀20a和闸阀20b之间具有隔热件30。
形成等离子体时，处理单元10为高温，与处理单元10连结的闸阀20发生热传导。处理单元10侧的闸阀20a为高温，但由隔热件30隔断热传导。闸阀20b是与输送室8相同的温度，没有向输送室8侧的热传导，也没有向其它处理单元11、12、13的温度影响。闸阀20b不变成高温，而且，也不受温度变化的影响，因此设置在闸阀20b上的O型密封圈34b能不考虑耐热性、而重视密封性地选择O型密封圈。
设置在闸阀20a上的O型密封圈34a选择具有耐等离子体性、耐热性的功能的O型密封圈，由此防止老化的同时防止处理单元10的等离子体环境气体向输送室8侧移动。O型密封圈34b利用O型密封圈34a保护而免受等离子体环境气体影响，并且，利用隔热件30也不受温度的影响，因为难以暴露在O型密封圈老化的主要原因之下，因此密封性的可靠性高，更换频率也少。
等离子体处理后，为了运出晶圆W，打开闸阀20，在高温的反应室40和低温的输送室8之间产生热传导，但是被隔热件30抑制，输送室8侧的闸阀20b与输送室8处于相同的温度，通常为室温。在处理单元10内、闸阀20内产生了颗粒的情况下，由于热泳现象，颗粒附着到闸阀20b的内壁附近，因此颗粒的浮游少，能将晶圆W、处理单元10保持在干净的状态。
处理单元10侧的O型密封圈34a具有耐等离子体性、耐热性，但比O型密封圈34b更换频率高。关闭闸阀20b，隔断处理单元10和输送室8，将处理单元10作为独立的空间来使用，因此不仅更换O型密封圈34a，即使在进行处理单元10的维护时，也能使处理单元11、12、13工作。
并且，将闸阀20的处理单元10侧的闸阀20a形成为与处理单元10的环境气体相接触地设置的内侧的O型密封圈34a、围着O型密封圈34a设置的外侧的O型密封圈35a的两层构造，也能使各自具有功能。通过组合使用具有耐等离子体(自由基)性、耐热性、微波隔断效果中的任一功能的O型密封圈，能有效地防止等离子体环境气体。
在本发明的实施方式中，将在处理单元实施的处理作为等离子体处理进行了说明，但是没有特别地限定。但是，在进行等离子体CVD处理、溅射处理等，特别是进行高温真空状态的处理时是有用的。处于输送室的周边的处理单元的数量也可以是几个，处于处理单元和输送室之间的闸阀至少一个使用本发明的闸阀即可，也可以全部使用本发明的闸阀。
此外，在本发明的实施方式中，对设置在闸阀上的密封构件为O型密封圈进行了说明，但只要是环状的密封构件即可，其截面形状例如有空心的圆形、D型、圆角四边形、椭圆形等。并且，密封构件的材料也能够不限于本实施方式所列举的材料。

Claims (15)

1.一种闸阀，设在半导体制造装置的进行工艺处理的工艺处理室和输送被实施上述工艺处理的基板的输送室之间，其特征在于，
其包括：
对上述工艺处理室侧的开口部进行开闭的工艺处理室侧闸阀；
设置在上述工艺处理室侧闸阀中、对上述工艺处理室的开口和上述工艺处理室侧闸阀的阀体之间的间隙进行密封的密封构件；
对上述输送室侧的开口部进行开闭的输送室侧闸阀；
设置在上述输送室侧闸阀中、对上述输送室的开口和上述输送室侧闸阀的阀体之间的间隙进行密封的密封构件；
用于抑制上述工艺处理室侧闸阀和上述输送室侧闸阀之间的热传导的隔热件。
2.根据权利要求1所述的闸阀，其特征在于，
设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的、对上述工艺处理的环境气体的耐受性。
3.根据权利要求1所述的闸阀，其特征在于，
设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件具有与设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件同等以上的密封性。
4.根据权利要求2所述的闸阀，其特征在于，
设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件具有与设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件同等以上的密封性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的闸阀，其特征在于，
上述工艺处理是等离子体处理，设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的耐等离子体性。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的闸阀，其特征在于，
设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件具有与上述工艺处理室侧相接触地配置的内侧的密封构件和围着上述内侧的密封构件配置的外侧的密封构件。
7.根据权利要求5中任一项所述的闸阀，其特征在于，
设置在上述工艺处理室侧闸阀中的密封构件具有与上述工艺处理室侧相接触地配置的内侧的密封构件和围着上述内侧的密封构件配置的外侧的密封构件。
8.根据权利要求6所述的闸阀，其特征在于，
上述内侧的密封构件和上述外侧的密封构件分别对热、微波和等离子体中的至少1个具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的耐受性，
上述内侧的密封构件具有与设置在上述输送室侧闸阀上的密封构件同等以上的、对上述工艺处理的环境气体的耐受性。
9.根据权利要求7所述的闸阀，其特征在于，
上述内侧的密封构件和上述外侧的密封构件分别对热、微波和等离子体中的至少1个具有与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件同等以上的耐受性，
上述内侧的密封构件具有与设置在上述输送室侧闸阀上的密封构件同等以上的、对上述工艺处理的环境气体的耐受性。
10.根据权利要求6所述的闸阀，其特征在于，
上述内侧的密封构件比上述外侧的密封构件具有更高的耐等离子体性，
上述外侧的密封构件比上述内侧的密封构件具有更高的密封性，该密封性与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件相同。
11.根据权利要求7所述的闸阀，其特征在于，
上述内侧的密封构件比上述外侧的密封构件具有更高的耐等离子体性，
上述外侧的密封构件比上述内侧的密封构件具有更高的密封性，该密封性与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件相同。
12.根据权利要求8所述的闸阀，其特征在于，
上述内侧的密封构件比上述外侧的密封构件具有更高的耐等离子体性，
上述外侧的密封构件比上述内侧的密封构件具有更高的密封性，该密封性与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件相同。
13.根据权利要求9所述的闸阀，其特征在于，
上述内侧的密封构件比上述外侧的密封构件具有更高的耐等离子体性，
上述外侧的密封构件比上述内侧的密封构件具有更高的密封性，该密封性与设置在上述输送室侧闸阀中的密封构件相同。
14.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：
进行工艺处理的工艺处理室；
输送被实施上述工艺处理的基板的输送室；
将上述工艺处理室和上述输送室相连结的权利要求1～13中任一项所述的闸阀。
15.根据权利要求12所述的半导体制造装置，其特征在于，包括：
2个以上的上述工艺处理室；
将上述2个以上的工艺处理室分别与上述输送室相连结的多个闸阀，
将上述2个以上的工艺处理室和上述输送室相连结的闸阀中的至少1个是权利要求1～13中任一项所述的闸阀。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2293321A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanical modularity chambers
DE102010053411B4 (de) * 2009-12-15 2023-07-06 Vat Holding Ag Vakuumventil
KR101685752B1 (ko) * 2011-02-08 2016-12-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 중계 장치, 기판 중계 방법, 기판 처리 장치
KR20140048752A (ko) 2012-10-16 2014-04-24 삼성전자주식회사 슬릿 밸브 유닛 및 이를 구비하는 성막 장치
JP5876463B2 (ja) * 2013-12-03 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6352012B2 (ja) * 2014-03-17 2018-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10107856B2 (en) 2014-10-21 2018-10-23 Stmicroelectronics S.R.L. Apparatus for the thermal testing of electronic devices and corresponding method
CN110242758B (zh) * 2018-03-09 2021-02-26 (株）Np控股 密封构件更换型闸阀系统、密封板及密封板用料盒
CN109340424A (zh) * 2018-11-22 2019-02-15 北京邦维高科特种纺织品有限责任公司 一种低气压电磁屏蔽安全阀
JP6750928B2 (ja) * 2019-03-01 2020-09-02 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
CN114556536A (zh) 2019-08-05 2022-05-27 艾科系统公司 用于流量限制器的密封件
US11841036B2 (en) 2019-08-05 2023-12-12 Ichor Systems, Inc. Laminar flow restrictor and seal for same
CN112530830A (zh) * 2019-09-18 2021-03-19 中微半导体设备(上海)股份有限公司 基片处理系统、阀板组件及其基片处理系统的工作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101031180A (zh) * 2006-03-03 2007-09-05 爱德牌工程有限公司 等离子体处理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1645785A (en) * 1926-01-06 1927-10-18 Wilson Wylie Gemmel Gate valve
US4163544A (en) * 1977-11-10 1979-08-07 Acf Industries, Incorporated Two piece composite valve seal ring construction
US4657621A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Low particulate vacuum chamber input/output valve
US4851101A (en) * 1987-09-18 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing machine
JPH081923B2 (ja) * 1991-06-24 1996-01-10 ティーディーケイ株式会社 クリーン搬送方法及び装置
US5363872A (en) * 1993-03-16 1994-11-15 Applied Materials, Inc. Low particulate slit valve system and method for controlling same
KR960002534A (ko) * 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
JP3604241B2 (ja) * 1996-10-31 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JPH11241775A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Hitachi Ltd 仕切弁
JPH11248011A (ja) * 1998-02-27 1999-09-14 Kubota Corp 高温用仕切弁
US6629682B2 (en) * 2001-01-11 2003-10-07 Vat Holding Ag Vacuum valve
US6764265B2 (en) * 2002-01-07 2004-07-20 Applied Materials Inc. Erosion resistant slit valve
JP2004103990A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2004141803A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nec Yamaguchi Ltd プラズマプロセス装置およびそのチャンバーシール方法
JP3837391B2 (ja) * 2003-03-24 2006-10-25 Ｓｍｃ株式会社 ゲートバルブ
JP2005191494A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
US7083161B2 (en) * 2004-03-31 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for providing vacuum isolation
US7011294B1 (en) * 2004-09-08 2006-03-14 Vat Holding Ag Vacuum valve
US20060273277A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Heller Mark J Plasma resistant seal assembly with replaceable barrier shield
JP2007085460A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Tdk Corp ゲート弁及びゲート弁を備えるゲート弁ユニット

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101031180A (zh) * 2006-03-03 2007-09-05 爱德牌工程有限公司 等离子体处理装置

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