JP2009170751A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】トランジスタの性能向上を図ってスペーサを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲートを覆って、半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、露出したバリア絶縁膜を除去する工程と、ゲート及びスペーサをマスクとして、半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、さらにサイドウォールを形成し、ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、ソース/ドレイン領域を形成する工程とを有する。
【選択図】図1−1
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲートを覆って、半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、露出したバリア絶縁膜を除去する工程と、ゲート及びスペーサをマスクとして、半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、さらにサイドウォールを形成し、ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、ソース/ドレイン領域を形成する工程とを有する。
【選択図】図1−1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、エクステンションを形成したトランジスタを有する半導体装置の製造方法に関する。
電界効果トランジスタの製造プロセスにおいて、エクステンションと呼ばれる不純物濃度が低く浅い拡散層と、ゲート電極との距離をコントロールする目的で、ゲート側壁上にスペーサと呼ばれる絶縁膜が形成される。このようなスペーサは、例えば非特許文献1に開示されている。
スペーサは、ゲートを覆って基板全面に形成した絶縁膜を、例えば反応性イオンエッチング(RIE)で異方性エッチングし、ゲート側壁上に選択的に残すことにより形成される。スペーサをマスクとして不純物を注入して、エクステンションが形成される。
半導体技術ロードマップ専門委員会、"国際半導体技術ロードマップ1999年版/8.フロントエンドプロセス"、[online]、[平成19年12月26日検索]、インターネット<URL: http://home.jeita.or.jp/device/strj/ITRS99-JP/FEP.pdf>
性能の良いトランジスタを作製するためのスペーサ形成技術が望まれる。
本発明の一目的は、トランジスタの性能向上を図ってスペーサを形成できる半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の一観点によれば、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲートを覆って、前記半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、前記バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、露出した前記バリア絶縁膜を除去する工程と、前記ゲート及びスペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、半導体基板上に、高誘電体材料を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆って、前記ゲート絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲート電極の側壁上にスペーサを残して除去する工程と、露出した前記ゲート絶縁膜を、前記スペーサ及び前記ゲート電極の下に配置された部分を残して除去する工程と、前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲート、及び前記スペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
高誘電体材料を含むバリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜が形成され、スペーサを形成するスペーサ絶縁膜のエッチングが、異方性エッチングで行われる。バリア絶縁膜により、例えば、スペーサ形成の異方性エッチングで半導体基板表面に変質ないしダメージ層が形成されることが妨げられる。
まず、比較例のトランジスタ製造方法について説明し、その方法で生じる問題点について説明する。図3(A)〜3(G)は、比較例のトランジスタ製造方法を説明するための概略断面図である。
図3(A)に示すように、例えばn型シリコン基板101に、例えばシャロートレンチアイソレーション(STI)により素子分離領域102を形成し、素子分離領域102により画定された活性領域にp型ウェル103を形成する。
p型ウェル103上に、ゲート絶縁膜104を形成し、ゲート絶縁膜104上に、ゲート電極105を形成する。ゲート絶縁膜104は、例えば活性領域表面を熱酸化して形成した酸化シリコン膜、また例えば酸窒化シリコン膜からなり、必要に応じて高誘電体膜でも良い。ゲート電極105は、例えば化学気相堆積(CVD)により堆積したポリシリコン膜からなる。レジストパターンを用いてエッチングすることにより、ゲート電極105をパターンニングする。ゲート絶縁膜104とゲート電極105を併せて、ゲート106と呼ぶ。
次に、図3(B)に示すように、ゲート106を覆って全面に、CVDで酸化シリコン膜107を形成する。
次に、図3(C)に示すように、CとFとを含むフロロカーボン系のガスプラズマを用いた反応性イオンエッチング(RIE)で、酸化シリコン膜107を異方性エッチングして、ゲート107の側壁上の部分のみを残すことにより、スペーサ108を形成する。p型ウェル103表面及びゲート電極105上面が露出する。
次に、図3(D)に示すように、ゲート106及びスペーサ108をマスクとして、p型ウェル103にn型不純物の注入を行い、低濃度の浅い拡散層であるn型エクステンション109を形成する。
次に、図3(E)に示すようにゲート106及びスペーサ108を覆って全面に、酸化シリコン膜110をCVDで形成する。
次に、図3(F)に示すように、フロロカーボン系のガスプラズマを用いたRIEで、酸化シリコン膜110を異方性エッチングして、スペーサ108の側壁上の部分のみを残すことにより、サイドウォール111を形成する。p型ウェル103表面及びゲート電極105上面が露出する。
次に、図3(G)に示すように、ゲート106、スペーサ108、及びサイドウォール111をマスクとして、エクステンション109よりも高濃度で、深い領域に、n型不純物の注入を行い、n型ソース/ドレイン領域112を形成する。なお、ゲート電極105上面にもn型不純物がドープされる。このようにして、比較例の金属酸化物半導体(MOS)トランジスタが形成される。
この後、ソース/ドレイン領域112、及び、ゲート電極105の表面をシリサイド化し、その上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜にコンタクト孔をエッチングし、導電性プラグを埋め込む。さらに、上方に配線層が形成される。
次に、比較例のトランジスタ製造方法におけるスペーサ形成工程で生じる課題について説明する。
スペーサとなる絶縁膜として、通常、酸化シリコン系の膜が用いられることが多い。シリコン基板上から酸化シリコン系の膜を高い選択比で除去するために、フロロカーボン系のガスプラズマが一般的に用いられている。
フロロカーボン系のガス、例えばCF4のプラズマを用いると、酸化シリコン(SiO2)が存在する限り、SiO2+CF4→SiF4+CO2という反応が進行して、SiO2膜が除去されるが、シリコン基板が露出すると、自己整合的にフロロカーボン膜がシリコン基板表面に堆積して保護膜となるので、シリコンに対して高い選択比で酸化シリコンをエッチングすることができる。
ただし、プラズマ中の炭素の一部が、保護膜下のシリコンと反応して、非常に安定なSiCになり、シリコン基板表面に変質ダメージ層を形成する。
図4(A)は、フロロカーボンプラズマに曝されたシリコン基板表面のX線光電子分光(XPS)スペクトルである。横軸がeV単位で示す結合エネルギであり、縦軸が任意単位で示す相対強度である。SiCに対応する約283eVのピークが観察されている。
変質ダメージ層は、エクステンション形成のために注入した不純物の活性化を阻害し、格子欠陥として存在し続けるため、エクステンションの抵抗が充分に下がらず、充分なオン電流を流せなくなる。
図4(B)は、角度分解X線光電子分光(ARXPS)により測定した変質ダメージ層の膜厚を示すグラフである。横軸が基板表面からの深さをnm単位で示し、縦軸が原子濃度を%単位で示す。
基板最表面に、自然酸化膜の存在を示すO濃度の高い領域がある。自然酸化膜の下に、SiC濃度が高く、変質ダメージ層が形成された領域がある。変質ダメージ層の下端は、2nm程度の深さに達している。
デバイスサイズが微細化するに従い、エクステンションの深さは浅くなる。国際半導体技術ロードマップ(ITRS)によると、エクステンション深さは、2006年で15nm、2010年には7nmと考えられている。エクステンションが浅くなれば、エクステンションの厚さに対する変質ダメージ層の厚さの比率は無視できなくなる。
なお、変質ダメージ層をエッチングで除去する方法が考えられる。ただし、このエッチングにより基板表面が後退する。エクステンションが浅くなるほど、基板の後退(リセス)は望ましくない。
なお、SiCが生成しないように、イオンエネルギを下げた条件でエッチングすると、充分な異方性や選択比が得られなくなる。
なお、RIEに限らず、異方性エッチングによって、基板表面に変質ないしダメージ層が形成されると、トランジスタの特性が劣化すると考えられる。
充分な異方性や選択比が得られる条件で、スペーサを形成する異方性エッチングができ、かつ、変質層やダメージ層の形成が抑制されたスペーサの形成技術が望まれる。
なお、スペーサの形成工程と同様に、サイドウォールも、フロロカーボン系のガスプラズマを用いたRIEで酸化シリコン膜をエッチングして形成される。従って、ソース/ドレイン領域の表面にも変質ダメージ層が形成され得る。ただし、ソース/ドレイン領域は、不純物濃度が高く、深いので、変質ダメージ層の影響は小さく、また変質ダメージ層を除去して基板を後退させてもデバイス特性に対する影響は小さい。
なお、エクステンション形成でイオンの斜め注入を行う場合もある。斜め注入を行う場合に、イオンがスペーサを透過してゲート直下の絶縁膜にダメージを与え、トランジスタ特性が劣化する懸念がある。このようなダメージを抑制する技術も望まれる。
次に、第1の実施例のトランジスタの製造方法について説明する。図1(A)〜図1(K)は、第1の実施例のトランジスタ製造方法を説明するための概略断面図である。
図1(A)に示すように、例えばn型シリコン基板1に、例えばSTIにより素子分離領域2を形成し、相互に隣接する2つの活性領域にそれぞれp型ウェル3及びn型ウェル23を形成する。ここでp型ウェル3は、例えば、Bを加速エネルギ150keV、ドーズ量1×1015atoms/cm2で注入して形成でき、n型ウェル23は、例えば、Pを加速エネルギ300keV、ドーズ量1×1013atoms/cm2で注入して形成できる。
活性領域表面を熱酸化し、p型ウェル3及びn型ウェル23表面にゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜を形成する。さらに酸化シリコン膜上に例えばCVDでポリシリコン膜を形成し、ポリシリコン膜を、写真食刻法を用いたエッチングでパターンニングする。ゲート電極がポリシリコンやアモルファスシリコンの場合には、例えばHBrを用いたガスプラズマによるRIEが適しており、酸化シリコン膜でエッチングを止める。露出した酸化シリコン膜は、必要に応じて等方性エッチングする。
なお、ここで、ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜の他に、例えば、酸化シリコン膜に窒素を導入した酸窒化シリコン膜でもよく、また例えば、酸化シリコン膜や酸窒化シリコン膜上に、HfやLa等を含む高誘電体膜を積層した構造としてもよい。また、ゲート電極は、ポリシリコンの他に、例えばアモルファスシリコンや、シリサイド、メタルゲートとしてもよい。
このようにして、p型ウェル3及びn型ウェル23上にそれぞれ、ゲート絶縁膜4にゲート電極5が積層されたゲート6、及び、ゲート絶縁膜24にゲート電極25が積層されたゲート26が形成される。
次に、図1(B)に示すように、ゲート6及び26を覆って全面に、HfO2を原子層堆積(ALD)で厚さ2nm形成して、バリア絶縁膜7を形成する。ALDは、例えば、基板温度を300℃とし、HfCl4とH2Oを交互に供給することにより行われる。なお、有機金属化学気相堆積(MOCVD)でHfO2膜を形成することもできる。
次に、図1(C)に示すように、バリア絶縁膜7の上に、酸化シリコンからなるスペーサ絶縁膜8を、例えば、SiH4とO2を材料とし温度を425℃としたCVDで、厚さ7nm形成する。
次に、図1(D)に示すように、CとFとを含むフロロカーボン系のガスプラズマを用いたRIEで、スペーサ絶縁膜8を異方性エッチングして、ゲート6の側壁上及びゲート26の側壁上の部分のみ残すことにより、ゲート6の側壁上にスペーサ9を、ゲート26の側壁上にスペーサ29を形成する。このRIEは、充分高い選択比を持って、バリア絶縁膜7の表面で停止させることができる。RIEに用いるガスとして、例えば、CHF3にArを加えたものや、CF4を用いることができる。
例えばCF4によるエッチング速度は、SiO2では90nm/minであるのに対し、HfO2では2nm/minであることが知られている(Maeda et al. SSDM 2003)。
HfO2は、イオン阻止能力が高い。SRIM(IBMがフリーウェアとして公開しており、イオンの固体中での飛程をモンテカルロ法で計算するシミュレーションソフト)による計算の結果、例えばBを10keVで打ち込んだ場合、SiO2中、HfO2中への侵入深さは、それぞれ、40nm、17.9nmである。また例えばAsを10keVで打ち込んだ場合、SiO2中、HfO2中への侵入深さは、それぞれ、11.7nm、5.4nmである。このように、HfO2に注入されたイオンは、SiO2の約半分の深さまでしか侵入できない傾向がある。
HfO2からなるバリア絶縁膜7により、フロロカーボン系のガスプラズマを用いたRIEによるスペーサ絶縁膜8のエッチング時に、炭素がシリコン基板表面に達することが妨げられ、変質ダメージ層の形成が抑制される。
次に、図1(E)に示すように、例えば130℃の熱濃硫酸と過酸化水素水の混合溶液に20分間浸漬するウエットエッチングにより、p型ウェル3、n型ウェル23、ゲート電極5、25、及び、素子分離領域2上の、露出したバリア絶縁膜7を除去する。スペーサ9、29とゲート6、26側壁との間、スペーサ9、29とp型ウェル3、n型ウェル23との間に挟まれた部分のバリア絶縁膜10、30は残る。
なお、このウエットエッチングの温度は130℃に限らない。望ましい温度条件として110℃以上150℃以下の熱濃硫酸と過酸化水素水の混合溶液で、HfO2が除去される。ウエットエッチングであるため、基板やゲート電極、素子分離領域へのダメージを抑えて、HfO2を除去できる。
このようにして、ゲート6の側壁上に、側壁側からバリア絶縁膜10、スペーサ9が積層されたスペーサ構造11が形成され、ゲート26の側壁上に、側壁側からバリア絶縁膜30、スペーサ29が積層されたスペーサ構造31が形成される。スペーサ9、29とp型ウェル3、n型ウェル23との間に、それぞれ、バリア絶縁膜10、30が介在する。
次に、図1(F)に示すように、n型ウェル23側の活性領域をホトレジストPR1で覆い、ゲート6及びスペーサ構造11をマスクとして、p型ウェル3に、n型不純物として例えばAsを、加速エネルギ3keV、ドーズ量1×1015atoms/cm2で注入して、n型エクステンション12を形成する。
次に、図1(G)に示すように、p型ウェル3側の活性領域をホトレジストPR2で覆い、ゲート26及びスペーサ構造31をマスクとして、n型ウェル23に、p型不純物として例えばBを、加速エネルギ0.5keV、ドーズ量1×1015atoms/cm2で注入して、p型エクステンション32を形成する。
次に、図1(H)に示すように、ゲート6とスペーサ構造11、及び、ゲート26とスペーサ構造31を覆って全面に、酸化シリコンからなるサイドウォール絶縁膜13を、例えばCVDで厚さ50nm形成する。
次に、図1(I)に示すように、フロロカーボン系のガスプラズマを用いたRIEで、サイドウォール絶縁膜13を異方性エッチングして、スペーサ構造11及び31の側壁上の部分のみを残すことにより、サイドウォール14、34を形成する。なお、サイドウォールを形成する膜は酸化シリコン膜に限らず、必要に応じて、酸窒化シリコン膜や窒化シリコン膜としてもよい。
次に、図1(J)に示すように、n型ウェル23側の活性領域をホトレジストPR3で覆い、ゲート6、スペーサ構造11、及びサイドウォール14をマスクとし、n型不純物として例えばPを加速エネルギ6keV(またはAsを加速エネルギ20keV)、ドーズ量1×1016atoms/cm2で注入して、エクステンション12よりも高濃度で、深い領域に、n型ソース/ドレイン領域15を形成する。なお、ゲート電極5上面にもn型不純物がドープされる。
次に、図1(K)に示すように、p型ウェル3側の活性領域をホトレジストPR4で覆い、ゲート26、スペーサ構造31、及びサイドウォール34をマスクとし、p型不純物として例えばBを、加速エネルギ3keV、ドーズ量4×1015atoms/cm2で注入して、エクステンション32よりも高濃度で、深い領域に、p型ソース/ドレイン領域35を形成する。なお、ゲート電極25上面にもp型不純物がドープされる。
このようにして、p型ウェル3側にnMOSトランジスタが形成され、n型ウェル23側にpMOSトランジスタが形成される。この後、ソース/ドレイン領域15、35、及び、ゲート電極5、25の表面をシリサイド化し、その上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜にコンタクト孔をエッチングし、導電性プラグを埋め込む。さらに、上方に配線層が形成される。シリサイド化、層間絶縁膜、配線層の形成等には、公知の方法を用いることができる。
以上説明したように、スペーサ絶縁膜の下にバリア絶縁膜が配置された状態で、スペーサを形成する異方性エッチングを行うことにより、基板表面の変質ダメージ層の形成が抑制され、エクステンションを良好に形成できる。
なお、実施例のスペーサ構造では、スペーサと、基板表面及びゲート側壁との間に、バリア絶縁膜が介在する。このため、斜め注入でエクステンションを形成する場合において、スペーサを透過したイオンがゲート直下のゲート絶縁膜にダメージを与えることを抑制可能である。
なお、上記実施例では、バリア絶縁膜の厚さを例えば2nmとした。図4(B)を参照して説明したように、変質ダメージ層の深さはシリコン基板表面から2nm程度であるので、シリコンよりも物質透過防止能力が高いバリア絶縁膜の厚さは、例えば変質ダメージ層の深さと同程度である2nmにすればよいであろう。
上述のイオン阻止能力を目安として、バリア絶縁膜の厚さは、変質ダメージ層の深さの半分程度の1nm程度まで薄くしてもよいであろう。なお、バリア絶縁膜を不必要に厚くする必要もないので、バリア絶縁膜の厚さの上限は、例えば変質ダメージ層の深さの1.5倍程度の3nm程度とすればよいであろう。つまり、バリア絶縁膜の厚さは、1nm以上3nm以下の範囲とすればよいであろう。
なお、バリア絶縁膜を堆積する前に、厚さ1nm以下の酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または窒化シリコン膜を堆積し、その上に厚さ1nm以上2nm以下のバリア絶縁膜を積層するようにしてもよい。
バリア絶縁膜とスペーサとの積層の厚さは、上述の実施例では9nm(バリア絶縁膜2nm+スペーサ絶縁膜7nm)としたが、厚さはこれに限らず、8nm以上12nm以下の範囲であれば好適であろう。
上述の実施例では、HfO2からなるバリア絶縁膜を、熱濃硫酸と過酸化水素水との混合液によりエッチングしたが、他の薬液でエッチングしてもよい。例えば、110℃以上180℃以下の熱濃硫酸や、130℃以上180℃以下の熱濃燐酸、あるいはフッ化水素水を用いても、HfO2が除去される。ただし、フッ化水素水を用いる場合は、スペーサやSTIの後退が生じるので注意が必要である。
HfO2を、濃硫酸を主成分として含む薬液(濃硫酸や、濃硫酸と過酸化水素水の混合溶液など)でエッチングできる温度条件は、80℃以上200℃以下の範囲となろう。実験事実として、80℃より低温ではエッチング速度が遅くなりすぎる。また温度上限は不必要に高くしなくてよく、例えば200℃程度までなら通常の薬液処理槽での処理が容易である。
上述の実施例では、バリア絶縁膜形成工程や、スペーサ絶縁膜形成工程を、HfO2が結晶化しない、800℃より低い温度(より好ましくは500℃以下)で行っており、HfO2は非晶質状態を保つ。非晶質状態のHfO2は、薬液で容易に溶解除去できる。
なお、例えば、スペーサとなる酸化シリコン膜をCVDで形成するときの温度が充分に下げられず、HfO2が仮に結晶化したとしても、スペーサを残すRIE時のプラズマ曝露で、HfO2を非晶質にすることができる。非晶質となったHfO2を、容易に溶解除去することができる。
なお、HfO2をウエットエッチングで除去する以外の方法でも、基板やゲート電極、素子分離領域へのダメージを抑えて、HfO2を除去できる。例えば、CCl4中で500℃に加熱し、HfO2をHfCl4に変化させ、昇華させて除去することができる。HfCl4は320℃の加熱によって昇華することが知られている。このように、塩素を含むガスとの熱反応でいったん塩化物とし、この塩化物を昇華させることにより、HfO2を除去することもできる。
なお、上述の実施例では、バリア絶縁膜の材料としてHfO2を用いたが、他の材料を用いることもできるであろう。基本的に、HfO2のように、原子番号の大きな重い原子の酸化物を用いると、物質透過防止能力の高いバリア絶縁膜ができるであろう。なお、酸化物に限らず、窒化物や酸窒化物であってもよいであろう。
このような材料のうち、特に、高誘電体材料が、実際の素子作製に好適であろう。例えば、Sc、Ti、Sr、Y、Zr、Hf、Ta、Laのいずれかまたはこれらの合金の、酸化物、窒化物、または酸窒化物が好適であろう。HfO2の他には、例えば、Sc2O3、TiO2、SrO、Y2O5、ZrO2、Ta2O5、La2O5が挙げられる。なお、Ti、Zrは、Hfと同族である。
これらの材料をバリア絶縁膜に用いた場合の除去方法について説明する。Ta2O5、SrOはアルカリに溶解し、Y2O5、La2O5は酸に溶解し、Sc2O3は熱酸に溶解し、TiO2、ZrO2は硫酸に溶解するため、酸またはアルカリ薬液によるウエットエッチングでの除去が可能である。
なお、ウエットエッチングで除去できないバリア絶縁膜に対しては、以下のような除去方法も用いられよう。TiO2、ZrO2、Ta2O5を用いた場合、塩化物や臭化物は400℃以下で気化する。このため、例えば、塩素を含むガスや臭素を含むガスのプラズマによるRIEで、ハロゲン化物にして除去することができよう。このように、(炭素を含まない)ハロゲン化合物またはハロゲンガスのプラズマまたはラジカルによるバリア絶縁膜の除去方法も有効であろう。また、基板を加熱することが効果的であろう。なお、このような方法はHfO2にも適用可能である。
蒸気圧が低くてガス化が困難な場合は、不活性ガス(Ar、Xeなど)のイオン照射(ミリング)によって除去することもできよう。
次に、第2実施例のトランジスタの製造方法について説明する。図2(A)〜図2(E)は、第2の実施例のトランジスタ製造方法を説明するための概略断面図である。第1の実施例との違いは、ゲート絶縁膜として高誘電体材料を含む膜を用い、ゲート絶縁膜とバリア絶縁膜とを共通とすることである。
図2(A)に示すように、第1の実施例と同様にして、p型ウェル3及びn型ウェル23を形成する。p型ウェル3及びn型ウェル23を覆って全面に、例えばHfO2膜からなるバリア絶縁膜(ゲート絶縁膜)7aを形成し、さらにバリア絶縁膜7a上に例えばポリシリコン膜を形成し、ポリシリコン膜をパターンニングして、p型ウェル3側にゲート電極5a、n型ウェル23側にゲート電極25aを形成する。
次に、図2(B)に示すように、ゲート電極5a及び25aを覆って、バリア絶縁膜7a上全面に、スペーサ絶縁膜8aを形成する。
次に、図2(C)に示すように、フロロカーボン系のガスプラズマを用いたRIEで、スペーサ絶縁膜8aをエッチングして、ゲート電極5aの側壁上にスペーサ9aを、ゲート電極25aの側壁上にスペーサ29aを形成する。
スペーサ絶縁膜8aの形成方法、及び、スペーサ9a、29aを残すエッチング方法は、第1の実施例と同様である。バリア絶縁膜7aにより、第1の実施例と同様に、炭素がシリコン基板表面に達することが妨げられ、変質ダメージ層の形成が抑制される。
次に、図2(D)に示すように、p型ウェル3、n型ウェル23、及び、素子分離領域2上の、露出したバリア絶縁膜(ゲート絶縁膜)7aを、第1の実施例と同様にして除去する。スペーサ9a及びゲート電極5aとp型ウェル3との間にゲート絶縁膜4aが残り、スペーサ29a及びゲート電極25aとn型ウェル23との間にゲート絶縁膜24aが残る。
ゲート電極5a側壁上に形成されたスペーサ9aの下に、バリア絶縁膜としてゲート絶縁膜4aの端部が配置されたスペーサ構造11aと、ゲート電極25a側壁上に形成されたスペーサ29aの下に、バリア絶縁膜としてゲート絶縁膜24aの端部が配置されたスペーサ構造31aとが形成される。ゲート電極5aとゲート絶縁膜4aがゲート6aを構成し、ゲート電極25aとゲート絶縁膜24aがゲート26aを構成する。
以後、図2(E)に示すように、ゲート6a、スペーサ構造11aをマスクとするイオン注入でp型ウェル3側のn型エクステンション12aが形成され、ゲート26a、スペーサ構造31aをマスクとするイオン注入でn型ウェル23側のp型エクステンション32aが形成され、スペーサ構造11a、31aの側壁上にサイドウォール14a、34aがそれぞれ形成され、ゲート電極5a、スペーサ構造11a、サイドウォール14aをマスクとするイオン注入でp型ウェル3側のn型ソース/ドレイン領域15aが形成され、ゲート電極25a、スペーサ構造31a、サイドウォール34aをマスクとするイオン注入でn型ウェル23側のp型ソース/ドレイン領域35aが形成されて、nMOSトランジスタ及びpMOSトランジスタが形成される。
なお、第2の実施例のスペーサ構造でも、第1の実施例と同様に、スペーサと、基板表面との間に、バリア絶縁膜が介在する。このため、斜め注入でエクステンションを形成する場合において、スペーサを透過したイオンがゲート直下のゲート絶縁膜にダメージを与えることを抑制可能である。
なお、第2の実施例で、バリア絶縁膜(ゲート絶縁膜)は、基板表面の熱酸化シリコン膜の上に、Hf等を含む高誘電体膜を積層した構造としてもよい。例えば、高誘電体膜を除去した下に、熱酸化シリコン膜が残る。
なお、以上の実施例で、プレーナ型のトランジスタについて説明したが、実施例のスペーサ構造は、それに限らず、シリコンオンインシュレーター(SOI)やシリコンゲルマニウム上の歪シリコン、エレベーティッドSiGeなどのデバイスに利用することもできよう。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
以下、本発明の特徴を付記する。
(付記1)
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲートを覆って、前記半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、
前記バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、
露出した前記バリア絶縁膜を除去する工程と、
前記ゲート及びスペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、
前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、
前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記半導体基板はシリコン基板であり、前記スペーサ絶縁膜を除去する工程において、前記異方性エッチングは、フロロカーボン系のガスプラズマを用いた反応性イオンエッチングである付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、ウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記バリア絶縁膜を形成する工程で、前記高誘電体材料は、Sc、Ti、Sr、Y、Zr、Hf、Ta、Laのいずれかまたはこれらの合金の、酸化物、窒化物、または酸窒化物である付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、酸またはアルカリ薬液によるウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、炭素を含まないハロゲン化合物またはハロゲンガスのプラズマまたはラジカルにより前記バリア絶縁膜を除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、不活性ガスのイオン照射で前記バリア絶縁膜を除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記バリア絶縁膜を形成する工程で、前記高誘電体材料はHfO2である付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、80℃以上200℃以下の濃硫酸を含む薬液によるウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、110℃以上150℃以下の熱濃硫酸と過酸化水素水との混合液、110℃以上180℃以下の熱濃硫酸、130℃以上180℃以下の熱濃燐酸、またはフッ化水素水によるウエットエッチングで、前記バリア絶縁膜を除去する付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、前記バリア絶縁膜を、塩素を含むガスと反応させて塩化物とし、該塩化物を昇華させることにより除去する付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記12)
前記バリア絶縁膜を形成する工程で、前記高誘電体材料は、HfO2、TiO2、ZrO2、またはTa2O5であり、前記バリア絶縁膜を除去する工程は、該バリア絶縁膜を、炭素を含まず塩素または臭素を含むガスのプラズマによる反応性イオンエッチングで除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13)
前記バリア絶縁膜の厚さは、1nm以上3nm以下である付記1〜12のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記14)
さらに、前記バリア絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート電極が積層されたゲートを覆って、厚さ1nm以下の酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または窒化シリコン膜を形成する工程を有し、この膜の上に、厚さ1nm以上2nm以下の該バリア絶縁膜を形成する付記1〜12のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記15)
前記バリア絶縁膜と前記スペーサ絶縁膜との積層の厚さは、8nm以上12nm以下である付記1〜14のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)
半導体基板上に、高誘電体材料を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、前記ゲート絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲート電極の側壁上にスペーサを残して除去する工程と、
露出した前記ゲート絶縁膜を、前記スペーサ及び前記ゲート電極の下に配置された部分を残して除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲート、及び前記スペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、
前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、
前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記1)
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲートを覆って、前記半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、
前記バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、
露出した前記バリア絶縁膜を除去する工程と、
前記ゲート及びスペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、
前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、
前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記半導体基板はシリコン基板であり、前記スペーサ絶縁膜を除去する工程において、前記異方性エッチングは、フロロカーボン系のガスプラズマを用いた反応性イオンエッチングである付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、ウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記バリア絶縁膜を形成する工程で、前記高誘電体材料は、Sc、Ti、Sr、Y、Zr、Hf、Ta、Laのいずれかまたはこれらの合金の、酸化物、窒化物、または酸窒化物である付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、酸またはアルカリ薬液によるウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、炭素を含まないハロゲン化合物またはハロゲンガスのプラズマまたはラジカルにより前記バリア絶縁膜を除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、不活性ガスのイオン照射で前記バリア絶縁膜を除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記バリア絶縁膜を形成する工程で、前記高誘電体材料はHfO2である付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、80℃以上200℃以下の濃硫酸を含む薬液によるウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、110℃以上150℃以下の熱濃硫酸と過酸化水素水との混合液、110℃以上180℃以下の熱濃硫酸、130℃以上180℃以下の熱濃燐酸、またはフッ化水素水によるウエットエッチングで、前記バリア絶縁膜を除去する付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)
前記バリア絶縁膜を除去する工程は、前記バリア絶縁膜を、塩素を含むガスと反応させて塩化物とし、該塩化物を昇華させることにより除去する付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記12)
前記バリア絶縁膜を形成する工程で、前記高誘電体材料は、HfO2、TiO2、ZrO2、またはTa2O5であり、前記バリア絶縁膜を除去する工程は、該バリア絶縁膜を、炭素を含まず塩素または臭素を含むガスのプラズマによる反応性イオンエッチングで除去する付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13)
前記バリア絶縁膜の厚さは、1nm以上3nm以下である付記1〜12のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記14)
さらに、前記バリア絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート電極が積層されたゲートを覆って、厚さ1nm以下の酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または窒化シリコン膜を形成する工程を有し、この膜の上に、厚さ1nm以上2nm以下の該バリア絶縁膜を形成する付記1〜12のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記15)
前記バリア絶縁膜と前記スペーサ絶縁膜との積層の厚さは、8nm以上12nm以下である付記1〜14のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)
半導体基板上に、高誘電体材料を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、前記ゲート絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲート電極の側壁上にスペーサを残して除去する工程と、
露出した前記ゲート絶縁膜を、前記スペーサ及び前記ゲート電極の下に配置された部分を残して除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲート、及び前記スペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、
前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、
前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
1 シリコン基板
2 素子分離領域
3 p型ウェル
23 n型ウェル
4、24 ゲート絶縁膜
5、25 ゲート電極
6、26 ゲート
7 バリア絶縁膜
8 酸化シリコン膜(スペーサ絶縁膜)
9、29 スペーサ
10、30 バリア絶縁膜
11、31 スペーサ構造
12、32 エクステンション
13 酸化シリコン膜(サイドウォール絶縁膜)
14、34 サイドウォール
15、35 ソース/ドレイン領域
2 素子分離領域
3 p型ウェル
23 n型ウェル
4、24 ゲート絶縁膜
5、25 ゲート電極
6、26 ゲート
7 バリア絶縁膜
8 酸化シリコン膜(スペーサ絶縁膜)
9、29 スペーサ
10、30 バリア絶縁膜
11、31 スペーサ構造
12、32 エクステンション
13 酸化シリコン膜(サイドウォール絶縁膜)
14、34 サイドウォール
15、35 ソース/ドレイン領域
Claims (6)
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲートを覆って、前記半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、
前記バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、
露出した前記バリア絶縁膜を除去する工程と、
前記ゲート及びスペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、
前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、
前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板はシリコン基板であり、前記スペーサ絶縁膜を除去する工程において、前記異方性エッチングは、フロロカーボン系のガスプラズマを用いた反応性イオンエッチングである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリア絶縁膜を除去する工程は、ウエットエッチングで前記バリア絶縁膜を除去する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリア絶縁膜の厚さは、1nm以上3nm以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリア絶縁膜と前記スペーサ絶縁膜との積層の厚さは、8nm以上12nm以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に、高誘電体材料を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、前記ゲート絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、前記ゲート電極の側壁上にスペーサを残して除去する工程と、
露出した前記ゲート絶縁膜を、前記スペーサ及び前記ゲート電極の下に配置された部分を残して除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜に前記ゲート電極が積層されたゲート、及び前記スペーサをマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、
前記ゲート及びスペーサを覆って、前記半導体基板上に、サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を、異方性エッチングして、前記スペーサの側壁上にサイドウォールを残して除去する工程と、
前記ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に、前記エクステンションの形成時よりも高い濃度の不純物を注入し、ソース/ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008008826A JP2009170751A (ja) | 2008-01-18 | 2008-01-18 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2008008826A JP2009170751A (ja) | 2008-01-18 | 2008-01-18 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017143302A (ja) * | 2011-03-28 | 2017-08-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 化学的に改変されたスペーサ表面を有する集積回路 |
CN113745214A (zh) * | 2020-05-29 | 2021-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
JP7142611B2 (ja) | 2014-06-16 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
-
2008
- 2008-01-18 JP JP2008008826A patent/JP2009170751A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017143302A (ja) * | 2011-03-28 | 2017-08-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 化学的に改変されたスペーサ表面を有する集積回路 |
JP2019145825A (ja) * | 2011-03-28 | 2019-08-29 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 化学的に改変されたスペーサ表面を有する集積回路 |
JP7142611B2 (ja) | 2014-06-16 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
CN113745214A (zh) * | 2020-05-29 | 2021-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
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