JP2009158505A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LEDチップ1と、半導体材料(シリコン)により形成されLEDチップ1が収納されるパッケージ2とを備え、LEDチップ1から放射される光を検知するフォトダイオードからなる光検知部4がパッケージ2に一体に設けられている。パッケージ2に、LEDチップ1から光検知部4への熱伝導を阻止する熱絶縁部6を設けてある。
【選択図】図1
Description
以下、本実施形態の発光装置について図1および図2に基づいて説明する。
以上説明した本実施形態の発光装置によれば、上記半導体材料により形成されLEDチップ1が収納されるパッケージ2にLEDチップ1から光検知部4への熱伝導を阻止する熱絶縁部6を設けてあるので、LEDチップ1から放射される光を検知するフォトダイオードからなる光検知部4がパッケージ2に一体に設けられた構成を採用しながらも、LEDチップ1の温度上昇に起因した光検知部4の出力変動を抑制することが可能になる。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、図4に示すように、光検知基板40における配光用基板30との接合部(接合用金属層48、導体パターン47a,47b)と光検知部4との間に熱絶縁部6を設けてある点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 パッケージ
2a 収納凹所
4 光検出部
6 熱絶縁部
6a 熱絶縁材料部
20 ベース基板
20a 第1のシリコン基板(第1の半導体基板)
24 貫通孔配線
25aa ダイパッド部(チップ搭載部)
26 サーマルビア
30 配光用基板
30a 第2のシリコン基板(第2の半導体基板)
34 貫通孔配線
40 光検知基板
40a 第3のシリコン基板(第3の半導体基板)
47a,47b 導体パターン(接合部、配線)
48 接合用金属層(接合部)
66 凹部
Claims (7)
- LEDチップと、半導体材料により形成されLEDチップが収納されるパッケージとを備え、LEDチップから放射される光を検知するフォトダイオードからなる光検知部がパッケージに一体に設けられた発光装置であって、パッケージにLEDチップから光検知部への熱伝導を阻止する熱絶縁部を設けてなることを特徴とする発光装置。
- 前記パッケージは、前記半導体材料からなる第1の半導体基板を用いて形成され前記LEDチップが実装されるベース基板と、前記半導体材料からなる第2の半導体基板を用いて形成されてベース基板に接合され前記LEDチップから放射された光の配光を制御する配光用基板と、前記半導体材料からなる第3の半導体基板を用いて形成されて配光用基板に接合され前記光検知部が設けられた光検知基板とを有し、ベース基板に前記熱絶縁部を設けるとともに、ベース基板において前記LEDチップが搭載されるチップ搭載部と前記熱絶縁部との間に当該ベース基板の厚み方向に貫通し前記LEDチップに熱結合されるサーマルビアを設けてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記パッケージは、前記半導体材料からなる第1の半導体基板を用いて形成され前記LEDチップが実装されるベース基板と、前記半導体材料からなる第2の半導体基板を用いて形成されてベース基板に接合され前記LEDチップから放射された光の配光を制御する配光用基板と、前記半導体材料からなる第3の半導体基板を用いて形成されて配光用基板に接合され前記光検知部が設けられた光検知基板とを有し、光検知基板における配光用基板との接合部と前記光検知部との間に前記熱絶縁部を設けてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記熱絶縁部は、前記半導体基板の厚み方向に貫設されてなることを特徴とする請求項2または請求項3記載の発光装置。
- 前記熱絶縁部は、ポリイミドにより形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項4記載の発光装置の製造方法であって、前記熱絶縁部の形成にあたっては、前記半導体基板における前記熱絶縁部の形成予定領域を前記半導体基板の一表面側からエッチングすることにより前記熱絶縁部の形成予定領域に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に前記半導体材料に比べて熱伝導率の低い熱絶縁材料を埋め込んで熱絶縁材料部を形成する熱絶縁材料埋込工程と、前記半導体基板を他表面側からエッチングして熱絶縁材料部を露出させることにより当該熱絶縁材料部からなる前記熱絶縁部を形成するエッチング工程とを備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
- 前記凹部形成工程と前記熱絶縁材料埋込工程との間に、前記半導体基板に配線を形成する配線形成工程を備えることを特徴とする請求項6記載の発光装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
US9006973B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device |
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2007
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