JP2009146944A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体モジュールの筐体15と、該筐体の内部から外部に延びる金属端子10と、該筐体の内部に配置され該金属端子と電気的に接続された半導体素子24と、表面に配線パターン36が形成され該金属端子を介して該半導体パッケージと接続された配線基板34とを備える。該金属端子は、該筐体の外部において、該筐体の外面に面接触した接合部分12と、該接合部分に対向するように離間して配置された弾性部分11とを有し、該配線基板は、該接合部分と該弾性部分に挟まれ、該配線パターンと該接合部分は、圧接により金属接合される。
【選択図】図1
Description
半導体モジュールの筐体と、
該筐体の内部から外部に延びる金属端子と、
該筐体の内部に配置され、該金属端子と電気的に接続された半導体素子と、
表面に配線パターンが形成され、該金属端子を介して該半導体パッケージと接続された配線基板とを備え、
該金属端子は、該筐体の外部において、該筐体の外面に面接触した接合部分と、該接合部分に対向するように離間して配置された弾性部分とを有し、
該配線基板は、該接合部分と該弾性部分に挟まれ、
該配線パターンと該接合部分は、圧接により金属接合されていることを特徴とする。
半導体モジュールの筐体と、
該筐体の内部から外部に延びる金属端子と、
該筐体の内部に配置され、該金属端子と電気的に接続された半導体素子と、
表面に配線パターンが形成され、該金属端子を介して該半導体パッケージと接続された配線基板とを備え、
該金属端子は、該筐体の外部において、該接合部分に対向するように離間して配置された弾性部分を有し、
該配線基板は、該弾性部分と該筐体とに挟まれ、
該配線パターンと該弾性部分は、圧接により金属接合されていることを特徴とする。
本実施形態は半導体モジュールと配線基板とが簡易な方法で接続される半導体装置に関する。本実施形態の半導体装置は図1A、B、C、Dに示される。図1Aは半導体モジュール13と端子10との構成を説明する図である。図1Bは端子10の半導体モジュール13外部に延びる部分などを説明する図である。図1Cは端子10による配線基板34の固定を説明する図である。図1Dは配線基板34について説明する図である。なお、図1A、Bでは説明の便宜上、配線基板の記載が省略されている。
本実施形態は簡易な製造工程で形成できる金属端子の形状に関する。図2に本実施形態の金属端子40および半導体モジュールの筐体42を示す。本実施形態は金属端子40の形状を除き金属端子の材料も含めて実施の形態1と同様である。金属端子40は筐体42から垂直方向に立つように配置されている。金属端子40の特徴は、金属端子40が曲げ加工なしに形成されている点にある。すなわち、金属端子40の弾性部分、接合部分の間隔は切り欠き部分で形成されている。したがって簡素な工程で金属端子を形成できる。また、前述した切り欠きは容易に任意の形状に成形できるから金属端子の形状の自由度が高い。
本実施形態は配線基板にかかる応力を分散できる半導体装置に関する。本実施形態の金属端子の斜視図を図3に示す。なお、本実施形態の半導体装置の構成は後述する金属端子の形状を除き実施形態1と同様である。
本実施形態は配線基板が金属端子に対してより強固に固定される半導体装置に関する。本実施形態は斜視図である図5Aおよび側面図である図5Bを参照して説明する。なお、本実施形態における半導体装置の構成は図5A、Bに示す金属端子および、図5Bに示す配線基板を除き実施の形態1と同様である。
本実施形態は電気的特性を改善した半導体装置に関する。本実施形態において言及しない構成については実施の形態1と同様である。本実施の形態の構成は最初に図6A、B、C、Dを参照して説明する。本実施形態の金属端子は、筐体94の外部に延びる部分において弾性部品90と高電気伝導度部品92とを備える。
本実施形態は金属端子の弾性部分がばね材を備える半導体装置に関する。本実施形態において言及しない点は実施の形態1と同様である。本実施の形態は図13を参照して説明する。本実施形態の半導体装置は、筐体105から延びる接合部分104と連結している弾性部分102を備える。弾性部分102は前述した「第一の側辺」から「第二の側辺」に向かう方向と垂直方向の切り欠きを備える。この切り欠きは弾性部分102に帯状部分101を形成している。さらに本実施形態では前述の帯状部分101を覆うようにバネ材100が配置されている。
本実施形態は電流容量などの要請に応じて金属端子の構成を変更した半導体装置に関する。本実施形態において言及しない点は実施の形態1と同様である。本実施の形態は図14A、Bを参照して説明する。本実施形態は第2の金属端子170を備える点に特徴がある。図14Aに示されるように第2の金属端子170は筐体171内部から延びる部分において湾曲した部分を有する。図14Bに示すように第2の金属端子170の湾曲した部分は、配線基板172が備える配線パターン174と接触する。
本実施形態は半導体モジュールのレイアウト自由度を向上させることができる半導体装置に関する。本実施形態において言及しない点は実施の形態1と同様である。本実施形態は図15および図16を参照して説明する。図15に示す配線基板180は四角形の孔182および四角形の孔182と接する配線パターン184を備える。また、図16に示す配線基板190は円形の孔192および円形の孔192と接する配線パターン194を備える。四角形の孔182、円形の孔192ともに配線基板の端部ではなく中央付近に配置されている。
11 弾性部分
12 接合部分
13 半導体モジュール
15 筐体
24 半導体素子
34 配線基板
36 配線パターン
72 かぎ状部分
90 弾性部品
92 高電気伝導度部品
96 弾性部品かぎ状部分
97 高電気伝導度部品かぎ状部分
100 バネ材
170 第2の金属端子
Claims (12)
- 半導体モジュールの筐体と、
前記筐体の内部から外部に延びる金属端子と、
前記筐体の内部に配置され、前記金属端子と電気的に接続された半導体素子と、
表面に配線パターンが形成され、前記金属端子を介して前記半導体パッケージと接続された配線基板とを備え、
前記金属端子は、前記筐体の外部において、前記筐体の外面に面接触した接合部分と、前記接合部分に対向するように離間して配置された弾性部分とを有し、
前記配線基板は、前記接合部分と前記弾性部分に挟まれ、
前記配線パターンと前記接合部分は、圧接により金属接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体モジュールの筐体と、
前記筐体の内部から外部に延びる金属端子と、
前記筐体の内部に配置され、前記金属端子と電気的に接続された半導体素子と、
表面に配線パターンが形成され、前記金属端子を介して前記半導体パッケージと接続された配線基板とを備え、
前記金属端子は、前記筐体の外部において、前記接合部分に対向するように離間して配置された弾性部分を有し、
前記配線基板は、前記弾性部分と前記筐体とに挟まれ、
前記配線パターンと前記弾性部分は、圧接により金属接合されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記弾性部分は、第1の側辺において前記接合部分と連結され、前記第1の側辺とは反対側の第2の側辺において前記接合部分との間隔がテーパー状に広がっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記接合部分と前記弾性部分は、一枚の平坦な金属板により形成され、
前記接合部分と前記弾性部分は、前記金属板に形成された切り欠きにより離間していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記弾性部分は、前記第2の側辺から前記第1の側辺に向かう方向へ形成された切り込みにより、第1の帯状部分と第2の帯状部分に分離されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1の帯状部分の前記接合部分との最近接部分と、前記第2の帯状部分の前記接合部分との最近接部分とは、前記第2の側辺から前記第1の側辺に向かう方向において位置がずれていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記配線基板に孔が形成され、
前記第1の帯状部分の先端にかぎ状部分が形成され、
前記かぎ状部分は前記孔に嵌合されることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 前記金属端子の前記弾性部分以外は前記弾性部分よりも電気伝導度の高い材料で形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記弾性部分に第1のかぎ状部分が形成され、
前記接合部分に第2のかぎ状部分が形成され、
前記第1のかぎ状部分と前記第2のかぎ状部分が嵌合されることにより、前記弾性部分と前記接合部分が連結されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記弾性部分は平板部を有し、
前記平板部の一部にバネ材が取り付けられ、
前記配線基板は、前記接合部分と前記バネ材に挟まれることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記筐体の内部から外部に延びる第2の金属端子を更に備え、
前記半導体素子は前記第2の金属端子と電気的に接続され、
前記配線基板の表面に第2の配線パターンが形成され、
前記第2の金属端子は、前記筐体の外部において、前記第2の配線パターンと、接触することを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記配線基板に孔が形成され、
前記金属端子は、前記筐体の外部において、前記孔を貫通していることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の半導体装置。
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