JP2009175611A - 光走査装置、光走査装置の製造方法、振動ミラーおよび画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】静電トルクを増大させるための櫛歯側面の狭ギャップと、櫛歯電極の接触によるショート不良を低減させるための櫛歯先端の広ギャップを同時に容易に形成する。
【解決手段】櫛歯電極1、2の先端を最も細い櫛幅とする。これにより、櫛歯先端部のギャップ3を広くすることができ、高次振動による櫛歯電極1、2の接触に起因するショート不良が低減される。
【選択図】図5
【解決手段】櫛歯電極1、2の先端を最も細い櫛幅とする。これにより、櫛歯先端部のギャップ3を広くすることができ、高次振動による櫛歯電極1、2の接触に起因するショート不良が低減される。
【選択図】図5
Description
本発明は、デジタル複写機およびレーザプリンタ等の画像形成装置に用いられる光走査装置に関し、例えば、光走査型のバーコード読み取り装置や車載用のレーザレーダ装置等に好適な技術に関する。
従来の光走査装置は、光ビームを走査する偏向器としてポリゴンミラーやガルバノミラーを用いているが、より高解像度の画像と高速プリントを達成するには、その回転をさらに高速にしなければならず、軸受の耐久性や風損による発熱、騒音が課題となり、高速走査に限界がある。
近年、シリコンマイクロマシニングを利用した光偏向器の研究が進み、例えば特許文献1、2に開示されるように、Si基板で振動ミラーとそれを支持するねじり梁を一体形成した方式が提案されている。この方式によれば、共振を利用して往復振動させるので高速動作が可能であるにもかかわらず、騒音が低いという利点があり、さらに振動ミラーを回転する駆動力も小さくて済むので消費電力も低く抑えられる。
しかし、共振を利用して往復振動させるミラーの場合、(1)外的要因(温度、湿度、振動等)により共振周波数が変動すると、極端に振れ角が低下し、(2)作製時に発生する形状バラツキや外的要因により共振周波数にバラツキが発生するために、そのバラツキが大きいと複数のミラーを使用する際に、各々駆動周波数を変えなければならないという煩雑さやコストがかかる等の走査安定性の問題がある。更に、消費電力の小さい静電力を用いた静電駆動型のミラーの場合は、(3)大きな振れ角を得るためには駆動電圧が高くなるという問題もある。
上記した問題を解決するには、駆動源となる大きな外力を安定に連続的に加えることができれば効果的である。特許文献1、2の静電駆動型ミラーでは、可動電極と固定電極を櫛歯状に形成して、静電トルクを増大させているが、櫛歯電極を有する静電駆動型ミラーは、櫛歯電極の接触に起因するショート不良の問題点がある。櫛歯電極の接触は、下記の理由により櫛先端部のギャップが狭まり、櫛先端で発生するものが多い。
(a)捩り回転により櫛歯が傾いたことによる突き出し量の増加
(b)高次振動による並進運動
上記問題点の解決策として、櫛歯先端部のギャップを広くすることが考えられる。しかしながら、静電トルクを増大させるためには、櫛歯側面のギャップを狭くしなければならないので、櫛歯側面は狭く、櫛歯先端は広く、ギャップを形成しなければならない。通常、Si基板上にエッチング加工を用いて作製する際に、特にギャップの深さが深い場合は、マイクロローディング効果が顕著に現れるので、このようなギャップを同時に形成することは困難である。
(a)捩り回転により櫛歯が傾いたことによる突き出し量の増加
(b)高次振動による並進運動
上記問題点の解決策として、櫛歯先端部のギャップを広くすることが考えられる。しかしながら、静電トルクを増大させるためには、櫛歯側面のギャップを狭くしなければならないので、櫛歯側面は狭く、櫛歯先端は広く、ギャップを形成しなければならない。通常、Si基板上にエッチング加工を用いて作製する際に、特にギャップの深さが深い場合は、マイクロローディング効果が顕著に現れるので、このようなギャップを同時に形成することは困難である。
本発明は上記した問題点に鑑みてなされたもので、
本発明の目的は、静電トルクを増大させるための、櫛歯側面の狭ギャップと、櫛歯電極の接触によるショート不良を低減させるための、櫛歯先端の広ギャップを同時に容易に形成した光走査装置を提供することにある。
本発明の目的は、静電トルクを増大させるための、櫛歯側面の狭ギャップと、櫛歯電極の接触によるショート不良を低減させるための、櫛歯先端の広ギャップを同時に容易に形成した光走査装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記構造で、小さい駆動電圧で安定してミラーを回転させることにより、共振周波数のバラツキを吸収して、必要以上の振れ角を安定して得られる光走査装置を提供することにある。
本発明は、発光源からの光ビームを偏向する振動ミラーと、前記振動ミラーに形成された可動櫛歯電極と、前記可動櫛歯電極に対向する固定櫛歯電極とを有し、前記可動櫛歯電極と前記固定櫛歯電極は櫛歯側面の狭ギャップよりも櫛歯電極先端のギャップが広い構成の静電駆動型の光走査装置において、前記櫛歯電極先端を最も細い櫛幅とすることを最も主要な特徴とする。
本発明では、狭いギャップを有して互いに噛み合うよう櫛歯状の凹凸を形成している、固定櫛歯電極と可動櫛歯電極を有し、櫛歯側面の狭ギャップよりも櫛歯先端のギャップが広い櫛歯電極を備える静電駆動型ミラーにおいて、櫛歯電極先端を最も細い櫛幅とすることにより、高次振動による櫛歯電極の接触に起因するショート不良を低減することが出来る。また、櫛歯電極形状を形成する際は、櫛歯先端から広ギャップ領域へ伸長した補償パターンを櫛歯先端部に備えたエッチングマスクを用いて作製する。広ギャップが細分化されるので、狭ギャップとのエッチングレート差を低減できる。補償パターンはエッチングにより後退が進行する寸法に設計することにより、櫛歯先端に面して広ギャップが形成することができるので、狭ギャップと広ギャップを容易に形成することが出来る。
請求項1:櫛歯電極先端を最も細い櫛幅とすることにより、櫛歯先端部のギャップを広くすることができるので、高次振動による櫛歯電極の接触に起因するショート不良を低減することが出来る。また、Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果により、櫛側面の狭ギャップと櫛先端の広ギャップの境界にはSi残渣が発生しやすい。つまり、櫛先端にはSi残渣による突起形状が発生しやすいが、あらかじめ櫛先端を細くしておくことにより、突起形状によるショート不良の発生を低減することができる。
請求項2、7:補償パターンにより、広ギャップが細分化されるので、狭ギャップとのエッチングレート差を低減できる。前記補償パターンはエッチングにより後退が進行する寸法に設計することにより、櫛歯先端に面して広ギャップが形成することができるので、狭ギャップと広ギャップを容易に形成することが出来る。
請求項3:可動櫛歯電極側に質量バラツキの要因になり得る補償パターンがないので、共振周波数のバラツキを低減できる。
請求項3:可動櫛歯電極側に質量バラツキの要因になり得る補償パターンがないので、共振周波数のバラツキを低減できる。
請求項4:櫛歯先端に必要な広ギャップを保った上で、できるだけ櫛先端部のエッチング開口部を小さくできるので、Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果を低減でき、櫛側面の狭ギャップと櫛先端の広ギャップを同時形成するのにより効果的である。
請求項5:Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果により、櫛側面の狭ギャップと櫛先端の広ギャップの境界にはSi残渣が発生しやすい。つまり、櫛先端にはSi残渣による突起形状が発生しやすい。しかしながら、SOI基板に形成する場合は、オーバーエッチを増やすことが可能であるために、Si残渣を低減でき、突起形状の少ない櫛歯先端を形成することができる。よって、櫛先端の接触によるショート不良を低減することが出来る。
請求項6:共振ピークから外れた帯域で使うことにより、駆動周波数に対する調整幅が広がる。
請求項8:エッチング加工後の仕上がり形状において、櫛歯先端に突起状の形状を残すことがないので、ショート不良をより低減することができる。
請求項9:櫛歯の共振周波数が従来の櫛歯における共振周波数の約1.4倍になるので、櫛歯長を長くした場合に発生する櫛歯の振動周波数を高くすることができ、ショートを防止することが出来る。
請求項10、13:動的撓みが少ない領域が増加する。
請求項11、12:連結枝部のZ軸方向の曲げ剛性が増加する。
請求項14:動的な撓みを低減するための最適な曲げ剛性の配分を設定することが出来る。
請求項15〜17:振動ミラーの振れ角を従来の概略2倍にできる。また、大きい静電トルクが作用するため、ミラー基板の振れ角を大きくとれる。
請求項18、19:従来のポリゴンミラーに比べ、消費電力が小さく、低騒音の画像形成装置を得ることが出来る。
以下、発明の実施の形態について図面により詳細に説明する。
実施例1〜6
本発明の光走査装置の構成と、その製造方法を説明する。ここでは、Si基板で構成される静電駆動型のマイクロミラーについて説明する。以下、2枚の基板で構成されるマイクロミラーについて説明するが、2枚に限らず、3枚以上でも同様である。
本発明の光走査装置の構成と、その製造方法を説明する。ここでは、Si基板で構成される静電駆動型のマイクロミラーについて説明する。以下、2枚の基板で構成されるマイクロミラーについて説明するが、2枚に限らず、3枚以上でも同様である。
図1(a)、(b)は、ミラー基板端部及び一対の連結枝部に可動櫛歯電極を備えた従来のマイクロミラーの上面を示す。図1(a)、(b)に示すように、第1のSi基板と第2のSi基板は絶縁層(SiO2)を介して接合された構成となっている。図1のA’−A断面を用いた製造方法を図2に示す。
マイクロミラーはSOI(Silicon On Insulator)基板を用いて作製されており、ここではSOI基板の両方の基板とも低抵抗の基板(導体)を用いており、エッチング加工を用いて、第2のSi基板に振動ミラーの揺動空間、第1のSi基板に振動ミラーが形成される。また、低抵抗の基板(導体)を用いており、特別に金属を形成せず、基板自体が電極を兼ねている。更に、それぞれの基板には振動ミラー側の可動櫛歯電極に対向する位置に第1及び第2の固定櫛歯電極が形成されている。この時、電極形状を櫛歯形状にすることにより、駆動電圧を低くすることができる。更に、捩り回転方向に2段に電極が形成されているために、振動ミラーには常に駆動トルクがかかる状態になっており、振れ角を大きくとることができる。また、複数の電極を絶縁分離するためのスリット溝、電極パッド及びミラー面には金属膜が形成されている。第1のSi基板には、第2のSi基板に形成される電極パッドに対向する位置に貫通孔が形成されており、電極取り出し用の開口となる。よって、ここでは、振動ミラーと同一基板上に形成した電極の電極パッドと、振動ミラーと別基板上に形成した電極の電極パッドを共に、図2の上方に形成している。また、SOI基板の絶縁分離を行っているスリット溝には、ゲッター(ガス吸着材)を配置することができる。前記スリット溝は封止空間と連通しているために、ゲッターを配置しておくことにより、所望の真空・気密封止空間を設定、維持できる。
次に静電駆動型マイクロミラーの振動について説明する。図3は、静電駆動型マイクロミラーに発生する高次振動の共振周波数とその振動方向の様子を示す。例えば、共振周波数4.857kHzにおいて、捩り梁(X軸)を回転軸として回転する場合の2次〜4次の高次振動を示しているが、櫛歯電極の接触によるショート不良に大きな影響を及ぼすのは3次振動(Z軸方向並進)であり、その振動量は大きい場合、10〜20μm程度である。この高次振動成分が重畳している場合に、櫛歯先端部での接触によるショート不良を低減させるには、図4(a)に示すように、櫛先端のギャップを広くすることが考えられる。
実施例1
本発明の実施例1は、図4(a)に示される櫛歯電極の拡大図である図4(b)に対して、図5に示すように、櫛歯先端が最も細い櫛幅であることを特徴としている。図5において、1は可動櫛歯電極、2は固定櫛歯電極、3は櫛歯先端広ギャップ、4は櫛歯側面狭ギャップである。
本発明の実施例1は、図4(a)に示される櫛歯電極の拡大図である図4(b)に対して、図5に示すように、櫛歯先端が最も細い櫛幅であることを特徴としている。図5において、1は可動櫛歯電極、2は固定櫛歯電極、3は櫛歯先端広ギャップ、4は櫛歯側面狭ギャップである。
櫛歯電極先端を最も細い櫛幅とすることにより、櫛歯先端部のギャップ3を広くすることができるので、高次振動による櫛歯電極の接触に起因するショート不良を低減することが出来る。また、本実施例の構成を、Si基板を用いてエッチングで加工する場合には、以下の効果を得ることができる。
例えば、図5の櫛歯電極をSi基板にエッチングで加工する場合の様子を図6(a)〜(d)に示す。ここではSOI基板を用いたときの、エッチングマスクパターンの上面図(a)、櫛歯側面の狭ギャップと櫛歯先端の広ギャップが、エッチングの進行により変化する様子の断面図(b)、櫛歯の仕上がり形状の正面図(c)、仕上がり形状の下面図(d)(SiO2側から見た図)を示す。(b−1)、(b−2)、(b−3)はA−A’線の断面であり、(c)はB−B’線の位置を右側からみた正面図である。(b−1)はエッチング進行中のギャップ断面の形状を示しているが、異なるエッチング開口率のパターン(狭ギャップと広ギャップ)が隣接しているために、エッチングレートの不連続性により異なる領域の境界でエッチング残渣が発生しやすい。この傾向は櫛歯電極間の間隔やエッチング深さに強く依存し、両者の比であるアスペクト比が大きくなるにつれ顕著化する(b−2)。
これはエッチングのマイクロローディング効果に起因するもので、図7にギャップの幅とギャップの深さの関係を示すが、例えば10μmのギャップを200μmエッチングする際には、40μmのギャップは250μm以上エッチングされるというようにその差が大きく、均一にエッチングすることが難しいからである。
最終的には、櫛歯電極形成のためのエッチングが終了した後も、(c)や(d)に示されるように、櫛歯電極の底面側には突起形状が残りやすくなっている。
そこで、実施例1では、櫛歯電極の先端を予め細くしてあるので、上記の突起形状によるショート不良の発生が低減される。なお、SOI基板上に形成する場合は、オーバーエッチを増やすことが可能であるために、Si残渣を低減でき、突起形状の少ない櫛歯先端を形成することができる。
実施例2
図8は、本発明の実施例2を示す。実施例2は、広ギャップに面する櫛歯先端部に、広ギャップを分割するような補償パターン5を櫛先端に備えることを特徴としている。(a)にはエッチングマスクパターンの上面図、(b)には仕上がり形状の上面図を示している。ここでの補償パターンは、図7のマイクロローディング効果を低減するために備えられ、エッチングの進行と共に徐々に後退していき、最終的にはそのほとんどは消失するように設計されるものである。このように、広ギャップに面する櫛歯先端部には、広ギャップを分割するような補償パターン5を櫛先端に備える構造にすることにより、Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果を低減でき、櫛側面の狭ギャップと櫛先端の広ギャップを同時形成することができるので、所望の形状を容易に形成することができる。
(c)、(d)は、補償パターンを固定櫛歯電極側のみに形成した実施例2の変形例を示す。この例では、可動櫛歯電極側に質量バラツキの要因になり得る補償パターンがないので、共振周波数のバラツキを低減できる(可動櫛歯電極にも補償パターンがある場合に比べて)。
図8は、本発明の実施例2を示す。実施例2は、広ギャップに面する櫛歯先端部に、広ギャップを分割するような補償パターン5を櫛先端に備えることを特徴としている。(a)にはエッチングマスクパターンの上面図、(b)には仕上がり形状の上面図を示している。ここでの補償パターンは、図7のマイクロローディング効果を低減するために備えられ、エッチングの進行と共に徐々に後退していき、最終的にはそのほとんどは消失するように設計されるものである。このように、広ギャップに面する櫛歯先端部には、広ギャップを分割するような補償パターン5を櫛先端に備える構造にすることにより、Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果を低減でき、櫛側面の狭ギャップと櫛先端の広ギャップを同時形成することができるので、所望の形状を容易に形成することができる。
(c)、(d)は、補償パターンを固定櫛歯電極側のみに形成した実施例2の変形例を示す。この例では、可動櫛歯電極側に質量バラツキの要因になり得る補償パターンがないので、共振周波数のバラツキを低減できる(可動櫛歯電極にも補償パターンがある場合に比べて)。
実施例3
図9は、本発明の実施例3を示す。実施例3の補償パターン5は、櫛歯先端に向かい細くなっていく形状であることを特徴としている。(a)にはエッチングマスクパターンの上面図、(b)には仕上がり形状の上面図を示している。このような形状にすることにより、実施例1(図5)による効果に加え、実施例2(図8)による効果も期待することが出来る。
図9は、本発明の実施例3を示す。実施例3の補償パターン5は、櫛歯先端に向かい細くなっていく形状であることを特徴としている。(a)にはエッチングマスクパターンの上面図、(b)には仕上がり形状の上面図を示している。このような形状にすることにより、実施例1(図5)による効果に加え、実施例2(図8)による効果も期待することが出来る。
実施例4、5
図10(a)、(b)は、本発明の実施例4を示す。いずれも櫛歯電極1、2の根元を最も太い櫛幅とすることを特徴としている。櫛歯先端に必要な広ギャップ3を保った上で、できるだけ櫛先端部のエッチング開口部を小さくできるので、Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果を低減でき、櫛側面の狭ギャップ4と櫛先端の広ギャップ3を同時形成するのにより効果的である。
図10(a)、(b)は、本発明の実施例4を示す。いずれも櫛歯電極1、2の根元を最も太い櫛幅とすることを特徴としている。櫛歯先端に必要な広ギャップ3を保った上で、できるだけ櫛先端部のエッチング開口部を小さくできるので、Si基板をエッチングで加工する際に、マイクロローディング効果を低減でき、櫛側面の狭ギャップ4と櫛先端の広ギャップ3を同時形成するのにより効果的である。
図10(c)、(d)は、本発明の実施例5を示す。実施例5は、図10(a)に示される形状に、補償パターン5を備えていることを特徴とした構造であり、図10(a)に示される形状に期待される効果に加え、補償パターンによる効果も期待できる。図10(c)、(d)に示す櫛歯電極をSi基板にエッチングで加工する場合の様子を図11(a)〜(d)に示す。ここではSOI基板を用いたときの、エッチングマスクパターンの上面図(a)、櫛歯側面のギャップと櫛歯先端のギャップが、エッチングの進行により変化する様子の断面図(b)、櫛歯の仕上がり形状の正面図(c)、仕上がり形状の下面図(d)(SiO2側から見た図)を示す。(b−1)、(b−2)、(b−3)はA−A’線の断面であり、(c)はB−B’線の位置を右側からみた正面図である。
(b−1)〜(b−3)はエッチング進行中のギャップ断面の形状を示しているが、櫛歯側面のギャップと櫛歯先端のギャップはほぼ同じ幅のギャップとなっているために、エッチングは深さ方向にほぼ均一に進行し、図6に示されるようなエッチング残渣は発生しにくい。また、櫛歯先端に備えられた補償パターンはエッチングの進行とともに、後退していき櫛歯先端には広ギャップが形成される。よって、Si基板をエッチングで加工する際に、櫛側面の狭ギャップと櫛先端の広ギャップを同時に形成することができるので、所望の形状を容易に形成することができる。この方法で形成したマイクロミラーを図12に示す。
実施例6
図13(a)は、本発明のマイクロミラーを用いた振動ミラーモジュールの詳細を示す。振動ミラー基板は、2枚のSi基板1206、1207を酸化膜等の絶縁膜を介して接合して構成される。第1のSi基板1206は厚さ60μmのSi基板からなり、エッチングにより可動ミラー1202および同一直線上で支持するねじり梁1208を、その周囲を貫通し固定枠1210から分離して形成する。
図13(a)は、本発明のマイクロミラーを用いた振動ミラーモジュールの詳細を示す。振動ミラー基板は、2枚のSi基板1206、1207を酸化膜等の絶縁膜を介して接合して構成される。第1のSi基板1206は厚さ60μmのSi基板からなり、エッチングにより可動ミラー1202および同一直線上で支持するねじり梁1208を、その周囲を貫通し固定枠1210から分離して形成する。
可動ミラー1202は、ねじり梁1208に対して対称に形成され、両端の縁部および対向する固定枠1210の内辺には数μmのギャップを有して互い違いに噛み合うよう櫛歯状の凹凸を形成している。可動ミラー1202の表面にはAu等の金属被膜が蒸着され反射面となし、図13(b)に示すように、各基板を絶縁層を介して接合した状態で島状に分離することで、基板そのものを個別に電極として形成しており、可動ミラー両端の凹凸部を第1、第2の可動電極(説明では便宜上分けているが同電位)、対向する固定枠の凹凸部を第1、第2の固定電極1203、1204(説明では便宜上分けているが同電位)として形成している。
また、第2の基板1207は140μmのSi基板からなり、エッチングにより中央部を貫通し、上記固定枠1210に形成した凹凸部と重なり合う内辺には外郭が一致するように櫛歯状に凹凸を形成し、同様に第3、第4の固定電極1211、1212とし、可動ミラーの揺動に沿って第1、第2の可動電極が噛み合うように通過する。
実施例6では、第1、第2の固定電極1203、1204には同位相の電圧パルスを印加し、第3の固定電極1211には第1、第2の固定電極に印加する電圧パルスよりも進んだ位相の電圧パルス、第4の固定電極1212には第1、第2固定電極に印加する電圧パルスよりも遅れた位相の電圧パルスが印加される。図13(c)は、可動ミラーの振れ角に対応して各電極間に発生する静電トルクの様子を示す。
図14は、電極の断面を示す。図中、左回り方向の静電トルクを正としている。可動ミラー1202は初期状態では水平であるが、第3の固定電極1211に電圧を印加すると対向する可動電極との間で負の方向での静電力を生じ、ねじり梁1208をねじって回転され、ねじり梁1208の戻り力と釣り合う振れ角まで傾く。上記電圧が解除されると、ねじり梁の戻り力で可動ミラー1202は水平に戻るが、水平に戻る直前に第1、第2の固定電極1203、1204に電圧を印加することによって正の方向での静電力を生じ、引き続き、第4の固定電極1212に電圧を印加することによってさらに正の方向での静電トルクを増すといった電極の切り換えを繰り返し行うことで、可動ミラー1202をその両端の可動電極が対向する第1、第2の固定電極を抜ける振れ角、実施例では約2°で往復振動する。
ここで、可動ミラー1202の慣性モーメント、ねじり梁1208の幅と長さを、走査する所望の駆動周波数に合わせ、ねじり梁を回転軸とした1次共振モードの帯域にかかるよう設計することによって、励振されて著しく振幅が拡大され、可動ミラー両端の可動電極が対向する第3、第4の固定電極を抜ける振れ角まで拡大することができる。
これによって、第3、第4の固定電極を抜けた振れ角でも水平に戻す方向、第3の固定電極では可動ミラーに正の方向での静電力が生じるので、静電トルクの働く振れ角範囲を拡大でき、共振周波数を外れた駆動周波数においても大きな振れ角が維持できる。
図15は、駆動周波数に対する振れ角の特性を示すが、駆動周波数を共振周波数に一致させれば、最も振れ角が大きくとれるが、共振周波数付近においては急峻に振れ角が変化する特性を有する。従って、起動時には可動ミラーの駆動制御部において固定電極に印加する駆動周波数を共振振動数に合うよう設定することができるが、温度変化等で共振周波数が変動した際には振れ角が激減してしまうことで経時的な安定性に乏しいという欠点がある。
また、後述する実施例のように複数の可動ミラーを有する場合には、各々に固有の共振振動数がばらつくため、共通の駆動周波数で駆動できないという問題がある。
また、後述する実施例のように複数の可動ミラーを有する場合には、各々に固有の共振振動数がばらつくため、共通の駆動周波数で駆動できないという問題がある。
そこで、実施例6では、駆動周波数を可動ミラーとねじり梁からなる振動部固有の共振周波数近傍で、比較的振れ角変化の少ない、共振周波数から高めに外れた周波数帯域に設定しており、共振周波数2kHzに対し駆動周波数は2.5kHzとし、振れ角は印加電圧のゲイン調整により±5°に合わせている。
この際、振動ミラーの加工誤差による共振振動数のばらつき(実施例では300Hz)、温度による共振周波数の変動(実施例では3Hz)があっても駆動周波数がいずれの共振周波数にもかからないような周波数帯域に駆動周波数を設定することが望ましい。例えば、共振周波数が2kHzであれば、2.303Hz以上、または1.697Hz以下に駆動周波数を設定することが望ましい。
いま、可動ミラーの寸法を、縦2a、横2b、厚さd、ねじり梁の長さをL、幅をcとすると、Siの密度ρ、材料定数Gを用いて、慣性モーメントIとバネ定数Kは、
慣性モーメントI=(4abρd/3)・a^2
バネ定数K=(G/2L)・{cd(c^2+d^2)/12}
となり、
共振振動数fは、
f=(1/2π)・(K/I)^1/2 =(1/2π)・{Gcd(c^2+d^2)/24LI}^1/2
となる(^はべき乗)。
ここで、梁の長さLと振れ角θは比例関係にあるため
θ=A/I f^2 (Aは定数)
で表され、振れ角θは慣性モーメントIに反比例し、共振振動数fを高めるには慣性モーメントIを低減しないと振れ角θが小さくなってしまう。
慣性モーメントI=(4abρd/3)・a^2
バネ定数K=(G/2L)・{cd(c^2+d^2)/12}
となり、
共振振動数fは、
f=(1/2π)・(K/I)^1/2 =(1/2π)・{Gcd(c^2+d^2)/24LI}^1/2
となる(^はべき乗)。
ここで、梁の長さLと振れ角θは比例関係にあるため
θ=A/I f^2 (Aは定数)
で表され、振れ角θは慣性モーメントIに反比例し、共振振動数fを高めるには慣性モーメントIを低減しないと振れ角θが小さくなってしまう。
そこで、実施例6では、可動ミラーの反射面の裏側の基板の厚さdを格子状に残し、それ以外をd/10以下の厚さまでエッチングにより肉抜きすることで、慣性モーメントIを約1/5に低減している。これらの慣性モーメントに利くパラメータ、ねじり梁の寸法誤差等が共振周波数のばらつきを発生させる要因となる。
一方、空気の誘電率をε、電極長さをH、印加電圧をV、電極間距離をδとすると、
電極間の静電力F=εHV^2/2δ
となり、振れ角θ=B・F/I
(Bは定数)と表され、電極長さHが長いほど振れ角θが大きくなり、櫛歯状とすることで櫛歯数nに対して2n倍の駆動トルクを得ている。
電極間の静電力F=εHV^2/2δ
となり、振れ角θ=B・F/I
(Bは定数)と表され、電極長さHが長いほど振れ角θが大きくなり、櫛歯状とすることで櫛歯数nに対して2n倍の駆動トルクを得ている。
このように、外周長をできるだけ長くして電極長をかせぐことで、低電圧でより大きい静電トルクが得られるようにしている。
ところで、可動ミラーの速度υ、面積Eに対して、空気の密度をηとすると、
空気の粘性抵抗P=C・ηυ^2・E^3 (Cは定数)
が可動ミラーの回転に対向して働く。従って、可動ミラーをカバーで密封し、減圧状態に保持するのが望ましい。
空気の粘性抵抗P=C・ηυ^2・E^3 (Cは定数)
が可動ミラーの回転に対向して働く。従って、可動ミラーをカバーで密封し、減圧状態に保持するのが望ましい。
実施例6では、第1、第2の基板1206、1207が接合されてなる振動ミラー基板を、中央部に凹状に可動ミラーの揺動空間を形成し、リード端子を備えたベース基板1212上に、反射面を上側に向け、基体の外縁に形成された一対のV溝を結ぶ直線上にねじり梁を合わせて、第1の基板下面を基準にして装着し、また、第2の基板1207上面にキャップ状に成形された透明樹脂製のカバー1205を接合して可動ミラー1202の揺動空間が密封されるようにしており、揺動空間には非蒸発型ゲッタを同梱し、外部からの加熱で活性化することで1torr以下となるようにしている。光ビームは、カバーに形成されたスリット窓1213を通じて入出射される。
カバー1205の内側には、可動ミラー1202と対向して対向ミラーが、ねじり梁と直交する方向に一体的に形成される。2枚の対向ミラー1215はスリット窓1213を挟んで屋根状に144.7°の角度をなすよう基板面より各々9°および26.3°傾けた傾斜面に、金属被膜を蒸着して反射面(図27の2402と2403)を対で配備した構成を採る。
カバー1205の底面は可動ミラー面と平行に形成され、第2の基板1212の枠部上面に当接して接合されるが、この際、第2の基板1212には対向ミラーを位置決めするための指標1214が両サイドにエッチングによって描かれ、これに対向ミラーのエッジを合わせるように基板上でアライメントしており、主走査方向に対向ミラーの方向を正確に合わせることができる。
実施例7〜12
従来、高速動作を必要とする機械要素において、その慣性が駆動スピードの大きな阻害要素となっている。特に、所定角度内を回転振動する機械要素では慣性モーメントを低減する必要がある。その際、駆動される機械要素の剛性を低下させないように配慮する必要がある。このような目的のため、機械要素を中空構造としたり、補強部材を固着する方法が用いられる。
従来、高速動作を必要とする機械要素において、その慣性が駆動スピードの大きな阻害要素となっている。特に、所定角度内を回転振動する機械要素では慣性モーメントを低減する必要がある。その際、駆動される機械要素の剛性を低下させないように配慮する必要がある。このような目的のため、機械要素を中空構造としたり、補強部材を固着する方法が用いられる。
光偏光器を用いて光走査を行うレーザービームプリンタが高機能化され、また小型化されたが、偏光器も小型化が要求される。これらの要求を満たす光偏光器として、マイクロマシニング技術を用いた微小ミラーを、捻り振動させる構成で光を偏向する光偏向器が提案されている。
この種の光偏光器に用いられる微小ミラーには、偏向角が大きいこと、高速駆動が可能なこと、及び高剛性であることが要求される。この種の光偏向器に用いられるアクチュエータの作用力は静電気力であり、非常に小さい力である。ミラーの厚さを厚くすると、慣性が大きくなり、偏向角が著しく低下してしまう。
そこで、偏向角を大きくするには、ミラーに作用するアクチュエータの作用力Trqを大きくする必要がある。櫛歯構造アクチュエータによる作用力Trqは、一般的に以下の式で与えられる(図16)。
Trq=ε・(n/d)・(2・R・l+l^2)・W^2
ここで、εは誘電率、nは櫛歯本数、lは櫛歯長さ、Rは櫛歯と回転中心距離、dは櫛歯間ギャップである。
ここで、εは誘電率、nは櫛歯本数、lは櫛歯長さ、Rは櫛歯と回転中心距離、dは櫛歯間ギャップである。
よって、作用力Trqを大きくする一つの方法として、櫛歯の本数nを多くし、長さlを長くすることがあげられる。
しかし、微小ミラーの剛性が不足している場合、ミラーの振動に伴って発生する慣性力により大きく撓んでしまう。この動的な撓みの計算結果と実測結果を図17に示す。
微小ミラーは、ほぼ正弦波状に振動し、図17に示すように波形に撓む。動的撓みは、変形した微小ミラーの曲面から最小2乗法により理想平面を求め、この理想平面と微小ミラーの曲面との差を取った値で与えている。最大の撓み量は、微小ミラーのY軸方向の長さを2Lとするとき、概略Y=±L/3付近で得られる。計算は、慣性力を考慮した数値計算により求めた。また、実測はホログラフィー法により求めた。この動的な撓みは、ミラーの反射光の光学特性を著しく劣化させる。
一般的に、この種の動的撓みの低減は、ミラーの厚さを厚くして、剛性を高めることにより達成される。例えば、特許文献3の構成では、回転動作の駆動力を増加させるため、櫛歯本数nを増加させる手段を採用している。しかし、この構成では、基部が不要な振動を発生し、電極がショートする可能性がある。また、特許文献4のマイクロ振動鏡は振動構造体を有し、かつ少なくとも一つのバネ構造体を介して支持体と少なくとも充分に片持ち突出式に結合されている。バネ構造体は少なくとも一つの変換器構造体を有し、捻れバネエレメントに作用する外部の力を少なくとも部分的に捻れ軸線に対して平行な捻れバネエレメントに作用する力に変換する。しかし、この構成では、変換器構造体が高速振動時に変形して不要な振動が発生し、これによりマイクロ振動体が不安定な振動をする。さらに、特許文献5のマイクロミラー素子は、フレームと、ミラー平面を有するミラー形成部と、フレーム及びミラー形成部を連結する捻れ連結部より構成され、捻れ連結部は、ミラー形成部に接続される部分では相対的に広く、フレームに至るまでの少なくとも途中までは、ミラー形成部から遠ざかるにつれて除々に狭くなる。この構成では、捻れ連結部が捻れバネとして作用する構成になっている。また、捻れ連結部における捻れ剛性は、ミラー形成部に接続される間隔に依存する。したがって、この間隔を広く設定すると、捻れ剛性が高くなり、マイクロミラー素子の回転振動周波数の設定が困難になる。
そこで、本実施例では、回転動作の駆動力を増加させるため、櫛歯電極の長さlを長くする。櫛歯電極の長さlを長くした場合、櫛歯共振周波数が低下し、振動が発生するが、本実施例においては、櫛歯電極の形状が台形状であり、櫛歯長を長くしても、共振周波数が低下せず、共振することがない。梁は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部と、捻れバネ部の一端を分岐した剛性を有する部分より構成される。これらの効果により、振動によって発生する動的変形における、最大の撓み量を与える2点間の間隔を広げる。これにより、ミラーの動的な撓みによる反射光の光学特性の劣化が防止され、また、ミラー基板上の、回転軸に直交する各部位における曲げ剛性を異ならせることにより、動的変形を減少させる。
すなわち、本実施例の特徴(1)は、櫛歯電極の形状が台形形状であり、共振周波数が高くなり、印加電圧を高くしても、ショートなどの障害が発生しない。特徴(2)は、捻り梁の非支持部は一対の連結部材を介してミラー基板と連結される。ミラー基板を捻り梁を直接結合して振動させた場合の動的変形のピーク位置より、回転中心軸から遠い位置においてミラー基板と連結部材が結合されている。この連結部材の介在によりミラー基板の動的変形が抑制され、動的変形の小さい領域が拡大し、変形量も減少する。特徴(3)は、ミラー基板上の、回転軸に直交する各部位における曲げ剛性を異ならせることにより、動的変形を減少させる。
実施例7
図16(b)は、本発明の実施例7の構成を示す。図16(b)において、梁23をねじり回転軸として往復振動させて、光源からの光ビームを偏向するミラー基板21を有する。ミラー基板21の両端部に設けた可動電極39と、それと対向して配備した固定電極40が設けられている。可動電極39と固定電極40は、それぞれ台形状の形状を有し、かつ可動電極39と固定電極40が入り子構造となっている。
図16(b)は、本発明の実施例7の構成を示す。図16(b)において、梁23をねじり回転軸として往復振動させて、光源からの光ビームを偏向するミラー基板21を有する。ミラー基板21の両端部に設けた可動電極39と、それと対向して配備した固定電極40が設けられている。可動電極39と固定電極40は、それぞれ台形状の形状を有し、かつ可動電極39と固定電極40が入り子構造となっている。
図16(a)は、櫛歯電極39、40の形状を、従来の櫛歯電極39’、40’と比較して示す。図16(a)において、台形形状の電極39、40の場合、櫛歯間ピッチpは、従来例と同じピッチで配列できる。実施例7の櫛歯電極39、40において、幅W1<Wであり、W2>Wに設定される。
図18(a)は、従来形状の櫛歯電極39’、40’と、実施例7の櫛歯電極39、40の共振周波数の実測値と計算値f0をスペクトルで示す(振幅は意味を持たない)。計算は、櫛歯電極39、39’、40、40’を梁と見なし、下式で求めた。
従来形状の櫛歯を(櫛歯長さ800um、幅9um、厚さ200um)とし、実施例7では(櫛歯長さ800um、幅は、根本11um 先端7um、厚さ200um)として計算した。
f0=λ^2/(2πl^2)√(EI/ρA)
櫛歯の振動の実測は、櫛歯電極39、40と従来の電極39’、40’を有する振動ミラーを、PZTからなるアクチュエータで加振した。櫛歯に発生する振動を、ストロボ照明下で、CCDカメラで観察した。この実測法では、発生する振動振幅の絶対値は判らないが、実施例7に示される櫛歯電極39、40の共振周波数は、従来の櫛歯電極39’、40’における共振周波数の約1.4倍になっていることが分かる。よって、櫛歯長を長くした場合、発生する櫛歯の振動周波数を高くすることができ、ショートを防ぐことが出来る
図18(b)は、櫛歯の振動を表す図である。櫛歯形状において、基板厚(200um)が、櫛歯幅(9um)に対して十分に大きいため、矢印方向の振動が発生する。
櫛歯の振動の実測は、櫛歯電極39、40と従来の電極39’、40’を有する振動ミラーを、PZTからなるアクチュエータで加振した。櫛歯に発生する振動を、ストロボ照明下で、CCDカメラで観察した。この実測法では、発生する振動振幅の絶対値は判らないが、実施例7に示される櫛歯電極39、40の共振周波数は、従来の櫛歯電極39’、40’における共振周波数の約1.4倍になっていることが分かる。よって、櫛歯長を長くした場合、発生する櫛歯の振動周波数を高くすることができ、ショートを防ぐことが出来る
図18(b)は、櫛歯の振動を表す図である。櫛歯形状において、基板厚(200um)が、櫛歯幅(9um)に対して十分に大きいため、矢印方向の振動が発生する。
実施例8
図19は、実施例8の振動ミラーを示す。20はフレーム、21はフレーム20に設けられたミラー基板である。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部23の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。更にミラー基板21に連結する間隔25が、捻れバネ部23の幅26より広く設定されている。また、一対の連結枝部24、24’のなす角θは90°以上に設定されている。捻れバネ部23の一端を分岐し、ミラー基板の周辺部と連結する一対の連結枝部24、24’の幅が、ミラー基板21の連結部方向に近づくに従って狭くなっている。一対の連結枝部24のミラー基板21に連結する間隔25は、ミラー基板全長の2/3以上に設定されている。
図19は、実施例8の振動ミラーを示す。20はフレーム、21はフレーム20に設けられたミラー基板である。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部23の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。更にミラー基板21に連結する間隔25が、捻れバネ部23の幅26より広く設定されている。また、一対の連結枝部24、24’のなす角θは90°以上に設定されている。捻れバネ部23の一端を分岐し、ミラー基板の周辺部と連結する一対の連結枝部24、24’の幅が、ミラー基板21の連結部方向に近づくに従って狭くなっている。一対の連結枝部24のミラー基板21に連結する間隔25は、ミラー基板全長の2/3以上に設定されている。
図20(a)は、従来の梁構造(図17)における動的な撓みと、本発明の実施例8に示す、梁構造の動的な撓みを比較した結果である。図17において、点線で示される従来構造の撓みは±1/3Lの所にピークが出来る。実線で示される本発明では、撓みのピークは±1/3L以上の所に現れ、比較的動的撓みが少ない範囲が従来例に比較して増えていることがわかる。
本発明の実施例8において、動的撓みが少ない領域が増えている理由について、図20(b)、(c)を用いて説明する。動的撓みは、ミラー基板21に作用する曲げモーメントによって発生している。実施例8に示される振動ミラーの3次元ビームモデルを図20(b)に示す。このモデルについて、曲げモーメントを計算した。有限要素法により計算した結果を図20(c)に示す。図20(c)において、ミラー基板21に作用する曲げモーメントは、捻れバネ部23の連結枝部24がミラー基板21に連結している領域内84では比較的小さい。捻れバネ部23の連結枝部24の領域外では、大きい曲げモーメントが作用する。これにより、動的な撓みが少ない領域が拡大している。
特に、捻れバネ部23の連結枝部24の間隔が2/3L以上に設定されているとき、従来例に見られるピーク位置±1/3Lより広くなるため、効果が著しくなる。連結枝部24のなす角を90°以上に設定することにより、連結枝部24のZ軸方向の曲げ剛性が増す。連結枝部24の根本の幅が幅広で、先細り形状の場合も同様に、連結枝部24のZ軸方向の剛性が増す。
図21は、捻れバネ部と、連結枝部の振動時における変形を有限要素法で計算した結果を示す。連結枝部24のなす角を90°以上に設定した場合、図21における変形量は、連結枝部24のなす角60°の場合の1/2であった。実施例7でも同様の効果が期待できる。
実施例9
図22は、実施例9の構成を示す。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。ミラー基板21端部の櫛歯状可動電極39と、櫛歯状固定電極40間に作用する静電気力によって外力が発生する。フレーム20は、第一のSi部材41と、第二のSi部材44が酸化膜(絶縁膜)42を介して接合されている。
図22は、実施例9の構成を示す。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。ミラー基板21端部の櫛歯状可動電極39と、櫛歯状固定電極40間に作用する静電気力によって外力が発生する。フレーム20は、第一のSi部材41と、第二のSi部材44が酸化膜(絶縁膜)42を介して接合されている。
第一のSi部材41には、結晶異方性エッチングにより開口部43が形成され、第二のSi部材44には、フォトエッチング等の半導体プロセス技術によりミラー基板21、梁22が形成される。ミラー基板21の両端部に、櫛歯状の可動電極39が設けられる。ミラー基板21の固定部47には、櫛歯状の固定電極40が、可動電極39と互い違いに位置するように設けられている。第二のSi部材44は、4つの分離溝45により、可動電極39を有する可動部46と、固定電極40を有する固定部47に分割されている。
実施例10
図23は、実施例10の構成を示す。図23(b)は、図23(a)に示すミラー基板21のAA断面図である。30はミラー面であり、入射光を偏向する。梁22は、捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部23の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24、24’とを有する。
図23は、実施例10の構成を示す。図23(b)は、図23(a)に示すミラー基板21のAA断面図である。30はミラー面であり、入射光を偏向する。梁22は、捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部23の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24、24’とを有する。
ミラー面30と反対側の面において、梁22からなる回転軸からミラー基板の端部32に至る各部位が複数の領域27に分割され、各領域における凹部29の大きさが異なっている。
図23(a)に示す各領域27における断面2次モーメントIを求める。図23(c)は、ミラー基板21のBB断面である。BB断面は、リブ28からなる長方形断面と底板部31よりなる。この断面について断面2次モーメントを求める。底板部31は非常に薄い値に設定されるため、この部分の断面二次モーメントは無視する。この時、各領域の断面2次モーメントIjは、リブ28の断面2次モーメントの和で表され、以下の式で与えられる。
Ij=Σbh^3/12
さらに、曲げ剛性Mjは各断面二次モーメントIjにヤング率Eを乗じた値である。
さらに、曲げ剛性Mjは各断面二次モーメントIjにヤング率Eを乗じた値である。
Mj=E*Ij
上式より、リブ28の本数を調節することにより、曲げ剛性Mjの数値が調整可能であることが分かる。これにより求めた曲げ剛性の分布を図23(d)に示す。実施例10では、梁22からミラー基板端部32に近づくほど、曲げ剛性が小さくなるように設定されている。
上式より、リブ28の本数を調節することにより、曲げ剛性Mjの数値が調整可能であることが分かる。これにより求めた曲げ剛性の分布を図23(d)に示す。実施例10では、梁22からミラー基板端部32に近づくほど、曲げ剛性が小さくなるように設定されている。
図24(a)は、ミラー基板の駆動方法を説明する図である。21はミラー基板であり、梁22により保持されている。39はミラー基板21の端部に設けられた可動電極であり、40は固定電極である。2つの電極39、40は狭いギャップ49で対向している。駆動パルス発生装置による駆動パルスが2つの電極39、40間に印加されると、静電トルクが発生する。この静電トルクTrqは、ミラー基板21を固定電極40に引き寄せるように作用する。この外力により、ミラー基板21は梁22を中心に揺動回転する。図24(b)はミラー振動波形を示し、f0はミラー基板21と梁22で決まる共振周波数f0であり、共振周波数の2倍の周波数で駆動される。
実施例11、12
図25(a)は、実施例11の構成を示す。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。一対の連結枝部24に設けた可動電極51と、それと対向して、フレーム53に配備した固定電極52からなる可動・固定電極間に、電圧を印加することにより静電気力が発生する。
図25(a)は、実施例11の構成を示す。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。一対の連結枝部24に設けた可動電極51と、それと対向して、フレーム53に配備した固定電極52からなる可動・固定電極間に、電圧を印加することにより静電気力が発生する。
図25(b)は、実施例12の構成を示す。梁22は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部23と、捻れバネ部の一端を分岐し、ミラー基板21の周辺部とを連結する一対の連結枝部24とを有する。一対の連結枝部24に設けた可動電極51と、それと対向して、フレーム53に配備した固定電極52が設けられている。更に、ミラー基板21の両端部に設けた可動電極39と、それと対向して配備した固定電極40を設けている。それぞれの櫛歯電極39、40、51、52の形状は台形状である。可動電極51と、それと対向して、フレーム53に配備した固定電極52及びミラー基板21の両端部に設けた可動電極39と、それと対向して配備した固定電極40間に、電圧を印加することにより静電気力が発生し、それぞれ発生する静電トルクを併せて、ミラー基板21の駆動力となる。
なお、先の実施例と同様に、ミラー基板21に連結する間隔が、捻れバネ部の幅26より広く設定され、また、一対の連結枝部24、24’のなす角が90°以上に設定され、一対の連結枝部24のミラー基板21に連結する間隔25がミラー基板全長の2/3以上に設定されている。
図26(a)は、本発明の実施例12の可動電極と固定電極間に作用する静電気力を計算するモデルを示す。モデルは図25(b)のCC断面、及びDD断面を合わせた形で示している。計算は、各断面の電極間に作用する静電トルクを有限要素法で求め、その結果を図26(b)に示す。
88は、ミラー基板21の両端部に設けた可動電極39と、それと対向して配備した固定電極40間で発生する静電トルクであり、振れ角が大きくなるにつれて急激に減少する。89は、連結枝部24に設けた可動電極51と、それと対向して、フレーム53に配備した固定電極52間で発生する静電トルクであり、振れ角が大きくなるにつれて徐々に減少する。90は、結果88と89の計算結果を足し合わせた結果であり、実施例12の計算結果になる。
実施例13
図27は、光走査装置の副走査断面を示す。半導体レーザ2101から射出した光ビームはカップリングレンズ2110、シリンダミラー2136を介して、可動ミラー2401に対しねじり梁を含む副走査断面内で法線に対して副走査方向に約20°傾けてスリット窓2404より光ビームが入射され、反射した光ビームは第1の反射面2402に入射され可動ミラーに戻され、さらに反射した光ビームはスリット窓2404を超えて第2の反射面2403に入射され、可動ミラーとの間で3往復しながら反射位置を副走査方向に移動させ、合計5回の可動ミラーでの反射により再度、スリット窓から射出される。
図27は、光走査装置の副走査断面を示す。半導体レーザ2101から射出した光ビームはカップリングレンズ2110、シリンダミラー2136を介して、可動ミラー2401に対しねじり梁を含む副走査断面内で法線に対して副走査方向に約20°傾けてスリット窓2404より光ビームが入射され、反射した光ビームは第1の反射面2402に入射され可動ミラーに戻され、さらに反射した光ビームはスリット窓2404を超えて第2の反射面2403に入射され、可動ミラーとの間で3往復しながら反射位置を副走査方向に移動させ、合計5回の可動ミラーでの反射により再度、スリット窓から射出される。
実施例13では、このように複数回反射を繰り返すことで、可動ミラーの振れ角が小さくても大きな走査角が得られるようにし、光路長を短縮している。
いま、可動ミラーでの総反射回数N、振れ角αとすると、走査角θは2Nαで表せる。実施例13では、N=5、α=5°であるから最大走査角は50°となり、その内35°を画像記録領域としている。共振を利用することで印加電圧は微小で済み、発熱も少ないが、記録速度が速くなるに従ってねじり梁のばね定数Kを高める必要があり、振れ角がとれなくなってしまう。そこで、上記したように対向ミラーを設けることで走査角を拡大し、記録速度によらず必要十分な走査角が得られるようにしている。
また、屋根状に対向して反射面を構成し、可動ミラーへの副走査方向での入射角度が繰り返し反射毎に正負、言いかえれば、反射に伴う進行方向が右向き、左向きに振り分けるようにすることで、斜入射に伴う被走査面での走査線の曲がりを抑え、直線性を維持するとともに、光軸と直交する面内での光束の回転が射出時にはもとの姿勢に戻るようにして、結像性能の劣化がおきないようにしている。
図28は、光走査装置の分解斜視図、図29は、光学素子の配置を示す。光源である半導体レーザ2101は、フレーム部材2102に立設された壁に配備された段付きの貫通穴2103に反対側からステム外周を基準に圧入され、段差部に鍔面を突き当てて光軸方向を位置決めする。U字状の凹部2105にはUV接着剤を介してカップリングレンズ2110の光軸が半導体レーザ2101からの射出軸と合うように、また、射出光束が平行光束となるように発光点との光軸方向の位置決めを行い、凹部とカップリングレンズとの隙間のUV接着剤を硬化させて固定する。
実施例13の場合、3つの光源部を有するが、全て同一構成である。カップリングレンズより射出した光ビームは、一対の取付斜面2109に接合配備され副走査方向に負の曲率を有するシリンダミラー2136に入射され、副走査方向において可動ミラー面で集束する集束光束として振動ミラーモジュール2130のスリット窓から入射される。
振動ミラーモジュール2130は、ねじり梁の方向が光軸方向に合うように、フレーム底面側に設けられた段付きの角穴2104の裏側より基体2212の外縁を基準に位置決めされ、段差部に鍔面を突き当てて可動ミラー面の位置を合わせ、実施例13の場合、均等間隔に3つの振動ミラーモジュールが単一のフレーム部材2102により位置決めされる。
各振動ミラーモジュールはプリント基板2112に、ベース基板底面から突出したリード端子を各々スルーホールに挿入して半田付けし、フレーム部材2102の下側開口をふさぐように基板上面を当接して固定すると同時に、回路接続がなされる。
プリント基板2112には半導体レーザの駆動回路、可動ミラーの駆動回路を構成する電子部品、および同期検知センサ2113が実装されており、外部回路との配線が一括してなされる。一端をプリント基板に結線されたケーブル2115は半導体レーザのリード端子と接続される。
フレーム部材2102は、ある程度剛性が確保できるガラス繊維強化樹脂やアルミダイキャスト等からなり、両端部には画像形成装置本体の構造体に取付けるためのフランジ部2131、2133が形成され、フランジ部2131には基準穴を備えその内径に固定ネジ2132の軸部をかん合させ、もう一方のフランジ部2133には長穴を備え、固定ネジ2132を貫通して各々バネ座金2134を介して感光体に対向させて固定する。この際、基準穴を回転軸としたガタ分で被走査面(感光体)において各振動ミラーモジュールのいずれかで走査された走査線が被走査面の移動方向yと直交する方向xに平行となるよう調節される。
フレーム部材2102の上面は、角穴2104の裏側に設けられた各振動ミラーモジュールのミラー法線方向の突き当て面と平行な面となし、走査レンズを収納するハウジング2106の底面より突出した2本の突起2135をフレーム部材の係合穴に挿入して同面上での位置決めを行い、4隅をネジ止めして配備される。実施例13では、ネジ2137はフレーム部材の貫通穴を介してプリント基板2112に螺合され、フレーム部材を挟むように結合され、この後に上記半田付けがなされる。
ハウジング2106には結像手段を構成する第1の走査レンズ2116、第2の走査レンズ2117が主走査方向に配列され、各々の走査領域がわずかに重なるように位置決めされて一体的に保持される。第1の走査レンズ2116は副走査方向基準面の中央に突出され主走査方向の位置決めを行う突起2120、および両端を係合して光軸方向の位置決めを行う平押面2119を入射面側、出射面側各々に備え、ハウジングに一体形成された溝2122に突起2120を係合し、一対の切欠2121の各々に各端の平押面2119を挿入し波板バネ2143で入射面側に押し付け同面内での姿勢を保持することで、光軸と直交する同一面に走査レンズ同士の相対的な配置を合わせ、副走査方向基準面をハウジングから突出した一対の突起2142の先端に突き当てることで、光軸と直交する面内での位置決めがなされて副走査方向の設置高さが決定され、カバー2138と一体形成された板バネ2141で押圧支持される。
一方、第2の走査レンズ2117は同様に副走査方向基準面の中央に突出され主走査方向の位置決めを行う突起2123、両端に光軸方向の位置決めを行う平押面2144を備え、ハウジングに一体形成された溝2122に突起2123を係合し、切欠2121に平押面2144を挿入し波板バネ2143で出射面側に押し付け姿勢を保持するとともに、副走査方向基準面をハウジングから突出した突起2145および副走査方向に繰り出し自在な調節ネジ2146の先端に突き当てて設置高さを位置決めし、カバー2138と一体形成された板バネ2141で押圧支持される。2147はカバー2138を固定するネジである。なお、実施例13では、3つの光走査装置を配列した例を示したが、配列数はいくつでも同様である。
図30は、光走査装置の他の例を示す。70は半導体レーザー光源からなる光源である。この光源70からの光ビームはコリメートレンズ71により概略平行光に光ビームが整形される。この光ビームは、折り返しミラー72によりミラー基板21のミラー面に入射する。ミラー基板21は、実施例7〜12に係わる静電トルクがミラー基板に作用している。そのため、梁をねじり回転軸として往復振動している。
この揺動ミラー基板21に入射した光ビームは、ミラー基板21のミラー面より偏向されて、fθレンズ等の補正光学系74に入射する。補正光学系から出射した光ビームは被走査面75にスポット状に結像する。
実施例14
図31は、4つの光走査装置2500によって各々に対応した感光体ドラム2504に1色ずつ画像形成され、転写ベルト2501の回転につれて色重ねがなされるタンデム方式のカラーレーザプリンタに適用した例で、実施例14では、光走査装置を光ビームの射出方向が下向きとなるよう配備される。
図31は、4つの光走査装置2500によって各々に対応した感光体ドラム2504に1色ずつ画像形成され、転写ベルト2501の回転につれて色重ねがなされるタンデム方式のカラーレーザプリンタに適用した例で、実施例14では、光走査装置を光ビームの射出方向が下向きとなるよう配備される。
転写ベルト2501は駆動ローラと2本の従動ローラとで支持され、移動方向に沿って均等間隔で各感光体ドラム2504が配列される。感光体ドラムの周囲にはイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックも各色に対応したトナーを補給する現像ローラ2502およびトナーホッパ部2503、そして転写された後の残トナーをブレードで掻き取り備蓄するクリーニング部2508が一体的に配備される。
各色画像は、転写ベルト2501端に形成されたレジストマークを検出するセンサ2505の信号をトリガとして副走査方向の書出しタイミングをずらして各光走査装置2500によって潜像が形成され、現像部でトナーを載せて転写ベルト2501上で順次画像を重ねていく。
用紙は給紙トレイ2507から給紙コロ2506により供給され、4色目の画像形成にタイミングを合わせてレジストローラ2510により送り出されて、転写部2511で転写ベルト2501から4色同時に転写され、トナー像を載せたまま搬送ベルト2515により定着器に送られる。転写されたトナー像は定着ローラ2512により定着され、排紙トレイ2514に排出される。
1 可動櫛歯電極
2 固定櫛歯電極
3 櫛歯先端広ギャップ
4 櫛歯側面狭ギャップ
2 固定櫛歯電極
3 櫛歯先端広ギャップ
4 櫛歯側面狭ギャップ
Claims (19)
- 発光源からの光ビームを偏向する振動ミラーと、前記振動ミラーに形成された可動櫛歯電極と、前記可動櫛歯電極に対向する固定櫛歯電極とを有し、前記可動櫛歯電極と前記固定櫛歯電極は櫛歯側面の狭ギャップよりも櫛歯電極先端のギャップが広い構成の静電駆動型の光走査装置において、前記櫛歯電極先端を最も細い櫛幅とすることを特徴とする光走査装置。
- 前記広いギャップに面する櫛歯先端部に、前記広いギャップを分割する補償パターンを備えたことを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
- 前記補償パターンを固定櫛歯電極側にのみ形成することを特徴とする請求項2記載の光走査装置。
- 前記櫛歯電極の根元を最も太い櫛幅とすることを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
- 2枚以上のSi基板を張り合わせたSOI基板上に形成することを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
- 光走査装置に所定の周波数の電圧を印可する駆動電圧発生装置を備え、前記振動ミラーを共振周波数の近傍で共振ピークから外れた帯域において駆動することを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
- 請求項1記載の光走査装置の製造方法において、前記櫛歯先端から前記広ギャップ領域へ伸長した補償パターンを前記櫛歯先端部に備えたエッチングマスクを用いることを特徴とする光走査装置の製造方法。
- 前記補償パターンは、櫛歯先端に向かい細くなっていく形状であることを特徴とする請求項7記載の光走査装置の製造方法。
- 光源からの光ビームを、梁をねじり回転軸として往復振動させて偏向するミラー基板を有する振動ミラーにおいて、捻り回転軸を中心として回転させる外力発生手段は、振動ミラーの両端部に設けた可動電極と、それと対向して配備した固定電極からなり、前記可動電極と固定電極は、それぞれ固定端の幅が広く、自由端に行くほど幅が狭い台形状の形状を有し、かつ前記可動電極と固定電極が入り子構造となっていることを特徴とする振動ミラー。
- 前記梁は、振動により捻れ変位が発生する捻れバネ部と、捻れバネ部の一端を分岐し、前記ミラー基板の周辺部とを連結する一対の連結枝部とを有し、かつ、前記ミラー基板に連結する間隔が、捻れバネ部の幅より広いことを特徴とする請求項9記載の振動ミラー。
- 前記一対の連結枝部のなす角は90°以上であることを特徴とする請求項10記載の振動ミラー。
- 前記一対の連結枝部の幅は、前記ミラー基板の連結部方向に近づくに従って狭くなっていることを特徴とする請求項10記載の振動ミラー。
- 前記連結枝部のミラー基板に連結する間隔は、振動ミラー全長の2/3以上であることを特徴とする請求項10記載の振動ミラー。
- 前記ミラー基板の裏側に複数の凹部を形成することにより、回転軸に直交する各部位における曲げ剛性を異ならせることを特徴とする請求項9記載の振動ミラー。
- 前記ミラー基板と梁の捻り剛性で定まる振動ミラーの共振周波数の2倍の周波数で駆動されることを特徴とする請求項9記載の振動ミラー。
- 前記一対の連結枝部に設けた可動電極と、それと対向して配備した固定電極を設け、電極間に発生する静電気力により振動させることを特徴とする請求項10記載の振動ミラー。
- 前記ミラー基板の端部に設けた可動電極と、それと対向して配備した固定電極と、前記一対の連結枝部に設けた可動電極と、それと対向して配備した固定電極を設け、2つの電極間に発生する静電気力を併せて用いて振動させることを特徴とする請求項10記載の振動ミラー。
- 請求項9乃至17のいずれか1項に記載の振動ミラーと、前記振動ミラーにより偏向された光ビームを被走査面にスポット状に結像する結像光学系とを備えることを特徴とする光走査装置。
- 請求項1乃至6、18のいずれか1項に記載の光走査装置と、前記光走査装置によって静電像が形成される感光体と、前記静電像をトナーで顕像化する現像手段と、顕像化されたトナー像を記録紙に転写する転写手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
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