JP2009146519A - 垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】記録磁界の低下を抑え、かつ効率よくフリンジ磁界を低減することができる垂直磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】浮上面形状が逆台形形状の主磁極１１と、主磁極のトレーリング側に位置するトレーリングシールドと、主磁極のクロストラック方向両側に位置するサイドシールド１３とを備える。そして、サイドシールド１３のリーディング側端部は、主磁極１１のリーディング側端部よりも更にリーディング側に位置し、サイドシールド１３の主磁極クロストラック方向中心線に最も近い点が、主磁極１１のリーディング側端部よりも更にリーディング側に位置する。このとき、主磁極１１のリーディング側端部とサイドシールド１３端部との距離Ｌｓと、主磁極１１とサイドシールド１３間の距離Ｇｓが、Ｌｓ＞１．５×Ｇｓを満たす。
【選択図】図１

Description

本発明は、隣接トラック消磁を抑えつつ高い記録磁界を得ることが可能な垂直磁気記録ヘッドとその製造方法に関するものである。

ＨＤＤ（Hard disk drive）の高記録密度化のためには、熱安定性の高い媒体に記録可能な高い磁界強度、高トラック密度記録においても、隣接トラックの記録パターン劣化を引き起こさない磁界分布の実現が不可欠である。しかしながら、一般に上記２点は相反する。すなわち、高磁界を発生するヘッド構造はトラック幅方向への磁界広がりも大きい。一方で、トラック密度の向上に伴い、記録時に生じる隣接トラックのシグナル劣化の問題が顕在化しつつある。これは、隣接トラックへの漏れ磁界（以下、フリンジ磁界という）が記録媒体の磁化反転磁界以下でも、繰り返し記録の結果、隣接トラックの信号品質が劣化する現象である。

最大磁界を維持しつつ、隣接トラックへの磁界漏れを防ぐ手段として、主磁極トラック幅方向側面に磁気シールドを設ける手段が考えられる。特許文献１，２には、イオンミリングにより形成した逆台形形状の主磁極側面に、非磁性膜と軟磁性膜を形成する方法が開示されている。特許文献３には、逆台形形状の主磁極をサイドシールドと自己整合的に形成する手段として、磁性膜に楔形の断面形状を有する溝を形成しその中に、非磁性膜と磁性膜を形成する方法が開示されている。

また磁界強度の増大を目的に、主磁極のダウントラック方向端部において、浮上面垂直方向に浮上面から後退した位置に副磁極を設置する方法が考えられる。例えば特許文献４，５には、主磁極リーディング側に磁性膜を付加する方法が記されている。しかし一般にこれらの方法は、磁界強度が増加するとともに磁界広がりを引き起こし、フリンジ磁界が増大する。従ってトラック密度を増加させることが不可能になり、高記録密度記録を実現することができない。

特開２００４−１２７４８０号公報 特開２００７−３５０８２号公報 特願２００７−２４１２０号公報 特開昭６０−１３６０１５号公報 特開２００６−２４４６７１号公報

サイドシールドによって隣接トラックへの漏れ磁界を抑制する場合、記録トラックへの磁界が低下してしまう。記録磁界の低下を抑え、かつ効率よくフリンジ磁界を低減し、隣接トラックのシグナル劣化を抑制することが本発明の目的である。

本発明の垂直磁気記録ヘッドは、浮上面形状が逆台形形状の主磁極と、主磁極のトレーリング側に位置するトレーリングシールドと、主磁極のクロストラック方向両側に位置するサイドシールドとを備える。そして、サイドシールドのリーディング側端部は、主磁極のリーディング側端部よりも更にリーディング側に位置する。

より好ましくは、サイドシールドの主磁極クロストラック方向中心線に最も近い点が、主磁極のリーディング側端部よりも更にリーディング側に位置する。このとき、主磁極のリーディング側端部とサイドシールド端部との距離Ｌｓと、主磁極とサイドシールド間の距離Ｇｓが、Ｌｓ＞１．５×Ｇｓを満たすことが望ましい。主磁極のリーディング側端部に浮上面側先端が浮上面から後退した位置にある副磁極を設ける場合には、主磁極のリーディング側端部とサイドシールド端部との距離Ｌｓが副磁極の膜厚より大きいことが望ましい。

本発明によると、記録トラックへの磁界と磁界勾配を維持しつつ、主磁極リーディング側端部より生じる磁界広がりを低減し、フリンジ磁界を低減することが可能である。これによって記録特性がよく、隣接トラックのシグナル劣化を起こさない磁気記録ヘッドが得られる。

以下に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１（ａ）は、本発明による磁気ヘッドの一例を示すトラック中心での断面模式図である。この磁気ヘッドは、主磁極１１と補助磁極１２とを備えた記録ヘッド１０と、再生素子２１を備えた再生ヘッド２０を有する記録再生複合ヘッドである。再生ヘッド２０にはＣＩＰ−ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子などが用いられ、リーディング側の下部シールド２２とトレーリング側の上部シールド２３からなる一対の磁気シールド間に配置されている。書き込み機能部は、磁気ディスクに書き込みを行う主磁極１１、主磁極のトレーリング側とクロストラック方向側面に所定の間隔だけ離れた位置にあるシールド部１３、磁気ディスクからの磁束を返す補助磁極１２、主磁極と補助磁極を磁気的に接続するバックギャップ部１４、主磁極と補助磁極とバックギャップ部の間にあるコイル１５を基本構成とする。

図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した磁気ヘッドの記録機能部を浮上面方向から見た模式図である。主磁極１１、シールド１３は浮上面に露出している。ここでシールド１３の主磁極両側面部分を、主磁極１１よりリーディング側まで覆う形状とすることが高い磁界強度をトラック中心に集中させるために重要である。以降、シールド１３のリーディング側端周辺部において、クロストラック方向中心線から最も近い点をシールド端部と呼ぶ。また、主磁極リーディング側端部にあってクロストラック方向に平行な直線と、シールド端部との距離Ｌｓをシールド長さと呼ぶ。主磁極１１のトレーリング方向端部とシールドとの距離をトレーリングギャップと呼び、主磁極１１のクロストラック方向側面とシールド１３との距離Ｇｓをサイドギャップと呼ぶ。

以下では本発明の記録ヘッドについて、有限要素法磁界計算で求めた磁界分布を示す。計算に用いた記録ヘッド形状は、主磁極幅６０ｎｍ、主磁極厚さ１２０ｎｍ、サイドギャップ６０ｎｍ、トレーリングギャップ３５ｎｍである。図２に、磁界計算で求めたヘッド磁界分布の等高線を示す。記録ヘッドの浮上面形状を点線で示した。図２（ａ）はシールド長さＬｓ＝０、図２（ｂ）はＬｓ＝１２０ｎｍの場合である。

Ｌｓ＝０の場合、主磁極リーディング側端部でクロストラック方向への磁界広がりが生じている。特に４０００Ｏｅ以上の磁界が、トレーリング側よりもリーディング側で広がっていることが分かる。リーディング側の磁界広がりは、記録媒体円盤の内・外周記録時スライダーに生じるスキューの影響をうけ、記録幅増大の原因となる。一方、図２（ｂ）に示すように、Ｌｓ＝１２０ｎｍとした場合には、リーディング側に磁界広がりは見られない。点線で示した記録ヘッドの浮上面形状と照らし合わせると、サイドシールドを主磁極リーディング側に配置した結果であることは明らかである。

図３に、ヘッド磁界のクロストラック方向分布を示す。白抜きの菱形はシールド長さＬｓ＝１５０ｎｍの場合、塗りつぶした菱形はＬｓ＝０ｎｍの場合である。シールド端部を主磁極よりリーディング側に配置することで、クロストラック方向８０ｎｍ以上の領域で磁界が低減していることが分かる。この結果、隣接トラックへの不要な磁界印加が抑制され、隣接トラックの記録信号の劣化を防ぐことができる。さらに注目すべきは、トラック中心の最大磁界の低下は小さいため、目的のトラックには高品質の記録を行うことができる。

この効果は、サイドシールドを主磁極トレーリング側を覆うように配置することで、理想的なシールド構造、すなわち主磁極のリーディング側、クロストラック方向両側面の三方を均一な間隔をもって覆う形状に簡易的に近づけることで得られる。従ってＬｓをＧｓ程度に大きくすることで、その効果は顕著になる。図４（ａ），（ｂ）にトラック中心でのヘッド磁界及びトラック中心からクロストラック方向に１００ｎｍ離れた位置でのヘッド磁界（フリンジ磁界）を、主磁極とクロストラック方向側面シールドとの距離（Ｇｓ）でＬｓを規格化したＬｓ／Ｇｓ依存性について示す。図４（ａ）からわかるように、Ｌｓの増大によるトラック中心磁界の減少は小さく、Ｌｓ／Ｇｓ＝３のとき３％程度の減少である。一方、フリンジ磁界は大きく減少し、特にＬｓ＞１．５×Ｇｓとするとフリンジ磁界低減効果が大きいことが分かる。フリンジ磁界の目安として、不可逆反転磁界が挙げられる。不可逆反転磁界とは、ある方向に一様に磁化した媒体に、磁化方向と逆向きの磁界を加えたとき、磁化反転が始まり全体の磁化が減少し始める磁界である。現状一般的に用いられるＣｏＣｒ系垂直記録媒体では、不可逆反転磁界は３０００Ｏｅ程度である。この程度の磁界が繰り返し加わると、たとえ媒体の反転磁界がそれ以上に充分大きくとも個々の粒子の磁化反転が始まり、記録パターンは劣化する。従ってＬｓ＞１．５×Ｇｓとすれば、隣接トラックのシグナル劣化を防止することができる。

次に、本発明構造の記録ヘッドを製造するプロセスについて述べる。図５は、本発明の磁気ヘッドの主磁極及びシールドの製造方法の一例を示す工程図である。

無機物絶縁膜３１の上に、主磁極用の磁性膜３２と主磁極とトレーリング側シールドとの磁気的遮断のための非磁性膜３３を製膜する（図５（ａ））。その後、所定のトラック幅に対応したマスク３４を形成し、イオンミリングによって磁性膜を掘り込む。このとき、磁性膜の上部より下部の幅が狭い逆台形形状になるようにする（図５（ｂ））。更にこの際に、無機物絶縁膜３１を主磁極用磁性膜近辺で深く掘り込むことが望ましい。一般には、無機物絶縁膜はアルミナ、主磁極用磁性膜はＣｏＦｅ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｒで構成され、これをＡｒイオンミリングによって加工する製造プロセスが用いられる。しかし一般に、Ａｒイオンミリングによるアルミナのエッチング速度は、上記磁性金属の１／３程度であるため、主磁極用磁性膜の近傍を深く掘り込むことが困難である。そこで主磁極用磁性膜エッチング後に、Ａｒ＋ＣＨＦ₃混合ガスによる反応性イオンミリング（ＲＩＭ）でアルミナのエッチングを行うことが望ましい。フッ素系ガス特にＣＨＦ₃によるアルミナのエッチング速度はＣｏＦｅ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｒなどの磁性金属に対して非常に大きく、条件によっては１０倍以上のエッチング速度を得ることも可能である。ＲＩＭ等を用いたエッチングによって、主磁極近傍の無機絶縁膜をＧｓの２倍以上に掘り込むことが望ましい。このとき、主磁極の下の無機物絶縁膜を膜面に垂直あるいはそれより大きな角度で掘り込むことが必要である（図５（ｃ））。次に、非磁性サイドギャップ膜３５を製膜した後（図５（ｄ））、イオンミリング、リフトオフ工程によって主磁極上部のマスクを除去する（図５（ｅ））。更にメッキ用下地膜３６をスパッタリング法で製膜後、シールド用磁性膜３７をメッキ法で形成する（図５（ｆ））。

本発明の目的である、最大磁界を低下することなくフリンジ磁界を低減する効果は、サイドシールドのリーディング側端部が主磁極よりリーディング側に位置することで得られる。従ってリーディング端部もしくはその周辺部の構造は問わない。本発明の狙いとする効果を得られるサイドシールドの形状の他の例を図６に示す。

例えばシールド端部は、図６（ａ）に示すように、クロストラック方向からの距離が等しい辺であってもよい。このようなシールド構造を有するヘッド磁界の、フリンジ磁界のシールド長さ依存性を図７に示す。比較に示した図１（ｂ）に示した構造に比べて効果は小さいものの、有意な効果が得られることがわかる。

また、図６（ｂ）に示すように、シールド端部近傍のみに磁性膜を配置し、主磁極からクロストラック方向遠方に切り欠きを形成してもよい。

図８に、本発明の他の実施例を示す。本実施例では、主磁極４１のクロストラック方向側面に配するサイドシールド４２と、ダウントラック方向に配するトレーリングシールド４３を分離した。このような構造においても、主磁極リーディング側端部周辺をサイドシールドで覆うことで隣接トラックへのフリンジ磁界を低減可能である。

図９に、図８に示した記録ヘッドの製造プロセスを示す。無機物絶縁膜５１の上に、主磁極用の磁性膜５２とキャップ膜５３を製膜する（図９（ａ））。その後、所定のトラック幅に対応したマスク５４を形成し、イオンミリングによって磁性膜を掘り込む。このとき、磁性膜の上部より下部の幅が狭い逆台形形状になるようにする（図９（ｂ））。次に、Ａｒ＋ＣＨＦ₃などのフッ素系混合ガスを用いた反応性イオンミリングで、主磁極周辺部の無機物絶縁膜下地膜をエッチングする。このとき、主磁極の下の無機物絶縁膜を膜面に垂直あるいはそれより大きな角度で掘り込むことが必要である（図９（ｃ））。さらに非磁性サイドギャップ膜５５（図９（ｄ））とメッキ用下地膜５６をスパッタリング法によって製膜し、磁性サイドシールド膜５７をメッキ法によって製膜する（図９（ｅ））。その後、ＣＭＰによって主磁極トレーリングエッジの面を基準に平坦化する（図９（ｆ））。そして、トレーリングシールドギャップとなる非磁性ギャップ膜５８をスパッタリング法で製膜した後、めっき法によって磁性膜５９を製膜する（図９（ｇ））。

図１０（ａ）に主磁極リーディング端部側に、副磁極を付加した本発明の記録ヘッド構造の一例を示す。この構造においては、主磁極７７と主磁極ヨーク部分７６の間に副磁極７１が挿入され、その先端が浮上面から後退した位置に存在する。このとき副磁極７１の浮上面側端部は、浮上面と平行とする場合（図１０（ｂ））、リーディング側に向かって浮上面からの距離が増加するように傾斜している場合（図１０（ｃ））が考えられる。また主磁極と副磁極は、１０ｎｍ程度の非磁性膜で遮断されていてもよい（図１０（ｄ））。これらによって主磁極先端部分に磁束を集中させ、高磁界を発生することができる。しかしながら一般に、このような副磁極を追加した構造では、ヘッド最大磁界は増大するものの、磁界の広がりも増大し、トラック密度を向上させることができない。これに対しても本発明のようにサイドシールド端部を主磁極よりリーディング側に配置することで、この磁界広がりを抑制しつつ記録磁界を増大させることが可能である。

以下、この効果を磁界計算で見積もった結果を示す。比較する対象は、副磁極のない従来構造の主磁極と従来構造のサイドシールドを有するヘッド（以下、従来ヘッドという）、副磁極を追加した主磁極と従来構造サイドシールドを有するヘッド（副磁極追加ヘッド）、副磁極を追加した主磁極と図１（ｂ）に示したサイドシールドを有するヘッド（本発明ヘッド）である。

図１１に、各ヘッドの最大磁界強度とフリンジ磁界を示す。副磁極追加ヘッドでは、副磁極の追加により最大磁界強度は約１５％増大する一方、フリンジ磁界は４０％以上増加してしまう。これは、副磁極から生じる磁束が、主磁極先端を介さずに直接浮上面に流出するため、主磁極リーディング端部近傍の磁界が広がってしまうことが原因である。一方、本発明ヘッドにおいては、最大磁界強度が約１０％増大する一方、フリンジ磁界の増加は殆どみられない。これは、主磁極リーディング側端部近傍にサイドシールドを配置することで、クロストラック方向への磁界広がりが抑制された結果である。

このような副磁極を設ける場合、サイドシールド長さ（Ｌｓ）はサイドシールドギャップの１．５倍以上、且つ副磁極膜厚（ｔＳＰ）と同等以上にすることが望ましい。図１２に最大磁界とフリンジ磁界の、サイドシールド長さ依存性を示す。横軸はサイドシールド長さＬｓを副磁極膜厚ｔＳＰで規格化して示した。最大磁界はＬｓ／ｔＳＰの増大とともに緩やかに減少するが、フリンジ磁界はＬｓ／ｔＳＰ増大とともに大きく減少する。よって、当該構造を有するヘッドは、最大磁界の低下を抑えながら効果的にフリンジ磁界を低減することが可能である。このとき、フリンジ磁界低減効果は、Ｌｓ／ｔＳＰ＞１の領域で顕著である。これは浮上面において、サイドシールドが補助磁極膜厚以上の長さリーディング側に存在すると、フリンジ磁界低減効果が大きいことを意味する。これは副磁極全体と浮上面の間をシールドで覆うことで、副磁極から直接浮上面に流出する磁束を遮断できるからである。

現在、一般的に用いられるＣｏＣｒ系垂直記録媒体においては、フリンジ磁界を３０００Ｏｅ以下にすることが望ましい。なぜならば、一般的にＣｏＣｒ系垂直記録媒体の不可逆反転磁界は約３０００Ｏｅ程度であり、これ以上の磁界が繰り返し印加されると残留磁化は減少し、シグナルが劣化する可能性があるからである。本発明の記録ヘッドはＬｓ／ｔＳＰ＞１とすることで、フリンジ磁界を３０００Ｏｅ以下にすることが可能であり、トラックピッチ狭小化伴う隣接トラックのシグナル劣化を抑制することができる。

本発明の効果は、サイドシールドのうちリーディング側端部近辺に他の部分より飽和磁化の高い磁性体を用いることでより顕著になる。なぜならば本発明の目的は、トレーリング側に比べ最大磁界への寄与が小さいリーディング側からの磁束を強く吸収することにあるからである。すなわち、最大磁界強度を支配する主磁極トレーリング側端部近辺には飽和磁化の小さな磁性体でシールドを形成し、トラック幅方向への磁界広がりが大きい主磁極リーディング側端部近辺は飽和磁化の大きな磁性体でシールドを形成すると良い。具体的には例えば図５（ｆ）に示したシールド用磁性膜のめっき工程において、多層膜をめっきすることで製造することができる。例えばはじめに、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＮｉなどの飽和磁化の大きな磁性体（１．６〜２．４Ｔ）を製膜し、後にＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀，Ｎｉ₄₅Ｆｅ₅₅などの比較的飽和磁化の小さい磁性体（１．０〜１．５Ｔ）を製膜すればよい。

（ａ）は本発明による磁気ヘッドのトラック中心での断面模式図、（ｂ）は主磁極近傍の浮上面模式図。 本発明による磁気ヘッドのヘッド磁界分布図。 本発明による磁気ヘッドのヘッド磁界強度の、クロストラック方向分布図。 （ａ）はＬｓ／Ｇｓとトラック中心の磁界の関係を示した図、（ｂ）はＬｓ／Ｇｓとフリンジ磁界の関係を示した図。 本発明の磁気ヘッドの製造方法の一例を示す工程図。 本発明の磁気ヘッドのサイドシールドの浮上面形状の他の例を示す図。 図６（ａ）のシールド構造における、フリンジ磁界のシールド長さ依存性を示した図。 本発明の磁気ヘッドにおいて、サイドシールドとトレーリングシールドを磁気的に切断した例の浮上面模式図。 本発明の磁気ヘッドにおいて、サイドシールドとトレーリングシールドを磁気的に切断した構造の製造方法の一例を示す工程図。 主磁極のリーディング側に副磁極を配置した本発明の磁気ヘッドを示す図。 本発明による磁気ヘッドと比較例のヘッドの最大磁界及びフリンジ磁界を示した図。 本発明による磁気ヘッドにおいて、最大磁界及びフリンジ磁界とＬｓ／ｔＳＰの関係を示した図。

符号の説明

１０ 記録ヘッド
１１ 主磁極
１２ 補助磁極
１３ シールド
１４ バックギャップ
１５ コイル
１６ ヨーク
２０ 再生ヘッド
２１ 再生素子
２２ 下部シールド
２３ 上部シールド
３１ 無機絶縁膜
３２ 主磁極磁性膜
３３ ギャップ非磁性膜
３４ マスク
３５ サイドギャップ非磁性膜
３６ 非磁性めっき下地膜
３７ 磁性めっき膜
４１ 主磁極
４２ サイドシールド
４３ トレーリングシールド
５１ 無機絶縁膜
５２ 主磁極磁性膜
５３ キャップ膜
５４ マスク
５５ 非磁性サイドギャップ膜
５６ めっき下地膜
５７ 磁性めっき膜
５８ 非磁性ギャップ膜
５９ めっき磁性膜
６０ 再生ヘッド
６１ 再生素子
６２ 下部シールド
６３ 上部シールド
７０ 記録ヘッド
７１ 副磁極
７２ 補助磁極
７３ シールド
７４ バックギャップ
７５ コイル
７６ ヨーク
７７ 主磁極

Claims (11)

1. 浮上面形状が逆台形形状の主磁極と、
   前記主磁極のトレーリング側に位置するトレーリングシールドと、
   前記主磁極のクロストラック方向両側に位置するサイドシールドとを備え、
   前記サイドシールドのリーディング側端部は、前記主磁極のリーディング側端部よりも更にリーディング側に位置することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
2. 請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記サイドシールドの主磁極クロストラック方向中心線に最も近い点が、前記主磁極のリーディング側端部よりも更にリーディング側に位置することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
3. 請求項２に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極のリーディング側端部と前記サイドシールド端部との距離Ｌｓと、前記主磁極と前記サイドシールド間の距離Ｇｓが、Ｌｓ＞１．５×Ｇｓを満たすことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
4. 請求項２に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極のリーディング側端部に副磁極が設けられ、前記副磁極の浮上面側先端は浮上面から後退した位置にあることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
5. 請求項４に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極のリーディング側端部と前記サイドシールド端部との距離Ｌｓが前記副磁極の膜厚より大きいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
6. 請求項２に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、浮上面において前記サイドシールドと前記トレーリングシールドが接続されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
7. 請求項２に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、浮上面において前記サイドシールドと前記トレーリングシールドが非磁性体で分離されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
8. 請求項２に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記サイドシールドが異なる複数の磁性体の積層膜で構成され、リーディング側に配置された磁性体の飽和磁化がトレーリング側に配置された磁性体の飽和磁化より高いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
9. 無機物絶縁膜の上に主磁極用磁性膜を製膜する工程と、
   その上に非磁性膜を製膜する工程と、
   その上にトラック幅に対応したマスクを形成する工程と、
   前記マスクを用いたイオンミリングによって前記主磁極用磁性膜を逆台形形状に加工する工程と、
   前記加工された主磁極用磁性膜の下の前記無機絶縁膜を反応性イオンミリングによって膜面に垂直あるいはそれより大きな角度で掘り込む工程と、
   サイドギャップ膜となる非磁性膜を製膜する工程と、
   シールド用磁性膜を形成する工程と
   を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
10. 請求項９記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法において、
    前記シールド用磁性膜を形成する工程は、
    前記マスクを除去する工程と、
    メッキ下地膜を製膜する工程と、
    メッキ法によってシールド用磁性膜を形成する工程と
    を含むことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
11. 請求項９記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法において、
    前記シールド用磁性膜を形成する工程は、
    メッキ用下地膜を製膜する工程と、
    メッキ法によってサイドシールド用磁性膜を形成する工程と、
    ＣＭＰによって前記主磁極用磁性膜を露出させる工程と、
    非磁性膜を成膜する工程と、
    メッキ法によってトレーリングシールド用磁性膜を形成する工程と
    を含むことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。

Images