JP7142611B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理システム1の構成例について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態にかかる基板処理システム1の構成例を示す。基板処理システム1は、in-situで基板を処理するプロセスチャンバPC(以下、単に「PC」という。)1と、ex-situで基板を処理するプロセスチャンバPC2とを有する。PC1とPC2とは、別体の異なるチャンバである。
(PC1:エッチング装置)
図2を参照しながら、一実施形態にかかるPC1及びPC2の構成例について簡単に説明する。図2は、一実施形態にかかる基板処理システム1(PC1及びPC2を含む)の縦断面を示す。ただし、図2は、PC1及びPC2の一構成例であり、これらの構成に限るものではない。例えば、PC1は、容量結合型プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)装置の構成例であるが、かかる装置だけでなく、その他の基板処理装置に適用可能である。その他の基板処理装置としては、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)、ラジアルラインスロットアンテナを用いたCVD(Chemical Vapor Deposition)装置、ヘリコン波励起型プラズマ(HWP:Helicon Wave Plasma)装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ(ECR:Electron Cyclotron Resonance Plasma)装置等が挙げられる。
PC2は、有天井の円筒状の外壁22と、外壁22の内側に設けられた内壁24とを有している。外壁22及び内壁24は、例えば石英から形成されている。内壁24の内側の処理室30には、複数の基板Wが収容されている。PC2は、複数の基板に対して一括して成膜処理を施す。外壁22と内壁24とは、環状空間26を隔て、互いに離れており、各々の下端部においてベース材28に接合されている。
次に、図3を参照しながら、エッチングパターンに形成されるボーイング形状について説明する。図3(a)に示すように、シリコン基板125上には、シリコン酸化膜(SiO2)126、シリコン窒化膜(SiN)127及びポリシリコンマスク128が形成されている。
図4は、本実施形態にかかる基板処理方法を示す。図4の[a]は、シリコン基板125上のシリコン酸化膜126のエッチング前の状態を示す。シリコン基板125上に、シリコン酸化膜126、シリコン窒化膜127及びポリシリコンマスク128が形成されている。なお、ポリシリコンマスク128は、アモルファスシリコンマスク、金属含有マスクであってもよい。また、シリコン窒化膜127はなくてもよい。
本実施形態にかかる基板処理方法では、まず、シリコン基板125がPC1に搬入される。PC1は、シリコン窒化膜127及びシリコン酸化膜126をエッチングする。その際、図4の[b]に示すように、PC1は、シリコン酸化膜126を途中までエッチングする(第1のエッチング工程)。このとき「途中までエッチングする」とは、シリコン酸化膜126を概ね半分エッチングする場合に限らず、ボーイング形状が発生する前まで(ボーイングが発生しない間)、シリコン酸化膜126をエッチングすることができる。
次に、基板125はPC1から搬出され、PC2に搬入される。図4の[c]に示すように、PC2は、エッチングされたシリコン酸化膜126上にカーボン膜130を成膜する。これにより、シリコン酸化膜126に形成されたパターンの内壁に均一にカーボン膜130が成膜される(成膜工程)。なお、シリコン酸化膜126上に成膜される膜は、カーボン膜130に限らず、カーボン含有膜であってもよい。
図4に戻り、成膜後、基板125がPC2から搬出され、PC1に搬入される。図4の[d]に示すように、PC1は、シリコン酸化膜126を更にエッチングする(第2のエッチング工程)。フルエッチングでは、カーボン膜130がシリコン酸化膜126の側壁を保護膜し、エッチングパターンにボーイング形状が生じることを抑制する。
次に、図4の[e]に示すように、PC1は、第2のエッチング工程後にアッシング処理を行い、カーボン膜130を除去する(第2のアッシング工程)。アッシングには、酸素ガスから生成される酸素プラズマが用いられてもよい。
図6には、一実施形態にかかる基板処理方法を実行したときの効果の一例を示す。図6の[b]は、ハーフエッチング後(図4の[b])のパターンを示し、図6の[f]は、カーボン膜を成膜していない場合のフルエッチング後のパターンを示し、図6の[e]は、1nmの厚さのカーボン膜を成膜した場合のフルエッチング後(図4の[d])のパターンを示す。図6の[h]は、1nmの厚さのカーボン膜を成膜し、さらにモノシラン(SiH4)によるトリートメントを行った後にフルエッチングした後のパターンを示す。なお、図6は、シリコン窒化膜127が積層されていない場合の例を示す。
次に、本実施形態の変形例1にかかる基板処理方法について、図7及び図8を参照しながら説明する。図7は、本実施形態の変形例1にかかる基板処理方法を示す。図8には、一実施形態の変形例1にかかる基板処理方法を実行したときの効果の一例を示す。
本実施形態の変形例1にかかる基板処理方法の効果及びカーボン膜の厚さによる効果の一例について図8を参照して説明する。なお、図8は、シリコン窒化膜127が積層されている場合の例を示す。
次に、本実施形態の変形例2にかかる基板処理方法について、図9を参照しながら説明する。図9は、本実施形態の変形例2にかかる基板処理方法を実行したときの効果の一例を示す。上記実施形態及びその変形例1にかかる基板処理方法は、保護膜としてカーボン膜を成膜したが、変形例2にかかる基板処理方法は、カーボン膜の代わりにシリコン膜を成膜する。
2:搬送機構
12:載置台
14:高周波電源
16:シャワーヘッド
22:外壁
24:内壁
30:処理室
40:制御部
42:記憶部
52:搬送装置
125:シリコン基板
126:シリコン酸化膜
127:シリコン窒化膜
128:ポリシリコンマスク
130:カーボン膜
131:反応生成物
PC1,PC2:プロセスチャンバ
TC:トランスファーチャンバ
T:トップCD(Top CD)
B:ボーイングCD(Bowing CD)
Claims (20)
- チャンバと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給手段と、
前記チャンバ内のガスを排気する排気手段と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
(a)前記チャンバ内でシリコン酸化膜又はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜であるエッチング対象膜をプラズマエッチングして、前記エッチング対象膜に凹部を形成する工程、
(b)プラズマを生成して、前記チャンバ内で前記(a)により形成した前記凹部の側壁に、前記凹部の上部側よりも前記凹部の底部側で薄い保護膜を形成する工程、及び
(c)前記チャンバ内で前記凹部をプラズマエッチングする工程、
を含む処理を実行する、処理装置。 - 第1のチャンバと、
前記第1のチャンバとは別の第2のチャンバと、
前記第1のチャンバ及び前記第2のチャンバ内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記第1のチャンバ及び前記第2のチャンバ内のガスを排気する排気手段と、
制御部と
を備え、
前記制御部は、
(a)前記第1のチャンバ内でシリコン酸化膜又はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜であるエッチング対象膜をプラズマエッチングして、前記エッチング対象膜に凹部を形成する工程、
(b)前記第2のチャンバ内で前記凹部に前記凹部の側壁を保護する保護膜を形成する工程、及び、
(c)前記第1のチャンバ内で前記凹部をプラズマエッチングする工程、
を含み、
前記(b)の処理は、前記第2のチャンバ内で前記凹部の側壁に、カーボン含有膜とシリコン含有膜と、を含む保護膜を形成することを含み、ガス種を変更して連続して行われる、
処理を実行する、処理装置。 - 前記凹部を形成する工程を、ボーイング形状が発生する前まで行う、
請求項1又は2に記載の処理装置。 - 前記凹部を形成する工程の後に、前記エッチング対象膜の上のマスクに付着した反応生成物をアッシングする第1のアッシング工程をさらに有する、
請求項1~3のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜は、前記凹部の少なくとも側壁に均一に形成される、
請求項2又は請求項2に従属する請求項3、4のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記エッチング対象膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜である、
請求項1~5のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記エッチング対象膜の上にマスクを有し、前記マスクは、ポリシリコン、アモルファスカーボン、アモルファスシリコン及び金属含有材料からなる群より選ばれる少なくとも1つを含む、
請求項1~4のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記エッチング対象膜の上にマスクを有し、前記マスクは、アモルファスカーボン又はアモルファスシリコンである、
請求項1~4のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜はカーボンを含む、
請求項1又は請求項1に従属する請求項3、4及び6~8のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜を形成する工程は、炭化水素を含む成膜ガスにより前記保護膜を形成する、
請求項7に記載の処理装置。 - 前記成膜ガスは、塩素ガス又は不活性ガスをさらに含む、
請求項10に記載の処理装置。 - 前記保護膜はシリコンを含む、
請求項1又は請求項1に従属する請求項3、4及び6~11のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜を形成する工程は、シリコンを含むガスにより前記保護膜を形成する、
請求項12に記載の処理装置。 - 前記保護膜は、カーボン膜とシリコン膜との積層膜を2層以上含む、
請求項1~7のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜を形成する工程は、カーボン膜を先に成膜し、その後にシリコン膜を成膜する、
請求項14に記載の処理装置。 - 前記保護膜の厚さは、1nm~2nmである、
請求項1~15のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記凹部を形成する工程及び前記凹部をプラズマエッチンする工程は、フッ化炭素を含むエッチングガスから生成したプラズマにより前記エッチング対象膜をエッチングする、
請求項1~16のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜を形成する工程と、前記凹部をプラズマエッチングする工程とを含むサイクルを複数回繰り返す、
請求項1~17のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記凹部をプラズマエッチングする工程の後に、前記保護膜をアッシングする第2のアッシング工程をさらに有する、
請求項1~18のいずれか一項に記載の処理装置。 - 前記保護膜を形成する工程の後であって前記凹部をプラズマエッチングする工程の前にモノシランの単一ガス又はモノシランを含む混合ガスによるトリートメントを行う、
請求項1~19のいずれか一項に記載の処理装置。
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