JP5074009B2 - 高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法及びその装置並びにその製造プログラム - Google Patents
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Description
20 第1プロセスチャンバー
21,31 ステージ
22a,22b,22c,22d,32a,32b,42a ガスボンベ
23a,23b,23c,23d,33a,33b,43a ガス流量調整器
24 コイル
25,36a 第1高周波電源
26,36b 第2高周波電源
27,37,47 真空ポンプ
28,38,48 排気流量調整器
29,39,49 制御部
30 第2プロセスチャンバー
32c TEOS用キャビネット
33c,43b,43c 液体流量調整器
34a,34b,44a,44b ヒーター
35 シャワーヘッドガス導入部
40 第3プロセスチャンバー
41 基板支持具
42b メタノール用キャビネット
42c フッ化水素用キャビネット
45 導入用拡散板
46 排気用拡散板
50 基板搬送用チャンバー
51 レジストマスク
52 エッチングされた部分の内壁面
53,55 側壁保護膜
54,56 シリコン酸化膜
100 エッチングマスク製造装置
Claims (13)
- ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつ前記ホール又は前記トレンチの少なくとも底面のシリコンが実質的に露出しているシリコン構造体上にCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜を形成する工程の後に前記シリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程とを含むことにより、
前記シリコン構造体上にシリコン構造体用のエッチングマスクを形成する、
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法。 - エッチングガスと有機堆積物形成ガスを交互に又は混合させて形成されるプラズマを用いてホールエッチング又はトレンチエッチングされたシリコン構造体上の有機堆積物を酸素又は酸素含有気体を用いて形成されるプラズマによりエッチングする工程と、
前記有機堆積物をエッチングする工程の後にCVD法により前記シリコン構造体上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜を形成する工程の後に前記シリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程とを含むことにより、
前記シリコン構造体上にシリコン構造体用のエッチングマスクを形成する、
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法。 - エッチングガスと有機堆積物形成ガスを交互に又は混合させて形成されるプラズマを用いてホールエッチング又はトレンチエッチングされたシリコン構造体上の有機堆積物を酸素又は酸素含有気体を用いて形成されるプラズマによりエッチングする工程と、
前記有機堆積物をエッチングする工程の後にCVD法により前記シリコン構造体上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜を形成する工程の後に前記シリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程と、
前記有機堆積物をエッチングする工程、前記シリコン酸化膜を形成する工程及び前記曝露する工程を、前記シリコン構造体を前記ホールエッチングする工程又は前記トレンチエッチングする工程を介して少なくとももう1回繰り返す工程とを含むことにより、
前記シリコン構造体上にシリコン構造体用のエッチングマスクを形成する、
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法。 - 前記シリコン酸化膜を形成する工程及び前記曝露する工程が、ホールのアスペクト比が15以上であるときに行われる
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエッチングマスクの製造方法。 - 前記シリコン酸化膜を形成する工程及び前記曝露する工程が、トレンチのアスペクト比が30以上であるときに行われる
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエッチングマスクの製造方法。 - 前記ホールエッチング又はトレンチエッチングされたシリコン構造体は、最初の前記エッチング工程が行われる前にレジストマスクを備えている
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエッチングマスクの製造方法。 - 前記ホールの入り口の最短の幅が30μm以下である
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエッチングマスクの製造方法。 - 前記トレンチの入り口の最短の幅が15μm以下である
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエッチングマスクの製造方法。 - エッチングガスと有機堆積物形成ガスを交互に又は混合させて形成されるプラズマを用いてホールエッチング又はトレンチエッチングされたシリコン構造体上の有機堆積物を酸素又は酸素含有気体を用いて形成されるプラズマによりエッチングするチャンバーと、
CVD法により前記シリコン構造体上にシリコン酸化膜を形成するチャンバーと、
前記シリコン構造体上をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露するチャンバーと、
前記シリコン構造体を外気に曝すことなく前記各チャンバー間を、前記酸素又は酸素含有気体を用いて形成されるプラズマによりエッチングするチャンバー、前記シリコン酸化膜を形成するチャンバー、前記気体に曝露するチャンバーの順に搬送する搬送手段と、
を有することにより、前記シリコン構造体上にシリコン構造体用のエッチングマスクを形成する、
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造装置。 - コンピュータに、ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつ前記ホール又は前記トレンチの少なくとも底面のシリコンが実質的に露出しているシリコン構造体上にCVD法によりシリコン酸化膜を形成するステップと、
前記シリコン酸化膜を形成するステップの後に前記シリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露するステップと、
を実行させることにより、前記シリコン構造体上にシリコン構造体用のエッチングマスクを形成する、
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造プログラム。 - コンピュータに、エッチングガスと有機堆積物形成ガスを交互に又は混合させて形成されるプラズマを用いてホールエッチング又はトレンチエッチングされたシリコン構造体上の有機堆積物を酸素又は酸素含有気体を用いて形成されるプラズマによりエッチングするステップと、
前記有機堆積物をエッチングするステップの後にCVD法により前記シリコン構造体上にシリコン酸化膜を形成するステップと、
前記シリコン酸化膜を形成するステップの後に前記シリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露するステップと、
を実行させることにより、前記シリコン構造体上にシリコン構造体用のエッチングマスクを形成する、
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造プログラム。 - 請求項10又は請求項11に記載の製造プログラムを記録した記録媒体。
- 請求項10又は請求項11に記載の製造プログラムにより制御される制御部を備えた
高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造装置。
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