TWI788683B - 基板處理裝置、基板支撐具、半導體裝置的製造方法及程式 - Google Patents

基板處理裝置、基板支撐具、半導體裝置的製造方法及程式 Download PDF

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Abstract

具備：進行對於基板的處理的處理室、及在處理室內支撐基板的基板支撐具，在基板支撐具是板狀構件會沿著基板而配設，該板狀構件是在中央部及位於比中央部更外側的外周部厚度不同。

Description

基板處理裝置、基板支撐具、半導體裝置的製造方法及程式
本案是有關基板處理裝置、基板支撐具、半導體裝置的製造方法及程式。
作為被用在半導體裝置的製造工程的基板處理裝置，例如有在製程管(反應管)的下方設置負載鎖定腔室(下部腔室)之所謂的縱型裝置。如此的基板處理裝置是被構成為使支撐基板的晶舟(基板支撐具)昇降於製程管與負載鎖定腔室之間，且在晶舟被收容於製程管的狀態下對於基板進行預定的處理(例如參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2002-368062號公報
(發明所欲解決的課題)
本案是在於提供一種可使基板處理的基板的面內溫度分佈的均一性提升的技術。 (用以解決課題的手段)
若根據本案的一形態、則可提供一種有關基板處理裝置的技術，其係具備： 進行對於基板的處理的處理室；及 在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具， 在前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配設，該板狀構件是在中央部及比前述中央部更外側的外周部厚度不同。 [發明的效果]
若根據本案，則可使基板處理的基板的面內溫度分佈的均一性提升。
＜本案的一形態＞
以下，一邊參照圖1~圖5，一邊說明有關本案的一形態。
(1)基板處理裝置的構成 本實施形態的基板處理裝置是被用在半導體裝置的製造工程，被構成為匯集複數片(例如5片)成為處理對象的基板來進行處理的縱型基板處理裝置。作為成為處理對象的基板，例如可舉製入有半導體積體電路裝置(半導體裝置)的半導體晶圓基板(以下簡稱「晶圓」)。
如圖1所示般，本實施形態的基板處理裝置是具備縱型處理爐1。縱型處理爐1是具有作為加熱部(加熱機構、加熱系)的加熱器10。加熱器10是圓筒形狀，藉由被支撐於作為保持板的加熱器底部(未圖示)來對於基板處理裝置的設置地板垂直安裝。加熱器10是亦作為以熱來使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)機能。
在加熱器10的內側是配設有與加熱器10同心圓狀地構成反應容器(處理容器)的反應管20。反應管20是具有二重管構成，該二重管構成是具備：內管(inner tube)21、及同心圓狀地包圍內管21的外管(outer tube)22。內管21及外管22是分別藉由例如石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所構成。內管21是被形成上端及下端開口的圓筒形狀。外管22是被形成上端閉塞，下端開口的圓筒形狀。內管21的上端部是延伸至外管22的頂部的附近。
在內管21的筒中空部是形成有進行對於晶圓200的處理的處理室23。處理室23被構成可在使晶圓200從處理室23內的一端側(下方側)朝向另一端側(上方側)配列的狀態下收容。亦可將在處理室23內配列有複數片的晶圓200的區域稱為基板配列區域(晶圓配列區域)。又，亦可將在處理室23內配列晶圓200的方向稱為基板配列方向(晶圓配列方向)。
在外管22(反應管20)的下方是配設有下部腔室(負載鎖定腔室)30。下部腔室30是例如藉由不鏽鋼(SUS)等的金屬材料所構成，內徑會與內管21的內徑大略相同，被形成上端為開口，下端為閉塞的圓筒形狀(無蓋有底的圓筒形狀)。下部腔室30是被配設為與內管21連通。在下部腔室30的上端部是設有凸緣31。凸緣31是例如藉由SUS等的金屬材料所構成。凸緣31的上端部是分別卡合於內管21及外管22的下端部，被構成為支撐內管21及外管22，亦即反應管20。內管21及外管22是與加熱器10同樣地垂直安裝。在下部腔室30的筒中空部(閉塞空間)是形成有作為用以移載晶圓200的搬送空間機能的移載室(負載鎖定室)33。
在處理室23內，作為氣體供給部的噴嘴24會被設為貫通內管21及外管22。噴嘴24是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料所構成，構成為L字型的長噴嘴。噴嘴24是連接氣體供給管51。氣體供給管51是連接2根的氣體供給管52，54，被構成為可將複數種類，在此是2種類的氣體供給至處理室23內。氣體供給管51，52，54及後述的氣體供給管53，55，56是分別例如藉由SUS等的金屬材料所構成。
在氣體供給管52是從氣流的上游側依序設有流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)52a及開閉閥的閥52b。在比氣體供給管52的閥52b更下流側是連接氣體供給管53。在氣體供給管53是從氣流的上游側依序設有MFC53a及閥53b。
在氣體供給管54是從氣流的上游側依序設有MFC54a及閥54b。在比氣體供給管54的閥54b更下流側是連接氣體供給管55。在氣體供給管55是從氣流的上游側依序設有MFC55a及閥55b。
在下部腔室30的側壁下方是連接氣體供給管56。在氣體供給管56是從氣流的上游側依序設有MFC56a及閥56b。
被連接至氣體供給管51的前端部的噴嘴24是被設為在內管21的內壁與晶圓200之間的空間，沿著內管21的內壁，從處理室23的下部區域延伸至上部區域(朝向晶圓200的配列方向上方上升)。亦即，噴嘴24是被設為在配列有晶圓200的晶圓配列區域的側方的水平地包圍晶圓配列區域的區域，沿著晶圓配列區域。在噴嘴24的側面是設有供給氣體的氣體供給孔24a。氣體供給孔24a是開口為朝向反應管20的中心，可朝向晶圓200供給氣體。氣體供給孔24a是在與被支撐於晶舟41的晶圓200對向的位置，從反應管20(噴嘴24)的下部到上部設置複數個。
從氣體供給管52是可經由MFC52a、閥52b、氣體供給管51、噴嘴24來供給鹵代矽烷系氣體作為第1處理氣體(第1成膜氣體、含第1金屬氣體)的原料氣體(原料)至處理室23內，該鹵代矽烷系氣體是含有作為構成被形成於晶圓200上的膜的主元素(預定元素)的矽(Si)及鹵族元素。所謂原料氣體是氣體狀態的原料，例如在常溫常壓下藉由將液體狀態的原料氣化而可取得的氣體、或在常溫常壓下氣體狀態的原料等。所謂鹵代矽烷系氣體是具有鹵基的矽烷系氣體。鹵基是含有氟(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等的鹵族元素。作為鹵代矽烷系氣體，例如可使用含Si及Cl的原料氣體，亦即氯矽烷系氣體。氯矽烷系氣體是作為Si來源作用。作為氯矽烷系氣體，例如可使用六氯矽乙烷(Si2 Cl6 ，簡稱：HCDS)氣體。
從氣體供給管54是可將含氧(O)氣體作為第2處理氣體(第2成膜氣體)的反應氣體(反應體)經由MFC54a、閥54b、氣體供給管51、噴嘴24來供給至處理室23內。含O氣體是作為O來源(氧化氣體、氧化劑)作用。作為含O氣體是例如可使用氧(O2 )氣體。
從氣體供給管53，55是可分別經由MFC53a，55a、閥53b，55b、氣體供給管51，52，54、噴嘴24來朝處理室23內供給惰性氣體，例如氮(N2 )氣體。N2 氣體是作為淨化氣體、稀釋氣體或載流氣體作用。
從氣體供給管56是可經由MFC56a、閥56b來朝下部腔室30內供給惰性氣體，例如N2 氣體。N2 氣體是作為淨化氣體作用。
主要藉由氣體供給管52、MFC52a、閥52b來構成第1處理氣體供給系(第1處理氣體供給部)。亦可思考將氣體供給管51、噴嘴24含在第1處理氣體供給系中。主要藉由氣體供給管54、MFC54a、閥54b來構成第2處理氣體供給系(第2處理氣體供給部)。亦可思考將氣體供給管51、噴嘴24含在第2處理氣體供給系中。主要藉由氣體供給管53，55、MFC53a，55a、閥53b，55b來構成第1惰性氣體供給系(第1惰性氣體供給部)。亦可思考將氣體供給管51，52，54、噴嘴24含在第1惰性氣體供給系中。主要藉由氣體供給管56、MFC56a、閥56b來構成第2惰性氣體供給系(第2惰性氣體供給部)。
在外管22的下端部是以包圍外管22的周圍之方式，形成有氣體的滯留空間的作為排氣緩衝的泵送部26。泵送部26是被配置於比被設為包圍外管22的加熱器10更下方。泵送部26是被構成為連通至內管21與外管22之間的圓環狀的空間的排氣流路25，使流動於排氣流路25的氣體暫時性地滯留。
在內管21的下方是設有從內管21的內側及移載室33排出氣體至泵送部26的開口27。開口27是在與泵送部26對向的位置，在儘可能接近下部腔室30的位置，沿著內管21的周方向來設置複數個。
泵送部26是連接將滯留於泵送部26的氣體排氣的排氣管61。排氣管61是經由作為檢測出處理室23內的壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)之壓力感測器62及作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥63來連接作為真空排氣裝置的真空泵64。APC閥63是在使真空泵64作動的狀態下開閉閥，藉此可進行處理室23內的真空排氣及真空排氣停止，進一步，在使真空泵64作動的狀態下，根據藉由壓力感測器62所檢測出的壓力資訊來調節閥開度，藉此被構成為可調整處理室23內的壓力。主要藉由排氣管61、APC閥63、壓力感測器62來構成排氣系亦即排氣管線。亦可思考將排氣流路25、泵送部26、真空泵64含在排氣系中。
在下部腔室30的側壁上方是設有基板搬入搬出口32。經由基板搬入搬出口32，利用未圖示的搬送機器人，晶圓200移動於移載室33的內外。在移載室33內進行後述的往晶舟41的晶圓200的裝填、從晶舟41的晶圓200的脱裝。
作為基板支撐具的晶舟41是被構成為使複數片(例如5片)的晶圓200以水平姿勢且彼此中心一致的狀態來整列於垂直方向而多段地支撐，亦即隔開間隔來使配列。晶舟41是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料所構成。在晶舟41的下部是配設有隔熱部42，該隔熱部42是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料所構成的隔熱板會以水平姿勢被多段地支撐。隔熱部42是亦可藉由例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料所構成的隔熱筒來構成。
在晶舟41的鄰接的晶圓200間的位置及被配置於最下部的晶圓200的下方的位置，複數的板狀構件(分隔裝置(separator)，以下亦稱為板)46會沿著晶圓200而多段地配設。
複數的板46是分別以晶圓200在被裝填於晶舟41時不會有接觸於晶圓200的方式被配設於晶舟41。並且，在板46被配設於晶舟41，晶圓200被裝填於晶舟41的狀態下，複數的板46的各表面是與晶圓200的背面對向(對面)，且與晶圓200的背面平行。本說明書的所謂「晶圓200的表面」是意思晶圓200的被處理面，所謂「晶圓200的背面」是意思與晶圓200的被處理面相反側的面。又，本說明書的所謂「板46的表面」是意思與晶圓200的背面對向的面，所謂「板46的背面」是與板46的表面相反側的面。
不使板46與晶圓200接觸(在板46上不載置晶圓200)，在晶圓200的背面與板46的表面之間形成空間，藉此，晶圓200的加熱會主要以來自加熱器10的熱輻射、來自板46的二次熱輻射進行。亦即，在晶圓200的加熱不會有使用來自板46的熱傳導的情形。藉此，在後述的成膜處理中容易使晶圓200的溫度在複數的晶圓200間形成均一。亦即，可使成膜處理的晶圓200間的溫度分佈(晶圓間溫度)的均一性提升。
又，藉由使板46的表面與晶圓200的背面平行，可使晶圓200的背面與板46的表面之間的空間的熱容量在晶圓200的背面內形成均一。藉此，可面內均一地進行晶圓200的加熱，可使後述的成膜處理的晶圓200的面內溫度分佈(晶圓面內溫度)的均一性提升。
板46是以和晶圓200的表面對向的空間(的容積)會比和晶圓200的背面對向的空間(的容積)更大的方式被配設於晶舟41。亦即，板46是以板46的表面與位於正上方的晶圓200的背面之間的距離會比板46的背面與位於正下方的晶圓200的表面之間的距離更短的方式被配設於晶舟41。另外，本說明書的所謂「與晶圓200的表面對向的空間」是意思晶圓200的表面上的空間，亦即，被形成於晶圓200的表面側的氣體流動的空間。本說明書的所謂「與晶圓200的背面對向的空間」是意思晶圓200的背面上的空間(晶圓200的背面與板46的表面之間的空間)，亦即，被形成於晶圓200的背面側的流動氣體的空間。藉此，流動於晶圓200的表面上的空間的氣體的量會比流動於晶圓200的背面上的空間的氣體的量更多，因此可抑制後述的成膜處理的成膜速率的降低。又，藉由流動於晶圓200的表面上的空間的氣體的量多，可抑制在晶圓200的表面上的氣體的滯留。藉此，可使對於晶圓200的處理的面內均一性提升。
板46是被形成例如具有比晶圓200的直徑更大的直徑的平面視圓形狀。板46是被形成為按照處理室23內的離加熱器10的距離來使徑方向的熱容量不同。亦即，如圖3(a)所示般，板46是具有在中央部及位於中央部的外側的外周部不同的厚度。藉此，可使後述的成膜處理的晶圓面內溫度的均一性提升。
所謂本說明書的「(板46的)中央部」是意思位於板46的徑方向內側的部分，板46之中與晶圓200對向的部分，所謂「(板46的)外周部」是意思位於板46的徑方向外側的部分，板46之中不與晶圓200對向的部分。
板46的外周部的厚度是比中央部的厚度更厚，亦即板46的外周部的熱容量比中央部的熱容量更大。
晶圓200的外周部比起中央部，處理室23內的離加熱器10的距離短。因此，成膜處理的晶圓200的加熱時，晶圓200的外周部是比中央部更多吸收來自加熱器10的輻射熱而容易被加熱。此時，板46的外周部的熱容量會比中央部的熱容量更大，因此板46的外周部是比中央部更難被加熱。藉此，成膜處理的晶圓200的加熱時，在晶圓200的外周部是可減少來自板46的熱輻射，在晶圓200的中央部是可增多來自板46的熱輻射。其結果，可使成膜處理的加熱時的晶圓面內溫度的均一性提升。
又，成膜處理的晶圓200的冷卻時，晶圓200的外周部要比中央部更容易被冷卻。此時，藉由板46的外周部的熱容量比中央部的熱容量更大，板46的外周部比中央部更難被冷卻。藉此，成膜處理的晶圓200的冷卻時，在晶圓200的外周部是可增多來自板46的熱輻射，在晶圓200的中央部是可減少來自板46的熱輻射。其結果，可使成膜處理的冷卻時的晶圓面內溫度的均一性提升。
另外，在本說明書中使用「成膜處理的晶圓面內溫度的均一性」的辭句時，有意思「加熱時的晶圓面內溫度的均一性」時、意思「冷卻時的晶圓面內溫度的均一性」時、或包含該等的雙方時。
板46的外周部的厚度是周方向的全周可比中央部的厚度更厚。藉此，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性確實地提升。
板46的中央部的厚度是例如可設為2~7mm的範圍內的預定厚度，外周部的厚度是例如可設為5~15mm的範圍內的預定厚度。藉由將板46的中央部的厚度設為上述範圍內，可一面縮小中央部的熱容量，一面抑制在後述的成膜處理的加熱時，板46變形為起伏(如波浪般的凹凸)。藉此，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性提升。藉由將板46的外周部的厚度設為上述範圍內，可將板46的來自外周部的熱輻射相對於來自中央部的熱輻射的比率設為適當的範圍。藉此，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性提升。
板46的外周部的背面是比中央部的背面更突出。亦即，板46的外周部是在晶圓配列方向朝下(板46的厚度方向朝下)突出而構成凸部。藉由如此將凸部形成於板46的外周部的背面，將板46的表面形成平坦的面(平面)，即使縮小晶圓200的背面上的空間，也可抑制在晶圓200的背面上氣體的流動被阻礙。例如，藉由在後述的成膜處理中不阻礙在晶圓200的背面上的空間的淨化氣體的流動，可抑制反應物或副生成物往板46的表面堆積等。其結果，可抑制板46的徑方向的熱容量在處理的途中改變，可抑制後述的成膜處理的晶圓面內溫度的均一性的降低。又，藉由板46的表面為平面，在利用搬送機器人來進行往晶舟41的晶圓200的裝填或脱裝時，可抑制搬送機器人的手臂的動作因為板46而被阻礙。例如，可抑制搬送機器人的手臂接觸於(卡在)板46的凸部。又，藉由板46的表面為平面，要比在板46的外周部的表面形成凸部，而板46的背面為平面時，更能擴大鄰接的板46間的最短距離(間隙(clearance))。藉此，即使例如因為支撐晶圓200而搬送機器人的手臂變形(彎曲)時，也可防止在晶圓200的裝填或脱裝時手臂接觸於板46。
凸部是可遍及板46的外周部的全周連續構成。藉此，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性確實地提升。又，可確實地抑制在晶圓200的背面上氣體的流動被阻礙。
板46是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料，高熱傳導材料(熱傳導率高的材料)所構成。藉此，可提高板46的加熱效率。亦可用彼此相異的材料來形成板46的中央部及外周部。例如，亦可用比形成外周部的材料更容易吸收來自加熱器10的熱(熱輻射)的材料形成板46的中央部。具體而言，例如以SiC形成板46的中央部，例如以石英形成板46的外周部。藉此，可使後述的成膜處理的晶圓面內溫度的均一性提升。
板46的表面是例如可設為施以和晶圓200的背面的表面積接近(相等)的表面處理的面。亦即，板46的表面是亦可具有與晶圓200的背面的表面積接近的表面狀態。作為上述的表面處理的一例，有藉由矽熱噴塗等，在板46的表面上設置擴大板46的表面的表面積的層、例如板46的表面的表面積會與晶圓200的背面的表面積接近的層的表面塗層處理。又，作為上述的表面處理的其他的一例，例如有噴沙等的粗面化處理。藉由使板46的表面的表面積與晶圓200的背面的表面積接近，例如在晶圓200與板46之間可使第1處理氣體或第2處理氣體等的消費量(吸附量)接近。其結果，可抑制板46對後述的成膜處理造成不良影響。
晶舟41是藉由桿(rod)43來支撐。桿43是一面維持移載室33的氣密狀態，一面貫通下部腔室30的底部，進一步在下部腔室30的下方的外部，被連接至昇降･旋轉機構(晶舟昇降機)44。昇降･旋轉機構44是被構成為藉由使晶舟41昇降，使被支撐於晶舟41的晶圓200在處理室23與移載室33之間昇降於垂直方向。亦即，昇降･旋轉機構44是被構成為將晶舟41亦即晶圓200搬送於處理室23與移載室33之間的搬送裝置(搬送機構)。例如，一旦昇降･旋轉機構44進行上昇動作，則晶舟41是被上昇至圖1所示的處理室23內的位置(晶圓處理位置)，一旦昇降･旋轉機構44進行下降動作，則晶舟41是被下降至圖2所示的移載室33內的位置(晶圓搬送位置)。又，昇降･旋轉機構44是被構成為藉由使晶舟41旋轉來使晶圓200旋轉。
另外，在桿43的上端附近，隔熱部42的下部，亦可設有將反應管20的下部閉塞的蓋47。藉由設置蓋47，將反應管20的下部閉塞，可抑制存在於反應管20內的原料氣體或反應氣體往移載室33擴散。又，反應管20內的壓力控制容易，可使往晶圓200的處理的均一性提升。
在內管21內是設置有作為溫度檢測器的溫度感測器11。根據藉由溫度感測器11所檢測出的溫度資訊，調整往加熱器10的通電情況，藉此，處理室23內的溫度會成為所望的溫度分佈。溫度感測器11是與噴嘴24同樣地被構成L字型，沿著內管21的內壁而設。
如圖4所示般，控制部(控制手段)的控制器70是被構成為具備CPU(Central Processing Unit)71、RAM (Random Access Memory)72、記憶裝置73、I/O埠74的電腦。RAM72、記憶裝置73、I/O埠74是被構成為可經由內部匯流排75來與CPU71作資料交換。控制器70是連接例如構成為觸控面板等的輸出入裝置82、外部記憶裝置81。
記憶裝置73是例如以快閃記憶體、HDD(Hard DiskDrive)等所構成。在記憶裝置73內是控制基板處理裝置的動作的控制程式、或記載有後述的半導體裝置的製造方法的程序或條件等的製程處方等會可讀出地被儲存。製程處方是被組合為可使後述的半導體裝置的製造方法的各工程(各步驟)實行於控制器70，取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦將製程處方或控制程式等總簡稱為程式。又，以將製程處方簡稱為處方。在本說明書中稱程式時，是有只含處方單體時、只含控制程式單體時、或包含該等的雙方時。RAM72是被構成為暫時性地保持藉由CPU71所讀出的程式或資料等的記憶區域(工作區域)。
I/O埠74是被連接至上述的MFC52a~56a、閥52b~56b、壓力感測器62、APC閥63、真空泵64、加熱器10、溫度感測器11、昇降･旋轉機構44等。
CPU71是被構成為從記憶裝置73讀出控制程式來實行，且按照來自輸出入裝置82的操作指令的輸入等，從記憶裝置73讀出處方。CPU71是被構成為按照讀出的處方的內容，控制MFC52a~56a之各種氣體的流量調整動作、閥52b~56b的開閉動作、APC閥63的開閉動作及根據壓力感測器62的APC閥63之壓力調整動作、真空泵64的起動及停止、根據溫度感測器11的加熱器10的溫度調整動作、昇降･旋轉機構44之晶舟41的昇降動作、旋轉及旋轉速度調節動作等。
控制器70是可藉由將被儲存於外部記憶裝置81的上述的程式安裝於電腦來構成。外部記憶裝置81是例如包含磁帶、HDD等的磁碟、CD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體。記憶裝置73或外部記憶裝置81是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。在本說明書中稱記錄媒體時，是有只含記憶裝置73單體時、只含外部記憶裝置81單體時、或包含該等的雙方時。另外，往電腦的程式提供，是亦可不使用外部記憶裝置81，而使用網際網路或專用線路等的通訊手段來進行。
(2)基板處理工程 說明有關使用上述的基板處理裝置，在作為基板的晶圓200上形成矽氧化(SiO)膜作為金屬膜的基板處理順序，亦即成膜順序的例子，作為半導體裝置的製造工程之一工程。在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作是藉由控制器70來控制。
在圖5所示的成膜工程(成膜順序)中，藉由進行預定次數循環，來進行在晶圓200上形成含Si及O的膜(SiO膜)的步驟，該循環是非同時地進行：對於晶圓200供給HCDS氣體的步驟、及對於晶圓200供給O2 氣體的步驟。
在本說明書中，基於方便起見，亦有如以下般表示圖5所示的成膜順序的情形。在以下的其他的形態等的說明中也使用同樣的表記。
Figure 02_image001
在本說明書中稱「晶圓」時，是有意思晶圓本身時，或意思晶圓及被形成於其表面的預定的層或膜的層疊體時。在本說明書中稱「晶圓的表面」時，是有意思晶圓本身的表面時，或意思被形成於晶圓上的預定的層等的表面時。在本說明書中記載成「在晶圓上形成預定的層」時，是有意思在晶圓本身的表面上直接形成預定的層時，或在被形成於晶圓上的層等上形成預定的層時。在本說明書中稱「基板」時，也與稱「晶圓」時同義。
(晶圓裝填：S110) 在多段地配設有複數的板46的晶舟41裝填複數片(例如5片)的晶圓200(晶圓裝填)。具體而言，在移載室33內，在使晶舟41的晶圓200的載置位置與基板搬入搬出口32對向的狀態下，經由基板搬入搬出口32來將晶圓200載置於晶舟41的預定的位置。一旦將1片的晶圓200裝填於晶舟41，則藉由昇降･旋轉機構44來一面使晶舟41的上下方向位置移動，一面將其他的晶圓200裝填於晶舟41的其他的晶圓載置位置。將此動作重複複數次。具體而言，一邊降下晶舟41，一邊裝填晶圓200。另外，在晶舟41是預先配設有複數的板46，使板46會成為沿著晶圓200來多段地配設於裝填複數片的晶圓200時鄰接的晶圓200間的位置及被配置於最下部的晶圓200的下方的位置之狀態。此時被裝填於晶舟41的晶圓200是藉由板46來加熱。
(晶舟裝載：S120) 晶圓200被裝填於晶舟41之後，如圖1所示般，支撐複數片的晶圓200的晶舟41是藉由昇降･旋轉機構44來上昇(舉起)而被搬入至處理室23內(晶舟裝載)。此時，調整晶舟41的高度位置，使氣體供給孔24a的高度位置會分別位於板46的外周部的背面與正下方的晶圓200的表面之間的位置、及比被配置於最上部的晶圓200的表面更稍微高的位置。藉此，可對於各晶圓200的表面確實地供給氣體。
(壓力調整及溫度調整：S130) 以處理室23內，亦即存在晶圓200的空間能成為所望的壓力(真空度)之方式，藉由真空泵64來將處理室23內予以真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室23內的壓力是以壓力感測器62測定，根據此被測定的壓力資訊，反餽控制APC閥63(壓力調整)。又，以處理室23內的晶圓200能成為所望的處理溫度之方式，藉由加熱器10加熱。此時，以處理室23內能成為所望的溫度分佈之方式，根據溫度感測器11所檢測出的溫度資訊，反餽控制往加熱器10的通電情況(溫度調整)。並且，開始藉由昇降･旋轉機構44之晶圓200的旋轉。真空泵64的運轉、晶圓200的加熱及旋轉皆是至少對於晶圓200的處理結束為止的期間繼續進行。
(SiO膜成膜：S140) 然後，依序實施其次的2個步驟，亦即HCDS氣體供給步驟(S141)、O2 氣體供給步驟(S143)。
＜HCDS氣體供給步驟：S141＞ 在此步驟中，對於處理室23內的晶圓200供給HCDS氣體。
具體而言，開啟閥52b，往氣體供給管52流動HCDS氣體。HCDS氣體是藉由MFC52a來調整流量，經由氣體供給管51、噴嘴24來朝處理室23內供給。朝處理室23內供給的HCDS氣體是在處理室23內上昇，從內管21的上端開口流出至排氣流路25而流下於排氣流路25，經由泵送部26來從排氣管61排氣。此時，對於晶圓200供給HCDS氣體。此時，開啟閥53b，55b，經由氣體供給管51，53，55、噴嘴24來朝處理室23內流動N2 氣體。N2 氣體的供給是亦可不實施。經由泵送部26進行來自處理室23內的氣體排氣，可謀求排氣動作的安定化。
作為本步驟的處理條件是舉以下為例： HCDS氣體供給流量：0.01~2slm，理想是0.1~1slm N2 氣體供給流量(每個氣體供給管)：0~10slm 各氣體供給時間：0.1~120秒，理想是0.1~60秒 處理溫度：250~900℃，理想是400~700℃ 處理壓力：1~2666Pa，理想是67~1333Pa。
另外，如本說明書的「1~2666Pa」般的數值範圍的表記是意思下限值及上限值含在範圍中。因此，例如，所謂「1~2666Pa」是意思「1Pa以上2666Pa以下」。有關其他的數值範圍也同樣。
藉由在上述的條件下對於晶圓200供給HCDS氣體，在晶圓200的最表面上形成例如從未滿1原子層到數原子層程度的厚度的含有Cl的含Si層，作為第1層。含有Cl的含Si層是藉由往晶圓200的表面的HCDS的化學吸附或物理吸附、HCDS的一部分分解後的物質(Six Cly )的化學吸附、利用HCDS的熱分解之Si的堆積等來形成。含有Cl的含Si層是亦可為HCDS或Six Cly 的吸附層(物理吸附層或化學吸附層)，亦可為含有Cl的Si的堆積層。在本說明書中，亦將含有Cl的含Si層簡稱為含Si層。
又，此時，對移載室33內供給N2 氣體(移載室33內的淨化)。具體而言，開啟閥56b，朝氣體供給管56內流動N2 氣體。N2 氣體是藉由MFC56a來調整流量，朝移載室33內供給。被供給至移載室33的N2 氣體是在移載室33內上昇，經由開口27來排出至泵送部26。被排出至泵送部26的N2 氣體是與從處理室23內排出至泵送部26的HCDS氣體等一起從排氣管61排氣。經由泵送部26進行來自移載室33的氣體排氣，可謀求排氣動作的安定化。
往移載室33內的N2 氣體的供給是以移載室33內的氣體壓力會比處理室23內的氣體壓力更高(處理室23內的氣體壓力＜移載室33內的氣體壓力)，且被供給至移載室33內的氣體的流量會比被供給至處理室23內的氣體的合計流量更多(被供給至處理室23內的氣體的合計流量＜被供給至移載室33內的氣體流量)之條件來進行。
在晶圓200的表面上形成第1層之後，關閉閥52b，停止朝處理室23內的HCDS氣體的供給。然後，從處理室23內排除(淨化)殘留於處理室23內的氣體等。此時，開啟閥53b、55b，經由氣體供給管51、噴嘴24來朝處理室23內供給N2 氣體。N2 氣體是作為淨化氣體作用，藉此，處理室23內會被淨化。
作為原料氣體，是HCDS氣體以外，可使用一氯矽烷(SiH3 Cl，簡稱：MCS)氣體、二氯矽烷(SiH2 Cl2 ，簡稱：DCS)氣體、三氯矽烷(SiHCl3 ，簡稱：TCS)氣體、四氯矽烷(SiCl4 ，簡稱：STC)氣體、八氯矽烷(Si3 Cl8 ，簡稱：OCTS)氣體等的氯矽烷系氣體。
作為惰性氣體，是除了N2 氣體以外，可使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等的稀有氣體。此點是在後述的各步驟中也同樣。
＜O2 氣體供給步驟：S143＞ 在此步驟中，對於處理室23內的晶圓200，亦即被形成於晶圓200上的第1層供給O2 氣體。
具體而言，開啟閥54b，往氣體供給管54內流動O2 氣體。O2 氣體是藉由MFC54a來調整流量，經由氣體供給管51、噴嘴24來朝處理室23內供給。朝處理室23內供給的O2 氣體是在處理室23內上昇，從內管21的上端開口流出至排氣流路25而流下於排氣流路25，經由泵送部26來從排氣管61排氣。此時，對於晶圓200供給O2 氣體。此時，閥53b，55b是關閉，使N2 氣體不會與O2 氣體一起被供給至處理室23內。亦即，O2 氣體是不以N2 氣體稀釋，被供給至處理室23內，從排氣管61排氣。藉由如此不以N2 氣體稀釋O2 氣體，供給至處理室23內，可使SiO膜的成膜速率提升。
又，此時也藉由與上述的HCDS氣體供給步驟(S141)的情況的移載室33內的淨化同樣的處理程序，將N2 氣體供給至移載室33內。
本步驟的處理條件是舉例表示： O2 氣體供給流量：0.1~10slm 處理壓力：1~4000Pa，理想是1~3000Pa。 其他的處理條件是與HCDS氣體供給步驟(S141)的處理條件同樣。
藉由在上述的條件下對於晶圓200供給O2 氣體，被形成於晶圓200上的第1層的至少一部分會被氧化(改質)。藉由第1層被改質，在晶圓200上形成含Si及O的層，亦即SiO層，作為第2層。形成第2層時，在第1層中所含的Cl等的雜質是在藉由O2 氣體的第1層的改質反應的過程中，構成至少含Cl的氣體狀物質，從處理室23內排出。藉此，第2層是相較於第1層，成為Cl等的雜質少的層。
形成第2層之後，關閉閥54b，停止O2 氣體往處理室23內供給。然後，藉由與上述的HCDS氣體供給步驟(S141)的淨化同樣的處理程序，從處理室23內排除殘留於處理室23內的氣體等。
作為反應氣體(氧化劑)，是除了O2 氣體以外，可使用一氧化二氮(N2 O)氣體、一氧化氮(NO)氣體、二氧化氮(NO2 )氣體、臭氧(O3 )氣體、水蒸氣(H2 O氣體)、一氧化碳(CO)氣體、二氧化碳(CO2 )氣體等的含O氣體。
(實施次數確認：S150) 藉由進行預定次數(n次，n是1以上的整數)使上述的HCDS氣體供給步驟(S141)及O2 氣體供給步驟(S143)非同時亦即不同步交替進行的循環，可在晶圓200的表面上形成SiO膜。上述的循環是重複複數次為理想。亦即，將每1循環形成的SiO層的厚度設為比所望的膜厚更薄，藉由層疊SiO層而形成的膜的膜厚形成所望的膜厚(例如0.1~2nm)為止，重複複數次(例如10~80次程度，更理想是10~15次程度)上述的循環為理想。每次上述的循環終了時，判斷此循環是否實施了預先被設定次數(預定次數)。
(後淨化：S160) 確認重複預定次數上述的循環之後，從氣體供給管53，55的各者往處理室23內供給N2 氣體作為淨化氣體，經由泵送部26來從排氣管61排氣。藉此，處理室23內會被淨化，殘留於處理室23內的氣體或副生成物會從處理室23內除去。
(大氣壓恢復：S170) 然後，處理室23內的氣氛會被置換成惰性氣體(惰性氣體置換)，處理室23內的壓力會被恢復成常壓。
(晶舟卸載：S180) 然後，以和上述的晶舟裝載工程(S120)相反的程序，如圖2所示般，晶舟41會藉由昇降･旋轉機構44來下降，處理完了的晶圓200在被支撐於晶舟41的狀態下從處理室23內搬出(晶舟卸載)至下部腔室30的移載室33。
(晶圓脫裝：S190) 然後，以和上述的晶圓裝填工程(S110)相反的程序，從晶舟41脱裝(取出)處理完了的晶圓200，經由基板搬入搬出口32來搬出至下部腔室30的外部。另外，處理完了的晶圓200的取出是從晶舟41的下部進行。亦即，晶舟卸載(S180)與晶圓脫裝(S190)是一部分並行進行。
如此，對於複數片的晶圓200的各者，形成SiO層的成膜工程完了。
(3)根據本形態的效果 若根據上述的形態，則可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)本形態是在中央部及外周部，厚度不同的板46會沿著晶圓200來配設於晶舟41。亦即，按照處理室23內的離加熱器10的距離來使徑方向的熱容量不同的板46會沿著晶圓200來配設於晶舟41。藉此，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性提升。
(b)本形態是將板46的外周部的厚度設為比中央部的厚度更厚，將板46的外周部的熱容量設為比中央部的熱容量更大。藉此，如上述般可使成膜處理的加熱時及冷卻時的晶圓面內溫度的均一性確實地提升。
(c)本形態是以板46的表面會與晶圓200的背面平行之方式，板46被配設於晶舟41。藉此，可使板46的表面與晶圓200的背面之間的空間的熱容量在晶圓200的背面內形成均一，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性更確實地提升。
(d)本形態是以晶圓200的表面上的空間(的容積)會比晶圓200的背面上的空間(的容積)更大之方式，板46被配設於晶舟41。藉此，可使流動於晶圓200的表面上的空間的氣體的量比流動於晶圓200的背面上的空間的氣體的量更多，可抑制成膜處理的成膜速率的降低。又，藉由流動於晶圓200的表面上的空間的氣體的量多，可抑制在晶圓200的表面上的氣體的滯留，可使對於晶圓200的處理的面內均一性提升。又，如HCDS氣體(氯矽烷系氣體)般，即使使用產生容易藉由熱而分解的物質的氣體時，也可抑制在晶圓200的表面上的分解後的物質的滯留，可使對於晶圓200的處理的面內均一性提升。
(e)本形態是以在晶圓200的背面與板46之間形成空間的方式(以板46不會接觸於晶圓200的方式)，板46被配設於晶舟41。藉此，晶圓200的加熱，主要以來自加熱器10的熱輻射、來自板46的熱輻射進行，可使成膜處理的晶圓間溫度的均一性提升。
(f)本形態是使板46的外周部在晶圓配列方向朝下突出而構成凸部，且將板46的表面設為平面。藉此，即使縮小晶圓200的背面上的空間，也可抑制在晶圓200的背面上氣體的流動被阻礙。又，藉由搬送機器人來進行往晶舟41的晶圓200的裝填或脱裝時，可抑制搬送機器人的手臂的動作因為板46而被阻礙。又，比起在板46的外周部的表面形成凸部，板46的背面為平面時，更能擴大鄰接的板46間的最短距離，可防止在晶圓200的往晶舟41的裝填或脱裝時，搬送機器人的手臂接觸到板46。
(4)變形例 本案的板46是不被限定於上述的形態，可如以下所示的變形例般變更。該等的變形例是可任意地組合。
(變形例1) 亦可使板46的厚度隨著從徑方向內側往外側而增厚。例如，如圖3(b)所示般，亦可以板46的背面成為無階差連續的斜面或曲面之方式，使板46的厚度隨著從徑方向內側往外側而增厚。又，例如，如圖3(c)所示般，亦可使板46的厚度隨著從徑方向內側往外側而段階地(階段狀)增厚。藉由本變形例，也可取得與上述的形態同樣的效果。
(變形例2) 亦可使板46的厚度依照晶舟41的配設位置而不同。晶圓配列區域之中晶圓配列方向的中央部的區域(Center zone)是比晶圓配列區域之中晶圓配列方向的上部側的區域(Top zone)或下部側的區域(Bottom zone)更容易被加熱。因此，例如，亦可將位於Center zone的板46(被配設於晶舟41的垂直方向的中央部的板46)的中央部(最薄部)的厚度設為比位於Top zone或Bottom zone的板46(被配設於晶舟41的垂直方向的上部側或下部側的板46)的中央部的厚度更薄。若根據本變形例，則可使成膜處理的晶圓間溫度的均一性確實地提升。
又，例如，亦可將位於Center zone的板46的中央部(最薄部)的厚度設為比位於Top zone及Bottom zone的板46的中央部的厚度更薄。藉此，可使成膜處理的晶圓間溫度的均一性更確實地提升。
又，例如，亦可將板46的外周部的厚度設為比中央部的厚度更厚，且將位於Center zone的板46的外周部(最厚部)的厚度設為比位於Top zone或Bottom zone、理想是Top zone及Bottom zone的板46的外周部的厚度更薄。藉此，可使成膜處理的晶圓間溫度的均一性更確實地提升。
(變形例3) 亦可使板46的形成材料依照晶舟41的配設位置而不同。亦即，位於Center zone的板46(被配設於晶舟41的垂直方向的中央部的板46)及位於Top zone或Bottom zone的板46(被配設於晶舟的垂直方向的上部側或下部側的板46)是亦可使用彼此不同的材料所形成。例如，亦可使用比位於Center zone的板46更容易吸收來自加熱器10的熱的材料形成位於Top zone或Bottom zone的板46。若根據本變形例，則可使成膜處理的晶圓間溫度的均一性確實地提升。
又，例如，亦可使板46的形成材料依照晶舟41的配設位置而不同，且在板46的外周部及中央部使形成材料不同。藉此，可一面取得與上述的形態同樣的效果，一面使成膜處理的晶圓間溫度的均一性確實地提升。
(變形例4) 板46的外周部是不被限定於與中央部以一體構成的情況，板46的外周部是亦可以和中央部不同體所構成。藉此，可容易按照成膜處理的內容來變更板46的徑方向的熱容量，可使成膜處理的晶圓面內溫度的均一性更提升。
(變形例5) 當晶圓200的中央部要比晶圓200的外周部更容易被加熱(容易被冷卻)時，亦可將板46的中央部的厚度設為比外周部的厚度更厚，將板46的中央部的熱容量設為比外周部的熱容量更大。藉此，成膜處理的晶圓200的加熱時，在晶圓200的外周部是可增多來自板46的熱輻射，在晶圓200的中央部是可減少來自板46的熱輻射。又，成膜處理的晶圓200的冷卻時，在晶圓200的外周部是可減少來自板46的熱輻射，在晶圓200的中央部是可增多來自板46的熱輻射。如此，在本變形例中也可取得與上述的形態同樣的效果。
＜本案的其他的形態＞ 以上，具體地說明了本案的形態，但本案是不被限定於上述的形態，可在不脫離其主旨的範圍實施各種變更。
上述的形態是表示具有反應管具有內管及外管的例子，但本案不被限定於此，反應管是亦可為不具有內管，只具有外管的構成。
又，上述的形態是顯示在反應管的下側配設下部腔室的例子，但本案是不被限定於此。例如，亦可將反應管構成橫型，在反應管的旁邊配設腔室(下部腔室)。又，即使為縱型裝置，也可在反應管的上部配設腔室(下部腔室)。亦即，形成基板的移載室的腔室是只要被配設為連接至反應管即可，不被限定於上述的下部腔室。
又，上述的形態是說明有關使用HCDS氣體作為原料氣體，使用O2 氣體作為反應體，形成SiO膜作為薄膜的例子，但本案是不被限定於如此的形態。
例如，作為反應體，除了O2 氣體等的含O氣體以外，亦可使用氨(NH3 )氣體等的含氮(N)氣體、三乙胺((C2 H5 )3 N，簡稱：TEA)氣體等的含N及碳(C)氣體、丙烯(C3 H6 )氣體等的含C氣體、三氯化硼(BCl3 )氣體等的含硼(B)氣體等。而且，亦可依據以下所示的氣體供給順序，在基板的表面上形成矽氮化膜(SiN膜)、矽氧氮化膜(SiON)膜、矽碳氮化膜(SiCN膜)、矽氧碳化膜(SiOC膜)、矽氧碳氮化膜(SiOCN膜)、矽硼氮化膜(SiBN膜)、矽硼碳氮化膜(SiBCN膜)等的膜。在該等的情況中也可取得與上述的形態的效果同樣的效果。供給該等的反應氣體時的處理程序、處理條件是例如可設為與在上述的形態中供給反應氣體時的該等同樣。在該等的情況中也可取得與上述的形態的效果同樣的效果。
Figure 02_image003
又，例如，亦可對於基板同時供給原料及反應體，在基板上形成上述的各種膜。又，例如，亦可對於基板以單體供給原料，在基板上形成矽膜(Si膜)。在該等的情況中也可取得與上述的形態同樣的效果。供給該等的原料或反應體時的處理程序、處理條件是可設為與在上述的形態中供給原料或反應體時的該等同樣。在該等的情況中也可取得與上述的形態的效果同樣的效果。
又，例如，本案是在形成含鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)等的金屬系薄膜的情況也可適用。該等的情況也可取得與上述的形態同樣的效果。亦即，本案是在形成含半金屬元素(半導體元素)或金屬元素等的預定元素的膜的情況可適用。
又，上述的形態是主要舉在基板的表面上形成薄膜的情況為例，作為基板處理工程，但本案不被限定於此。亦即，本案是除了在上述的形態舉例的薄膜形成以外，也可適用在上述的形態舉例的薄膜以外的成膜處理。又，基板處理的具體的內容不問，不僅成膜處理，也可適用在進行熱處理(退火處理)、電漿處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影製程處理、離子植入後的載體活化或平坦化用的回流處理等的其他的基板處理時。
被用在各處理的處方是按照處理內容個別地準備，經由電氣通訊線路或外部記憶裝置81來儲存於記憶裝置73內為理想。然後，開始各處理時，CPU71從被儲存於記憶裝置73內的複數的處方之中，按照處理內容來適當選擇合適的處方為理想。藉此，可使用1台的基板處理裝置來再現性佳形成各種的膜種、組成比、膜質、膜厚的膜。又，可減低操作員的負擔，可一面迴避操作失誤，一面迅速地開始各處理。
上述的處方是不被限於重新作成的情況，亦可例如藉由變更已被安裝於基板處理裝置的既存的處方而準備。變更處方時，亦可經由電氣通訊線路或記錄了該處方的記錄媒體來將變更後的處方安裝於基板處理裝置。又，亦可操作既存的基板處理裝置所具備的輸出入裝置82，直接變更已被安裝於基板處理裝置的既存的處方。
上述的形態是說明有關使用一次處理複數片的基板的分批式的基板處理裝置來形成膜的例子。本案是不被限定於上述的形態，例如，也可適用在一次處理1片或數片的基板的單片式的基板處理裝置來形成膜的情況。又，上述的形態是說明有關使用具有熱壁型的處理爐的基板處理裝置來形成膜的例子。本案是不限定於上述的形態，也適用在使用具有冷壁型的處理爐的基板處理裝置來形成膜的情況。
在上述的形態中，說明有關以利用電阻加熱式的加熱器之加熱來進行基板處理的例子。本案是不被限定於此形態，亦可例如藉由紫外線的照射等來進行基板處理的加熱。進行紫外線照射的加熱時，例如，可使用重氫燈、氦燈、碳弧燈、BRV光源、準分子雷射燈、水銀燈等，作為取代加熱器10的加熱手段。又，亦可將該等的加熱手段與加熱器組合使用。此情況，可使用比形成外周部的材料更容易吸收從燈照射的波長的材料來形成板狀構件(板)的中央部。
在使用該等的基板處理裝置時也可以和上述的形態同樣的處理程序、處理條件來進行各處理，可取得與上述的形態同樣的效果。
上述的形態是可適當組合使用。此時的處理程序、處理條件是例如可設為與上述的形態的處理程序、處理條件同樣。
＜本案的理想的形態＞ 以下，附記有關本案的理想的形態。
[附記1] 若根據本案的一形態，則可提供一種基板處理裝置，具備： 進行對於基板的處理的處理室；及 在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具， 在前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配設，該板狀構件是在中央部及比前述中央部更外側的外周部厚度不同。
[附記2] 附記1記載的裝置，理想是，前述板狀構件的前述外周部的厚度會比前述中央部的厚度更厚。
[附記3] 附記1或2記載的裝置，理想是，前述中央部為前述板狀構件之中與前述基板對向的部分。
[附記4] 附記1~3的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件是以前述板狀構件的表面會與前述基板的背面對向，且和前述基板的表面平行的方式被配設於前述基板支撐具。
[附記5] 附記1~4的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件是以和前述基板的表面對向的空間會比和前述基板的背面對向的空間更大的方式被配設於前述基板支撐具。
[附記6] 附記1~5的任一項記載的裝置，理想是，具備：對於前述處理室內的基板供給處理氣體的氣體噴嘴， 前述基板支撐具是以使複數的前述基板在垂直方向分別隔開間隔而配列的方式支撐， 前述板狀構件是以被設在前述氣體噴嘴的複數的氣體供給孔的高度位置會分別位於前述板狀構件的前述外周部的背面與前述基板的表面之間的方式配設。
[附記7] 附記1~6的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件的厚度會隨著從前述板狀構件的徑方向內側往外側而變厚。
[附記8] 附記1~7的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件的前述外周部的厚度是遍及周方向的全周，比前述中央部的厚度更厚。
[附記9] 附記1~8的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件的前述外周部的背面是比前述中央部的背面更突出。
[附記10] 附記1~9的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件是以高熱傳導材料所形成。
[附記11] 附記1~10的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件的前述中央部與前述外周部是以彼此相異的材料所形成。
[附記12] 附記11記載的裝置，理想是，具備加熱前述處理室內的加熱部， 前述板狀構件的前述中央部是以比形成前述外周部的材料更容易吸收來自前述加熱部的熱的材料所形成。
[附記13] 附記1~12的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件的表面是被施以和前述基板的背面的表面積相等的表面處理的面。
[附記14] 附記1~13的任一項記載的裝置，理想是，前述基板支撐具是以使複數的前述基板在垂直方向分別隔開間隔而配列的方式支撐， 被配設於前述基板支撐部的中央部的前述板狀構件的前述中央部的厚度會比被配設於前述基板支撐部的上部側或下部側的前述板狀構件的前述中央部的厚度更薄。
[附記15] 附記1~14的任一項記載的裝置，理想是，前述基板支撐具是以使複數的前述基板在垂直方向分別隔開間隔而配列的方式支撐， 被配設於前述基板支撐部的中央部的前述板狀構件及被配設於前述基板支撐部的上部側或下部側的前述板狀構件是以彼此相異的材料所形成。
[附記16] 附記1~15的任一項記載的裝置，理想是，前述板狀構件的前述外周部是以和前述中央部不同體所構成。
[附記17] 若根據本案的其他的形態，則可提供一種基板支撐具，是在基板處理裝置的處理室內支撐基板的基板支撐具， 具有在中央部及比前述中央部更外側的外周部厚度不同的板狀構件， 前述板狀構件是被構成為在支撐前述基板時沿著前述基板來配設於前述基板支撐具。
[附記18] 若根據本案的另外其他的形態，則可提供一種半導體裝置的製造方法，具有：在基板處理裝置的處理室內，使基板支撐於基板支撐具，且使在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同的板狀構件沿著前述基板來配設於前述基板支撐具的狀態下，對於前述基板進行預定的處理之工程。
[附記19] 若根據本案的另外其他的形態，則可提供一種藉由電腦來使下述程序實行於前述基板處理裝置的程式或記錄了該程式的電腦可讀取的記錄媒體， 該程序是在基板處理裝置的處理室內，使基板支撐於基板支撐具，且使在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同的板狀構件沿著前述基板來配設於前述基板支撐具的狀態下，對於前述基板進行預定的處理。
20:反應管 23:處理室 33:移載室 41:晶舟(基板支撐具) 46:板狀構件
[圖1]是被適用於本案的一形態的基板處理裝置的概略構成圖，以縱剖面圖表示處理爐部分的圖(其1)。 [圖2]是被適用於本案的一形態的基板處理裝置的概略構成圖，以縱剖面圖表示處理爐部分的圖(其2)。 [圖3(a)]是表示被適用於本案的一形態的基板處理裝置的要部構成的一例的擴大圖，[(b)、(c)]是分別被適用於本案的一形態的基板處理裝置的要部構成的變形例的擴大圖。 [圖4]是表示被適用於本案的一形態的基板處理裝置所具有的控制器的概略構成圖，以方塊圖表示控制器的控制系的圖。 [圖5]是在表示被適用於本案的一形態的基板處理裝置進行的成膜工程的程序的流程圖。
1:縱型處理爐
10:加熱器
11:溫度感測器
20:反應管
21:內管
22:外管
23:處理室
24:噴嘴
24a:氣體供給孔
25:排氣流路
26:泵送部
27:開口
30:下部腔室
31:凸緣
32:基板搬入搬出口
33:移載室
41:晶舟(基板支撐具)
42:隔熱部
43:桿
44:昇降．旋轉機構(晶舟昇降機)
46:板狀構件
47:蓋
51,52,53,54,55,56:氣體供給管
52a,53a,54a,55a,56a:MFC
52b,53b,54b,55b,56b:閥
61:排氣管
62:壓力感測器
63:APC閥
64:真空泵
70:控制器
200:晶圓

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵是具備：進行對於基板的處理的處理室；及在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具，在前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配設，該板狀構件是在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述中央部與前述外周部是以彼此相異的材料所形成。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件的前述外周部的厚度會比前述中央部的厚度更厚。
  3. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述中央部為前述板狀構件之中與前述基板對向的部分。
  4. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件是以前述板狀構件的表面會與前述基板的背面對向，且和前述基板的表面平行的方式被配設於前述基板支撐具。
  5. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件是以和前述基板的表面對向的空間會比和前述基板的背面對向的空間更大的方式被配設於前述基板支撐具。
  6. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，具備：對於前述處理室內的基板供給處理氣體的氣體噴嘴， 前述基板支撐具是以使複數的前述基板在垂直方向分別隔開間隔而配列的方式支撐，前述板狀構件是以被設在前述氣體噴嘴的複數的氣體供給孔的高度位置會分別位於前述板狀構件的前述外周部的背面與前述基板的表面之間的方式配設。
  7. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件的厚度會隨著從前述板狀構件的徑方向內側往外側而變厚。
  8. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件的前述外周部的厚度是遍及周方向的全周，比前述中央部的厚度更厚。
  9. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件的前述外周部的背面是比前述中央部的背面更突出。
  10. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件是以高熱傳導材料所形成。
  11. 一種基板處理裝置，其特徵是具備：進行對於基板的處理的處理室；在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具；及加熱前述處理室內的加熱部，在前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配設，該板狀構件是在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述板狀構件的前述中央部是以比形成前述外周部的 材料更容易吸收來自前述加熱部的熱的材料所形成。
  12. 一種基板處理裝置，其特徵是具備：進行對於基板的處理的處理室；及在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具，在前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配設，該板狀構件是在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述板狀構件的表面是被施以和前述基板的背面的表面積相等的表面處理的面。
  13. 一種基板處理裝置，其特徵是具備：進行對於基板的處理的處理室；及在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具，前述基板支撐具是以使複數的前述基板在垂直方向分別隔開間隔而配列的方式支撐，前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配設，該板狀構件是在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同，被配設於前述基板支撐具的中央部的前述板狀構件的前述中央部的厚度會比被配設於前述基板支撐具的上部側或下部側的前述板狀構件的前述中央部的厚度更薄。
  14. 一種基板處理裝置，其特徵是具備：進行對於基板的處理的處理室；及在前述處理室內支撐前述基板的基板支撐具，在前述基板支撐具是板狀構件會沿著前述基板而配 設，該板狀構件是在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述基板支撐具是以使複數的前述基板在垂直方向分別隔開間隔而配列的方式支撐，被配設於前述基板支撐具的中央部的前述板狀構件及被配設於前述基板支撐具的上部側或下部側的前述板狀構件是以彼此相異的材料所形成。
  15. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述板狀構件的前述外周部是以和前述中央部不同體所構成。
  16. 一種基板支撐具，是在基板處理裝置的處理室內支撐基板的基板支撐具，其特徵為：具有在中央部及比前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述中央部與前述外周部是以彼此相異的材料所形成的板狀構件，前述板狀構件是被構成為在支撐前述基板時沿著前述基板來配設於前述基板支撐具。
  17. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為：具有：在基板處理裝置的處理室內，使基板支撐於基板支撐具，且使在中央部及位於比前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述中央部與前述外周部是以彼此相異的材料所形成的板狀構件沿著前述基板來配設於前述基板支撐具的狀態下，對於前述基板進行預定的處理之工程。
  18. 一種程式，其特徵為：藉由電腦來使下述程序實行於前述基板處理裝置，在基板處理裝置的處理室內，使基板支撐於基板支撐具，且使在中央部及位於以前述中央部更外側的外周部厚度不同，前述中央部與前述外周部是以彼此相異的材料所形成的板狀構件沿著前述基板來配設於前述基板支撐具的狀態下，對於前述基板進行預定的處理。
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