JP2000277645A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】駆動素子の熱が光半導体素子に作用して光半導
体素子に誤動作が生じる。 【解決手段】上面に光半導体素子４及び該光半導体素子
４を駆動する駆動素子５が載置される光半導体素子載置
領域１ａ及び駆動素子載置領域１ｂを有する基体１と、
前記基体１上に取着され、側部に貫通孔２ａを有する枠
体２と、前記貫通孔２ａもしくは貫通孔２ａ周辺の枠体
２に取着され、光ファイバー部材１０が接合される筒状
の固定部材８と、前記枠体２の上面に取着され、光半導
体素子４及び駆動素子５を気密に封止する蓋部材３とか
ら成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記基
体に切欠孔１ｃを形成し、光半導体素子載置領域１ａと
駆動素子載置領域１ｃとを区分するとともに該切欠孔１
ｃ内に炭素繊維布から成り、かつ露出する外表面が被覆
層で被覆されている熱遮断部材６を配設した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子及び該
光半導体素子を駆動させる駆動素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に酸化アルミニウ
ム質焼結体から成り、上面中央部に光半導体素子及び該
光半導体素子を駆動させる駆動素子が載置される光半導
体素子載置領域及び駆動素子載置領域を有する基体と、
前記光半導体素子載置領域及び駆動素子載置領域を囲繞
するようにして基体上に取着され、側部に貫通孔を有す
る酸化アルミニウム質焼結体から成る枠体と、前記枠体
の貰通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、内部に
光信号が伝達される空間を有する鉄ーニッケルーコバル
ト合金等の金属材料から成る筒状の固定部材と、前記筒
状の固定部材に融点が２００〜４００℃の金ー錫合金等
の低融点ロウ材を介して取着された固定部材の内部を塞
ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材と、前記基体の枠
体内側から外側にかけて被着導出されているタングステ
ンやモリブデン、マンガン等から成り、光半導体素子の
電極及び駆動素子の電極がボンディングワイヤ等の電気
的接続手段を介して接続される複数個の配線導体層と、
前記枠体の上面に取着され、光半導体素子及び駆動素子
を気密に封止する蓋部材とから構成されており、前記基
体の光半導体素子載置領域に光半導体素子を、また駆動
素子載置領域に駆動素子を各々、載置固定させるととも
に該光半導体素子及び駆動素子の各電極をボンデイング
ワイヤ等の電気的接続手段を介して所定の配線導体層に
電気的に接続し、しかる後、前記枠体の上面に蓋部材を
接合させ、基体と枠体と蓋部材とから成る容器内部に光
半導体素子及び駆動素子を気密に収容するとともに筒状
固定部材に光ファイバー部材を取着接続させることによ
って製品としての光半導体装置となる。

【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号に基づいて駆動素子に所定の駆動を行
わせるとともに該駆動素子の駆動に伴って光半導体素子
に所定の光励起を起こさせ、該励起した光を透光性部材
を介し光ファイバー部材に授受させるとともに該光ファ
イバー部材の光ファイバー内を伝達させることによって
高速通信等に使用される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、基体が
酸化アルミニウム質焼結体により形成されており、該酸
化アルミニウム質焼結体は熱伝導率が約１５Ｗ／ｍ・ｋ
であることから、駆動素子に外部電気回路から駆動信号
を供給して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子
の駆動に伴って光半導体素子に所定の光励起を起こさせ
た場合、駆動素子が作動時に多量の熱を発するとともに
その熱の一部が基体を介して光半導体素子に作用し、光
半導体素子を高温として光半導体素子に誤動作を起こさ
せるという欠点を有していた。

【０００５】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は駆動素子の作動時に発する熱が光半導体
素子に作用するのを有効に防止し、光半導体素子を常に
適温として光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安
定に作動させることができる光半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子及び該光半導体素子を駆動する駆動素子が載置さ
れる光半導体素子載置領域及び駆動素子載置領域を有す
る基体と、前記基体上に光半導体素子載置領域及び駆動
素子載置領域を囲繞するようにして取着され、側部に貫
通孔を有する枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺の
枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される筒状の
固定部材と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子
及び駆動素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導
体素子収納用パッケージであって、前記基体に切欠孔を
形成し、光半導体素子載置領域と駆動素子載置領域とを
区分するとともに該切欠孔内に炭素繊維布から成り、か
つ露出する外表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材
を配設したことを特徴とするものである。

【０００７】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、光半導体素子及び該光半導体素子を駆動する駆
動素子が載置される基体に、光半導体素子載置領域と駆
動素子載置領域とを区分するように切欠孔を設けるとと
もに、該切欠孔内に炭素繊維布から成り、かつ露出する
外表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材を配設した
ことから、駆動素子に外部電気回路から駆動信号を供給
して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子の駆動
に伴って光半導体素子に所定の光励起を起こさせた際、
駆動素子が作動時に多量の熱を発し、その熱の一部が基
体を介し光半導体素子に作用しようとしても熱の伝達が
前記熱遮断部材で遮断されて光半導体素子に作用するこ
とはなく、その結果、光半導体素子は常に適温となり、
光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動さ
せることが可能となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は本発明の光半導体素子
収納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠
体、３は蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３
とで内部に光半導体素子４と該光半導体素子４を駆動さ
せる駆動素子５とを収容するための容器が構成される。

【０００９】前記基体１は光半導体素子４及び駆動素子
５を支持するための支持部材として作用し、その上面に
光半導体素子４が載置される光半導体素子載置領域１ａ
と駆動素子５が載置される駆動素子載置領域１ｂを有
し、光半導体素子載置領域１ａには光半導体素子４が、
例えば、間にシリコン基板を挟んで金ーゲルマニウム等
から成るロウ材を介して接着固定され、また駆動素子載
置領域１ｂには駆動素子５が載置固定される。

【００１０】前記基体１は、例えば、酸化アルミニウム
質焼結体等の電気絶縁材料から成り、酸化アルミニウ
ム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状
となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法等を採用することによってセラ
ミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工法等を施すとともに複数枚を上下に積層し、しか
る後、これを高温（約１６００℃）で焼成することによ
って製作される。

【００１１】また前記基体１は光半導体素子載置領域１
ａと駆動素子載置領域１ｂとの間に切欠孔１ｃが形成さ
れており、該切欠孔１ｃによって光半導体素子載置領域
１ａと駆動素子載置領域１ｂとが区分されているととも
に切欠孔１ｃ内に炭素繊維布から成り、かつ露出する外
表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材６が配設され
ている。

【００１２】前記切欠孔１ｃは熱遮断部材６を配設する
ための配設孔として作用し、複数枚のセラミックグリー
ンシートを積層し焼成して基体１を得る際、基体１とな
るセラミックグリーンシートの所定位置に予め打ち抜き
加工法により孔を開けておくことによって形成される。

【００１３】また前記切欠孔１ｃに配設されている熱遮
断部材６は、駆動素子５が作動時に発した熱が基体１を
介して光半導体素子４に作用するのを有効に防止する作
用をなし、駆動素子５に外部電気回路から駆動信号を供
給して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子５の
駆動に伴って光半導体素子４に所定の光励起を起こさせ
た際、駆動素子５が作動時に多量の熱を発し、その熱の
一部が基体１を介し光半導体素子４に作用しようとして
も熱の伝達が前記熱遮断部材６で遮断されて光半導体素
子４に作用することはなく、その結果、光半導体素子４
は常に適温となり、光半導体素子４を長期間にわたり正
常、かつ安定に作動させることが可能となる。

【００１４】前記熱遮断部材６は、炭素繊維布から成
り、かつ露出する外表面が被覆層６ａで被覆されて形成
されている。

【００１５】前記熱遮断部材６を形成する炭素繊維布
は、厚み方向、幅方向、長さ方向の熱伝導率がいずれも
０．５Ｗ／ｍ・ｋ以下であり、優れた断熱性を有してい
ることからこの炭素繊維布から成る熱遮断部材６を基体
１に設けた切欠孔１ｃ内に配設した場合、駆動素子５が
作動時に発した熱は基体１を広がって光半導体素子４が
載置されている光半導体素子載置領域１ａに伝達しよう
としても前記熱遮断部材６で熱の伝達が阻止され、その
結果、光半導体素子４が駆動素子５の発した熱によって
高温となることはなく、光半導体素子４を常に適温とし
て、光半導体素子４を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることが可能となる。

【００１６】なお、前記炭素繊維布から成る熱遮断部材
６は、例えば、所定長さの複数の炭素繊維を圧縮加熱
し、各々の炭素繊維をからみ合わせて膠着させ布状とす
るとともにこれを固体のピッチあるいはコークスなどの
微粉末を分散させたフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂
の溶液中に含浸させ、次にこれを乾燥させた後、所定の
圧力を加えるとともに加熱して熱硬化性樹脂部分を硬化
させ、最後にこれを不活性雰囲気中、高温で焼成し、フ
ェノール樹脂とピッチあるいはコークスの微粉末を炭化
させる（炭素を形成する）とともに該炭素を各々の炭素
繊維に結合させることによって製作される。

【００１７】また前記炭素繊維布から成る熱遮断部材６
はその露出する外表面に被覆層６ａが被着されており、
該被覆層６ａによって熱遮断部材６を構成する炭素繊維
布はその内部及び表面に多数の気孔が形成されており、
多孔質であるとしてもその気孔が前記被覆層６ａで完全
に塞がれ、容器の気密封止の信頼性が極めて高いものと
なる。また同時に前記被覆層６ａによって熱遮断部材６
の気孔が完全に塞がれることから容器内部に光半導体素
子４及び駆動素子５を収容し、光半導体装置となした
後、ヘリウムを使用して光半導体装置の気密封止の検査
をする場合、ヘリウムの一部が熱遮断部材６の気孔内に
トラップされることはなく、光半導体装置の気密封止の
検査を極めて正確に行うことができる。

【００１８】前記被覆層６ａは金属や鉛ホウ酸系やホウ
ケイ酸系のガラス、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、ウ
レタン樹脂等の樹脂により形成されている。

【００１９】前記被覆層６ａを金属で形成する場合、熱
遮断部材６の下面に鉄やニッケル、クロム、チタン、モ
リブデン、タンタル、タングステン等の厚さ５０μｍ以
下の薄板状金属部材を配置させ、次にこれを真空ホット
プレスで５ＭＰａの圧力をかけつつ１２００℃の温度を
１時間印加し、薄板状金属部材の一部を熱遮断部材６に
拡散させ、拡散接合することによって行われる。

【００２０】なお、前記炭素繊維布から成る熱遮断部材
６はその弾性率が３０ＧＰａ以下であり、軟質であるこ
とから熱遮断部材６と該熱遮断部材６が配設される基体
１との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が
多少発生したとしてもその熱応力は熱遮断部材６を適度
に変形させることによって吸収され、その結果、熱遮断
部材６と基体１とは極めて強固に接合し、容器の気密封
止の信頼性を高いものとして内部に収容する光半導体素
子４及び駆動素子５を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることが可能となる。

【００２１】更に前記熱遮断部材６が配設された基体１
はその上面に、前記光半導体素子載置領域１ａ及び駆動
素子載置領域１ｂを囲繞するようにして枠体２が取着さ
れており、枠体２の内側には光半導体素子４及び駆動素
子５を収容するための空所が形成される。

【００２２】前記枠体２は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪
素質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼
結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿
物を作るとともに、該泥漿物をドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）となし、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃の
温度で焼成することによって製作される。

【００２３】また前記枠体２の内側に位置する基体１の
表面から基体１の下面にかけて複数個のメタライズ配線
層７が被着形成されており、枠体２の内側に位置する基
体１表面に形成されているメタライズ配線層７には光半
導体素子４や駆動素子５の各電極がボンディングワイヤ
等の電気的接続手段を介して電気的に接続され、また基
体１の下面に導出する部位には外部電気回路基板の配線
導体が半田等を介して接続される。

【００２４】前記メタライズ配線層７は光半導体素子４
や駆動素子５の各電極を外部電気回路に接続する、ある
いは光半導体素子４と駆動素子５とを電気的に接続する
際の導電路として作用し、タングステン、モリブデン、
マンガン等の高融点金属粉末により形成されている。

【００２５】前記メタライズ配線層７はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
バインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを
基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周知
のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布して
おくことによって枠状２の内側に位置する基体１の表面
から基体１の下面にかけて被着形成される。

【００２６】また前記メタライズ配線層７はその露出す
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材と
の濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッ
キ法により被着させておくとメタライズ配線層７の酸化
腐蝕を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層７と光半導体素子４や駆動素子５及び外部電気回
路基板の配線導体との接続を強固となすことができる。
従って、前記メタライズ配線層７は、その露出する表面
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ
性に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みに被着させて
おくことが好ましい。

【００２７】更に前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが
設けてあり、該貫通孔２ａの内壁面には筒状の固定部材
８が取着され、更に筒状の固定部材８の内側の一端には
透光性部材９が取着されている。

【００２８】前記枠体２の側部に形成されている貫通孔
２ａは固定部材８を枠体２に取着するための取着孔とし
て作用し、例えば、枠体２の側部に従来周知のドリル孔
あけ加工を施すことによって所定形状に形成される。

【００２９】前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている
固定部材８は光ファイバー部材１０を枠体２に固定する
際の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子
４が励起した光を光ファイバー部材１０に伝達させる作
用をなし、その内側の一端には、例えば、透光性部材９
が取着され、また外側の一端には光ファイバー部材１０
が取着接続される。

【００３０】前記筒状の固定部材８は、例えば、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料
から成り、鉄ーニッケル合金のインゴット（塊）をプレ
ス加工により筒状とすることによって形成される。

【００３１】また前記固定部材８はその内側の一端に、
例えば、透光性部材９が取着されており、該透光性部材
９は固定部材８の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２と蓋
部材３とから成る容器の気密封止を保持させるとともに
固定部材８の内部空間を伝達する光半導体素子４の励起
した光をそのまま固定部材８に取着接続される光ファイ
バー部材１０に伝達させる作用をなす。

【００３２】前記透光性部材９は例えば、酸化珪素、酸
化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分と
したホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、該
非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体素
子４の励起する光を透光性部材９を通過させて光ファイ
バー部材１０に授受させる場合、光半導体素子４の励起
した光は透光性部材９で複屈折を起こすことはなくその
まま光ファイバー部材１０に授受されることとなり、そ
の結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー部
材１０への授受が高効率となって光信号の伝送効率を高
いものとなすことができる。

【００３３】前記透光性部材９の固定部材８への取着
は、例えば、図２に示すように、透光性部材７の外周部
に予めメタライズ層１１を被着させておき、該メタライ
ズ層１１と固定部材８とを金ー錫合金等のロウ材を介し
ロウ付けすることによって行われる。この場合、透光性
部材９の固定部材８への取着が金ー錫合金等によるロウ
付けにより行われることから取着の信頼性が高いものと
なり、これによって固定部材８と透光性部材９との取着
部における光半導体素子４や駆動素子５を収容する容器
の気密封止が完全となり、容器内部に収容する光半導体
素子４や駆動素子５を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることができる。

【００３４】なお、前記透光性部材９の外周部に予め被
着されているメタライズ層１１は透光性部材９を構成す
る非晶質ガラスの融点が約７００℃と低く、従来周知の
Ｍｏ−Ｍｎ法を採用することによって形成することかで
きないことから図２に示すように、非晶質ガラスに対し
て活性があり、強固に接合するチタン、チタンータング
ステン、窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層
１１ａと、この第１層１１ａが透光性部材９を固定部材
８にロウ付けする際の熱によって後述する第３層１１ｃ
に拡散し、メタライズ層１１の透光性部材９に対する接
合強度が低下するのを有効に防止する白金、ニッケル、
ニッケルークロムの少なくとも１種から成る第２層１１
ｂと、メタライズ層１１に対するロウ材の濡れ性を改善
し、メタライズ層１１にロウ材を強固に接合させて透光
性部材９を固定部材８に強固に取着させる金、白金、銅
の少なくとも１種から成る第３層１１ｃとを順次、積層
させることによって形成されており、特にチタンー白金
ー金を順次積層させて形成したメタライズ層１１は透光
性部材９との接合強度が強く、かつロウ材との濡れ性が
良好で透光性部材９を固定部材８にロウ付けすることが
可能なことからメタライズ層１１として極めて好適であ
る。

【００３５】更に前記チタン、チタンータングステン、
窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層１１ａ
と、白金、ニッケル、ニッケルークロムの少なくとも１
種から成る第２層１１ｂと、金、白金、銅の少なくとも
１種から成る第３層１１ｃとの３層構造を有するメタラ
イズ層１１はその各々の金属材料、窒化物を透光性部材
９の外周部にスパッタリング法や蒸着法、イオンプレー
ティング法、メッキ法等により順次、所定厚みに被着さ
せることによって形成される。

【００３６】また更に前記メタライズ層１１をチタン、
チタンータングステン、窒化タンタルの少なくとも１種
から成る第１層１１ａと、白金、ニッケル、ニッケルー
クロムの少なくとも１種から成る第２層１１ｂと、金、
白金、銅の少なくとも１種から成る第３層１１ｃとで形
成する場合、第１層１１ａの層厚は５００オングストロ
ーム未満となるとメタライズ層１１の透光性部材９に対
する接合強度が弱くなる傾向にあり、また２０００オン
グストロームを超えると透光性部材９に第１層１１ａを
被着させる際に第１層１１ａ中に大きな応力が発生内在
し、該内在応力によって第１層１１ａが透光性部材９よ
り剥離し易くなる傾向にあることから第１層１１ａの厚
みは５００オングストローム乃至２０００オングストロ
ームの範囲としておくことが好ましく、第２層１１ｂの
層厚は５００オングストローム未満となると透光性部材
９を固定部材８にロウ付けする際の熱によって第１層１
１ａが第３層１１ｃに拡散するのを有効に防止すること
ができず、メタライズ層１１の透光性部材９に対する接
合強度が低下してしまう危険性があり、また１００００
オングストロームを超えると第１層１１ａ上に第２層１
１ｂを被着させる際に第２層１１ｂ中に大きな応力が発
生内在し、該内在応力によって第２層１１ｂが第１層１
１ａより剥離し易くなる傾向にあることから第２層１１
ｂの厚みは５００オングストローム乃至１００００オン
グストロームの範囲としておくことが好ましく、第３層
１１ｃの層厚は０．５μｍ未満であるとメタライズ層１
１に対するロウ材の濡れ性が大きく改善されず、透光性
部材９を固定部材８に強固にロウ付け取着するのが困難
となる傾向にあり、また５μｍを超えると第２層１１ｂ
上に第３層１１ｃを被着させる際に第３層１１ｃ中に大
きな応力が発生内在し、該内在応力によって第３層１１
ｃが第２層１１ｂより剥離し易くなる傾向にあることか
ら第３層１１ｃの厚みは０．５μｍ乃至５μｍの範囲と
しておくことが好ましい。

【００３７】更に前記枠体２はその上面に、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属
材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１
と枠体２と蓋部材３とからなる容器の内部に光半導体素
子４及び駆動素子５が気密に封止されることとなる。

【００３８】前記蓋部材３の枠体２上面への接合は、例
えは、シームウェルド法等の溶接によって行われる。

【００３９】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置領域１ａに
光半導体素子４を、駆動素子載置領域１ｂに駆動素子５
を載置固定するとともに光半導体素子４及び駆動素子５
の各電極をボンデイングワイヤ等の電気的接続手段を介
してメタライズ配線層７に電気的に接続し、次に枠体２
の上面に蓋部材３を接合させ、基体１と枠体２と蓋部材
３とから成る容器内部に光半導体素子４及び駆動素子５
を収容し、最後に枠体２に取着させた筒状の固定部材８
に光ファイバー部材１０を取着接続させることによって
最終製品としての光半導体装置となる。

【００４０】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号に基づいて駆動素子５に所定の駆動を
行わせるとともに該駆動素子５の駆動に伴って光半導体
素子４に所定の光励起を起こさせ、該励起した光を透光
性部材９を介し光ファイバー部材１０に授受させるとと
もに該光ファイバー部材１０の光ファイバー内を伝達さ
せることによって高速通信等に使用される。

【００４１】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では、
駆動素子５の駆動によって光半導体素子４が光を励起す
る場合について説明したが、これが光ファイバー部材１
０を介して伝達された光を光半導体素子４が電気信号に
変換し、該変換された電気信号を駆動素子５が増幅する
ようになした場合にも適用可能である。

【００４２】

【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、光半導体素子及び該光半導体素子を駆動する
駆動素子が載置される基体に、光半導体素子載置領域と
駆動素子載置領域とを区分するように切欠孔を設けると
ともに、該切欠孔内に炭素繊維布から成り、かつ露出す
る外表面が被覆層で被覆されている熱遮断部材を配設し
たことから、駆動素子に外部電気回路から駆動信号を供
給して所定の駆動を起こさせるとともに該駆動素子の駆
動に伴って光半導体素子に所定の光励起を起こさせた
際、駆動素子が作動時に多量の熱を発し、その熱の一部
が基体を介し光半導体素子に作用しようとしても熱の伝
達が前記熱遮断部材で遮断されて光半導体素子に作用す
ることはなく、その結果、光半導体素子は常に適温とな
り、光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作
動させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。

【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの透
光性部材を説明するための一部拡大断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・基体 １ａ・・・・・・・光半導体素子載置領域 １ｂ・・・・・・・駆動素子載置領域 １ｃ・・・・・・・切欠孔 ２・・・・・・・・枠体 ２ａ・・・・・・・貫通孔 ３・・・・・・・・蓋部材 ４・・・・・・・・光半導体素子 ５・・・・・・・・駆動素子 ６・・・・・・・・熱遮断部材 ７・・・・・・・・メタライズ配線層 ８・・・・・・・・固定部材 ９・・・・・・・・透光性部材 １０・・・・・・・・光ファイバー部材

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に光半導体素子及び該光半導体素子を
   駆動する駆動素子が載置される光半導体素子載置領域及
   び駆動素子載置領域を有する基体と、前記基体上に光半
   導体素子載置領域及び駆動素子載置領域を囲繞するよう
   にして取着され、側部に貫通孔を有する枠体と、前記貫
   通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバ
   ー部材が接合される筒状の固定部材と、前記枠体の上面
   に取着され、光半導体素子及び駆動素子を気密に封止す
   る蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケージであ
   って、前記基体に切欠孔を形成し、光半導体素子載置領
   域と駆動素子載置領域とを区分するとともに該切欠孔内
   に炭素繊維布から成り、かつ露出する外表面が被覆層で
   被覆されている熱遮断部材を配設したことを特徴とする
   光半導体素子収納用パッケージ。