JP2009203087A - ガラスセラミックスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、主結晶としてクォーツを有し、副結晶としてSrAl2Si2O8およびBa0.9Sr0.1Si2O8を有する相対密度95%以上のガラスセラミックスであって、X線回折のピーク強度より求めたリートベルト解析によるクォーツの含有量が40質量%以上であるとともに、SrAl2Si2O8およびBa0.9Sr0.1Si2O8の合計の含有量が20質量%以上であることを特徴とするものである。
【選択図】 なし
Description
本発明は、多層回路基板の絶縁基体として用いられるガラスセラミックスに関するものであり、とりわけ半導体素子や各種電子部品を搭載し銅を含む配線を有する多層回路基板等に適用可能なガラスセラミックスおよびその製造方法に関するものである。
Claims (2)
- 主結晶としてクォーツを有し、副結晶としてSrAl2Si2O8およびBa0.9Sr0.1Si2O8を有する相対密度95%以上のガラスセラミックスであって、X線回折のピーク強度より求めたリートベルト解析によるクォーツの含有量が40質量%以上であるとともに、前記SrAl2Si2O8および前記Ba0.9Sr0.1Si2O8の合計の含有量が20質量%以上であることを特徴とするガラスセラミックス。
- SiO2からなるフィラー本体の表面にZnO粒子を前記フィラー本体100質量部に対して3〜10質量部の割合で被着したセラミックフィラーを作製する工程と、
SiO2を38〜50mol%、B2O3を5〜10mol%、Al2O3を4〜9mol%、MgOを25〜38mol%、CaOを1〜3mol%、BaOを7〜11mol%およびSrOを1〜4mol%含有するガラス粉末60〜70質量%と、前記セラミックフィラー30〜40質量%とを混合して成形体を作製する工程と、
前記成形体を850〜900℃の温度で焼成する工程とを有することを特徴とするガラスセラミックスの製造方法。
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JP2002137960A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-14 | Kyocera Corp | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板 |
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