JP2009177135A - 薄膜半導体装置、表示装置、および電子機器 - Google Patents
薄膜半導体装置、表示装置、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009177135A JP2009177135A JP2008287249A JP2008287249A JP2009177135A JP 2009177135 A JP2009177135 A JP 2009177135A JP 2008287249 A JP2008287249 A JP 2008287249A JP 2008287249 A JP2008287249 A JP 2008287249A JP 2009177135 A JP2009177135 A JP 2009177135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor
- semiconductor device
- organic
- film semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 384
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 322
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 26
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 16
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 13
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 23
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 142
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 65
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 19
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 18
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 18
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 acene compound Chemical class 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000704 biodegradable plastic Polymers 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004215 lattice model Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】ゲート電極13にゲート絶縁膜15を介して積層された半導体薄膜1を備え、半導体薄膜1は、積層構造からなり、少なくとも2層の半導体層a,a’を含む。このような半導体薄膜1は、例えば、2層の半導体層a,a’間に当該半導体層a,a’とは異なる材料からなる中間層bが挟持されている。2層の半導体層a,a’は同一材料で構成され、中間層bは絶縁性材料からなる。このような積層構造を構成する材料は、有機材料からなる。
【選択図】図1
Description
1.半導体薄膜の構成
2.半導体薄膜の形成方法−1(各層を成膜する例)
3.半導体薄膜の形成方法−2(相分離を適用した例)
4.薄膜半導体装置−1(ボトムコンタクトボトムゲート)
5.薄膜半導体装置−2(ボトムコンタクトボトムゲートの他の例)
6.薄膜半導体装置−3(トップコンタクトボトムゲート)
7.薄膜半導体装置−4(トップコンタクトトップゲート)
8.薄膜半導体装置−5(ボトムコンタクトトップゲート)
9.薄膜半導体装置−6(ボトムコンタクトトップゲートの他の例)
10.薄膜半導体装置−7(ボトムコンタクトトップゲートのさらに他の例)
11.表示装置
12.電子機器
図1は、本発明に適用する半導体薄膜の一構成例を示す断面図である。この図に示す半導体薄膜1は、積層構造中に少なくとも2層の半導体層a,a’を含んでいるいわゆる半導体複合薄膜であることを特徴としている。
以上のような構成の半導体薄膜1の形成方法の第1例としては、下層側から1層ずつを順次成膜して形成することができる。各層の成膜には、材料に合わせてスピンコートやスリットコート,インクジェット、スクリーン印刷,凸版印刷,凹版印刷,平版印刷などを含む塗布・印刷法や、蒸着法、CVD法、PVD法、スパッタ法などを適用することができる。特に半導体薄膜1を構成する全ての層が有機材料からなる場合には、塗布・印刷法を適用したプロセスによって半導体薄膜1を得ることが可能である。
また半導体薄膜1の形成方法の第2例としては、塗布または印刷によって形成した薄膜中において有機材料を自発的に相分離させる方法が挙げられる。以下にその方法を説明する。
図4は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第1例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-1は、ボトムコンタクトボトムゲート(BCBG)型の薄膜トランジスタであり、電界効果トランジスタである。この薄膜半導体装置10-1は、基板11上にゲート電極13がパターン形成されている。またこのゲート電極13を覆う状態でゲート絶縁膜15が設けられており、このゲート絶縁膜15上にソース電極17sおよびドレイン電極17dがパターン形成されている。これらのソース電極17sおよびドレイン電極17dは、ゲート電極13の両脇となる位置にゲート電極13を挟む状態で対向するように設けられている。ゲート電極とソース及びドレイン電極の間には,オーバーラップする領域があっても良い.そして、ソース電極17s−ドレイン電極17d間にわたって、ゲート絶縁膜15、ソース電極17s、およびドレイン電極17dに接する状態で、上述した積層構造の半導体薄膜1が設けられている。
図6は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第2例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-2も、ボトムコンタクトボトムゲート(BCBG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図7は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第3例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-3は、トップコンタクトボトムゲート(TCBG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図8は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第4例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-4は、トップコンタクトトップゲート(TCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図9は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第5例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-5は、ボトムコンタクトトップゲート(BCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)であり、図4および図8に示す薄膜トランジスタ(10-1)と同一の構成要素には同一の符号を付している。
図10は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第6例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-6は、第5例のボトムコンタクトトップゲート(BCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)の第1変形例であり、ソース電極17sおよびドレイン電極17dの表面が基板11の表面と同一面を構成しているとろにおいてのみ、第5例と異なる。
図11は、本発明を適用した薄膜半導体装置の第7例を示す断面構成図である。この図に示す薄膜半導体装置10-7は、第5例のボトムコンタクトトップゲート(BCTG)型の薄膜トランジスタ(電界効果トランジスタ)の第2変形例であり、半導体薄膜1を構成する半導体層aがソース電極17sおよびドレイン電極17dのパターン段差を埋め込んで表面平坦に成膜されているとろにおいてのみ、第5と異なる。
次に、上述の実施形態で説明した本発明の薄膜半導体装置(薄膜トランジスタ)を用いた表示装置の一例として、有機電界発光素子ELを用いたアクティブマトリックス型の表示装置を説明する。
本発明の電子機器の実施形態としては、上述した薄膜トランジスタ10-1〜10-7を搭載し、これに導電性パターンを接続させた電子機器に広く適用可能である。例えば、IDタグ、センサー等の電子機器への適用が可能であり、同様の効果を得ることができる。また、本発明の電子機器の実施形態としては、上記表示装置を搭載した電子機器に広く適用化能である。例えば、電子ペーパー、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の表示装置を搭載した電子機器に適用することが可能である。
有機半導体材料としてTIPSペンタセンを用い、これと異なる有機材料としてポリアルファメチルスチレン(poly(alpha-methylstyrene):PaMS)を用い、これらをメシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。尚、TIPSペンタセンは共役系低分子系の有機半導体材料として用いた。また、PaMSは高分子絶縁材料として用いた。
得られた各半導体薄膜に付いて移動度を測定した。図14には、PaMSの分子量(Mw)と、得られた半導体薄膜に付いて測定した移動度(mobility)との関係を示す。図14のグラフに示すように、用いる高分子(PaMS)の分子量が大きいほど高い移動度を示すことが分かる。これは、図3を用いて説明したように、高分子(PaMS)の分子量が大きいほど混合ギブスエネルギー(ΔGm)が高くなる結果と良く一致している。そして、図14から、分子量が5000以上、好ましくは2万以上の高分子(PaMS)を用いて半導体材料と混合することにより、十部に高い移動度の半導体薄膜が得られることが確認された。
得られた各半導体薄膜について、TOF−SIMSにて深さ方向の濃度プロファイルを測定した。この結果を図15に示す。尚、図15中のCN,Oは、基板の表面を構成する有機絶縁膜の成分である。
得られた各半導体薄膜について、X線回折スペクトルを測定した。この結果を図16に示す。
有機半導体材料としてTIPSペンタセンを用い、これと異なる有機材料としてポリスチレン(polystyrene:PS)を用い、これらをメシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。尚、TIPSペンタセンは共役系低分子系の有機半導体材料として用いた。また、PSは高分子絶縁材料として用いた。
得られた各半導体薄膜に付いて移動度を測定した。図17には、PSの分子量と、得られた半導体薄膜に付いて測定した移動度(mobility)との関係を示す。図17のグラフに示すように、用いる高分子(PS)の分子量が大きいほど高い移動度を示すことが分かる。これは、図3に示したように高分子(PS)の分子量が大きいほど混合ギブスエネルギー(ΔGm)が高くなる結果と良く一致している。そして、この図17からも、分子量が5000以上、さらには2万以上の高分子(PS)を用いて半導体材料と混合することにより、十部に高い移動度の半導体薄膜が得られることが確認された。
以下のようにして図1に示す半導体薄膜を形成した。先ず、TIPSペンタセン(有機半導体材料)と、環状オレフィン・コポリマー(有機絶縁性材料)とを、メシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。混合比は重量で1:1とした。次に、架橋したPVP(ポリビニルフェノール)を主成分とした有機絶縁膜を有する基板上に、作製した溶液をスピンコートによって塗布して塗布膜を形成した。形成した塗布膜を、窒素雰囲気下60℃で1時間乾燥させて薄膜を得た。
得られた薄膜について、TOF−SIMSにて深さ方向の濃度プロファイルを測定した。この結果を図18に示す。この図に示すように、TIPSペンタセンに含まれるSiのピークが、表面近傍と絶縁層(基板)界面近傍との2ヶ所に間隔を開けて検出された。このことから、上述した塗布膜の乾燥過程において、有機半導体材料であるTIPSペンタセンと有機絶縁材料である環状オレフィン・コポリマーとが相分離し、図1に示したように、Siを含むTIPSペンタセンで構成された半導体層a−a’間に、環状オレフィン・コポリマーからなる中間層bが挟持された積層構成の半導体薄膜1が得られていることが確認された。
以下のようにして<比較例2>の膜を作製した。先ず、低分子有機半導体材料としてTIPSペンタセンと、高分子絶縁材料としてポリイソブチルメタクリレート(Mw=300,000、Mn=140,000)とをメシチレンに混合して溶かした溶液を作製した。混合比は重量で1:1とした。次に、架橋したPVP(ポリビニルフェノール)を主成分とした有機絶縁膜を有する基板上に、作製した溶液をスピンコートによって塗布して塗布膜を形成した。形成した塗布膜を、窒素雰囲気下60℃で1時間乾燥させて<比較例2>の膜を得た。
得られた比較膜について、TOF−SIMSにて深さ方向の濃度プロファイルを測定した。この結果を図19に示す。この図に示すように、TIPSペンタセンに含まれるSiのピークが、CNとOとが高濃度で検出されている絶縁層(基板)よりも表面側においてほぼ均等に検出された。このことから、ここで作製された<比較例2>の膜は、上述した塗布膜の乾燥過程において、有機半導体材料であるTIPSペンタセンと有機絶縁材料であるポリイソブチルメタクリレートとの間で相分離が生じておらず、単層構造であることが確認された。
各分子量のPaMSを用いた<サンプル1>および<サンプル4>の半導体薄膜の作製を適用し、以下のようにして、図4を用いて説明したボトムコンタクトボトムゲート(BCBG)型の薄膜トランジスタを作製した。
得られた各薄膜トランジスタについて、窒素雰囲気下において加熱温度による移動度(Mobility)の変化を測定した。この結果を図20に示す。この図に示すように、相分離している<サンプル4>の半導体薄膜を備えた薄膜トランジスタでは、初期の移動度0.2cm2/Vsが、加熱によって低下するものの、180℃にまで加熱しても移動度0.08cm2/Vs程度に維持されている。これに対して、相分離しない<サンプル1>の半導体薄膜を備えた薄膜トランジスタでは、初期の移動度0.09cm2/Vsが、加熱によって低下し、180℃では移動度6×10-4cm2/Vsにまで劣化している。
また、<サンプル4>および<サンプル1>を適用して作製した複数の薄膜トランジスタのうち、各87個ずつの薄膜トランジスタについて、オン電流のバラツキを測定した。この結果、相分離している<サンプル4>を適用して作製した薄膜トランジスタのオン電流のバラツキは11.3%であった。一方、相分離していない<サンプル1>を適用して作製した薄膜トランジスタのオン電流のバラツキは54.7%であった。
また、<サンプル4>および<サンプル1>を適用して作製した複数の薄膜トランジスタのうち、各87個ずつの薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vg−ドレイン電流Id特性を測定した。この結果を図21に示す。この結果からも、相分離している<サンプル4>を適用して作製した薄膜トランジスタの特性バラツキは、相分離しない<サンプル1>を適用して作製した薄膜トランジスタの特性バラツキよりも小さいことが確認された。
Claims (20)
- ゲート電極と、
少なくとも2層の半導体層を含む積層構造からなり、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して積層された半導体薄膜とを備えた
薄膜半導体装置。 - 前記2層の半導体層間に、当該半導体層とは異なる材料組成からなる中間層が挟持されている
請求項1記載の薄膜半導体装置。 - 前記2層の半導体層は、同一材料で構成されている
請求項2記載の薄膜半導体装置。 - 前記中間層は、絶縁性材料からなる
請求項2または3に記載の薄膜半導体装置。 - 前記積層構造を構成する材料は、有機材料からなる
請求項1〜4の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記2層の半導体層は共役系低分子材料を用いて構成され、
前記中間層は高分子材料を用いて構成されている
請求項2〜5の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記共役低分子材料は多結晶または結晶であり、
前記高分子材料は非晶質である
請求項6に記載の薄膜半導体装置。 - 前記高分子材料は高分子絶縁材料である
請求項6または7に記載の薄膜半導体装置。 - 前記半導体薄膜は、共役系低分子材料を用いて構成された半導体層、高分子材料を用いて構成された中間層、および共役系低分子材料層を用いて構成された半導体層をこの順に設けた積層構造からなる
請求項1〜8の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記2層の半導体層はアセン系化合物である
請求項1〜9の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記2層の半導体層は高分子系半導体材料を用いて構成され、
前記中間層は異なる種類の高分子半導体材料を有するかたちで構成されている
請求項2〜5の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記積層構造を構成する複数材料の混合ギブスエネルギーが正の値を示す
請求項1〜11の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記中間層は、数平均分子量および重量平均分子量が5000以上の高分子材料を用いて構成されている
請求項2〜15の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 前記中間層は、ポリアルファメチルスチレン、ポリスチレン、または環状オレフィン・コポリマーである
請求項2〜16記載の薄膜半導体装置。 - 前記ゲート電極の両脇となる位置に前記半導体薄膜に接してソース電極及びドレイン電極が設けられた
請求項1〜17の何れかに記載の薄膜半導体装置。 - 少なくとも2層の半導体層を含む積層構造からなる半導体薄膜を、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に積層させた薄膜半導体素子と、
前記薄膜半導体素子に接続された画素電極とを備えた
表示装置。 - 少なくとも2層の半導体層を含む積層構造からなる半導体薄膜を、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に積層させた薄膜半導体素子と、
前記薄膜半導体素子に接続された導電性パターンと備えた
電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008287249A JP5453771B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-11-10 | 薄膜半導体装置、表示装置、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007335881 | 2007-12-27 | ||
JP2007335881 | 2007-12-27 | ||
JP2008287249A JP5453771B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-11-10 | 薄膜半導体装置、表示装置、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009177135A true JP2009177135A (ja) | 2009-08-06 |
JP5453771B2 JP5453771B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=40824030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008287249A Expired - Fee Related JP5453771B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-11-10 | 薄膜半導体装置、表示装置、および電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304763B2 (ja) |
EP (1) | EP2226846A4 (ja) |
JP (1) | JP5453771B2 (ja) |
KR (1) | KR20100103623A (ja) |
CN (1) | CN101904011B (ja) |
TW (1) | TWI382540B (ja) |
WO (1) | WO2009084307A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012222203A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 |
WO2016047587A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界効果トランジスタ、有機半導体結晶の製造方法、及び、有機半導体素子 |
WO2017159703A1 (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5884306B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2016-03-15 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
CN102332533A (zh) * | 2011-09-20 | 2012-01-25 | 电子科技大学 | 一种空穴传输型有机薄膜晶体管及其制备方法 |
GB201408946D0 (en) * | 2014-05-20 | 2014-07-02 | Univ Manchester | Low voltage dielectric |
CN113540351A (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-22 | 丰田自动车株式会社 | 场效应晶体管、气体传感器及其制造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02260661A (ja) * | 1988-12-31 | 1990-10-23 | Samsung Electron Devices Co Ltd | アクティブマトリックス液晶表示素子用薄膜トランジスタ |
JPH03255669A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置 |
JP2004165427A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ素子 |
JP2005243822A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器 |
WO2006019133A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 有機積層膜を形成するための塗液、電界効果トランジスタの製造方法、および電界効果トランジスタ |
JP2006093113A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子デバイスおよびその作製方法 |
JP2006303459A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその製造方法 |
JP2007273594A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Nippon Kayaku Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03217027A (ja) | 1990-01-12 | 1991-09-24 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 複数の半導体層を持つ薄膜トランジスタ |
TW577176B (en) * | 2003-03-31 | 2004-02-21 | Ind Tech Res Inst | Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof |
KR101229388B1 (ko) * | 2004-08-23 | 2013-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그 제조방법 |
WO2007099690A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Pioneer Corporation | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-10-17 CN CN200880122073.0A patent/CN101904011B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-17 EP EP08866568A patent/EP2226846A4/en not_active Withdrawn
- 2008-10-17 WO PCT/JP2008/068843 patent/WO2009084307A1/ja active Application Filing
- 2008-10-17 KR KR1020107016060A patent/KR20100103623A/ko active IP Right Grant
- 2008-10-17 US US12/735,129 patent/US8304763B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-10 JP JP2008287249A patent/JP5453771B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-18 TW TW097149486A patent/TWI382540B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02260661A (ja) * | 1988-12-31 | 1990-10-23 | Samsung Electron Devices Co Ltd | アクティブマトリックス液晶表示素子用薄膜トランジスタ |
JPH03255669A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置 |
JP2004165427A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ素子 |
JP2005243822A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器 |
WO2006019133A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 有機積層膜を形成するための塗液、電界効果トランジスタの製造方法、および電界効果トランジスタ |
JP2006093113A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子デバイスおよびその作製方法 |
JP2006303459A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその製造方法 |
JP2007273594A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Nippon Kayaku Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012222203A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 |
WO2016047587A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界効果トランジスタ、有機半導体結晶の製造方法、及び、有機半導体素子 |
JPWO2016047587A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2017-04-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界効果トランジスタ、有機半導体結晶の製造方法、及び、有機半導体素子 |
WO2017159703A1 (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ |
CN108780844A (zh) * | 2016-03-16 | 2018-11-09 | 富士胶片株式会社 | 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管 |
JPWO2017159703A1 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ |
CN108780844B (zh) * | 2016-03-16 | 2022-04-29 | 富士胶片株式会社 | 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5453771B2 (ja) | 2014-03-26 |
CN101904011B (zh) | 2012-12-26 |
US20100276754A1 (en) | 2010-11-04 |
KR20100103623A (ko) | 2010-09-27 |
WO2009084307A1 (ja) | 2009-07-09 |
TW200947709A (en) | 2009-11-16 |
TWI382540B (zh) | 2013-01-11 |
EP2226846A1 (en) | 2010-09-08 |
CN101904011A (zh) | 2010-12-01 |
EP2226846A4 (en) | 2013-02-20 |
US8304763B2 (en) | 2012-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5636626B2 (ja) | 半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法 | |
JP5453771B2 (ja) | 薄膜半導体装置、表示装置、および電子機器 | |
JP4550030B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びそれを含む平板ディスプレイ装置 | |
US9246008B2 (en) | Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus | |
US8963141B2 (en) | Thin-film transistor, fabrication method thereof, and image display device | |
JP2008034760A (ja) | 電子素子、電流制御ユニット、電流制御装置、演算装置及び表示装置 | |
JP2010028005A (ja) | 半導体複合膜、半導体複合膜の形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 | |
JP6887806B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP4723675B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法および画像表示装置 | |
TW200830595A (en) | Organic thin film transistor, organic composite electronic element, method for manufacturing such transistor and element, and display device and memory | |
JP2005223048A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 | |
JP2012033617A (ja) | 有機トランジスタ素子用テンプレートおよびその製造方法、並びに有機トランジスタ素子およびその製造方法 | |
JP5630364B2 (ja) | 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 | |
JP2016163029A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイの製造方法及び画素表示装置 | |
JP5532655B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置 | |
WO2015004847A1 (en) | Electronic device and manufacturing method therefor and image display apparatus and substrate for constituting image display apparatus | |
JP5685933B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5310567B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2020088096A (ja) | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 | |
US20150060802A1 (en) | Electronic device, manufacturing method thereof, and image display device | |
JP2008186845A (ja) | 論理素子 | |
JP2013197229A (ja) | 積層構造体及びその形成方法、並びに、電子デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110714 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131223 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |