JP2009188316A - 受光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】受光部7の底面に第1の反射膜3を配置し、表面に第2の反射膜8を配置し、側面に第3の反射膜11を配置する。そして、第2の反射膜8に受光部7の表面を露出させる貫通孔10を形成し、受光部7の表面側に受光部7の表面のうち露出されている部分に光を集めるように構成されたマイクロレンズ13を配置する。このような受光素子によれば、マイクロレンズ13により集められた光が受光部7の内部に入射されると第1の反射膜3、第2の反射膜8および第3の反射膜11により反射されることで光を受光部7の内部に閉じ込めることができるので、受光部7を構成する材料や受光部7の長さに関わらず高感度な受光部7を備えた受光素子とすることができる。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態を適用した受光素子について説明する。図1は、本実施形態の受光素子の断面図である。図1に基づいて本実施形態の受光素子について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の受光素子は第1実施形態に対して裏面電極2の変わりに第3の反射膜11を電極として用いたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態の受光素子は第1実施形態に対して第2の反射膜8の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の受光素子は第3実施形態に対して第1の反射膜3の構成を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態の受光素子は第1実施形態に対して第3の反射膜11を隣接する受光部間で共有する構成としたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態の受光素子は第1実施形態に対してマイクロレンズ13を配置する場所が異なっており、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
上記第1実施形態では、半導体基板1としてSi、第1の反射膜3および第2の反射膜8としてAlxGa1−xP、PINフォトダイオード7として、SixGe1−xを使用する例を挙げて説明したが、もちろんこれに限定されるものではない。例えば、半導体基板1としてGaAsやInP等を用いてもよく、第1の反射膜3および第2の反射膜8としては、AlxGa1−xAs系やInxGa1−xAs系を用いた半導体多層膜を用いてもよく、また、PINフォトダイオード8としてInxGa1−xAsを用いて構成してもよい。
3 第1の反射膜
7 PINフォトダイオード
8 第2の反射膜
10 貫通孔
11 第3の反射膜
13 マイクロレンズ
14 溝
Claims (10)
- 半導体基板(2)上に隣接するように形成された複数の受光部(7)を備えた受光素子であって、
前記受光部(7)の底面に配置された第1の反射膜(3)と、
前記受光部(7)の表面において、前記第1の反射膜(3)と対向するように配置され、前記受光部(7)の表面の一部を露出させる貫通孔(10)が形成された第2の反射膜(8)と、
前記受光部(7)の側面に配置された第3の反射膜(11)と、
前記受光部(7)の表面側に配置されていると共に、前記受光部(7)の表面のうち露出されている部分に光を集めるように構成され、集めた前記光を前記受光部(7)に入射するマイクロレンズ(13)と、を備え、
前記マイクロレンズ(13)で集められた前記光が前記受光部(7)の表面のうち露出している部分から前記受光部(7)の内部に入射されると、入射された前記光のうち前記受光部(7)の表面に対して斜め方向から入射された前記光が前記第1の反射膜(3)、前記第2の反射膜(8)および前記第3の反射膜(11)にて反射されることで前記受光部(7)の内部に閉じ込められる構成とされていることを特徴とする受光素子。 - 前記第1の反射膜(3)および前記第2の反射膜(8)が半導体多層膜で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の受光素子。
- 前記第3の反射膜(11)が金属で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の受光素子。
- 前記第3の反射膜(11)が電極となることを特徴とする請求項3に記載の受光素子。
- 前記第1の反射膜(3)が半導体多層膜で構成されており、前記第2の反射膜(8)が金属で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の受光素子。
- 前記第1の反射膜(3)および前記第2の反射膜(8)が金属で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の受光素子。
- 隣接する前記受光部間には溝(14)が形成されており、前記溝(14)が前記第3の反射膜(11)で埋め込まれていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の受光素子。
- 前記受光部(7)がピンフォトダイオードで構成されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の受光素子。
- 前記受光部(7)がシリコンゲルマニウムで構成されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載の受光素子。
- 前記半導体基板(2)上に前記受光部(7)をマトリックス状に配置したことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載の受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008028859A JP2009188316A (ja) | 2008-02-08 | 2008-02-08 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008028859A JP2009188316A (ja) | 2008-02-08 | 2008-02-08 | 受光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009188316A true JP2009188316A (ja) | 2009-08-20 |
Family
ID=41071239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008028859A Pending JP2009188316A (ja) | 2008-02-08 | 2008-02-08 | 受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2009188316A (ja) |
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