JP7375069B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7375069B2 JP7375069B2 JP2022034844A JP2022034844A JP7375069B2 JP 7375069 B2 JP7375069 B2 JP 7375069B2 JP 2022034844 A JP2022034844 A JP 2022034844A JP 2022034844 A JP2022034844 A JP 2022034844A JP 7375069 B2 JP7375069 B2 JP 7375069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- container
- pressure
- section
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 300
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 155
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 44
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 147
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 94
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本技術は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の一態様としては、例えば複数のリアクタ真空搬送装置の周囲に設けたクラスタ型装置が存在する(例えば特許文献1)。各リアクタは異なる処理を可能とし、例えばあるリアクタでは成膜処理を可能とし、他のリアクタでは改質処理を可能とする。リアクタで処理された基板は、真空搬送室を介して他のリアクタに移動したり、基板処理装置の外部に搬送されたりする。
上述のように、異なる処理が為されるリアクタが存在するため、リアクタ間では、各処理への影響を抑制することが望ましい。
本開示は、異なる処理が為されるリアクタが存在する場合であっても、リアクタ間での各処理への影響を抑制可能な技術を提供する。
本開示の一態様によれば、
基板を搬入出可能な搬入出口を構成する搬入出部と、前記基板を収納する処理室とを備えた第一容器と、
前記第一容器に隣接し、前記搬入出口を介して前記第一容器と連通可能な第二容器と、
前記搬入出口を閉塞可能な蓋体と、
前記搬入出部と蓋体との間に配される封止部材と、
前記基板を前記処理室で処理する間、前記蓋体が前記搬入出口を閉塞した状態で、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも低くし、前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くするよう制御可能な制御部と、
を有する技術が提供される。
基板を搬入出可能な搬入出口を構成する搬入出部と、前記基板を収納する処理室とを備えた第一容器と、
前記第一容器に隣接し、前記搬入出口を介して前記第一容器と連通可能な第二容器と、
前記搬入出口を閉塞可能な蓋体と、
前記搬入出部と蓋体との間に配される封止部材と、
前記基板を前記処理室で処理する間、前記蓋体が前記搬入出口を閉塞した状態で、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも低くし、前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くするよう制御可能な制御部と、
を有する技術が提供される。
本開示によれば、異なる処理が為されるリアクタが存在する場合であっても、リアクタ間での各処理への影響を抑制できる。
以下に、本態様の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面上の各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面上の各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
(1)基板処理装置の構成
本態様の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図1、図2を用いて説明する。図1は本技術に係る基板処理装置の構成例を示す横断面図である。図2は、本技術に係る基板処理装置の構成例を示し、図1α-αにおける縦断面図である。
本態様の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図1、図2を用いて説明する。図1は本技術に係る基板処理装置の構成例を示す横断面図である。図2は、本技術に係る基板処理装置の構成例を示し、図1α-αにおける縦断面図である。
図1及び図2において、本態様が適用される基板処理装置100は基板としての基板Sを処理するもので、IOステージ110、大気搬送室120、ロードロック室130、真空搬送室140、リアクタ200、リアクタ300で主に構成される。次に各構成について具体的に説明する。
基板処理装置100の手前には、IOステージ(ロードポート)110が設置されている。IOステージ110上には複数のポッド111が搭載されている。ポッド111はシリコン(Si)基板などの基板Sを搬送するキャリアとして用いられる。
IOステージ110は大気搬送室120に隣接する。大気搬送室120は、IOステージ110と異なる面に、後述するロードロック室130が連結される。大気搬送室120内には基板Sを移載する大気搬送ロボット122が設置されている。
大気搬送室120を構成する筐体127の前側には、基板Sを大気搬送室120に対して搬入搬出するための搬入搬出口128と、ポッドオープナ121とが設置されている。大気搬送室120の筐体127の後ろ側には、基板Sをロードロック室130に搬入搬出するための搬入搬出口129が設けられる。搬入搬出口129は、ゲートバルブ133によって開放・閉鎖することにより、基板Sの出し入れを可能とする。
ロードロック室130は大気搬送室120に隣接する。ロードロック室130を構成する筐体131が有する面のうち、大気搬送室120と異なる面には、後述する真空搬送室140が配置される。真空搬送室140は、ゲートバルブ134を介して接続される。
ロードロック室130内には基板Sを載置する載置面135を、少なくとも二つ有する基板載置台136が設置されている。載置面135間の距離は、後述する搬送ロボット180のアームが有するエンドエフェクタ間の距離に応じて設定される。
基板処理装置100は、負圧下で基板Sが搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室140を備えている。真空搬送室140を構成する筐体141は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室130及び基板Sを処理するリアクタ200(200a、200b及び200c)とリアクタ300とが連結されている。真空搬送室140の略中央部には、負圧下で基板Sを移載(搬送)する搬送部としての搬送ロボット180がフランジ144を基部として設置されている。
真空搬送室140内に設置される搬送ロボット180は、エレベータ145及びフランジ144によって真空搬送室140の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。搬送ロボット180が有する二つのアーム181は、エレベータ145によって昇降可能なよう構成されている。なお、図2においては、説明の便宜上、アーム181のエンドエフェクタを表示し、フランジ144と接続されるロボット軸等の構造は省略している。
真空搬送室140の外周には、リアクタ200(200a、200b及び200c)とリアクタ300とが接続される。各リアクタ200とリアクタ300とは真空搬送室140を中心に放射状に配される。
筐体141の側壁のうち、各リアクタ200とそれぞれ向かい合う壁及びリアクタ300と向かい合う壁には、搬入搬出口148がそれぞれ設けられる。例えば、図2に示すように、リアクタ200aと向かい合う壁には、搬入搬出口148aが設けられる。なお、リアクタ200b、200cもリアクタ200aと同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。また、例えばリアクタ300と向かい合う壁には、搬入搬出口148dとゲートバルブ149が設けられる。各リアクタ200、リアクタ300は真空搬送室140と連通するため、真空搬送室140の雰囲気が各リアクタに流れないよう、各リアクタ200及びリアクタ300も真空レベルで運用される。真空搬送室140と各リアクタの間で基板Sを搬入出する際は、更に各リアクタにて圧力調整が為される。
続いて、真空搬送室140に搭載される搬送ロボット180について説明する。
搬送ロボット180は、二つのアーム181を備える。アーム181は、基板Sを載置するエンドエフェクタを備える。
搬送ロボット180は、二つのアーム181を備える。アーム181は、基板Sを載置するエンドエフェクタを備える。
エレベータ145は、アーム181の昇降や回転を制御する。アーム181は、アーム軸を中心とした回転や延伸が可能である。回転や延伸を行うことで、リアクタ200やリアクタ300内に基板Sを搬送したり、リアクタ200やリアクタ300内から基板Sを搬出したりする。
<リアクタ200(バッチ装置)>
次に、図3を用いてリアクタ200a、200b及び200cについて説明する。リアクタ200a、200b及び200cはそれぞれ同様の構成であるため、ここでは一つのリアクタ200として説明する。各リアクタ200では、複数の処理が可能なよう構成される。以下に詳細を説明する。
次に、図3を用いてリアクタ200a、200b及び200cについて説明する。リアクタ200a、200b及び200cはそれぞれ同様の構成であるため、ここでは一つのリアクタ200として説明する。各リアクタ200では、複数の処理が可能なよう構成される。以下に詳細を説明する。
リアクタ200を構成する筐体201は、上方に反応管格納室210、下方に移載室270を備える。反応管格納室210内には主にヒータ211、内側反応管222が格納される。移載室270は真空搬送室140と連通可能な構成である。移載室270には、基板Sを搬入出するための搬入搬出口148(148a、148b、148c)が設けられる。搬入搬出口148は、ゲートバルブ149によって開閉される。ヒータ211は、鉛直方向に延伸された処理室222cの壁である内側反応管222の壁に沿って該壁から離隔して配置されている。ヒータ211は第一のヒータ、又は壁側ヒータとも呼ぶ。
移載室270は、内側反応管222の下部に設置され、内側反応管222と連通するよう構成される。移載室270では、搬入搬出口148を介して搬送ロボット180により基板Sを後述する基板支持具(以下、ボートと記す場合もある)240に載置(搭載)したり、搬送ロボット180により基板支持具240から基板Sを取り出したりすることが行われる。
<反応管>
続いて、反応管格納室210と、その内部に格納される内側反応管222について説明する。内側反応管222は、外側反応管221と内側反応管222とを備える。内側反応管222は、外側反応管221の内部に収納される。本態様においては、外側反応管221と内側反応管222とをまとめて第一容器と呼ぶ。
続いて、反応管格納室210と、その内部に格納される内側反応管222について説明する。内側反応管222は、外側反応管221と内側反応管222とを備える。内側反応管222は、外側反応管221の内部に収納される。本態様においては、外側反応管221と内側反応管222とをまとめて第一容器と呼ぶ。
外側反応管221は、内側反応管222とヒータ211との間に設けられている。図3においては外側反応管221内の雰囲気と内側反応管222内の雰囲気とは区画されるよう構成されている。外側反応管221のうち、内側反応管222を格納する部屋を内側反応管格納室221bと呼ぶ。このような構成に限らず、外側反応管221内の雰囲気と内側反応管222内の雰囲気とを連通させてもよい。
外側反応管221の下方には、フランジ部221aが設けられる。フランジ部221aは反応管格納室210を構成する壁に固定される。フランジ部221aの中心には孔が設けられており、そこには内側反応管222のフランジ部222aが挿入され、固定される。フランジ部221aとフランジ部222aとをまとめて炉口部222bと呼ぶ。
内側反応管222の上方は閉塞され、下方にはフランジ部222aが設けられている。フランジ部222aの中心には基板支持具240が通過する炉口部222bが設けられている。すなわち、フランジ部222aは、内側反応管222を構成する鉛直方向に延伸された壁の下方に設けられている。炉口部222bは基板支持具240が通過するものであるため、搬入出口とも呼ぶ。また、フランジ部222a、炉口部222bをまとめて搬入出部と呼ぶ。炉口部222bをフランジ部222aに含めてもよい。
内側反応管222は、基板支持具240に支持された基板Sを収容可能とする。内側反応管222にはガス供給部としてのノズル223が設けられる。ノズル223は複数の基板Sの配置方向である鉛直方向に延伸するよう構成される。ノズル223から供給されたガスは、各基板Sに供給される。
ノズル223は、例えばガス種ごとに設けられ、ここでは一例として三本のノズル223a、223b、223cを記載している。各ノズル223は水平方向において重ならないように配される。なお、図3においては説明の便宜上三本のノズル223を記載しているが、それに限るものではなく、基板処理の内容に合わせて四本以上配置されていてもよい。
次に、図4A、図4B、図4C及び図4Dを用いて各ノズル223にガスを供給可能なガス供給部を説明する。本態様においては、例えば後述する第一ガス供給部と第二ガス供給部とをまとめてガス供給部と呼ぶ。
最初に、図4Aを用いて、ノズル223aにガスを供給可能な第一ガス供給部224を説明する。ガス供給管224aには、上流方向から順に、第一ガス源224b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)224c、及び開閉弁であるバルブ224dが設けられている。ガス供給管224aはノズル223aと連通するよう構成される。
第一ガス源224bは第一元素を含有する第一ガス(「第一元素含有ガス」とも呼ぶ。)源である。第一元素含有ガスは、原料ガス、すなわち、処理ガスの一つである。ここで、第一元素は、例えばシリコン(Si)である。具体的にはヘキサクロロジシラン(Si2Cl6、略称:HCDS)ガス、モノクロロシラン(SiH3Cl、略称:MCS)ガス、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)、トリクロロシラン(SiHCl3、略称:TCS)ガス、テトラクロロシラン(SiCl4、略称:STC)ガス、オクタクロロトリシラン(Si3Cl8、略称:OCTS)ガス等のSi-Cl結合を含むクロロシラン原料ガスである。
主に、ガス供給管224a、MFC224c、バルブ224dにより、第一ガス供給部(シリコン含有ガス供給部ともいう)224が構成される。
ガス供給管224aのうち、バルブ224dの下流側には、ガス供給管224eが接続される。ガス供給管224eには、上流方向から順に、不活性ガス源224f、MFC224g、及びバルブ224hが設けられている。不活性ガス源224fからは不活性ガス、例えば窒素(N2)ガスが供給される。
主に、ガス供給管224e、MFC224g、バルブ224hにより、第一不活性ガス供給部が構成される。不活性ガス源224fから供給される不活性ガスは、基板処理工程において、第一ガスのキャリアガスや希釈ガスとして用いられる。第一不活性ガス供給部を第一ガス供給部に加えてもよい。
次に、図4Bを用いて、ノズル223bにガスを供給可能な第二ガス供給部225を説明する。ガス供給管225aには、上流方向から順に、第二ガス源225b、MFC225c、及びバルブ225dが設けられている。ガス供給管225aはノズル223bと連通するよう構成される。
第二ガス源225bは第二元素を含有する第二ガス(以下、「第二元素含有ガス」とも呼ぶ。)源である。第二元素含有ガスは、処理ガスの一つである。なお、第二元素含有ガスは、反応ガス又は改質ガスとして考えてもよい。
ここで、第二元素含有ガスは、第一元素と異なる第二元素を含有する。第二元素としては、例えば、酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)のいずれか一つである。本態様では、第二元素含有ガスは、例えば窒素含有ガスである。具体的には、アンモニア(NH3)、ジアゼン(N2H2)ガス、ヒドラジン(N2H4)ガス、N3H8ガス等のN-H結合を含む窒化水素系ガスである。
主に、ガス供給管225a、MFC225c、バルブ225dにより、第二ガス供給部(反応ガス供給部ともいう)225が構成される。
ガス供給管225aのうち、バルブ225dの下流側には、ガス供給管225eが接続される。ガス供給管225eには、上流方向から順に、不活性ガス源225f、MFC225g、及びバルブ225hが設けられている。不活性ガス源225fからは不活性ガスが供給される。
主に、ガス供給管225e、MFC225g、バルブ225hにより、第二不活性ガス供給部が構成される。不活性ガス源225fから供給される不活性ガスは、基板処理工程において、第二ガスのキャリアガスや希釈ガスとして用いられる。第二不活性ガス供給部を第二ガス供給部225に加えてもよい。
次に、図4Cを用いて、ノズル223cにガスを供給可能な不活性ガス供給部226を説明する。ガス供給管226aには、上流方向から順に、不活性ガス源226b、MFC226c、及びバルブ226dが設けられている。不活性ガス源226bから供給される不活性ガスは、例えば内側反応管222内の雰囲気をパージするパージガスや、内側反応管222の圧力を調整する圧力調整用ガスとして用いられる。ガス供給管226aはノズル223cと連通するよう構成される。
内側反応管222の雰囲気を排気する排気部230は、内側反応管222と連通する排気管231を有する。
排気管231には、開閉弁としてのバルブ232、圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ233を介して、真空排気装置としての真空ポンプ(図示省略)が接続されており、内側反応管222内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。排気部230には、圧力検出部234が設けられる。圧力検出部234は内側反応管222内の圧力を検出する機能を備える。また、後述する移載室270に設けられる排気部と区別するために、処理室排気部とも呼ぶ。
上述のガス供給部と排気部との協働により内側反応管222内の圧力が調整される。圧力を調整する際には、例えば圧力検出部234で検出した圧力値が所定の値になるよう調整される。このように第一容器内の雰囲気をガス供給部と排気部とで調整可能であるので、本態様においては、ガス供給部と排気部とをまとめて第一雰囲気制御部と呼ぶ。
内側反応管222のうち、基板Sが収納される領域を処理領域と呼び、処理領域を構成する区画を処理室222cと呼ぶ。本態様においては、内側反応管222で処理室222cが構成される。
<基板支持具(ボート)>
基板支持部は、少なくとも基板支持具240で構成される。基板支持具240は、移載室270の内部において搬送ロボット180により搬入搬出口148を介して基板Sの移し替えが行われる。また、基板支持具240は、移し替えた基板Sを内側反応管222の内部に搬送する。そして、内側反応管222の内部において基板Sの表面に薄膜を形成する等の処理が行われる。
基板支持部は、少なくとも基板支持具240で構成される。基板支持具240は、移載室270の内部において搬送ロボット180により搬入搬出口148を介して基板Sの移し替えが行われる。また、基板支持具240は、移し替えた基板Sを内側反応管222の内部に搬送する。そして、内側反応管222の内部において基板Sの表面に薄膜を形成する等の処理が行われる。
基板支持具240は、基板支持具240を上下方向に駆動する第1の駆動部としての昇降部241を備える。図3においては、基板支持具240は昇降部241によって上昇され、内側反応管222内に格納された状態を示す。また、基板支持具240は、基板支持具240を回転するよう駆動する第二の駆動部としての回転駆動部242を備える。
各駆動部は、支持台244を支持するシャフト243と接続される。支持台244には基板Sを支持可能な複数の支持柱246が設けられる。支持柱246は天板249を支持する。図3においては説明の便宜上、一つの支持柱246を記載している。支持柱246には、鉛直方向において複数の基板支持機構が所定の間隔で設けられ、複数の基板Sはそれぞれの基板支持機構に支持される。複数の支持柱246の下方は、断熱カバー245で覆われている。断熱カバー245は、基板処理領域内の熱が炉口部222b近傍に移動することを抑制するものであり、これにより基板処理領域内の均熱化を実現する。
基板支持具240は、複数の支持柱246で、複数枚、例えば5枚の基板Sを鉛直方向に多段に支持する。天板249及び複数の支持柱246は、例えば石英やSiC等の材料で形成される。なお、ここでは、基板支持具240に7枚の基板Sを支持した例を示すが、これに限るものではない。例えば、基板Sを5~50枚程度、支持可能に基板支持具240を構成してもよい。
基板支持具240は、昇降部241により、内側反応管222と移載室270との間の上下方向に移動され、回転駆動部242bにより基板支持具240で支持された基板Sの中心周りの回転方向に駆動される。
シャフト243には、炉口部222bを閉塞する蓋体247が固定部247aを介して固定される。蓋体247の径は、炉口部222bの径よりも大きくなるよう構成される。蓋体247には、蓋体247を加熱するヒータ247bが設けられる。内側反応管222のフランジ部222aには、封止部材としてのOリング248が設けられる。ヒータ247bは、内側反応管222の鉛直方向の温度を均一にするための補助構成である。ヒータ247bをオンにすることで、基板支持具240下方に配された基板Sの温度が上方に配された温度と同等に維持可能となる。ヒータ247bは、第二のヒータ、蓋側ヒータとも呼ぶ。
蓋体247は、例えば基板Sを処理する間、炉口部222bを閉塞する。蓋体247が炉口部222bを閉塞する際は、図3に示すように、蓋体247の上面がフランジ部222aに押し当てられる位置に設定されるよう、昇降部241が蓋体247を上昇させる。これにより、内側反応管222の内部を気密に保つことができる。なお後述するように、本態様においては移載室270内の圧力が処理室222c内の圧力よりも高く設定されることから、Oリング248は押しつぶされて変形し、フランジ部222aに圧着される。
なお、本態様においてはOリング248を内側反応管222のフランジ部222aに設けているが、それに限るものではなく、外側反応管221のフランジ部221aに設けてもよい。その場合、蓋体247の径を外側反応管221のフランジ部221aに設けたOリング248よりも大きくなるよう構成する。また、Oリング248を蓋体247に設けてもよい。この場合、Oリング248を交換する際は、蓋体247毎に交換できるので、メンテナンスが容易になるという利点がある。
<移載室>
移載室270を説明する。移載室270は、反応管格納室210の下部に設置される。移載室270では、搬入搬出口148を介して搬送ロボット180により基板Sを基板支持具240に載置(搭載)したり、搬送ロボット180により基板Sを基板支持具240から取り出したりすることが行われる。移載室270は第二容器とも呼ぶ。
移載室270を説明する。移載室270は、反応管格納室210の下部に設置される。移載室270では、搬入搬出口148を介して搬送ロボット180により基板Sを基板支持具240に載置(搭載)したり、搬送ロボット180により基板Sを基板支持具240から取り出したりすることが行われる。移載室270は第二容器とも呼ぶ。
移載室270の底壁にはシャフト243が貫通する孔が設けられる。更に、移載室270には、移載室270内の雰囲気を排気する排気部280が設けられる。排気部280は、移載室270に接続されると共に、その内部と連通する排気管281を有する。
排気管281には、開閉弁としてのバルブ282、APCバルブ283を介して、真空排気装置としての真空ポンプ(図示省略)が接続されており、移載室270内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。排気部280は移載室排気部とも呼ぶ。排気部280には、圧力検出部284が設けられる。圧力検出部284は移載室270内の圧力を検出する機能を備える。このように、排気部280は移載室270内の雰囲気を制御可能であることから、排気部280を第二雰囲気制御部とも呼ぶ。
移載室270には、図4Dに示す不活性ガス供給部271を接続してもよい。図4Dに示すように、ガス供給管271aには、上流方向から順に、不活性ガス源271b、MFC271c、及びバルブ271dが設けられている。不活性ガス源271bから供給される不活性ガスは、例えば移載室270内の雰囲気をパージしたり、圧力を調整したりする場合に用いられる。不活性ガス供給部271は第三ガス供給部とも呼ぶ。不活性ガス供給部271は、排気部280との共同で移載室270内の雰囲気を制御可能であることから、第二雰囲気制御部に不活性ガス供給部271を含めてもよい。
<リアクタ300(枚葉)>
次に、図5を用いてリアクタ300を説明する。図5に示すように、リアクタ300は容器302を備えている。容器302内には、基板Sを処理する処理空間305を構成する処理室301と、基板Sを処理空間305に搬送する際に基板Sが通過する搬送空間を有する搬送室306とが形成されている。容器302は、上部容器302aと下部容器302bで構成される。上部容器302aと下部容器302bの間には仕切り板308が設けられる。容器302は第三容器とも呼ぶ。
次に、図5を用いてリアクタ300を説明する。図5に示すように、リアクタ300は容器302を備えている。容器302内には、基板Sを処理する処理空間305を構成する処理室301と、基板Sを処理空間305に搬送する際に基板Sが通過する搬送空間を有する搬送室306とが形成されている。容器302は、上部容器302aと下部容器302bで構成される。上部容器302aと下部容器302bの間には仕切り板308が設けられる。容器302は第三容器とも呼ぶ。
下部容器302bの側面には、ゲートバルブ149に隣接した搬入搬出口148が設けられており、基板Sは搬入搬出口148を介して真空搬送室140との間を移動する。下部容器302bの底部には、リフトピン307が複数設けられている。
処理空間305には、基板Sを支持する基板支持部310が配される。基板支持部310は、基板Sを載置する基板載置面311と、基板載置面311を表面に持つ基板載置台312と、基板載置台312内に設けられた加熱部としてのヒータ313とを有する。基板載置台312には、リフトピン307が貫通する貫通孔314が、リフトピン307と対応する位置にそれぞれ設けられている。
ヒータ313には、電力を供給するための配線322が接続される。配線322はヒータ制御部323に接続される。ヒータ制御部323はコントローラ400に電気的に接続されている。コントローラ400は、ヒータ制御部323を制御してヒータ313を稼働させる。
基板載置台312は、シャフト317によって支持される。シャフト317は、容器302の底部を貫通しており、さらに容器302の外部で昇降部318に接続されている。
昇降部318を作動させてシャフト317及び基板載置台312を昇降させることにより、基板載置台312は、基板載置面311上に載置される基板Sを昇降させることが可能となっている。
処理室301は、例えば後述するプラズマ生成室330と基板載置台312とで構成される。なお、処理室301は基板Sを処理する処理空間305を確保できればよく、他の構造により構成されてもよい。
基板載置台312は、基板Sの搬送時には、基板載置面311が搬入搬出口148に対向する搬送ポジションP0まで下降し、基板Sの処理時には、図5で示されるように、基板Sが処理空間305内の処理ポジションとなるまで上昇する。
処理空間305の上部(上流側)には、ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成室330が設けられている。プラズマ生成室330の蓋331に設けられたガス導入孔331aと連通するよう、蓋331には、後述する第四ガス供給部340が接続される。プラズマ生成室330の周囲には、コイル332が配される。コイル332には、電極(図示省略)が接続されており、電極から電力を供給されることで、プラズマ生成室330に供給されたガスをプラズマ状態とする。
続いて、排気部391を説明する。処理空間305には、排気管392が連通される。排気管392は、処理空間305に連通するよう、上部容器302aに接続される。排気管392には、処理空間305内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるAPC393が設けられる。APC393は開度調整可能な弁体(図示省略)を有し、コントローラ400からの指示に応じて排気管392のコンダクタンスを調整する。排気管392においてAPC393の下流側にはバルブ394が設けられる。排気管392の上流には、ドライポンプ(図示省略)が設けられる。ドライポンプは、排気管392を介して、処理空間305の雰囲気を排気する。
次に図6を用いて、処理室301にガスを供給する第四ガス供給部340を説明する。
ガス供給管341には、上流方向から順に、第四ガス源342、流量制御器(流量制御部)であるMFC343、及び開閉弁であるバルブ344が設けられている。更に、ガス供給管341には不活性ガス供給管345が接続される。不活性ガス供給管345には、上流方向から順に、不活性ガス源346、MFC347、及び開閉弁であるバルブ348が設けられている。
ガス供給管341には、上流方向から順に、第四ガス源342、流量制御器(流量制御部)であるMFC343、及び開閉弁であるバルブ344が設けられている。更に、ガス供給管341には不活性ガス供給管345が接続される。不活性ガス供給管345には、上流方向から順に、不活性ガス源346、MFC347、及び開閉弁であるバルブ348が設けられている。
第四ガス源342は、第三元素を含有する第三ガス(「第三元素含有ガス」とも呼ぶ。)源である。第三元素含有ガスは、例えば基板S上に形成された膜に対して反応するガスである。第三ガスは改質ガスとして考えてもよい。
ここで、第三元素としては、例えば、酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)、水素(H)のいずれか一つである。ここでは、第三元素含有ガスは、例えば水素含有ガスとして説明する。具体的には、水素含有ガスとして、水素ガス(H2)が用いられる。
第三ガスを処理室301に供給する際は、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスを処理室301に供給してもよい。
主に、ガス供給管341、MFC343、バルブ344により、第四ガス供給部が構成される。不活性ガス供給管345、MFC347、バルブ348により構成される不活性ガス供給部を第四ガス供給部に加えてもよい。
<コントローラ>
次に図7を用いてコントローラ400を説明する。
基板処理装置100は、各部の動作を制御するコントローラ400を有している。
次に図7を用いてコントローラ400を説明する。
基板処理装置100は、各部の動作を制御するコントローラ400を有している。
制御部(制御手段)であるコントローラ400は、CPU(Central Processing Unit)401、RAM(Random Access Memory)402、記憶装置としての記憶部403、I/Oポート404を備えたコンピュータとして構成されている。RAM402、記憶部403、I/Oポート404は、内部バス405を介して、CPU401とデータ交換可能なように構成されている。基板処理装置100内のデータの送受信は、CPU401の一つの機能でもある送受信指示部406の指示により行われる。
CPU401は、記憶部403からの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置423からの操作コマンドの入力等に応じて記憶部403からプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、CPU401は、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、例えばゲートバルブ149の開閉動作、各ポンプのオンオフ制御、MFCの流量調整動作、バルブの開閉動作等を制御可能に構成されている。
記憶部403は、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶部403内には、基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等で構成されるレシピ410や、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム411が読み出し可能に格納されている。
なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ400に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。このプロセスレシピは、例えばリアクタごとに存在し、それぞれのリアクタごとに読み出される。
以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。また、RAM402は、CPU401によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
I/Oポート404は、ゲートバルブ149、各圧力調整器、各ポンプ、ヒータ制御部等の各構成に接続されている。さらに、上位装置420にネットワークを介して接続されるネットワーク送受信部421が設けられる。
なお、コントローラ400は、上述のプログラムを格納した外部記憶装置422を用いてコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本技術に係るコントローラ400を構成することができる。なお、外部記憶装置422としては、例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、DVD等の光ディスク、MOなどの光磁気ディスク、並びに、USBメモリ等の半導体メモリが挙げられる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置422を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置422を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶部403や外部記憶装置422は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部403単体のみを含む場合、外部記憶装置422単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。
(2)基板処理工程
次に図8を用いて基板処理工程を説明する。基板処理装置の一工程として、上述した構成の基板処理装置100を用いて基板Sを処理する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ400により制御される。
次に図8を用いて基板処理工程を説明する。基板処理装置の一工程として、上述した構成の基板処理装置100を用いて基板Sを処理する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ400により制御される。
(基板移動工程S202)
基板移動工程S202を説明する。基板処理装置100は、工場内のロボットから複数の基板Sが含まれるFOUPを受け取る。大気搬送ロボット122は、基板SをFOUPからピックアップし、ロードロック室130内に搬入する。ロードロック室130では、雰囲気を大気圧から真空搬送室140の圧力と同等の圧力に置換する。その後、ゲートバルブ134を開として、搬送ロボット180がロードロック室130内の基板Sをピックアップする。
基板移動工程S202を説明する。基板処理装置100は、工場内のロボットから複数の基板Sが含まれるFOUPを受け取る。大気搬送ロボット122は、基板SをFOUPからピックアップし、ロードロック室130内に搬入する。ロードロック室130では、雰囲気を大気圧から真空搬送室140の圧力と同等の圧力に置換する。その後、ゲートバルブ134を開として、搬送ロボット180がロードロック室130内の基板Sをピックアップする。
(基板搬入工程S204)
搬送ロボット180は、真空搬送室140からいずれかのリアクタ200に基板Sを移動する。その際、移載室270内の圧力を真空搬送室140内の圧力より同等以下として、移載室270内の雰囲気が真空搬送室140内に流れ込まないようにする。ここでは、例えば排気部280を制御して移載室270内の圧力を調整する。
搬送ロボット180は、真空搬送室140からいずれかのリアクタ200に基板Sを移動する。その際、移載室270内の圧力を真空搬送室140内の圧力より同等以下として、移載室270内の雰囲気が真空搬送室140内に流れ込まないようにする。ここでは、例えば排気部280を制御して移載室270内の圧力を調整する。
次に、基板支持具240を移載室270に下降させた状態で、リアクタ200のゲートバルブ149を開とする。このとき、例えば基板支持具240のうち、最上段の基板支持機構と搬入搬出口148とが同じ高さとなるよう、基板支持具240の高さが調整される。
搬送ロボット180はアーム181を延伸させ、最上段の基板支持機構に基板を支持する。その後、アーム181を退避させるリアクタ200のゲートバルブ149を閉じる。
基板Sを基板支持機構に搭載後、既に基板が支持された基板支持機構の下方の基板支持機構と搬入搬出口148とが同じ高さとなるよう、基板支持具240の高さを調整する。一方、搬送ロボット180はロードロック室130に投入された新たな基板Sをピックアップし、リアクタ200に基板Sを搬入できるよう待機する。その後上記と同様に、ゲートバルブ149を開き、搬送ロボット180は基板支持具240に基板Sを載置する。
このような動作を所定回数繰り返し、基板支持具240に所定枚数の基板Sを載置する。基板Sを所定枚数載置したら、ゲートバルブ149を閉じ、更に基板支持具240を上昇させて、図3のように内側反応管222内に搬入する。このとき、蓋体247は基板支持具240と共に上昇し、Oリング248は蓋体247に押し付けられる。これにより、内側反応管222内を封止する。なお、ヒータ211は稼働状態にあり、後述する第一温度としての基板処理温度に維持されている。
続いて、不活性ガス供給部226と排気部230との協働により、内側反応管222内を所定の圧力とする。また、それと並行して、移載室270内を内側反応管222内の圧力よりも高くするよう、不活性ガス供給部271と排気部280を制御する。このようにすることで、内側反応管222内の雰囲気を移載室270に移動することを抑制できる。
(第一膜処理工程S206)
続いて、第一膜処理工程S206を説明する。第一膜処理工程S206は、リアクタ200内において、基板Sに形成された膜を処理する工程である。内側反応管222で構成される処理室301が所望の圧力になったら、第一ガス供給部224、第二ガス供給部225を制御して、内側反応管222内に第一ガスと第二ガスとを供給し、基板Sを処理する。この工程における処理とは、例えば第一ガスと第二ガスとを反応させて、基板S上に所定の膜を形成する処理をいう。本実施形態においては、例えば第一ガスとしてHCDSを供給し、第二ガスとしてNH3ガスを供給し、シリコン窒化(SiN)膜を形成する。このとき、移載室270内の圧力が内側反応管222内の圧力よりも高い状態を維持するよう、基板Sを閉じた状態で不活性ガス供給部271と排気部280を制御する。このようにすることで、処理中においても蓋体247が動いてしまうことを抑制できる。そのため、内側反応管222内の雰囲気が移載室270へ移動するのを抑制できる。
続いて、第一膜処理工程S206を説明する。第一膜処理工程S206は、リアクタ200内において、基板Sに形成された膜を処理する工程である。内側反応管222で構成される処理室301が所望の圧力になったら、第一ガス供給部224、第二ガス供給部225を制御して、内側反応管222内に第一ガスと第二ガスとを供給し、基板Sを処理する。この工程における処理とは、例えば第一ガスと第二ガスとを反応させて、基板S上に所定の膜を形成する処理をいう。本実施形態においては、例えば第一ガスとしてHCDSを供給し、第二ガスとしてNH3ガスを供給し、シリコン窒化(SiN)膜を形成する。このとき、移載室270内の圧力が内側反応管222内の圧力よりも高い状態を維持するよう、基板Sを閉じた状態で不活性ガス供給部271と排気部280を制御する。このようにすることで、処理中においても蓋体247が動いてしまうことを抑制できる。そのため、内側反応管222内の雰囲気が移載室270へ移動するのを抑制できる。
本工程では、例えば以下の条件で処理する。
第一ガス:HCDS
第一ガスのガス供給量 5sccm~5000sccm
第二ガス:NH3
第二ガスのガス供給量 10sccm~10000sccm
処理室の圧力: 133Pa~13332Pa
処理温度:300℃~500℃
第一ガス:HCDS
第一ガスのガス供給量 5sccm~5000sccm
第二ガス:NH3
第二ガスのガス供給量 10sccm~10000sccm
処理室の圧力: 133Pa~13332Pa
処理温度:300℃~500℃
所定時間が経過したら、第一ガス供給部224、第二ガス供給部225を停止する。さらに、不活性ガス供給部226から不活性ガスを供給して、処理室301内の雰囲気を排気する。
(基板搬出工程S208)
基板搬出工程S208を説明する。所定時間経過後、昇降部241は基板支持具240を下降させる。その際、蓋体247も下降され、蓋体247は炉口部222bから離間される。下降方法の具体的な内容については後述する。基板支持具240が下降されたら、基板Sを搬入したのと逆の方法で基板を搬出する。このとき、基板支持具240が停止された状態でゲートバルブ149を開けることが望ましい。このようにすることで、基板支持具240が動くことによる移載室270内の雰囲気の乱流が形成されることを抑制できる。なお、各部屋の圧力関係は、内側反応管222内の圧力>移載室270内の圧力<真空搬送室140内の圧力とすることが望ましい。このようにすることで、内側反応管222内の雰囲気が真空搬送室140に流れることを抑制できる。これにより、真空搬送室140内の汚染を抑制できる。そのため、内側反応管222内で使用したガスがリアクタ300内に侵入するのが抑制され、リアクタ300における予期せぬ反応、例えば容器内壁における膜の生成等を抑制できる。
基板搬出工程S208を説明する。所定時間経過後、昇降部241は基板支持具240を下降させる。その際、蓋体247も下降され、蓋体247は炉口部222bから離間される。下降方法の具体的な内容については後述する。基板支持具240が下降されたら、基板Sを搬入したのと逆の方法で基板を搬出する。このとき、基板支持具240が停止された状態でゲートバルブ149を開けることが望ましい。このようにすることで、基板支持具240が動くことによる移載室270内の雰囲気の乱流が形成されることを抑制できる。なお、各部屋の圧力関係は、内側反応管222内の圧力>移載室270内の圧力<真空搬送室140内の圧力とすることが望ましい。このようにすることで、内側反応管222内の雰囲気が真空搬送室140に流れることを抑制できる。これにより、真空搬送室140内の汚染を抑制できる。そのため、内側反応管222内で使用したガスがリアクタ300内に侵入するのが抑制され、リアクタ300における予期せぬ反応、例えば容器内壁における膜の生成等を抑制できる。
(基板移動工程S210)
続いて基板移動工程S210を説明する。リアクタ200から搬出された基板Sを搭載した搬送ロボット180は、基板Sをリアクタ300に搬入できるよう、基板Sを移動する。
続いて基板移動工程S210を説明する。リアクタ200から搬出された基板Sを搭載した搬送ロボット180は、基板Sをリアクタ300に搬入できるよう、基板Sを移動する。
(基板搬入工程S212)
基板搬入工程S212を説明する。ここでは、リアクタ300中に基板Sが搬入される。このとき、基板載置台312を基板Sの搬送位置まで下降させ、基板載置台312の貫通孔314にリフトピン307を貫通させる。その結果、リフトピン307が、基板載置台312表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。これらの動作と並行して、第四ガス供給部からの不活性ガスの供給と、搬送室306の雰囲気の排気等を行い、隣接する真空搬送室140と同圧以下とする。
基板搬入工程S212を説明する。ここでは、リアクタ300中に基板Sが搬入される。このとき、基板載置台312を基板Sの搬送位置まで下降させ、基板載置台312の貫通孔314にリフトピン307を貫通させる。その結果、リフトピン307が、基板載置台312表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。これらの動作と並行して、第四ガス供給部からの不活性ガスの供給と、搬送室306の雰囲気の排気等を行い、隣接する真空搬送室140と同圧以下とする。
続いて、ゲートバルブ149を開いて、搬送室306を隣接する真空搬送室140と連通させる。そして、搬送ロボット180が、基板Sを真空搬送室140から搬送室306に搬入し、リフトピン307上に載置する。リフトピン307上に基板Sが載置されたら、基板載置台312を上昇させ、基板載置面311上に基板Sを載置する。その後、図5に示すように、基板載置台312を基板処理ポジションまで上昇させる。基板Sを基板載置面311に載置する際は、ヒータ313に電力を供給して基板Sの表面が所定の温度となるようヒータ313を制御する。
(第二膜処理工程S214)
第二膜処理工程S214を説明する。ここでは、例えば排気部391と第四ガス供給部340を動作させる。所望の圧力になったら、第四ガス供給部340を制御して、処理室301に第三ガスを供給し、基板S上の膜を処理する。膜の処理とは、例えば第一膜処理工程S206で形成された膜を、第三ガスで改質する処理をいう。また、本工程ではレシピに応じてプラズマ生成部349を稼働させてもよい。本実施形態では第一膜処理工程S206で形成したSiN膜に対してH2ガスを供給して、SiN膜を改質する。
第二膜処理工程S214を説明する。ここでは、例えば排気部391と第四ガス供給部340を動作させる。所望の圧力になったら、第四ガス供給部340を制御して、処理室301に第三ガスを供給し、基板S上の膜を処理する。膜の処理とは、例えば第一膜処理工程S206で形成された膜を、第三ガスで改質する処理をいう。また、本工程ではレシピに応じてプラズマ生成部349を稼働させてもよい。本実施形態では第一膜処理工程S206で形成したSiN膜に対してH2ガスを供給して、SiN膜を改質する。
本工程では、例えば以下の条件で処理する。
第三ガス:H2
第三ガスのガス供給量:10sccm~500sccm
処理室の圧力:133Pa~6666Pa
処理温度:100℃~600℃
第三ガス:H2
第三ガスのガス供給量:10sccm~500sccm
処理室の圧力:133Pa~6666Pa
処理温度:100℃~600℃
所定時間が経過したら、第四ガス供給部340からの第三ガスの供給を停止する。次に、第四ガス供給部340から不活性ガスを供給して、処理室301内の雰囲気を排気する。
(基板搬出工程S216)
基板搬出工程S216を説明する。基板S上に所望の処理が為されたら、基板搬入工程S212と逆の順番で、処理室222cから基板Sを搬出する。このとき、基板Sは搬送ロボット180に支持された状態である。
基板搬出工程S216を説明する。基板S上に所望の処理が為されたら、基板搬入工程S212と逆の順番で、処理室222cから基板Sを搬出する。このとき、基板Sは搬送ロボット180に支持された状態である。
(基板移動工程S218)
基板移動工程S218を説明する。搬送ロボット180は基板Sをリアクタ300から搬出し、さらにロードロック室130に移動させる。以上のようにして、基板Sを処理する。
基板移動工程S218を説明する。搬送ロボット180は基板Sをリアクタ300から搬出し、さらにロードロック室130に移動させる。以上のようにして、基板Sを処理する。
<基板搬出工程S208における下降方法の詳細>
続いて、基板搬出工程S208における基板支持具240の下降方法の詳細について説明する。前述したように、基板搬出工程S208の前の第一膜処理工程S206では、移載室270内の圧力を内側反応管222内の圧力よりも高くするよう制御される。このような制御により、蓋体247が炉口部222bに押し付けられるため、内側反応管222内の雰囲気の漏洩を抑制できる。したがって、内側反応管222内の雰囲気を安定して制御できる。
続いて、基板搬出工程S208における基板支持具240の下降方法の詳細について説明する。前述したように、基板搬出工程S208の前の第一膜処理工程S206では、移載室270内の圧力を内側反応管222内の圧力よりも高くするよう制御される。このような制御により、蓋体247が炉口部222bに押し付けられるため、内側反応管222内の雰囲気の漏洩を抑制できる。したがって、内側反応管222内の雰囲気を安定して制御できる。
ところで、このような状況の中、本開示者は次の課題を見出した。ここでは蓋体247が炉口部222bに押し付けられるため、蓋体247が炉口部222bとの間に配されたOリング248は押しつぶされて変形する。炉口部222bにOリング248が固定されている場合、Oリング248は蓋体247に、変形した状態で付着してしまう。更には、Oリング248の付着は、高温状態になるほど強固となる。Oリング248はヒータ211やヒータ247bの影響を受けるため、強固に付着することがある。仮にOリング248が蓋体247に付着した状態で蓋体247を下降させようとした場合、付着力の強さからOリング248が破損してしまう恐れがあり、そうするとパーティクルの発生が懸念される。本態様では、Oリング248の破損を抑制しつつ、蓋体247を下降させることを目的の一つとする。
次に、図9を用いてより具体的な内容を説明する。
(圧力調整工程S302)
本工程は、基板支持具240を下降する前、すなわち内側反応管222内と移載室270内を連通させる前に行なう工程である。第一膜処理工程S206にて基板Sを内側反応管222内で処理したら、内側反応管222内への処理ガスの供給を停止する。その後、内側反応管222と移載室270とを連通させる前に、内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高くするよう制御する。ここでは、不活性ガス供給部226、排気部230、不活性ガス供給部271、排気部280を制御して調整する。このとき、圧力検出部234や圧力検出部284を使用して圧力を調整してもよい。
(圧力調整工程S302)
本工程は、基板支持具240を下降する前、すなわち内側反応管222内と移載室270内を連通させる前に行なう工程である。第一膜処理工程S206にて基板Sを内側反応管222内で処理したら、内側反応管222内への処理ガスの供給を停止する。その後、内側反応管222と移載室270とを連通させる前に、内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高くするよう制御する。ここでは、不活性ガス供給部226、排気部230、不活性ガス供給部271、排気部280を制御して調整する。このとき、圧力検出部234や圧力検出部284を使用して圧力を調整してもよい。
内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高くするよう制御することで、内側反応管222内の雰囲気が蓋体247をソフトに押し出すことが可能となる。このときの内側反応管222内と移載室270内との圧力差は、Oリング248が破損しない程度とする。具体的には、圧力差は0Paよりも高く、3.0kPa未満の範囲とする。したがって、蓋体247に対して付着したOリング248の破損を抑制しつつ、Oリング248の形状を戻すことができる。なお、このときOリング248は、蓋体247と乖離することなく、内側反応管222の雰囲気を封止した状態としている。
圧力差を調整する際は、内側反応管222内の圧力を移載室270の圧力よりも徐々に高くするようにしてもよい。このようにすると、変形状態のOリング248に急激な力が付与されず、Oリング248の破損を確実に抑制しつつ、Oリング248の形状を復帰させることができる。
圧力差を調整する前、もしくは調整する際には、ヒータ211をオフする若しくはパワーを小さくする等して基板Sを処理する際の温度である第一温度よりも低い第二温度とし、Oリング248の温度を低下させてもよい。温度を低下させるとOリング248の付着状態を和らげることができるため、Oリング248を蓋体247からより剥がしやすくすることができる。ここではヒータ211を例として記載したが、ヒータ247bを備える場合は、ヒータ247bをオフする、若しくはパワーを小さくする等してもよい。
また、第二温度は、搬送ロボット180の耐熱性温度以下であることが望ましい。前述のように、移載室270内や真空搬送室140は真空レベルの圧力に設定されているため、基板Sからの熱逃げ効率が低い。すなわち、基板Sの温度が下がりにくい。ヒータ211やヒータ247bが高温を維持した状態では、移載室270内で基板Sの温度低下を待つ必要があり、そうすると搬送スループットが著しく低下してしまう。本態様のように、基板Sが積層された場合、基板S間で熱影響により、より基板温度が低下しにくい。そこで搬送ロボット180の耐熱性温度以下とすることで、搬送スループットを向上させることが可能となる。更には、第二温度はシャフト243に備えた温度センサ250に悪影響を与えない程度の温度とすることが望ましい。なお、温度センサ250は、昇降部241に設けられてもよい。
なお、第二温度は、例えば室温(25℃程度)以上100℃以下とする。このような範囲とすることで、Oリング248を蓋体247から容易に剥離させることが可能となる。また、搬送ロボット180の耐熱性温度以下であるので、搬送効率を高くすることができる。また、温度センサ250に悪影響を与えない程度の温度であるので、温度センサ250の故障やそれに伴う処理スループットの低下等を回避できる。
内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高くした状態で所定時間経過したら、基板支持具下降工程S304に移行する。ここでいう所定時間とは、例えば変形したOリング248の形状が復帰するまでの時間である。なお、ここでは内側反応管222内と移載室270内のそれぞれの圧力を計測し、計測した結果が所定値となれば、基板支持具下降工程S304に移行してもよい。
(基板支持具下降工程S304)
圧力調整工程S302にて内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高い状態とし、所定時間経過したら、本工程にて、圧力の制御を維持した状態で昇降部241は基板支持具240を下降させる。前述のように、所定時間とは、例えば変形したOリング248の形状が復帰するまでの時間である。そのため、基板支持具240を下降させる段階では、Oリング248の破損を抑制しつつ、Oリング248を蓋体247から容易に剥離することができる。したがって、所定時間経過後に基板支持具240を下降させることで、Oリング248の破損に伴うパーティクルの発生を抑制しつつ、基板支持具240を下降させることができる。
圧力調整工程S302にて内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高い状態とし、所定時間経過したら、本工程にて、圧力の制御を維持した状態で昇降部241は基板支持具240を下降させる。前述のように、所定時間とは、例えば変形したOリング248の形状が復帰するまでの時間である。そのため、基板支持具240を下降させる段階では、Oリング248の破損を抑制しつつ、Oリング248を蓋体247から容易に剥離することができる。したがって、所定時間経過後に基板支持具240を下降させることで、Oリング248の破損に伴うパーティクルの発生を抑制しつつ、基板支持具240を下降させることができる。
ここでは、不活性ガス供給部226、排気部230、排気部280の制御は、上記圧力関係とした制御を維持してもよい。各制御を維持した場合、内側反応管222内と移載室270内の雰囲気が緩やかに同圧となるため、急激に変化することがない。したがって、急激な圧力変化に伴う雰囲気の乱流を防ぎ、その結果乱流によるパーティクルの巻き上げに伴う基板支持具240の基板Sへのパーティクル付着や、内側反応管222内へのパーティクル侵入を抑制できる。また、このような関係とすることで、移載室270内の雰囲気が排気管281に流れるよう制御することができる。したがって、移載室270内の雰囲気が内側反応管222内に逆流することや、真空搬送室140内に流入することを抑制できる。
また、移載室270内の圧力が減少するよう制御してもよい。すなわち、内側反応管222内の圧力が移載室270内の圧力よりも高くなるよう制御してもよい。この場合、例えば不活性ガス供給部226、不活性ガス供給部271、排気部230での制御を維持し、バルブ282の開度を制御して排気部280での排気量を高くする。不活性ガス供給部226、不活性ガス供給部271、排気部230の制御を維持することで、内側反応管222内の雰囲気の急激な変化を抑制できる。
また、内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高くすることで、内側反応管222内部から移載室270内へのガス流れができるため、移載室270中の雰囲気が内側反応管222内に進入することを抑制できる。これにより内側反応管222内、移載室270内の雰囲気をクリーンに保つことができる。更には、排気部230の制御を維持しつつ排気部280の制御を変更するので、内側反応管222内に乱流を作ることなく、雰囲気を排気することができる。したがって、内側反応管222内でパーティクルの拡散を抑制できる。また、バルブ282の開度を徐々に絞ることで、移載室270内の乱流を作ることなく、雰囲気を排気することができる。急激な圧力変化に伴う雰囲気の乱流を防ぎ、その結果乱流によるパーティクルの巻き上げに伴う基板支持具240の基板Sにパーティクルが付着や、内側反応管222内へのパーティクル侵入を抑制できる。
なお、上記では内側反応管222内の圧力を移載室270内の圧力よりも高くした後、所定時間経過後、昇降部241は基板支持具240を下降させることを記載したが、それに限るものではない。例えば圧力検出部234、圧力検出部284での検出結果を元に、シャフト243の下降を開始してもよい。例えば、圧力検出部234と圧力検出部284での圧力差が所定の圧力差になったらシャフト243を下降させる。この所定の圧力差とはOリング248が破損しない程度の圧力であり、例えば0kPaよりも高く3.0kPa未満とする。
(その他の実施形態)
また、基板処理装置100として、リアクタ200とリアクタ300は合計4つ用いた例について説明したが、それに限るものでなく、5つ以上、例えば合計8個、あるいはそれ以上のリアクタ200、300を用いる基板処理装置でもよい。
また、基板処理装置100として、リアクタ200とリアクタ300は合計4つ用いた例について説明したが、それに限るものでなく、5つ以上、例えば合計8個、あるいはそれ以上のリアクタ200、300を用いる基板処理装置でもよい。
また、例えば、上述した各実施形態では、基板処理装置が行う成膜処理において、第一元素含有ガス(第一ガス)としてHCDSガスを用い、第二元素含有ガス(第二ガス)としてNH3ガスを用いて、基板S上にSiN膜を形成する場合を例に挙げたが、本態様がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理に用いる処理ガスは、HCDSガスやNH3ガス等に限られることはなく、他の種類のガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、3種類以上の処理ガスを用いる場合であってもよい。また、第一元素としては、Siではなく、例えばチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)等、種々の元素であってもよい。また、第二元素としては、Hではなく、例えば窒素(N)等であってもよい。
また、例えば上述した各実施形態では、改質処理としてH含有ガス(第三ガス)を用いて処理することを説明したが、それに限るものではなく、例えば酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)、水素(H)のいずれか、もしくはそれらの組み合わせを含むガスを使用してもよい。
また、例えば上述した各実施形態では、成膜処理の後に改質処理を行う例について説明したが、それに限るものではなく、改質処理を行った後、成膜処理を行うようにしてもよい。
また、例えば、上述した各実施形態では、基板処理装置が行う処理として成膜処理と改質処理を例に挙げたが、本態様がこれに限定されることはない。すなわち、本態様は、各実施形態で例に挙げた成膜処理や改質処理の他に、各実施形態で例示した薄膜以外の成膜処理、改質処理にも適用できる。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理、改質処理だけでなく、アニール処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。さらに、本態様は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、エッチング装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。
S…基板、100…基板処理装置、200…リアクタ、300…リアクタ、400…コントローラ
Claims (18)
- 基板を搬入出可能な搬入出口を構成する搬入出部と、前記基板を収納する処理室とを備えた第一容器と、
前記第一容器に隣接し、前記搬入出口を介して前記第一容器と連通可能な第二容器と、
前記搬入出口を閉塞可能な蓋体と、
前記搬入出部と蓋体との間に配される封止部材と、
前記基板を前記処理室で処理する間、前記蓋体が前記搬入出口を閉塞した状態で、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも低くし、前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くするよう制御可能な制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記第一容器と異なる処理が可能な第三容器と、前記第二容器と前記第三容器との間に設けられ、前記基板を搬送可能な真空搬送室とを有し、
前記第二容器は、前記基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を支持するシャフトと、前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、を備え、
前記制御部は、前記シャフトの移動を停止した後、前記第二容器と前記真空搬送室との間に設けられたゲートバルブを開放するよう制御可能である請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記処理室内を加熱可能なヒータを有し、
前記基板を前記処理室で処理する間、前記ヒータは前記封止部材が変形される第一温度となるよう制御され、
前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記ヒータは前記第一温度よりも低い第二温度となるよう制御される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ヒータは、鉛直方向に延伸された前記処理室の壁に沿って該壁から離隔して配置された壁側ヒータを含み、
前記封止部材は、前記壁の下方に配されるよう構成される請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記ヒータは前記蓋体に設けられた蓋側ヒータを含む請求項3又は請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第二容器は、前記基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を支持するシャフトと、前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、を備え、
前記シャフト又は昇降部にはセンサが設けられ、前記第二温度は、前記センサに悪影響を及ぼさない温度である請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第二温度は、室温以上100℃以下である請求項3から請求項6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を支持するシャフトと、
前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、
前記第二容器に設けられた排気管と
を備え、
前記シャフトを下降させるのと並行して、前記第二容器内の雰囲気が前記第一容器に流れないよう制御する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を支持するシャフトと、
前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、
前記第二容器に設けられた排気管と
を備え、
前記シャフトを下降させるのと並行して、前記第二容器内の雰囲気が前記排気管に流れるよう制御する請求項1又は請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記排気管にはバルブが設けられ、
前記シャフトを下降させるのと並行して、前記バルブを稼働するよう制御する請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記シャフトを下降させるのと並行して、前記バルブの開度を徐々に絞るよう制御する請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を支持するシャフトと、
前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、
を備え、
前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くし、前記第一容器と前記第二容器の圧力差が所定値となったら、前記シャフトの下降を開始するよう制御する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記所定値は、前記封止部材が破損しない値に設定される請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記所定値は、0kPaよりも高く3.0kPa未満である請求項12又は請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を支持するシャフトと、
前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、
を備え、
前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くするよう制御し、所定時間経過した後、当該制御を維持した状態で前記シャフトを下降させるよう制御する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を支持するシャフトと、
前記基板支持部を昇降可能な昇降部と、
前記第一容器の雰囲気を制御可能な第一雰囲気制御部と、
前記第二容器の雰囲気を制御可能な第二雰囲気制御部と、
を備え、
前記第一雰囲気制御部と前記第二雰囲気制御部は、前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くするよう制御し、その後、前記シャフトを下降させる間、前記第一雰囲気制御部での制御を維持し、前記第二雰囲気制御部での制御を変更する請求項1に記載の基板処理装置。 - 基板を搬入出可能な搬入出口を構成する搬入出部と、前記基板を収納する処理室とを備えた第一容器と、
前記第一容器に隣接し、前記搬入出口を介して前記第一容器と連通可能な第二容器と、
前記搬入出口を閉塞可能な蓋体と、
前記搬入出部と蓋体との間に配される封止部材とを有する基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記基板を前記処理室で処理する間、前記蓋体が前記搬入出口を閉塞した状態で、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも低くし、
前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くする
半導体装置の製造方法。 - 基板を搬入出可能な搬入出口を構成する搬入出部と、前記基板を収納する処理室とを備えた第一容器と、
前記第一容器に隣接し、前記搬入出口を介して前記第一容器と連通可能な第二容器と、
前記搬入出口を閉塞可能な蓋体と、
前記搬入出部と蓋体との間に配される封止部材とを有する基板処理装置に実行さるプログラムであって、
前記基板を前記処理室で処理する間、前記蓋体が前記搬入出口を閉塞した状態で、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも低くする手順と、
前記基板を処理した後であって前記第一容器と前記第二容器とを連通させる前に、前記第一容器内の圧力を前記第二容器内の圧力よりも高くする手順とを
コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022034844A JP7375069B2 (ja) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
TW111125362A TWI850694B (zh) | 2022-03-07 | 2022-07-06 | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 |
KR1020220112913A KR102652334B1 (ko) | 2022-03-07 | 2022-09-06 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
CN202211091663.XA CN116779468A (zh) | 2022-03-07 | 2022-09-07 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
US17/940,135 US20230282505A1 (en) | 2022-03-07 | 2022-09-08 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022034844A JP7375069B2 (ja) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023130260A JP2023130260A (ja) | 2023-09-20 |
JP7375069B2 true JP7375069B2 (ja) | 2023-11-07 |
Family
ID=87849884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022034844A Active JP7375069B2 (ja) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230282505A1 (ja) |
JP (1) | JP7375069B2 (ja) |
KR (1) | KR102652334B1 (ja) |
CN (1) | CN116779468A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000306838A (ja) | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体基板の処理装置及び処理方法 |
JP3218017B2 (ja) | 1997-11-26 | 2001-10-15 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ファイル印刷方法、ネットワーク・システム、コンピュータ・システム、ファイル・サーバ及びプリント・サーバ |
JP2001332602A (ja) | 2000-03-16 | 2001-11-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 熱洗浄と熱処理との間のウェハ環境を制御するための装置および方法 |
JP2008521261A (ja) | 2004-11-22 | 2008-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バッチ処理チャンバを用いた基板処理装置 |
JP2010232672A (ja) | 2004-11-08 | 2010-10-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
WO2017022366A1 (ja) | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
WO2018055699A1 (ja) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2019197903A (ja) | 2014-06-16 | 2019-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2759368B2 (ja) * | 1990-01-23 | 1998-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3501601B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2004-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置およその熱処理炉のメンテナンス方法 |
US7491662B2 (en) | 2004-05-17 | 2009-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
JP6691152B2 (ja) * | 2018-02-07 | 2020-04-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US11538716B2 (en) * | 2019-03-22 | 2022-12-27 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
-
2022
- 2022-03-07 JP JP2022034844A patent/JP7375069B2/ja active Active
- 2022-09-06 KR KR1020220112913A patent/KR102652334B1/ko active IP Right Grant
- 2022-09-07 CN CN202211091663.XA patent/CN116779468A/zh active Pending
- 2022-09-08 US US17/940,135 patent/US20230282505A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3218017B2 (ja) | 1997-11-26 | 2001-10-15 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ファイル印刷方法、ネットワーク・システム、コンピュータ・システム、ファイル・サーバ及びプリント・サーバ |
JP2000306838A (ja) | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体基板の処理装置及び処理方法 |
JP2001332602A (ja) | 2000-03-16 | 2001-11-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 熱洗浄と熱処理との間のウェハ環境を制御するための装置および方法 |
JP2010232672A (ja) | 2004-11-08 | 2010-10-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2008521261A (ja) | 2004-11-22 | 2008-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バッチ処理チャンバを用いた基板処理装置 |
JP2019197903A (ja) | 2014-06-16 | 2019-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
WO2017022366A1 (ja) | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
WO2018055699A1 (ja) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230131758A (ko) | 2023-09-14 |
CN116779468A (zh) | 2023-09-19 |
KR102652334B1 (ko) | 2024-03-27 |
TW202336908A (zh) | 2023-09-16 |
US20230282505A1 (en) | 2023-09-07 |
JP2023130260A (ja) | 2023-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6606551B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
WO2013065771A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記録媒体 | |
JP5495847B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2007018139A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
TWI788683B (zh) | 基板處理裝置、基板支撐具、半導體裝置的製造方法及程式 | |
US20240014032A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium | |
KR20170090967A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP7214834B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2008235865A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
JP7375069B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
TWI850694B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
US10763137B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
WO2023181454A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP6630237B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP7311553B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
TWI855540B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
WO2023175849A1 (ja) | 基板処理装置、基板支持具、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム | |
WO2023047499A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
US20210217608A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
KR20180063784A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP2024136912A (ja) | 基板処理装置、クリーニング方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
KR20220130558A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
JP2007234937A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2009117555A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7375069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |