CN114594594B - 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法 - Google Patents

静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114594594B
CN114594594B CN202210508327.4A CN202210508327A CN114594594B CN 114594594 B CN114594594 B CN 114594594B CN 202210508327 A CN202210508327 A CN 202210508327A CN 114594594 B CN114594594 B CN 114594594B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
silicon layer
comb teeth
insulating layer
comb
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210508327.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114594594A (zh
Inventor
姜军委
张妮妮
刘青峰
马力
杨涛
彭磊
李欢欢
王芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xi'an Chishine Optoelectronics Technology Co ltd
Original Assignee
Xi'an Chishine Optoelectronics Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xi'an Chishine Optoelectronics Technology Co ltd filed Critical Xi'an Chishine Optoelectronics Technology Co ltd
Priority to CN202210508327.4A priority Critical patent/CN114594594B/zh
Publication of CN114594594A publication Critical patent/CN114594594A/zh
Priority to EP22868454.4A priority patent/EP4296751A4/en
Priority to PCT/CN2022/106028 priority patent/WO2023216413A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114594594B publication Critical patent/CN114594594B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0008—Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00468—Releasing structures
    • B81C1/00476—Releasing structures removing a sacrificial layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0096—For avoiding stiction when the device is in use, i.e. after manufacture has been completed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/033—Comb drives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04—Optical MEMS
    • B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05—Type of movement
    • B81B2203/058—Rotation out of a plane parallel to the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

静电驱动MEMS梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法；静电驱动MEMS梳齿结构，其梳齿表面具有绝缘层，相邻梳齿表面的绝缘层是同一种绝缘层或者不同绝缘层；采用静电驱动MEMS梳齿结构的微镜从下到上依次由基底、隔离层以及器件层构成；微镜的制作方法采用高温氧化、等离子增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、常压化学气相沉积、物理沉积、原子层沉积或分步异质沉积法制作绝缘层；即在驱动梳齿表面和接地梳齿表面得到相同或者不同的绝缘层；当驱动梳齿与接地梳齿产生吸附，则二者表面的绝缘层接触，不形成短路，具有良好的绝缘效果；本发明的防止吸附损坏的静电驱动式MEMS微镜结构紧凑，工艺简单。

Description

静电驱动MEMS梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法
技术领域
本发明涉及微机电系统MEMS技术领域，特别涉及一种静电驱动MEMS梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法。
背景技术
静电驱动的梳齿结构是一类广泛应用于微机电系统(MEMS)传感器、驱动器和执行器的微驱动结构。静电驱动梳齿结构一般包含至少一组驱动梳齿和一组接地梳齿；该驱动梳齿和接地梳齿组交错排列，呈叉指状，即每个驱动梳齿相邻两侧为接地梳齿，每个接地梳齿两侧为驱动梳齿，相邻梳齿之间保持一定间距，互不接触。驱动梳齿组与驱动电压相连，接地梳齿组与地线相连，在静电作用力下驱动梳齿和接地梳齿发生相对位移，即水平位移或者角位移。正常状态下驱动梳齿与接地梳齿保持间距互不接触，但是在冲击振动等情况下，驱动梳齿和接地梳齿可能发生吸附而相互接触。如梳齿表面没有绝缘层，则两种梳齿接触后驱动电压直接与地线短路放电，梳齿接触区域产生瞬时高温甚至火花，从而导致梳齿结构损坏。MEMS微镜是一类广泛应用于3D扫描、投影、测距以及VR等领域的MEMS器件。其中静电驱动式MEMS微镜多采用梳齿结构，具有结构紧凑、工艺简单等特点，因而被广泛采用。静电驱动式微镜的驱动结构是相互交错的梳齿组，相对的一组梳齿分别施加正电压和接地，因而在相对的梳齿之间产生静电作用力，该作用力驱动梳齿运动，进而驱动与梳齿相连接的微镜运动。在这一过程中，分别施加正电压和接地的一组相对的梳齿相互交错而在一定的角度内相互进行弧形振动，这一组梳齿之间保持一定的间隙。但在一定的情况下，例如制作过程不理想造成梳齿横向变形，以及使用过程中的冲击等，相对梳齿的间隙可能极大减小，甚至进一步在静电作用力下相互吸附接触，导致正极和接地端短路，产生瞬时大电流，进而产生瞬时高温，甚至火花以及微爆炸，导致梳齿结构损坏。这种吸附损坏是静电驱动式微镜的一个重要不足。
没有绝缘层的静电驱动梳齿结构，正常状态如图1(a)所示，接驱动电压Vd的驱动梳齿200与接地梳齿100之间具有间隙；两种梳齿均导电，但由于梳齿之间保持间隙，因而驱动梳齿200与接地梳齿100构成电容，两种梳齿不短路。图1(b)为接驱动电压Vd的驱动梳齿200发生倾斜并与接地梳齿100接触，由于两种梳齿表面均没有绝缘层，驱动梳齿200与接地梳齿100均导电，且电阻极小，因此该状态下驱动电压与地线短接，产生瞬间大电流，在驱动梳齿200和接地梳齿100接触的区域产生高温甚至火花和局部爆炸，导致梳齿损坏。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种静电驱动MEMS梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法，采用等离子增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、常压化学气相沉积(APCVD)、物理沉积、原子层沉积或者分步异质沉积法，在驱动梳齿和接地梳齿表面得到绝缘层，解决了静电驱动MEMS梳齿结构易发生吸附放电损坏的问题。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
静电驱动MEMS梳齿结构，其梳齿表面具有绝缘层，相邻梳齿表面的绝缘层是同一种绝缘层或者不同绝缘层。
所述的静电驱动MEMS梳齿结构，包含至少一组驱动梳齿和至少一组接地梳齿，其中驱动梳齿接驱动电压，接地梳齿接地线；每组驱动梳齿和接地梳齿的梳齿数量大于等于1；驱动梳齿组与接地梳齿组交错排列，呈叉指状，即每个驱动梳齿两侧是接地梳齿或者无结构，每个接地梳齿两侧为驱动梳齿或者无结构。
采用静电驱动MEMS梳齿结构的微镜，该微镜从下到上依次由基底、隔离层以及器件层构成，基底是内部具有空腔的框架，器件层内包括镜体，镜体通过转轴与外框连接，静电驱动MEMS梳齿结构中的接地梳齿一端与外框连接，驱动梳齿一端与镜体或者转轴连接，接地梳齿另一端与驱动梳齿的另一端交错布置，所述的驱动梳齿与接地梳齿表面均具有绝缘层，隔离层下表面与基底上表面接触，隔离层上表面的器件层与外框下表面接触。
所述的驱动梳齿与接地梳齿表面的绝缘层是同种绝缘层或者异种绝缘层，同种绝缘层即驱动梳齿与接地梳齿表面均为绝缘层A或者均为绝缘层B；异种绝缘层即驱动梳齿表面为绝缘层A或B，接地梳齿表面为绝缘层B或A。
采用静电驱动MEMS梳齿结构的微镜的制备方法，包括以下步骤：
（一）、投片：选取SOI晶圆，清洗并干燥后待用；所述的SOI晶圆是三层结构的硅基晶圆，SOI晶圆自下而上由底硅层、氧化埋层以及顶硅层构成；
（二）、顶硅层光刻：在第（一）步准备好的SOI晶圆的顶硅层上表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的光刻胶构成的掩模；
（三）、顶硅层刻蚀：采用湿法腐蚀或者干法刻蚀的方式对顶硅层进行刻蚀，到达氧化埋层停止，形成位于顶硅层的刻蚀形成的镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构；刻蚀结束后去除掩模；经过刻蚀并且去除掩模的具有镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构的顶硅层即为微镜的器件层；
（四）、形成绝缘层：在刻蚀形成的位于顶硅层的镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构表面形成绝缘层；此处形成绝缘层的方法包括高温氧化、等离子增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD、常压化学气相沉积APCVD、物理沉积PVD、原子层沉积ALD或分步异质沉积法；其中采用高温氧化、PECVD、LPCVD、APCVD、PVD或ALD方法得到同种绝缘层；采用分步异质沉积法得到两种不同的绝缘层，分别为绝缘层A和绝缘层B；
（五）、绝缘层开窗：将顶硅层上表面的部分绝缘层去除；
（六）、金属沉积：在顶硅层的上表面的去除绝缘层的区域沉积金属层；
（七）、上表面保护：在顶硅层上表面及顶硅层由刻蚀形成的侧壁表面沉积连续的保护层，使得顶硅层上表面及顶硅层由刻蚀形成的凹槽的侧壁和底部整体被保护层覆盖；
（八）、底硅层光刻：在底硅层下表面进行光刻，形成图形化的光刻胶掩模；
（九）、底硅层刻蚀：在底硅层下表面采用湿法腐蚀或干法刻蚀方法刻蚀，到达氧化埋层停止，形成位于底硅层的空腔； 刻蚀后去除掩模；经过刻蚀且去除掩模的具有空腔的底硅层即为微镜的基底；
（十）、释放：去除位于底硅层的空腔的底部的氧化埋层，底硅层的空腔的底部指的是底硅层中的空腔与氧化埋层接触的一侧；经过部分去除留下的氧化埋层即为所述的微镜的隔离层；
（十一）、去除正面保护膜：去除顶硅层的上表面及顶硅层由刻蚀形成的凹槽的侧壁和底部的保护膜；
（十二）、划片：对加工完成的SOI晶圆进行切割，得到若干独立的MEMS微镜。
步骤（四）所述的分步异质沉积法：
（4.1）、沉积材料甲，厚度0.5nm-50nm；
（4.2）、沉积材料乙，厚度0.5nm-50nm；
（4.3）、低能等离子体辐照晶圆；采用能量1-1000eV的等离子体对整个晶圆朝向等离子体源的表面进行辐照，对SOI晶圆顶硅层上表面进行辐照时，使得沉积所得的材料甲与材料乙发生第一次反应，生成绝缘层A；
（4.4）、结构光等离催化；
（4.5）、重复（4.1）-(4.4)步骤，直到所沉积厚度达到要求。
所述的沉积材料甲和乙，顺序和次数根据具体需要调整，先沉积甲材料，再沉积乙材料，或者先沉积乙材料再沉积甲材料；两种材料单次交替沉积，或者多次交替沉积，即沉积甲或乙材料一次及以上，再沉积乙或甲材料一次及以上；
所述的材料甲包括改性的具有光激发反应基团的聚二甲基硅氧烷、改性的具有光激发反应基团的聚甲基丙烯酸甲酯或改性的具有光激发反应基团的聚酰亚胺及其衍生物；
所述的材料乙为特征尺寸在1-15nm的纳米颗粒分散液，所述纳米颗粒包括氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铝；所述纳米分散液的分散剂中含有具有光激发反应基团的分子。
所述的光激发反应基团是一种活性高分子基团，能够在波长λ=10nm-1200nm的光的照射下发生交联反应，调节该光激发反应基团中元素配比及基团构型，则λ改变。
所述的结构光等离催化，是向具有绝缘层A的晶圆表面通催化等离子体丙，所述的催化等离子体丙包括氧等离子体，卤素等离子体；同时采用波长为λ=10nm-1200nm的结构光照射该晶圆表面；催化等离子体与绝缘层A充分接触，并且被波长为λ的光照射后绝缘层A发生二次反应生成绝缘层B；而其余区域不会被照射，保持绝缘层A。
本发明的有益效果：
（一）、驱动梳齿与接地梳齿表面具有绝缘层，二者吸附接触后仍然保持断路状态，不会产生短时大电流、短时高温、火花等现象，即不会造成MEMS微镜的损坏。
（二）、在本发明防止吸附损坏的静电驱动MEMS微镜的制备过程中，第（四）步采用分步异质沉积法制作绝缘层，即在驱动梳齿表面得到绝缘层A，而在接地梳齿表面得到绝缘层B；或者在驱动梳齿表面得到绝缘层B，在接地梳齿表面得到绝缘层A。当驱动梳齿与接地梳齿产生吸附，则二者表面的绝缘层A与绝缘层B接触，具有良好的绝缘效果，驱动梳齿与接地梳齿之间仍然保持断路状态，不会产生短时大电流、短时高温、火花等现象，即不会产生损坏。绝缘层A与绝缘层B接触时二者之间的摩擦系数小于绝缘层A与绝缘层A或者绝缘层B与绝缘层B接触的摩擦系数，对工作中的MEMS微镜扰动更小，更能保持其稳定性。
（三）、采用分步异质沉积法在驱动梳齿和接地梳齿表面得到不同的绝缘层，二者吸附时两种不同的绝缘层接触，摩擦系数更小，对工作中的MEMS微镜扰动更小，MEMS微镜的稳定性更高。
（四）、本发明的防止吸附损坏的静电驱动式MEMS微镜结构紧凑，工艺简单。
附图说明
图1(a) 是正常状态的表面没有绝缘层的静电驱动梳齿结构。
图1(b) 是相邻梳齿发生吸附接触的表面没有绝缘层的静电驱动梳齿结构。
图2(a) 是正常状态的表面具有绝缘层的静电驱动梳齿结构。
图2(b) 是相邻梳齿发生吸附接触的表面具有绝缘层的静电驱动梳齿结构。
图3(a) 是梳齿表面具有绝缘层的静电驱动微镜平面图。
图3(b) 是梳齿表面具有绝缘层的静电驱动微镜剖面图。
图4(a-k) 是高温氧化法得到梳齿表面绝缘层的静电驱动微镜制备工艺流程示意图。
图5(a-k) 是采用分步异质沉积法得到梳齿表面绝缘层的静电驱动微镜制备工艺流程示意图。
图6(a-f) 分步异质沉积法工艺流程示意图。
图中，驱动电压Vd，接地梳齿100、驱动梳齿200、镜体300、转轴400、锚体500、外框600、衬底800，沟槽结构810、绝缘层01，底硅层10、氧化埋层20、基底10’、空腔11、隔离层20’、顶硅层30、器件层30’、沟槽31、顶硅层掩模40A、底硅层掩模40B、氧化绝缘层50、材料甲50’、材料乙50’’、绝缘层A51、绝缘层B52，金属层60、保护层70。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做详细叙述。
静电驱动MEMS梳齿结构，其梳齿表面具有绝缘层01，相邻梳齿表面的绝缘层是同一种绝缘层或者不同绝缘层。正常状态下梳齿之间保持间隙，如图2(a)。
所述的静电驱动MEMS梳齿结构，包含至少一组驱动梳齿200和至少一组接地梳齿100， 其中驱动梳齿接驱动电压，接地梳齿接地线；每组驱动梳齿和接地梳齿的梳齿数量大于等于1；驱动梳齿组与接地梳齿组交错排列，呈叉指状，即每个驱动梳齿两侧是接地梳齿或者无结构，每个接地梳齿两侧为驱动梳齿或者无结构。正常状态下相邻梳齿之间具有一定间距，互不接触；当驱动梳齿200与接地梳齿100意外接触，如图2(b)所示，由于梳齿表面的绝缘层01的存在，驱动梳齿与接地梳齿之间保持绝缘状态，不会出现短路，因而不会产生大电流、高温乃至火花现象，因此梳齿结构不会因为短路放电而损坏。驱动梳齿与接地梳齿接触的原因包括制造工艺误差、制造过程的梳齿吸附以及梳齿受到冲击。
图3(a)是梳齿表面具有绝缘层01的微镜平面图。采用静电驱动MEMS梳齿结构的微镜，该微镜具有一个镜体300，镜体300相对两侧通过转轴400与锚体500连接。转轴400的轴向两侧布置有驱动梳齿200。在镜体300、转轴400、锚体500以及驱动梳齿200外围设置有外框600；该外框600内侧设置有接地梳齿100，该接地梳齿100与驱动梳齿200在水平方向依次交错排列，呈叉指状。驱动梳齿200和接地梳齿100表面均具有绝缘层01。
图3(b)是图3(a)所示的梳齿表面具有绝缘层01的微镜的剖面图。该微镜从下到上依次由基底10’、隔离层20’以及器件层30’构成。该微镜的镜体300、转轴400、锚体500、驱动梳齿200、接地梳齿100以及外框600均位于器件层30’内。基底10’是内部具有空腔11的框架，隔离层20’下表面与基底10’上表面接触，隔离层20’上表面与外框600和锚体500的下表面接触。镜体300可以绕转轴400转动。
所述的驱动梳齿与接地梳齿表面的绝缘层可以是同种绝缘层或者异种绝缘层。同种绝缘层即驱动梳齿与接地梳齿表面均为绝缘层A或者均为绝缘层B；异种绝缘层即驱动梳齿表面为绝缘层A(B)，接地梳齿表面为绝缘层B(A)。同种绝缘层或者异种绝缘层都可以实现电学隔离，即断路状态，但异种绝缘层相互接触时摩擦系数更小，相对同种绝缘层的接触进一步降低了驱动梳齿与接地梳齿接触情况下的摩擦阻力，提高了MEMS微镜稳定性。
参照图4(a-k)，采用静电驱动MEMS梳齿结构的微镜的制备方法，采用高温氧化法制备，包括以下步骤：
（一）、投片：选取SOI晶圆，清洗并干燥后待用；所述的SOI晶圆是三层结构的硅基晶圆，SOI晶圆自下而上由底硅层10、氧化埋层20以及顶硅层30构成。
（二）、顶硅层(30)光刻：在第(一)步准备好的SOI晶圆的顶硅层30上表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的光刻胶构成的顶硅层掩模40A。
（三）、顶硅层刻蚀：采用感应耦合离子刻蚀方法刻蚀顶硅层30：顶硅层未被顶硅层掩模40A遮挡的部分被刻蚀去除，直到顶硅层30下表面的氧化埋层20刻蚀停止，被顶硅层掩模40A遮挡的部分保留，在顶硅层中形成沟槽31；刻蚀结束后去除顶硅层掩模40A；
（四）、形成绝缘层：将第（三）步刻蚀顶硅层30后的SOI晶圆放入高温炉中进行氧化，顶硅层30上表面、顶硅层30的沟槽31的侧壁以及底硅层10下表面均形成由二氧化硅构成的氧化绝缘层50；
（五）、绝缘层开窗：去除顶硅层30上表面部分区域的绝缘层50。
（六）、金属沉积：在顶硅层30上表面去除绝缘层50的区域沉积金属层60。
（七）、上表面保护：在顶硅层30上表面以及沟槽31的侧壁和底部涂敷保护层70。
（八）、底硅层光刻：在底硅层10下表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的由光刻胶构成的底硅层掩模40B。
（九）、底硅层刻蚀：首先采用反应离子刻蚀的方法刻蚀底硅层10表面的氧化绝缘层50，然后采用感应耦合等离子体刻蚀的方法刻蚀底硅层10：底硅层10及其表面的氧化绝缘层50被底硅层掩模40B遮挡的部分保留，未被底硅层掩模40B遮挡的部分被刻蚀去除，直到氧化埋层20停止，在底硅层10形成空腔11。此处形成的具备空腔11的底硅层10即构成图3(b)中微镜的基底10’。
（十）、释放：去除底硅层10的空腔11的底部对应区域的氧化埋层20。此处底硅层10的空腔11的底部指的是底硅层10中的空腔11与氧化埋层20接触的一侧。
（十一）、去除正面保护膜：去除顶硅层30上表面以及沟槽31的侧壁和底部的保护层70。
（十二）、划片：对加工完成的SOI晶圆进行切割，得到若干独立的MEMS微镜。
参照图5(a-k)，采用静电驱动MEMS梳齿结构的微镜的制备方法，采用分步异质沉积法制备，包括以下步骤：
（一）、准备SOI晶圆。SOI晶圆自下而上由底硅层10、氧化埋层20以及顶硅层30构成。
（二）、顶硅层光刻。在第1准备好的SOI晶圆的顶硅层30上表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的光刻胶构成的顶硅层掩模40A。
（三）、顶硅层刻蚀。采用感应耦合离子刻蚀方法刻蚀顶硅层30：顶硅层30未被顶硅层掩模40A遮挡的部分被刻蚀去除，一直刻蚀到顶硅层10下表面的氧化埋层20刻蚀停止，被底硅层掩模40B遮挡的部分保留，在顶硅层30中形成沟槽31。刻蚀结束后去除顶硅层掩模40A。
（四）、分步异质沉积。采用分步异质沉积的方法在第3步刻蚀得到的顶硅层30上表面以及沟槽31的侧壁和底部形成绝缘层；此处采用分步异质沉积在SOI晶圆的顶硅层30的沟槽31相对侧壁表面分别得到绝缘层A51与绝缘层B52。
（五）、绝缘层开窗。去除顶硅层30上表面部分区域的绝缘层A（51)。
（六）、金属沉积。在顶硅层30上表面去除绝缘层A51的区域沉积金属层60。
（七）、上表面保护。在顶硅层30的上表面，沟槽31侧壁及底部涂敷保护层70。
（八）、底硅层光刻：在底硅层10下表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的由光刻胶构成的底硅层掩模40B。
（九）、底硅层刻蚀：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法刻蚀底硅层10：底硅层10被底硅层掩模40B遮挡的部分保留，未被底硅层掩模40B遮挡的部分被刻蚀去除，一直刻蚀到氧化埋层20停止，在底硅层10形成空腔11。此处形成的具备空腔11的底硅层10即构成图3(b)中微镜的基底10’。
（十）、释放：去除底硅层10的空腔11的底部对应区域的氧化埋层20。此处底硅层10的空腔11的底部指的是底硅层10中的空腔11与氧化埋层20接触的一侧。
（十一）、去除正面保护膜：去除顶硅层30上表面，沟槽31侧壁及底部的保护层70。
（十二）、划片：对加工完成的SOI晶圆进行切割，得到若干独立的MEMS微镜。
参照图6(a-f)，分步异质沉积法工艺流程，包含如下步骤：
先准备具有沟槽结构810的衬底800：
（4.1）、沉积材料甲。在衬底800具备沟槽结构810的一侧表面沉积材料甲50’，厚度为10nm。
（4.2）、沉积材料乙。在得到的沉积了材料甲的衬底800表面沉积材料乙50’’，厚度为10nm。
（4.3）、低能等离子体辐照。采用低能等离子体辐照衬底800沉积了材料甲50’和材料乙50’’的表面，使得依次沉积得到的材料甲50’ 和材料乙50’’发生反应，生成绝缘层A51。
（4.4）、结构光等离催化：向衬底800形成绝缘层A51的一侧表面通入催化等离子体丙，同时采用波长为280±10nm的结构光照射该表面。结构光照射该表面时部分区域被照射，部分区域不被照射，如图。被照射区域绝缘层A51与催化等离子体丙发生反应，生成绝缘层B52，此处结构光的作用在于位于晶圆表面的绝缘层A51的选定区域被照射，生成绝缘层B52，未被照射区域绝缘层A51不与催化等离子体发生反应，保持绝缘层A51；由此得到衬底800的沟槽结构810表面部分区域被绝缘层A51覆盖，部分区域被绝缘层B52覆盖。
结构光指的是波长为λ的光被调制成结构光，即光波面非连续波面，而是在光所通过的平面内按照一定图形分布的；结构光是对此处采用的波长为λ的光调制后平面内分布状态的描述，并非另一种光。

Claims (6)

1.微镜的制备方法，
所述微镜，采用静电驱动MEMS梳齿结构，所述静电驱动MEMS梳齿结构，其梳齿表面具有绝缘层(01)，相邻梳齿表面的绝缘层是同一种绝缘层或者不同绝缘层；所述微镜从下到上依次由基底(10’)、隔离层(20’)以及器件层(30’)构成，基底(10’)是内部具有空腔的框架，器件层(30’)内包括镜体(300)，镜体(300)通过转轴（400）与外框(600)连接，静电驱动MEMS梳齿结构中的接地梳齿(100)一端与外框(600)连接，驱动梳齿(200)一端与镜体(300)或者转轴（400）连接，接地梳齿(100)另一端与驱动梳齿(200)的另一端交错布置，所述驱动梳齿(200)与接地梳齿(100)表面均具有绝缘层(01)，隔离层(20’)下表面与基底(10’)上表面接触，隔离层(20’)上表面的器件层(30’)与外框(600)下表面接触；
其特征在于，包括以下步骤：
（一）、投片：选取SOI晶圆，清洗并干燥后待用；所述SOI晶圆是三层结构的硅基晶圆，SOI晶圆自下而上由底硅层(10)、氧化埋层(20)以及顶硅层(30)构成；
（二）、顶硅层(30)光刻：在第（一）步准备好的SOI晶圆的顶硅层(30)上表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的光刻胶构成的顶硅层掩模(40A)；
（三）、顶硅层(30)刻蚀：采用湿法腐蚀或者干法刻蚀的方式对顶硅层(30)进行刻蚀，到达氧化埋层(20)停止，形成位于顶硅层的刻蚀形成的镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构；刻蚀结束后去除顶硅层掩模(40A)；经过刻蚀并且去除顶硅层掩模(40A)的具有镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构的顶硅层即为微镜的器件层(30’)；
（四）、形成绝缘层：在刻蚀形成的位于顶硅层的镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构表面形成绝缘层；此处形成绝缘层的方法包括高温氧化、等离子增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD、常压化学气相沉积APCVD、物理沉积PVD、原子层沉积ALD或分步异质沉积法；其中采用高温氧化、PECVD、LPCVD、APCVD、PVD或ALD方法得到同种绝缘层；采用分步异质沉积法得到两种不同的绝缘层，分别为绝缘层A和绝缘层B；
（五）、绝缘层开窗：将顶硅层(30)上表面的部分绝缘层去除；
（六）、金属沉积：在顶硅层(30)上表面的去除绝缘层的区域沉积金属层(60)；
（七）、上表面保护：在顶硅层(30)上表面及顶硅层由刻蚀形成的侧壁表面沉积连续的保护层(70)，使得顶硅层上表面及顶硅层由刻蚀形成的凹槽的侧壁和底部整体被保护层(70)覆盖；
（八）、底硅层光刻：在底硅层(10)下表面进行光刻，形成图形化的光刻胶构成的底硅层掩模(40B)；
（九）、底硅层刻蚀：在底硅层(10)下表面采用湿法腐蚀或干法刻蚀方法刻蚀，到达氧化埋层停止，形成位于底硅层(10)的空腔(11)；刻蚀后去除底硅层掩模(40B)；经过刻蚀且去除底硅层掩模(40B)的具有空腔(11)的底硅层(10)即为微镜的基底(10’)
（十）、释放：去除位于底硅层(10)的空腔(11)的底部区域的氧化埋层(20)，底硅层(10)的空腔(11)的底部指的是底硅层(10)中的空腔(11)与氧化埋层(20)接触的一侧；经过部分去除留下的氧化埋层(20)即为微镜的隔离层(20’)；
（十一）、去除正面保护膜：去除顶硅层上表面及顶硅层由刻蚀形成的凹槽的侧壁和底部的保护膜；
（十二）、划片：对加工完成的SOI晶圆进行切割，得到若干独立的MEMS微镜。
2.根据权利要求1所述微镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤（四）所述分步异质沉积法：
（4.1）、沉积材料甲，厚度0.5nm-50nm；
（4.2）、沉积材料乙，厚度0.5nm-50nm；
（4.3）、低能等离子体辐照晶圆；采用能量1-1000eV的等离子体对整个晶圆朝向等离子体源的表面进行辐照，对SOI晶圆顶硅层上表面进行辐照时，使得沉积所得的材料甲与材料乙发生第一次反应，生成绝缘层A；
（4.4）、结构光等离催化：
（4.5）、重复(4.1)-(4.4)步骤，直到所沉积厚度达到要求。
3.根据权利要求2所述微镜的制备方法，其特征在于，所述沉积材料甲和乙，顺序和次数根据具体需要调整，先沉积甲材料，再沉积乙材料，或者先沉积乙材料再沉积甲材料；两种材料单次交替沉积，或者多次交替沉积，即沉积甲或乙材料一次及以上，再沉积乙或甲材料一次及以上；
所述材料甲包括改性的具有光激发反应基团的聚二甲基硅氧烷、改性的具有光激发反应基团的聚甲基丙烯酸甲酯或改性的具有光激发反应基团的聚酰亚胺及其衍生物；
所述材料乙为特征尺寸在1-15nm的纳米颗粒分散液，所述纳米颗粒分散液中的纳米颗粒包括氮化硅、氮化硼、氧化硅或氧化铝；所述纳米颗粒分散液的分散剂中含有具有光激发反应基团的分子；
所述光激发反应基团是一种活性高分子基团，能够在波长λ=10nm-1200nm的光的照射下发生交联反应，调节该光激发反应基团中元素配比及基团构型，则λ改变。
4.根据权利要求2所述微镜的制备方法，其特征在于，所述结构光等离催化，是向具有绝缘层A的晶圆表面通入催化等离子体丙，所述催化等离子体丙包括氧等离子体，卤素等离子体；同时采用波长为λ=10nm-1200nm的结构光照射该晶圆表面；催化等离子体与绝缘层A充分接触，并且被波长为λ的光照射后绝缘层A发生二次反应生成绝缘层B；而其余区域不会被照射，保持绝缘层A。
5.根据权利要求1所述微镜的制备方法，其特征在于，所述的静电驱动MEMS梳齿结构，包含至少一组驱动梳齿(200)和至少一组接地梳齿(100)，其中驱动梳齿(200)接驱动电压，接地梳齿(100)接地线；每组驱动梳齿(200)和接地梳齿(100)的梳齿数量大于等于1；驱动梳齿组与接地梳齿组交错排列，呈叉指状，即每个驱动梳齿(200)两侧是接地梳齿(100)或者无结构，每个接地梳齿(100)两侧为驱动梳齿(200)或者无结构。
6.根据权利要求5所述微镜的制备方法，其特征在于，所述驱动梳齿(200)与接地梳齿(100)表面的绝缘层是同种绝缘层或者异种绝缘层，同种绝缘层即驱动梳齿与接地梳齿表面均为绝缘层A或者均为绝缘层B；异种绝缘层即驱动梳齿表面为绝缘层A或B，接地梳齿表面为绝缘层B或A。
CN202210508327.4A 2022-05-11 2022-05-11 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法 Active CN114594594B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210508327.4A CN114594594B (zh) 2022-05-11 2022-05-11 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法
EP22868454.4A EP4296751A4 (en) 2022-05-11 2022-07-15 ELECTROSTATICALLY DRIVEN MEMS COMB TOOTH STRUCTURE, AND MICROMIROR USING THE STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
PCT/CN2022/106028 WO2023216413A1 (zh) 2022-05-11 2022-07-15 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210508327.4A CN114594594B (zh) 2022-05-11 2022-05-11 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114594594A CN114594594A (zh) 2022-06-07
CN114594594B true CN114594594B (zh) 2022-08-02

Family

ID=81821838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210508327.4A Active CN114594594B (zh) 2022-05-11 2022-05-11 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4296751A4 (zh)
CN (1) CN114594594B (zh)
WO (1) WO2023216413A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114594594B (zh) * 2022-05-11 2022-08-02 西安知象光电科技有限公司 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法
CN116699834A (zh) * 2023-07-31 2023-09-05 西安知象光电科技有限公司 基于交错垂直梳齿驱动阵列的微振镜结构及其制备工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007034777A1 (ja) * 2005-09-21 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. アクチュエータ
JP2009175611A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Ricoh Co Ltd 光走査装置、光走査装置の製造方法、振動ミラーおよび画像形成装置
CN113009685A (zh) * 2021-02-05 2021-06-22 西安知象光电科技有限公司 芯片级真空密封的静电式振镜
CN113015691A (zh) * 2018-11-16 2021-06-22 国立大学法人东京大学 梳齿型元件的制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3869394B2 (ja) * 2003-06-30 2007-01-17 富士通株式会社 微粒子の堆積方法及びカーボンナノチューブの形成方法
US20100244262A1 (en) * 2003-06-30 2010-09-30 Fujitsu Limited Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same
KR100790878B1 (ko) * 2006-06-13 2008-01-03 삼성전자주식회사 상하 구조가 디커플된 콤전극의 자기정렬 식각 방법
DE102006058563B3 (de) * 2006-12-12 2008-06-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikrospiegel-Aktuator mit Kapselungsmöglichkeit sowie Verfahren zur Herstellung
CN103149684B (zh) * 2013-02-07 2015-01-28 东南大学 可双向扭转的交错梳齿静电驱动可变光衰减器及制备方法
CN103145091B (zh) * 2013-02-07 2015-05-06 东南大学 一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法
CN104297922B (zh) * 2014-10-30 2016-09-07 桂林光隆光电科技股份有限公司 静电驱动微机电系统二维扫描微镜
CN111538154B (zh) * 2020-04-28 2022-06-03 安徽中科米微电子技术有限公司 静电驱动mems微镜阵列及其制备方法
CN113471224B (zh) * 2021-09-01 2021-11-16 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 一种soi结构及制造方法、mems器件及制造方法
CN114594594B (zh) * 2022-05-11 2022-08-02 西安知象光电科技有限公司 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007034777A1 (ja) * 2005-09-21 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. アクチュエータ
JP2009175611A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Ricoh Co Ltd 光走査装置、光走査装置の製造方法、振動ミラーおよび画像形成装置
CN113015691A (zh) * 2018-11-16 2021-06-22 国立大学法人东京大学 梳齿型元件的制造方法
CN113009685A (zh) * 2021-02-05 2021-06-22 西安知象光电科技有限公司 芯片级真空密封的静电式振镜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MEMS惯性传感器可靠性试验方法研究;雷昕等;《电子产品可靠性与环境试验》;20091220(第06期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114594594A (zh) 2022-06-07
EP4296751A4 (en) 2024-03-06
WO2023216413A1 (zh) 2023-11-16
EP4296751A1 (en) 2023-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114594594B (zh) 静电驱动mems梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法
US6682871B2 (en) Microelectromechanical optical switch and method of manufacture thereof
EP0592094B1 (en) Micro-miniature structure fabrication
US5536963A (en) Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force
US8693083B2 (en) Micromirror unit and method of making the same
CN111538154B (zh) 静电驱动mems微镜阵列及其制备方法
US8691099B2 (en) Process for fabricating MEMS devices
US7579622B2 (en) Fabrication of MEMS devices with spin-on glass
US8816565B2 (en) Two-dimensional comb-drive actuator and manufacturing method thereof
KR20040091034A (ko) Ｍｅｍｓ 장치의 구조를 제조하는 방법
WO2003021298A2 (en) Mems comb-finger actuator
JP2010525377A (ja) マイクロエレクトロメカニカルシステム用マイクロミラー
JP3723431B2 (ja) マイクロ電気機械光学デバイス
JP2010107628A (ja) Ｍｅｍｓ走査型ミラー及びその製造方法
JP5220270B2 (ja) 平衡カンチレバー板を有するモノリシックｍｅｍｓデバイス
Li et al. Technique for preventing stiction and notching effect on silicon-on-insulator microstructure
US6924581B2 (en) Split spring providing multiple electrical leads for MEMS devices
US6667823B2 (en) Monolithic in-plane shutter switch
EP1221176A2 (en) Method of etching a layer using sacrificial elements
US20040061924A1 (en) Monolithic MEMS device for optical switches
KR102549920B1 (ko) 미러 디바이스
WO2001011666A9 (en) Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby
US20040061923A1 (en) Monolithic two-axis MEMS device for optical switches
FR2865201A1 (fr) Technique de realisation de structures a forte topologie auto-alignees
TWI253436B (en) Micromechanical actuator with multiple-plane comb electrodes and methods of making

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant