JP2001102636A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】端子体のメタライズ配線層を伝播する高周波駆
動信号に伝播遅延が生じ光半導体素子が誤動作する。 【解決手段】基体１と、前記基体１上に光半導体素子載
置部１ａを囲繞するようにして取着され、側部に２つの
貫通孔２ａ、２ｂを有する枠体２と、前記１つの貫通孔
２ａもしくは貫通孔２ａ周辺の枠体２に取着され、光フ
ァイバー部材８が接合される筒状の固定部材６と、前記
他の貫通孔２ｂに挿着され、矩形状のセラミック基板１
０ｃの上面に、相対向する２辺間に亘るメタライズ配線
層１１を被着するとともに該メタライズ配線層１１の中
央部を挟んで他の２辺間に亘るセラミック壁部材１０ｄ
を接合し、かつ前記セラミック基板１０ｃの下面に厚さ
０．１ｍｍ乃至２ｍｍの金属板からなる接地導体層１２
が接合されてなる端子体１０と、前記枠体２の上面に取
着される蓋部材３とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄ーニッケルー
コバルト合金や銅ータングステン合金等の金属材料から
成り、上面中央部に光半導体素子が電子冷却素子を間に
挟んで載置される載置部を有する基体と、前記光半導体
素子載置部を囲繞するようにして基体上に銀ロウ等のロ
ウ材を介して接合され、側部に貫通孔及び切欠部を有す
る鉄ーニッケルーコバルト合金等の金属材料から成る枠
体と、前記枠体の貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取
着され、内部に光信号が伝達される空間を有する鉄ーニ
ッケルーコバルト合金等の金属材料から成る筒状の固定
部材と、前記筒状の固定部材に融点が３００〜４００℃
の金ー錫合金等の低融点ロウ材を介して取着された固定
部材の内部を塞ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材
と、前記枠体の切欠部に挿着され、酸化アルミニウム質
焼結体から成る絶縁基体に光半導体素子の各電極がボン
ディングワイヤを介して電気的に接続されるメタライズ
配線層が形成されている端子体と、前記枠体の上面に取
着され光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成
されており、前記基体の光半導体素子載置部に光半導体
素子を間にペルチェ素子等の電子冷却素子を間に挟んで
載置固定させるとともに該光半導体素子の各電極をボン
ディングワイヤを介して端子体のメタライズ配線層に電
気的に接続し、しかる後、前記枠体の上面に蓋部材を接
合させ、基体と枠体と蓋部材とから成る容器内部に光半
導体素子を気密に収容するとともに筒状固定部材に光フ
ァイバー部材を、例えば、ＹＡＧ溶接等により取着する
ことによって製品としての光半導体装置となる。

【０００３】かかる光半導体装置は電子冷却素子により
光半導体素子を冷却しつつ光半導体素子に外部電気回路
から供給される高周波駆動信号によって光励起を起こさ
せ、該励起した光を透光性部材を介して光ファイバー部
材に授受させるとともに該光ファイバー部材の光ファイ
バー内を伝達させることによって高速通信等に使用され
る。

【０００４】なお、前記端子体は酸化アルミニウム質焼
結体等のセラミックスから成る絶縁体の上面にタングス
テンやモリブデン等の高融点金属から成る複数のメタラ
イズ配線層を互いに略平行に被着させるとともに、下面
にタングステン等の高融点金属から成る接地導体層を略
全面に被着させ、さらに絶縁体の上面に各メタライズ配
線層の一部を挟み込むように各メタライズ配線層に対し
ほぼ直交する方向で酸化アルミニウム質焼結体等のセラ
ミックスから成る絶縁壁部材を接合させることによって
形成されている。

【０００５】また前記端子体は、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合
して泥漿状と成すとともにこれを従来周知のドクターブ
レード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術を採
用して複数のセラミックグリーンシート（セラミック生
シート）を得、次に前記セラミックグリーンシートにタ
ングステンやモリブデン等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た金属ペ
ーストをスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用する
ことによって所定パターンに印刷塗布し、次に前記セラ
ミックグリーンシートを復数枚積層するとともに還元雰
囲気中、約１６００℃の温度で焼成し、セラミックグリ
ーンシートと金属ペーストを焼結一体化させることによ
って製作されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては端子体の
下面に被着されている接地導体層がタングステンやモリ
ブデン等の高融点金属に有機バインダー等を添加混合し
て成る金属ペーストをスクリーン印刷法により塗布する
ことによって形成されているため厚みが５０μｍ程度と
薄く、接地導体層の電気抵抗が大きくなり、その結果、
メタライズ配線層に光半導体素子を駆動させるための高
周波駆動信号を伝播させた場合、メタライズ配線層を伝
播する高周波駆動信号に伝播遅延が生じ、光半導体素子
に誤動作が生じるという欠点を有していた。

【０００７】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は端子体のメタライズ配線層を伝播する高
周波駆動信号に伝播遅延が生じるのを有効に防止し、光
半導体素子を常に正常に作動させることができる光半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子収
納用パッケージは、上面に光半導体素子が載置される載
置部を有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部
を囲繞するようにして取着され、側部に２つの貫通孔を
有する枠体と、前記１つの貫通孔もしくは貫通孔周辺の
枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される筒状の
固定部材と、前記他の貫通孔に挿着され、矩形状のセラ
ミック基板の上面に、相対向する２辺間に亘るメタライ
ズ配線層を被着するとともに該メタライズ配線層の中央
部を挟んで他の２辺間に亘るセラミック壁部材を接合
し、かつ前記セラミック基板の下面に厚さ０．１ｍｍ乃
至２ｍｍの金属板からなる接地導体層が接合されてなる
端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を
気密に封止する蓋部材とからなることを特徴とするもの
である。

【０００９】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、光半導体素子に高周波駆動信号を伝播供給する
端子体の接地導体層として厚さが０．１ｍｍ乃至２ｍｍ
の金属板を用いたことから接地導体層の電気抵抗が小さ
くなり、その結果、端子体のメタライズ配線層に光半導
体素子を駆動させるための高周波駆動信号を伝播させた
場合、メタライズ配線層を伝播する高周波駆動信号に伝
播遅延を生じることはなく、光半導体素子を常に正常に
作動させることが可能となる。

【００１０】

【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図ｌ乃至図４は本発明の光半導体素子収
納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠
体、３は蓋部材である。

【００１１】前記基体１と枠体２と蓋部材３とで内部に
光半導体素子４を収容するための容器が構成される。

【００１２】前記基体１は光半導体素子４を支持するた
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子等の電子
冷却素子５を挟んで金ーシリコンロウ材等の接着剤によ
り接着固定される。

【００１３】前記基体１は鉄ーニッケルーコバルト合金
や銅ータングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金から成る場合、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。

【００１４】なお、前記基体１はその外表面に耐蝕性に
優れ、かつロウ材に対して濡れ性の良い金属、具体的に
は厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの
金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐蝕するのを有効に防止することができるととも
に基体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子等の電子冷却素子５を強固に接着固定させること
ができる。従って、前記基体１は酸化腐蝕を有効に防止
し、かつ上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子等の電子冷却素子５を強固に接着固定させる場合
にはその外表面に厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ
０．５〜５μｍの金層を順次、メッキ法により被着させ
ておくことが好ましい。

【００１５】また前記基体１の上面には、光半導体素子
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が接合されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を
収容するための空所が形成されている。

【００１６】前記枠体２は鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成され、基体１
への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介
して銀ロウ付けすることによって行われている。

【００１７】更に前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが
設けてあり、該貫通孔２ａ内壁面には筒状の固定部材６
が取着され、更に筒状の固定部材６の内側の一端には透
光性部材７が取着されている。

【００１８】前記枠体２の側部に形成されている貫通孔
２ａは固定部材６を枠体２に取着するため取着孔として
作用し、枠体２の側部に従来周知のドリル孔あけ加工を
施すことによって所定形状に形成される。

【００１９】前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている
固定部材６は光ファイバー部材８を枠体２に固定する際
の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子４
が励起した光を光ファイバー部材８に伝達させる作用を
なし、その内側の一端には、例えば、透光性部材７が取
着され、また外側の一端には光ファイバー部材８が取着
接続される。

【００２０】前記筒状の固定部材６は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄ーニッケル合金のインゴット（塊）をプレス
加工により筒状とすることによって形成される。

【００２１】また、前記固定部材６はその内側の一端
に、例えば、透光性部材７が取着されており、該透光性
部材７は固定部材６の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器の気密封止を保持させるとと
もに固定部材６内部の空間を伝達する光半導体素子４の
励起した光をそのまま固定部材６に取着接続される光フ
ァイバー部材８に伝達させる作用をなす。

【００２２】前記透光性部材７は、例えば、酸化珪素、
酸化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分
としたホウ珪酸系の非晶質ガラスで形成されており、該
非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体素
子４の励起する光を透光性部材７を通過させ光ファイバ
ー部材８に授受させる場合、光半導体素子４の励起した
光は透光性部材７で複屈折を起こすことはなくそのまま
光ファイバー部材８に授受されることとなり、その結
果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー部材８
への授受が高効率となって光信号の伝送効率を高いもの
となすことができる。

【００２３】前記透光性部材７固定部材６への取着は、
例えば、図３に示すように、透光性部材７の外周部に予
めメタライズ層９を被着させておき、該メタライズ層９
と固定部材６とを金ー錫合金等のロウ材を介しロウ付け
することによって行われる。

【００２４】この場合、透光性部材７の固定部材６への
取着が金ー錫合金等によるロウ付けにより行われること
から取着の信頼性が高いものとなり、これによって固定
部材６と透光性部材７との取着部における光半導体素子
４を収容する容器の気密封止が完全となり、容器内部に
収容する光半導体素子４を長期間にわたり正常、かつ安
定に作動させることができる。

【００２５】なお、前記透光性部材７の外周部に予め被
着されているメタライズ層９は透光性部材７を構成する
非晶質ガラスの融点が約７００℃と低く、従来周知のＭ
ｏーＭｎ法を採用することによって形成することができ
ないことから図３に示すように、非晶質ガラスに対して
活性があり、強固に接合するチタン、チタンータングス
テン、窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層９
ａと、この第１層９ａが透光性部材７を固定部材６にロ
ウ付けする際の熱によって後述する第３層９ｃに拡散
し、メタライズ層９の透光性部材７に対する接合強度が
低下するのを有効に防止する白金、ニッケル、ニッケル
ークロムの少なくとも１種から成る第２層９ｂと、メタ
ライズ層９に対するロウ材の濡れ性を改善し、メタライ
ズ層９のロウ材を強固に接合させて透光性部材７を固定
部材６に強固に取着させる金、白金、銅の少なくとも１
種から成る第３層９ｃとを順次、積層させることによっ
て形成されており、特にチタンー白金ー金を順次積層さ
せて形成したメタライズ層９は透光性部材７との接合強
度が強く、かつロウ材との濡れ性良好で透光性部材７を
固定部材６にロウ付けすることが可能なことからメタラ
イズ層９として極めて好適である。

【００２６】更に前記チタン、チタンータングステン、
窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層９ａと、
白金、ニッケル、ニッケルークロムの少なくとも１種か
ら成る第２層９ｂと、金、白金、銅の少なくとも１種か
ら成る第３層９ｃとの３層構造を有するメタライズ層９
はその各々の金属材料、窒化物を透光性部材７の外周部
にスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング
法、メッキ法等により順次、所定厚みに被着させること
によって形成される。

【００２７】また更に前記メタライズ層９をチタン、チ
タンータングステン、窒化タンタルの少なくとも１種か
ら成る第１層９ａと、白金、ニッケル、ニッケルークロ
ムの少なくとも１種から成る第２層９ｂと、金、白金、
銅の少なくとも１種から成る第３層９ｃとで形成する場
合、第１層９ａの層厚５００はオングストローム未満と
なるとメタライズ層９の透光性部材７に対する接合強度
が弱くなる傾向にあり、また２０００オングストローム
を超えると透光性部材７に第１層９ａを被着させる際に
第１層９ａ中に大きな応力が発生内在し、該内在応力に
よって第１層９ａが透光性部材７より剥離し易くなる傾
向にあることから第１層９ａの厚みは５００オングスト
ローム乃至２０００オングストロームの範囲としておく
ことが好ましく、第２層９ｂの層厚は５００オングスト
ローム未満となると透光性部材７を固定部材６にロウ付
けする際の熱によって第１層９ａが第３層９ｃに拡散す
るのを有効に防止することができず、メタライズ層９の
透光性部材７に対する接合強度が低下してしまう危険性
があり、また１００００オングストロームを超えると第
１層９ａ上に第２層９ｂを被着させる際に第２層９ｂ中
に大きな応力が発生内在し、該内在応力によって第２層
９ｂが第１層９ａより剥離し易くなる傾向にあることか
ら第２層９ｂの厚みは５００オングストローム乃至１０
０００オングストロームの範囲としておくことが好まし
く、第３層９ｃの層厚は０．５μｍ未満であるとメタラ
イズ層９に対するロウ材の濡れ性が大きく改善されず、
透光性部材７を固定部材６に強固にロウ付け取着するの
が困難となる傾向にあり、また５μｍを超えると第２層
９ｂ上に第３層９ｃを被着させる際に第３層９ｃ中に大
きな応力が発生し、該内在応力によって第３層９ｃが第
２層９ｂより剥離し易くなる傾向にあることから第３層
９ｃの厚みは０．５μｍ乃至５μｍの範囲としておくこ
とが好ましい。

【００２８】前記枠体２は更にその側部に貫通孔２ｂが
形成されており、該貫通孔２ｂには端子体１０が挿着さ
れている。

【００２９】前記端子体１０は図４に示すように、矩形
状のセラミック基板１０ｃの上面に、相対向する２辺１
０ｅ、１０ｆ間に亘るメタライズ配線層１１を被着する
とともに該メタライズ配線層１１の中央部を挟んで他の
２辺間に亘るセラミック壁部材１０ｄを接合して形成さ
れている。

【００３０】前記端子体１０は酸化アルミニウム質焼結
体等のセラミックスから成り、枠体２の光半導体素子収
納用パッケージ内側に突出する突出部１０ａと光半導体
素子収納用パッケージ外側に突出する突出部１０ｂとを
有する断面が凸型の絶縁部材であり、突出部１０ａ上面
から突出部１０ｂ上面に亘り、枠体２の内外を電気的に
接続するための複数のメタライズ配線層１１が被着形成
されている。

【００３１】前記端子体１０は、枠体２の側部に形成さ
れた内外に貫通する貫通孔２ｂに、銀ロウ等のロウ材に
より挿着されており、枠体２の一部となって内外を気密
に仕切るとともに枠体２の内外を導通させる導電路を構
成する。また、メタライズ配線層１１のうち突出部１０
ａに被着形成された部位には、それぞれ光半導体素子４
の各電極やペルチェ素子等の電子冷却素子５の電極がボ
ンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。

【００３２】一方、前記メタライズ配線層１１のうち突
出部１０ｂに被着された部位には、外部の駆動回路等に
接続するための外部リード端子が銀ロウ等のロウ材によ
り接合されている。

【００３３】前記端子体１０は、例えば、アルミニウム
質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当
な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿
状と成すとともにこれを従来周知のドクターブレード法
やカレンダーロール法等のテープ成形技術を採用して複
数のセラミックグリーンシート（セラミック生シート）
を得、次に前記セラミックグリーンシートにタングステ
ンやモリブデン等の高融点金属粉末に適当な有機バイン
ダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た金属ペーストを
スクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用することによ
ってメタライズ配線層１１となるように所定パターンに
印刷塗布し、次に前記セラミックグリーンシートを複数
枚積層するとともに還元雰囲気中、約１６００℃の温度
で焼成することによって製作される。

【００３４】更に前記端子体１０はセラミック基板１０
ｃの下面に接地導体層１２となる厚さが０．１ｍｍ乃至
２ｍｍの金属板が接合されている。

【００３５】前記セラミック基板１０ｃの下面に接合さ
れる接地導体層１２はメタライズ配線層１１とマイクロ
ストリップ構造を形成する作用をなし、鉄ーニッケルー
コバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴッ
ト（塊）をプレス加工や切削加工等の金属加工法を用い
ることによって所定厚みの板状に形成される。

【００３６】前記厚さが０．１ｍｍ乃至２ｍｍの金属板
から成る接地導体層１２はその厚みが厚いため接地導体
層１２の電気抵抗を極めてを小さな値とすることがで
き、その結果、端子体１０のメタライズ配線層１１に光
半導体素子４を駆動させるための高周波駆動信号を伝播
させた場合、メタライズ配線層１１を伝播する高周波駆
動信号に伝播遅延を生じることはなく光半導体素子４を
常に正常に作動させることが可能となる。

【００３７】なお、前記金属板からなる接地導体層１２
は端子体１０のセラミック基板１０ｃ下面に予めタング
ステン等の高融点金属からなるメタライズ金属層を被着
させておき、該メタライズ金属層に銀ロウ等のロウ材を
介しロウ付けすることによってセラミック基板１０ｃの
下面に接合される。

【００３８】また前記接地導体層１２を形成する金属板
はその厚みが０．１ｍｍ未満となると、接地導体層１２
の電気抵抗が大きくなって、メタライズ配線層１１を伝
播する高周波駆動信号に伝播遅延が生じてしまい、また
２ｍｍを超えるとセラミック基板１０ｃと接地導体層１
２との間に両者の熱膨張係数の差に起因する大きな応力
が発生するとともに内在し、両者の接合の信頼性が大き
く劣化してしまう。従って、前記接地導体層１２を形成
する金属板はその厚みが０．１ｍｍ乃至２ｍｍの範囲に
特定される。

【００３９】更に、前記メタライズ配線層１１や金属板
から成る接地導体層１２は、その露出する表面にニッケ
ル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れ
る金属を１乃至２０μｍの厚みに被着させておくとメタ
ライズ配線層１１や接地導体層１２の酸化腐蝕を有効に
防止することができるとともに、接地導体層１２の枠体
２へのロウ付け取着や、メタライズ配線層１１へのボン
ディングワイヤの接続が確実強固となる。従って、前記
メタライズ配線層１１や接地導体層１２の露出表面には
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性
に優れた金属を１乃至２０μｍの厚みに被着させておく
ことが好ましい。

【００４０】また更に、前記メタライズ配線層１１には
外部リード端子が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取
着されており、該外部リード端子は容器内部に収容する
光半導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続
する作用をなし、外部リード端子を外部電気回路に接続
することによって容器内部に収容される光半導体素子４
はボンディングワイヤ、メタライズ配線層１１および外
部リード端子を介して外部電気回路に接続されることと
なる。

【００４１】前記外部リード端子は鉄ーニッケルーコバ
ルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例
えば鉄ーニッケルーコバルト合金等の金属材料から成る
インゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等の従
来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成
される。

【００４２】更にまた前記枠体２はその上面に、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等
の金属材料から成る蓋部材３が接合され、これによって
基体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器の内部に光半
導体素子４が気密に封止されることとなる。

【００４３】前記蓋部材３の枠体２上面への接合は、例
えば、シームウエルド法等の溶接や、金−錫合金等のロ
ウ材によるロウ付けによって行われる。

【００４４】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導体素子４を間にペルチェ素子等の電子冷却素子５を
間に挟んで載置固定するとともに光半導体素子４の各電
極をボンディングワイヤを介して外部リード端子に電気
的に接続し、次に枠体２の上面に蓋部材３を接合させ、
基体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器内部に光半導
体素子４を収容し、最後に枠体２に取着された筒状の固
定部材６光にファイバー部材８を取着接続することによ
って最終製品としての光半導体装置となる。

【００４５】かかる光半導体装置は電子冷却素子５によ
り光半導体素子４を冷却しつつ光半導体素子４に外部電
気回路から供給される高周波駆動信号によって光励起を
起こさせ、該励起した光を透光性部材７を介して光ファ
イバー部材８に授受させるとともに該光ファイバー部材
８の光ファイバー内を伝達させることによって高速通信
等に使用される。

【００４６】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。

【００４７】

【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれぱ、光半導体素子に高周波駆動信号を伝播供給す
る端子体の接地導体層として厚さが０．１ｍｍ乃至２ｍ
ｍの金属板を用いたことから接地導体層の電気抵抗が小
さくなり、その結果、端子体のメタライズ配線層に光半
導体素子を駆動させるための高周波駆動信号を伝播させ
た場合、メタライズ配線層を伝播する高周波駆動信号に
伝播遅延を生じることはなく、光半導体素子を常に正常
に作動させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。

【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの蓋
部材を除いた平面図である。

【図３】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの一
部拡大図である。

【図４】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの端
子体を説明する斜視図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・基体 １ａ・・・・・・・載置部 ２・・・・・・・・枠体 ２ａ、２ｂ・・・・貫通孔 ３・・・・・・・・蓋部材 ４・・・・・・・・光半導体素子 ５・・・・・・・・電子冷却素子 ６・・・・・・・・固定部材 ７・・・・・・・・透光性部材 ８・・・・・・・・光ファイバー部材 ９・・・・・・・・メタライズ層 １０・・・・・・・端子体 １０ａ、１０ｂ・・突出部 １０ｃ・・・・・・セラミック基板 １０ｄ・・・・・・セラミック壁部材 １１・・・・・・・メタライズ配線層 １２・・・・・・・接地導体層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
   有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞
   するようにして取着され、側部に２つの貫通孔を有する
   枠体と、前記１つの貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に
   取着され、光ファイバー部材が接合される筒状の固定部
   材と、前記他の貫通孔に挿着され、矩形状のセラミック
   基板の上面に、相対向する２辺間に亘るメタライズ配線
   層を被着するとともに該メタライズ配線層の中央部を挟
   んで他の２辺間に亘るセラミック壁部材を接合し、かつ
   前記セラミック基板の下面に厚さ０．１ｍｍ乃至２ｍｍ
   の金属板からなる接地導体層が接合されてなる端子体
   と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に
   封止する蓋部材とからなる光半導体素子収納用パッケー
   ジ。