JP2009183895A

JP2009183895A - 排ガス浄化触媒

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Publication number: JP2009183895A
Application number: JP2008027871A
Authority: JP
Inventors: Tomokazu Ishii; 伴和石井
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2008-02-07
Filing date: 2008-02-07
Publication date: 2009-08-20
Anticipated expiration: 2028-02-07
Also published as: JP5205999B2

Abstract

【課題】触媒活性が高い新規な排ガス浄化触媒を提供する。
【解決手段】Ｒｈ触媒を担体に担持させた排ガス浄化触媒であって、前記担体がオールレッドとロコウによる電気陰性度が１．２３以上１．４０未満の範囲内である金属の酸化物からなることを特徴とする排ガス浄化触媒。
【選択図】なし

Description

この発明は、新規な排ガス浄化触媒に関し、さらに詳しくはＲｈ触媒のシンタリングが抑制され良好な触媒活性を示し浄化性能が改良された新規な排ガス浄化触媒に関する。

従来、自動車のガソリンエンジンなどの内燃機関から排出される排ガスに含まれる窒素酸化物（ＮＯ_Ｘ）、未燃焼の炭化水素（ＨＣ）および一酸化炭素（ＣＯ）を窒素、水および二酸化炭素に変換することにより排ガスを浄化するための三元触媒として、貴金属系触媒を金属酸化物からなる担体に担持させた種々の排ガス浄化触媒が知られている。
そして、排ガスの浄化においては、エンジン始動時のような比較的低温時から高温時までの広範囲の温度で、触媒が高い活性を有することが求められている。

従来、排ガス浄化触媒の貴金属系触媒としては主としてＲｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＲｕが、金属酸化物からなる担体としてはＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３（これらは一般に酸性担体と呼ばれる。）およびＺｒＯ_２（これらは一般に塩基性担体と呼ばれる）が知られている。
そして、これらの排ガス浄化触媒としては、担体が酸性担体である場合および担体が塩基性担体である場合のいずれもより高い触媒活性が求められている。
このため、触媒活性の改良を目的として種々の試みが提案されている（特許文献１〜３）。

特開平６−１３４３０９号公報特開２０００−２０２２９０号公報特開２００２−１１３３６７号公報特開２００６−３２０８６３号公報

上記の特許文献１には、シリカゲル、活性アルミナあるいはシリカ−アルミナなどの疎水性担体に、Ｒｕ、Ｒｈから選ばれる少なくとも１種の貴金属、及びＮｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２から選ばれる少なくとも１種以上の酸化物を担持させてなる亜酸化窒素分解用触媒が記載されている。そして、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、又はＺｒＯ_２の担持量は酸化物として５〜２０ｗｔ％であることが示されている。

上記の特許文献２には、貴金属とＮＯ_Ｘ吸着能成分と無機金属酸化物担体とからなるＮＯ_Ｘ浄化用触媒が記載されている。そして、貴金属としてＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ等が、ＮＯ_Ｘ吸着成分としてＮｄ、Ｃｅ、Ｙ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｌａ、Ｔｉが、担体としてシリカ、アルミナ、シリカ・アルミナ、ゼオライト、チタニア、ジルコニア、マグネシア等の多孔質担体（無機金属酸化物担体）が示され、具体例として無機金属酸化物担体としてシリカが示されている。

上記の特許文献３には、酸化物担体とＰｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｕ及びＩｒから選ばれる少なくとも一種の貴金属とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒから選ばれる少なくとも一種の遷移金属とが担持された飽和炭化水素酸化用触媒が記載されている。そして、酸化物担体はＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ_２あるいはこれらの複数種の複合酸化物から選択され、γ−Ａｌ_２Ｏ_３が望ましいことが示されている。

上記特許文献４には、ジルコニアを主成分とする担体と担体に担持されたＲｈ粒子と担体間に存在するジルコニアを主成分とする結合部材とを含むＲｈ触媒層を有する排ガス浄化触媒が記載されている。そして、具体例としてジルコニア単独、ジルコニア８０ｍｏｌ％とＮｄ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３又はＰｒ_６Ｏ_１１の２０ｍｏｌ％との混合物、あるいはジルコニア９９ｍｏｌ％とアルミナ１ｍｏｌ％との混合物からなる担体が示されている。

このように、従来公知の排ガス浄化触媒は触媒であるＲｈなどの貴金属を酸性度の高い酸性担体又は塩基性担体に担持した触媒であり、いずれも触媒活性が低い。
従って、この発明の目的は、触媒活性が高い新規な排ガス浄化触媒を提供することである。

この発明者らは、触媒活性が高い排ガス浄化触媒を得ることを目的として鋭意研究した結果、従来のＲｈを担持した排ガス浄化触媒は、酸性度の高い酸性担体の場合はＲｈが高活性ではあるがＲｈが移動するためシンタリングして失活し、塩基性担体の場合はＲｈが難還元性になり失活するためいずれも触媒活性が低いことを見出し、さらに検討を行った結果、この発明を完成した。
この発明は、Ｒｈ触媒を担体に担持させた排ガス浄化触媒であって、前記担体がオールレッドとロコウによる電気陰性度が１．２３以上１．４０未満の範囲内である金属の酸化物からなることを特徴とする排ガス浄化触媒に関する。

この発明において前記オールレッドとロコウによる電気陰性度とは、オールレッド（Ａ．Ｌ．Ａｌｌｒｅｄ）とロコウ（Ｅ．Ｇ．Ｒｏｃｈｏｗ）による電気陰性度（コットンウィルキンソンガウス基礎無機化学原書第２版、第５９頁）のことを意味し、下記式で定義される。
金属原子の電気陰性度＝［３５９０（Ｚ_ｅｆｆ−０．３５）／ｒ^２］＋０．７４４
［式中、Ｚ_ｅｆｆは有効核電荷を意味し、実際の原子番号Ｚとスレーター則で見積もられる遮蔽定数Ｓとの差（Ｚ_ｅｆｆ＝Ｚ−Ｓ）であり、ｒは共有結合半径を意味しｐｍ単位で与えられる。］

この発明によれば、良好な触媒活性を示し浄化性能が改良された排ガス浄化触媒を得ることができる。

この発明における好適な態様を次に示す。
１）担体が、Ｈｆ、ＴａおよびＮｂのうちの少なくとも１種の金属の酸化物からなる前記の排ガス浄化触媒。
２）担体が、ＴａおよびＮｂのいずれかの金属の酸化物からなる前記の排ガス浄化触媒。

この発明においては、貴金属触媒としてのＲｈ触媒と、担体としての前記オールレッドとロコウによる電気陰性度（以下、単にＡＲ電気陰性度と略記することがある。）が１．２３以上１．４０未満、好適には１．２３以上１．３３以下の範囲内である金属の酸化物からなる担体とを組み合わせて得られる排ガス浄化触媒であることが必要であり、これによって酸性と弱塩基性の両方の特性を兼ね備えた担体を得ることが可能となりＲｈの活性を高くし且つ粒成長を抑制して、良好な触媒活性を示し低い温度から高い温度までの広い温度範囲で浄化能が改良された排ガス浄化触媒を得ることが可能となる。

これに対して、貴金属触媒としてＲｈ触媒以外の貴金属を用いるとＮＯ_Ｘ浄化温度範囲が狭く、例えばＰｔ、Ｐｄでは低い温度でのＮＯ_Ｘ浄化性能は高いが高い温度でのＮＯ_Ｘ浄化性能が低くなり、Ｉｒ、Ｒｕでは高い温度でのＮＯ_Ｘ浄化性能は高いが低い温度でのＮＯ_Ｘ浄化性能が低くなり、いずれも広い温度範囲で最適なＮＯ_Ｘ浄化性能を与えるための貴金属触媒として好適ではない。
また、従来の排ガス浄化触媒における担体はＡＲ電気陰性度の前記下限より小さく塩基性であるかあるいはＡＲ電気陰性度の上限より大きく酸性度が強すぎるため、前述のように、酸性度の高い酸性担体の場合はＲｈが高活性ではあるがＲｈが移動するためシンタリングしやすく失活し、塩基性担体の場合はＲｈが難還元性になり失活し、いずれも触媒活性が低い排ガス浄化触媒しか得られない。

因みに、従来の一般的な担体である金属酸化物であるＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３およびＺｒＯ_２の金属のＡＲ電気陰性度は以下の通りである。
ＳｉＯ_２／ＳｉのＡＲ電気陰性度＝１．７４
Ａｌ_２Ｏ_３／ＡｌのＡＲ電気陰性度＝１．４７
ＺｒＯ_２／ＺｒのＡＲ電気陰性度＝１．２２
また、従来のＳｉＯ_２又はＺｒＯ_２に少量添加される金属であるＮｄ、ＬａおよびＰｒのＡＲ電気陰性度は以下の通りである。
ＮｄのＡＲ電気陰性度＝１．０７
ＬａのＡＲ電気陰性度＝１．０３
ＰｒのＡＲ電気陰性度＝１．０７

この発明の排ガス浄化触媒は、１．２３以上１．４０未満、好適には１．２３以上１．３３以下の範囲内のＡＲ電気陰性度を与える金属の酸化物、好適にはＨｆ、ＴａおよびＮｂのうちの少なくとも１種の金属の酸化物、特に、ＴａおよびＮｂのいずれかの金属の酸化物からなる担体と触媒金属であるＲｈとを組み合わせることによって得ることができる。
前記のＨｆ、ＴａおよびＮｂのＡＲ電気陰性度に関して、ＨｆのＡＲ電気陰性度は１．２３、ＴａのＡＲ電気陰性度は１．３３、ＮｂのＡＲ電気陰性度は１．２３である。

前記のＨｆの酸化物である酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）担体を与えるハフニウム化合物としては、無機系Ｈｆ化合物および有機系Ｈｆ化合物が挙げられ、例えば二塩化ハフニウムオキシド（ＨｆＯＣｌ_２）、塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ_４）、置換ハフノセンジクロライド、置換シクロペンタジエニルハフニウムトリクロライド、ハフニウムアセチルアセトナート、ハフニウムアルコキシド、例えばハフニウムエトキシド、ハフニウムブトキシド、ハフニウムプロポキシド、水酸化ハフニウム、硝酸ハフニウム、Ｈｆ（Ｃ_１１Ｈ_１９Ｏ_２）_４などが挙げられる。
前記の酸化ハフニウムは、ハフニウム化合物からそれ自体公知の方法、例えば前記のハフニウム化合物、好適にはハフニウム塩を含む水溶液を噴霧して液滴とし、この液滴をアンモニア及び／又は蒸気の作用によって凝集させて分離したゲル粒子とし、その後このゲル粒子をアンモニア塩又は加水分解物がなくなるまで洗浄し、脱水、乾燥、及び焼成することによって得ることができる。

前記のＴａの酸化物である酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）担体を与えるタンタル化合物としては、ハロゲン化タンタル化合物、ハロゲン化アルキルタンタル化合物、アルキル化タンタル化合物、アラルキルタンタル化合物、ハロゲン化アラルキルタンタル化合物、アリールタンタル化合物、アリールハロゲン化タンタル又はタンタルアルコキシドを挙げることができ、より具体的には、五フッ化タンタル、五塩化タンタル、五臭化タンタル、五ヨウ化タンタル、塩化四フッ化タンタル、二塩化三フッ化タンタル、三塩化二フッ化タンタル、四塩化フッ化タンタル、臭化四フッ化タンタル、二臭化三フッ化タンタル、三臭化二フッ化タンタル、四臭化フッ化タンタル、ヨウ化四フッ化タンタル、二ヨウ化三フッ化タンタル、三ヨウ化二フッ化タンタル、四ヨウ化フッ化タンタル、臭化四塩化タンタル、二臭化三塩化タンタル、三臭化二塩化タンタル、四臭化塩化タンタル、塩化四ヨウ化タンタル、二塩化三ヨウ化タンタル、三塩化二ヨウ化タンタル、四塩化ヨウ化タンタル、臭化四ヨウ化タンタル、二臭化三ヨウ化タンタル、三臭化二ヨウ化タンタル、四臭化ヨウ化タンタル、四フッ化メチルタンタル、三フッ化ジメチルタンタル、二フッ化トリメチルタンタル、フッ化テトラメチルタンタル、四塩化メチルタンタル、三塩化ジメチルタンタル、二塩化トリメチルタンタル、塩化テトラメチルタンタル、四臭化メチルタンタル、三臭化ジメチルタンタル、二臭化トリメチルタンタル、臭化テトラメチルタンタル、四ヨウ化メチルタンタル、三ヨウ化ジメチルタンタル、二ヨウ化トリメチルタンタル、ヨウ化テトラメチルタンタル、ペンタメチルタンタル、ペンタフェニルタンタル、ペンタベンジルタンタル、四フッ化フェニルタンタル、三フッ化ジフェニルタンタル、二フッ化トリフェニルタンタル、フッ化テトラフェニルタンタル、四塩化フェニルタンタル、三塩化ジフェニルタンタル、二塩化トリフェニルタンタル、塩化テトラフェニルタンタル、四臭化フェニルタンタル、三臭化ジフェニルタンタル、二臭化トリフェニルタンタル、臭化テトラフェニルタンタル、四ヨウ化フェニルタンタル、三ヨウ化ジフェニルタンタル、二ヨウ化トリフェニルタンタル、ヨウ化テトラフェニルタンタル、ベンジル四フッ化タンタル、ジベンジル三フッ化タンタル、トリベンジル二フッ化タンタル、テトラベンジルフッ化タンタル、ベンジル四塩化タンタル、ジベンジル三塩化タンタル、トリベンジル二塩化タンタル、テトラベンジル塩化タンタル、ベンジル四臭化タンタル、ジベンジル三臭化タンタル、トリベンジル二臭化タンタル、テトラベンジル臭化タンタル、ベンジル四ヨウ化タンタル、ジベンジル三ヨウ化タンタル、トリベンジル二ヨウ化タンタル、テトラベンジルヨウ化タンタル、タンタルアルコキシド、例えばタンタルメトキシド、タンタルエトキシド、タンタルプロポキシド又はタンタルブトキシド等を挙げることができる。

これらのうちでもタンタル化合物として、五フッ化タンタル、五塩化タンタル、五臭化タンタル、五ヨウ化タンタル、塩化四フッ化タンタル、二塩化三フッ化タンタル、三塩化二フッ化タンタル、四塩化フッ化タンタル、臭化四フッ化タンタル、二臭化三フッ化タンタル、三臭化二フッ化タンタル、四臭化フッ化タンタル、ヨウ化四フッ化タンタル、二ヨウ化三フッ化タンタル、三ヨウ化二フッ化タンタル、四ヨウ化フッ化タンタル、臭化四塩化タンタル、二臭化三塩化タンタル、三臭化二塩化タンタル、四臭化塩化タンタル、塩化四ヨウ化タンタル、二塩化三ヨウ化タンタル、三塩化二ヨウ化タンタル、四塩化ヨウ化タンタル、臭化四ヨウ化タンタル、二臭化三ヨウ化タンタル、三臭化二ヨウ化タンタル又は四臭化ヨウ化タンタル等を好適に挙げることができる。
前記の酸化タンタルは、タンタル化合物からそれ自体公知の方法、例えば前記のタンタル化合物の水溶液と沈澱剤であるアンモニア又は炭酸アンモニアとの混合物を混合して沈澱物を生成させ、生成した沈澱物を分離・洗浄し、得られた沈澱物を水蒸気含有ガス雰囲気中に加熱した後、焼成することによって得ることができる。

前記のＮｂの酸化物である酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）担体を与えるニオブ化合物としては、無機系Ｎｂ化合物および有機Ｎｂ化合物が挙げられ、例えば三塩化ニオブオキシド（ＮｂＯＣｌ_３）、五塩化ニオブ（ＮｂＣｌ_５）、五臭化ニオブ（ＮｂＢｒ_５）、五フッ化ニオブ（ＮｂＦ_５）、ニオブアルコキシド、例えばニオブメトキシド（Ｎｂ（ＯＣＨ_３）_５）、ニオブエトキシド（Ｎｂ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５）、ニオブ−ｎ−プロポキシド（Ｎｂ（Ｏ−ｎ−Ｃ_３Ｈ_７）_５）、ニオブイソプロポキシド（Ｎｂ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_５）、ニオブ−ｎ−ブトキシド（Ｎｂ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_５）、ニオブイソブトキシド（Ｎｂ（Ｏ−ｉ−Ｃ_４Ｈ_９）_５）、ニオブ−ｓｅｃ−イソブトキシド（Ｎｂ（Ｏ−ｓｅｃ−Ｃ_４Ｈ_９）_５）等が挙げられる。

前記の酸化ニオブは、ニオブ化合物からそれ自体公知の方法、例えば前記のニオブ化合物の水溶液と沈澱剤であるアンモニア又は炭酸アンモニアとの混合物を混合して沈澱物を生成させ、生成した沈澱物を分離・洗浄し、得られた沈澱物を水蒸気含有ガス雰囲気中に加熱した後、焼成することによって得ることができる。
また、前記の酸化ニオブは、ニオブ化合物を加熱して揮発させ、得られたニオブ化合物の蒸気の原料気流中に水蒸気を添加して加水分解することによって酸化ニオブ微粒子として得ることもできる。

この発明における前記の担体は、前記の担体原料である金属の酸化物を、必要であれば溶媒、例えば水と混合し、任意の形状、好適にはハニカム形状に成形し、加熱乾燥した後、焼成して得ることができる。
また、この発明における排ガス浄化触媒である担持触媒は、予め任意の形状、好適にはハニカム形状に成形した担体にＲｈを担持させることによって形成してもよく、あるいは担体にＲｈを担持した後に解砕して担体担持触媒とした後、任意の形状、好適にはハニカム形状に成形することによって製造することができる。

また、この発明において、前記の担体からなるコート層をコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ_２Ｏ_３・５ＳｉＯ_２）などのＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２複合酸化物から形成されるハニカム形状の支持基材に形成してもよい。この場合、ハニカム形状の支持基材にこの発明における担体を任意の方法、例えば含浸、塗布などによって積層し、次いで担体に触媒を任意の方法によって担持してもよく、あるいはハニカム形状の支持基材に予め調製したこの発明における排ガス浄化触媒である担持触媒を任意の方法によって積層してもよい。

この発明における前記の触媒は、例えば、ロジウムＲｈや酸化ロジウムＲｈ_２Ｏ_３、硝酸ロジウムＲｈ（ＮＯ_３）_３、塩化ロジウムＲｈＣｌ_３・４Ｈ_２Ｏ等のロジウム化合物を触媒成分として用い、蒸発凝固法、含浸法、イオン交換法、吸着法、還元析出法等の触媒担持法、好適には含浸法によってＲｈを担持させることができる。
前記の触媒Ｒｈの担持量は、担体に対して０．０２５〜１質量％程度、特に０．０２５〜０．５質量％程度であることが好ましい。

前記の触媒成分を担体に含浸させる方法としては、好適には、前記の成形された担体に触媒成分のスラリーを塗布、噴霧する、好適には触媒成分のスラリーをゾーンコートするか、又は成形された担体を触媒成分のスラリーに含浸するか、あるいは担体と触媒成分のスラリーとを混合し、水を蒸発させながら混練して触媒ペーストとし、これを任意の成形機、例えば押出し成形機等で成形して、担体に触媒成分を含浸させる方法などが挙げられる。

次いで、好適には、１００℃以上、特に１００〜２００℃程度の温度で数時間〜１昼夜程度の時間加熱乾燥した後、必要であれば４００℃以上、特に４００〜８００℃で３０分間〜５時間程度の時間焼成し、さらに必要であれば触媒成分を還元することによって、この発明の排ガス浄化触媒である担持触媒を得ることができる。

この発明によれば、高温の排ガス流によってこの発明の排ガス浄化触媒はＲｈのシンタリングを抑制することが可能となり、しかも低い温度時から高いレベルの浄化性能を維持することが可能となり、浄化性能が改良された排ガス浄化触媒を得ることができる。

以下、この発明の実施例を示す。
以下の各例において、排ガス浄化触媒の性能は以下に記載の測定法によって測定を行い評価した。
以下の各例で得られた排ガス浄化触媒のペレット状粉末１．０ｇを、実験室用モデルガス評価装置の反応管内部に設置した。下記の表１に示すガス組成：ＮＯ（０→２２００ｐｐｍ）／Ｏ_２（１５％→１．２％）／ＣＯ（０→１．６％）／Ｈ_２（０→２７００ｐｐｍ）／Ｃ_３Ｈ_６（０→２５００ｐｐｍ）／ＣＯ_２（０→１０％）／Ｈ_２Ｏ（０％→３％）／Ｎ_２（残り、合計１００体積％）を有するガス（入りガス）をこの反応管内に流通させながら、反応管内の触媒温度を２０℃／ｍｉｎで上昇させ下記の表１に示す条件で加熱して、この反応管を通過して出てくるモデル排ガス（出ガス）中のＮＯ_Ｘの濃度が１５４０ｐｐｍになる温度であるＮＯ_Ｘの３０％浄化温度、Ｃ_３Ｈ_６の濃度が１７５０ｐｐｍになる温度であるＨＣの３０％浄化温度、およびＣＯの濃度が１．１２％になる温度であるＣＯの３０％浄化温度を各々測定し評価した。各実施例及び比較例で調製した排ガス浄化触媒のペレット状粉末のそれぞれに対して、この評価を行った。

実施例１
酸化ハフニウム粉末９９．５ｇを４００ｍｌの水が入ったビーカーに入れた後、Ｒｈ（ＮＯ_３）_３の２．７５質量％の薬液１８．１８ｇを入れて、２時間攪拌した。１２０℃の乾燥炉にビーカーを入れて一昼夜加熱し水を全部蒸発させた。ビーカーを取り出した後、粉末を粉砕してビニールの袋に入れた。ＣＩＰの中に粉末の入ったビニール袋を入れて、１トンの圧力で圧粉した。固まった粉末を取り出して解砕し、０．５０質量％のＲｈを酸化ハフニウム担体に担持させた粒径が１．０ｍｍ〜１．７ｍｍのペレット状触媒粉末を得た。
得られたペレット状触媒粉末について評価した結果を他の実施例および比較例１の結果とまとめて図１〜図３に示す。

実施例２
酸化ハフニウム粉末に代えて酸化タンタルを用いた他は実施例１と同様にして、０．５０質量％のＲｈを酸化タンタル担体に担持させた粒径が１．０ｍｍ〜１．７ｍｍのペレット状触媒粉末を得た。
得られたペレット状触媒粉末について評価した結果を他の実施例および比較例１の結果とまとめて図１〜図３に示す。

実施例３
酸化ハフニウム粉末に代えて酸化ニオブを用いた他は実施例１と同様にして、０．５０質量％のＲｈを酸化ニオブ担体に担持させた粒径が１．０ｍｍ〜１．７ｍｍのペレット状触媒粉末を得た。
得られたペレット状触媒粉末について評価した結果を他の実施例および比較例１の結果とまとめて図１〜図３に示す。

比較例１
酸化ハフニウム粉末に代えて酸化ジルコニウムを用いた他は実施例１と同様にして、０．５０質量％のＲｈを酸化ジルコニウム担体に担持させた粒径が１．０ｍｍ〜１．７ｍｍのペレット状触媒粉末を得た。
得られたペレット状触媒粉末について評価した結果を実施例１〜３の結果とまとめて図１〜図３に示す。

図１から、実施例１〜３と比較例１とを比較すると、実施例１〜３で得られた排ガス浄化触媒はＮＯ_Ｘの３０％浄化温度が低い。すなわち、実施例１〜３で得られた排ガス浄化触媒は比較例１で得られた排ガス浄化触媒に比べて排ガス中のＮＯ_Ｘ浄化性能が高い。
図２から、実施例１〜３と比較例１とを比較すると、実施例２〜３で得られた排ガス浄化触媒はＨＣの３０％浄化温度が低い。すなわち、実施例２〜３で得られた排ガス浄化触媒は比較例１で得られた排ガス浄化触媒に比べて排ガス中のＨＣ浄化性能が高い。
また、図３から、実施例１〜３と比較例１とを比較すると、実施例２〜３で得られた排ガス浄化触媒はＣＯの３０％浄化温度が低い。すなわち、実施例２〜３で得られた排ガス浄化触媒は比較例１で得られた担持触媒に比べて排ガス中のＣＯ浄化性能が高い。

図１は、実施例および比較例で得られた各担持触媒のＮＯ_Ｘの３０％浄化温度を示すグラフである。図２は、実施例および比較例で得られた各担持触媒のＨＣの３０％浄化温度を示すグラフである。図３は、実施例および比較例で得られた各担持触媒のＣＯの３０％浄化温度を示すグラフである。

Claims

Ｒｈ触媒を担体に担持させた排ガス浄化触媒であって、前記担体がオールレッドとロコウによる電気陰性度が１．２３以上１．４０未満の範囲内である金属の酸化物からなることを特徴とする排ガス浄化触媒。
担体が、Ｈｆ、ＴａおよびＮｂのうちの少なくとも１種の金属の酸化物からなる請求項１に記載の排ガス浄化触媒。
担体が、ＴａおよびＮｂのいずれかの金属の酸化物からなる請求項１に記載の排ガス浄化触媒。