JP2009134246A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009134246A JP2009134246A JP2008164114A JP2008164114A JP2009134246A JP 2009134246 A JP2009134246 A JP 2009134246A JP 2008164114 A JP2008164114 A JP 2008164114A JP 2008164114 A JP2008164114 A JP 2008164114A JP 2009134246 A JP2009134246 A JP 2009134246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- optical device
- line
- element substrate
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 152
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 18
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 37
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000386 athletic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】電気光学装置100の素子基板10では、画素領域10bは、走査線駆動回路104a、104bと対向する部分に曲線部分からなる異形の外周部分を備えている。かかる形状に対応させて、走査線駆動回路104では、1乃至複数の単位回路を備えた単位回路ブロック4を有する回路ブロック4a、4b、4c、4dを走査線3aの延在方向および/またはデータ線6aの延在方向にずらしながら画素領域10bの外周縁に沿って配列してある。また、単位回路ブロック4は、平面構成が同一の1種類の単位回路ブロックが用いられている。
【選択図】図5
Description
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置(液晶装置)の電気的な構成を示すブロック図である。図1に示すように、本形態の電気光学装置100は液晶装置であり、素子基板10上には、互いに交差するX方向およびY方向に延在する複数の走査線3a(第1信号線)および複数のデータ線6a(第2信号線)との交差に対応する位置に複数の画素100aが形成されている。また、素子基板10上には、複数の画素100aが配列された領域によって画素領域10bが構成されており、かかる画素領域10bは、電気光学装置100において画像を表示するための画像表示領域10aとして利用される。但し、画素領域10bの外周に沿って、表示に直接寄与しないダミーの画素が形成される場合があり、この場合、画素領域10bのうち、ダミーの画素を除いた領域によって画像表示領域10aが構成される。
図2(a)、(b)および、図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の平面図、および素子基板10の平面図である。図4(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10において相隣接する画素2つ分の平面図、および画素1つ分の断面図である。なお、図4(b)は図4(a)のA−A’線における断面図であり、図4(a)では、画素電極9aは長い点線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線3aは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
図5(a)、(b)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10において、画素領域10bの外側領域に回路ブロックを配置した様子を模式的に示す平面図、および回路ブロック1つ分の説明図である。図6は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10において、画素領域10bの外側領域に配置した回路ブロックと走査線との接続部分を拡大して模式的に示す平面図である。なお、図5(a)では、画素領域10bでの走査線3a、容量線3bやデータ線6aの図示を省略してある。また、図6では、画素領域10b内に形成された配線のうち、図示する走査線駆動回路に接続される走査線の一部のみを図示してあり、容量線3b、データ線6aおよび回路ブロック間を接続する配線の図示を省略してあるとともに、画素領域10bに対して反対側に配置された走査線駆動回路に接続された走査線3aの図示も省略してある。さらに、画素領域10bの外周縁は、画素100aに沿って段部が発生しているが、実際の画素100は、図2(a)および図6に示す形態よりも数が多く、かつ、小さいので、図2(a)、図5および図6では、画素領域10bを完全な円として表してある。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100に用いた素子基板10では、画素領域10bの外側領域10xには、複数の走査線3aの延在方向に位置する領域に走査線駆動回路104a、104bを有しており、画素領域10bの外周縁は、走査線駆動回路104a、104bと対向する部分に曲線部分からなる異形の外周部分を備えている。このため、走査線駆動回路104a、104bでは、走査線3aに1対1で信号を出力する単位回路40を直線的に配置することができないが、本形態では、複数の単位回路40を備えた回路ブロック4a、4b、4c、4dを複数、走査線3aの延在方向(X方向)および/またはデータ線6aの延在方向(Y方向)にずらしながら画素領域10bの外周縁に沿って配列してある。このため、走査線3aの延在方向に位置する外周部分が曲線部分になっている場合でも、かかる曲線部分に沿って走査線駆動回路104a、104bを配置することができる。それ故、素子基板10では、画素領域10bの外側領域10xを幅広に構成する必要がない。
上記実施の形態1では、複数の単位回路ブロック4においては、各々が備える単位回路40の構成や数、出力線44の数やピッチなどが同一であり、単位回路ブロック4はいずれも平面構成(平面サイズや平面形状)が同一であったが、画素領域10bの形状によっては、単位回路40の構成や数、出力線44の数やピッチなどといった平面構成(平面サイズや平面形状)が相違する複数種類の単位回路ブロック4を採用してもよい。
図7は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の素子基板10において、画素領域10bの外側領域に回路ブロック4x、4yを配置した様子を模式的に示す平面図である。なお、図7では、画素領域10bでの走査線3a、容量線3bやデータ線6aの図示を省略してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
上記実施の形態では、データ線6aに対する信号出力回路であるデータ線駆動回路101が、素子基板10に実装された駆動用ICにより構成されていたが、データ線駆動回路101が、素子基板10上にSOG(システム・オン・グラス)の技術により形成された薄膜トランジスタを利用して構成されている電気光学装置に本発明を適用してもよい。また、素子基板10上にデータ線駆動回路101が構成されず、データ線6aに対する信号出力が、素子基板10に接続されたフレキシブル基板等を介して外部から行なわれる電気光学装置に本発明を適用してもよい。この場合、フレキシブル基板等との接続端子が配置される領域(接続領域)が、データ線6aに対する信号出力回路が配置される領域として機能する。このような構成の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
(データ線6aの引き回し構造)
図8は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置100において素子基板10上でデータ線6a(第2信号線)をデータ線駆動回路101(信号出力回路、信号出力回路が配置される領域)まで引き回した様子を拡大して模式的に示す平面図である。図9は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置100においてデータ線6aをデータ線駆動回路101まで引き回すために設定した仮想基準線および仮想基準点の説明図である。なお、図8および図9では、画素領域10bでの走査線3a(第1信号線)の引き回し線の図示を省略してある。また、画素領域10bの外周縁線は、画素100aに沿って段部が発生しているが、実際の画素100aは、図8および図9に示す形態よりも数が多く、かつ、小さいので、図8および図9では、画素領域10bを完全な円として表してある。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、画素領域10bが四角形でないことなどに起因して、データ線6aの出力線46の引き回し領域15の形状や幅に大きな制約があっても、隣接するデータ線6aの出力線46同士の間隔に大きな差が発生しない。従って、画素領域10bの中央で延在するデータ線6aと、画素領域10bの外周縁からデータ線駆動回路101間を接続するデータ線6aの出力線46と間には、隣接する出力線46同士の間隔に大きな差が発生しない。従って、隣接するデータ線6aの出力線46の引き回し部分に寄生する容量成分に大きな差が発生しないので、図16(b)に示すように、電圧の立ち上がり速度に大きな差が発生しない。それ故、画素領域10bで画像を表示した際、画素領域10bの中央と、画素領域10bのデータ線6aの延在方向に直交する方向(X方向)の両側との間で階調や輝度に差が発生しないので、画像の品位が高い。
図10は、本発明の実施の形態4に係る電気光学装置100においてデータ線6aの出力線46をデータ線駆動回路101まで引き回すために設定した仮想基準線および仮想基準点の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態3と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
上記実施の形態3および4では、データ線6aに対する信号出力回路が配置される領域には、データ線駆動回路101として、素子基板10に実装された駆動用ICが配置されていたが、これに限らず、データ線駆動回路101として、素子基板10上にSOGの技術により形成された薄膜トランジスタを利用して構成してもよい。この場合は、部品点数が減って、コストの削減が可能になり、産業上の利用価値を更に高めた電気光学装置とすることができる。また、素子基板10上にデータ線駆動回路104a、104bが構成されず、データ線6aに対する信号出力が、素子基板10に接続されたフレキシブル基板を介して外部から行なわれる場合、フレキシブル基板の接続領域(例えば、パッド102)が、データ線6aに対する信号出力回路が配置される領域として機能する。このような構成の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
以下、本発明を有機EL装置に適用した例を説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1、2、3、4との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
図11は、本発明の実施の形態5に係る電気光学装置(有機EL装置)の電気的構成を示すブロック図である。図12(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態5に係る電気光学装置100の相隣接する画素2つ分の平面図、および画素1つ分の断面図である。なお、図12(b)は図12(a)のB−B’線における断面図であり、図12(a)では、画素電極9aは長い点線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線3aは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
図13および図14は各々、本発明を適用した別の電気光学装置の画素領域10bおよび素子基板10の平面形状を示す説明図である。
上記実施の形態では、データ線6aに対する信号出力領域に配置されるデータ線駆動回路101として、素子基板10に実装された駆動用ICが配置されていたが、これに限らず、データ線駆動回路101が、素子基板10上に形成された薄膜トランジスタを利用して構成されている電気光学装置に本発明を適用してもよい。また、素子基板10上にデータ線駆動回路101が構成されず、データ線6aに対する信号出力が、素子基板10に接続されたフレキシブル基板等を介して外部から行なわれる電気光学装置に本発明を適用してもよい。この場合、フレキシブル基板等との接続端子(信号出力回路)が配置される領域(接続領域)が、データ線6aに対する信号出力回路が配置される領域として機能する。このような構成の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
Claims (12)
- 素子基板上に、互いに交差する方向に延在する第1信号線と第2信号線と、前記第1信号線と第2信号線の交差に対応して画素電極が配置された画素領域と、前記画素領域の外側に配置され、第1信号線に駆動信号を出力する信号出力回路と、前記信号出力回路と前記第1信号線を接続する接続配線を有する電気光学装置において、
前記画素領域の外周縁は、前記信号出力回路と対向する部分に曲線部分あるいは屈曲部分を備え、
前記信号出力回路は、複数の回路ブロックから構成され、前記回路ブロックは、隣接する回路ブロック同士が互いに前記第1信号線の延在方向および/または前記第2信号線の延在方向にずれながら前記信号出力回路と対向する部分の曲線部分あるいは屈曲部分に沿って配列されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記複数の回路ブロックのそれぞれは、平面構成が同一若しくは相違する1乃至複数の単位回路ブロックから構成され、前記単位回路ブロックは、前記第1信号線に駆動信号を出力する単位回路から構成され、前記単位回路は、接続配線を介して第1信号線と接続され、
前記接続配線の配線ピッチは、前記接続配線に接続された第1信号線間の配線ピッチに比して狭いことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記複数の単位回路ブロックの少なくとも一部は、隣接する単位回路ブロック同士の前記第1信号線の延在方向でのずれ量、および/または前記第2信号線の延在方向でのずれ量が、隣接する単位回路ブロック間で相違していることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記素子基板は、前記画素領域の外周縁に略沿った外周縁を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記信号出力回路は、第1信号線の延在方向の両側に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記信号出力回路は、第1信号線の延在方向の片側に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1信号線は走査線であり、前記信号出力回路は走査線駆動回路であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1信号線はデータ線であり、前記信号出力回路はデータ線駆動回路であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記画素領域の平面形状は、円形、あるいは曲線と直線とを組み合わせてなる形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記素子基板の平面形状は、円形、三角形、五角形以上の多角形、あるいは曲線と直線とを組み合わせてなる形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記素子基板は、当該素子基板に対して対向配置された対向基板との間に液晶層を保持していることを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置。
- 前記素子基板は、前記画素領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を備えていることを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008164114A JP5191286B2 (ja) | 2007-11-09 | 2008-06-24 | 電気光学装置 |
US12/211,425 US9626900B2 (en) | 2007-10-23 | 2008-09-16 | Electro-optical device |
TW097139485A TWI492201B (zh) | 2007-10-23 | 2008-10-15 | 光電裝置 |
KR1020080103500A KR100984903B1 (ko) | 2007-10-23 | 2008-10-22 | 전기 광학 장치 |
CN2008101667356A CN101419349B (zh) | 2007-10-23 | 2008-10-23 | 电光装置 |
US15/453,484 US10692453B2 (en) | 2007-10-23 | 2017-03-08 | Electro-optical device |
US16/906,807 US11062668B2 (en) | 2007-10-23 | 2020-06-19 | Electro-optical device |
US17/371,846 US11404017B2 (en) | 2007-10-23 | 2021-07-09 | Electro-optical device |
US17/876,951 US11699411B2 (en) | 2007-10-23 | 2022-07-29 | Electro-optical device |
US18/204,482 US11961491B2 (en) | 2007-10-23 | 2023-06-01 | Electro-optical device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007291596 | 2007-11-09 | ||
JP2007291596 | 2007-11-09 | ||
JP2008164114A JP5191286B2 (ja) | 2007-11-09 | 2008-06-24 | 電気光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009134246A true JP2009134246A (ja) | 2009-06-18 |
JP5191286B2 JP5191286B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=40866131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008164114A Active JP5191286B2 (ja) | 2007-10-23 | 2008-06-24 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5191286B2 (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009259413A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Rohm Co Ltd | 有機el素子 |
JP2011065157A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Palo Alto Research Center Inc | 成形アクティブ・マトリックス・ディスプレイ |
KR20140092033A (ko) * | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 엘지전자 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 구비한 표시장치 |
WO2014142183A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び表示パネル |
JP2014197179A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP2015159216A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
WO2015198183A1 (en) * | 2014-06-23 | 2015-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
WO2016143656A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2017076118A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Innolux Corporation | 表示装置 |
WO2017119338A1 (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
EP3249458A1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
WO2018012455A1 (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2018022116A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
JP2018022117A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
WO2018062023A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | シャープ株式会社 | 表示パネル |
JP2018072793A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置及び多面表示装置 |
JP2018091936A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2019105848A (ja) * | 2016-01-21 | 2019-06-27 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 有機発光ダイオードディスプレイのための電力及びデータ経路指定構造物 |
WO2019176085A1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2019180768A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
WO2019187161A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
JP2020012923A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、電子機器 |
CN112119444A (zh) * | 2019-04-03 | 2020-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US20210181591A1 (en) * | 2015-10-30 | 2021-06-17 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
CN113678187A (zh) * | 2019-04-19 | 2021-11-19 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
US11404527B2 (en) | 2018-04-27 | 2022-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device and display device |
US11436980B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016148775A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004177433A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-24 | Sharp Corp | シフトレジスタブロック、それを備えたデータ信号線駆動回路及び表示装置 |
JP2005528644A (ja) * | 2002-05-31 | 2005-09-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 非矩形状のディスプレイ装置 |
JP2006276361A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示パネル |
JP2008501138A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 非長方形表示装置 |
JP2008065198A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
WO2009054166A1 (ja) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示パネルおよび表示装置 |
-
2008
- 2008-06-24 JP JP2008164114A patent/JP5191286B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005528644A (ja) * | 2002-05-31 | 2005-09-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 非矩形状のディスプレイ装置 |
JP2004177433A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-24 | Sharp Corp | シフトレジスタブロック、それを備えたデータ信号線駆動回路及び表示装置 |
JP2008501138A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 非長方形表示装置 |
JP2006276361A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示パネル |
JP2008065198A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
WO2009054166A1 (ja) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示パネルおよび表示装置 |
Cited By (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009259413A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Rohm Co Ltd | 有機el素子 |
JP2011065157A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Palo Alto Research Center Inc | 成形アクティブ・マトリックス・ディスプレイ |
KR20140092033A (ko) * | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 엘지전자 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 구비한 표시장치 |
KR102062324B1 (ko) | 2013-01-15 | 2020-01-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 구비한 표시장치 |
JP2020154330A (ja) * | 2013-03-05 | 2020-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2014197179A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP7381698B2 (ja) | 2013-03-05 | 2023-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9685131B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix substrate, method of manufacturing active-matrix substrate, and display panel |
JPWO2014142183A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-02-16 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び表示パネル |
WO2014142183A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び表示パネル |
JP2015159216A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US9972808B2 (en) | 2014-02-25 | 2018-05-15 | Seiko Epson Corporation | Display device having a substrate with a polygonal display area and an electronic apparatus |
CN106463082A (zh) * | 2014-06-23 | 2017-02-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
WO2015198183A1 (en) * | 2014-06-23 | 2015-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10403703B2 (en) | 2014-06-23 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
CN106463082B (zh) * | 2014-06-23 | 2019-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
TWI708383B (zh) * | 2014-06-23 | 2020-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
WO2016143656A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2017076118A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Innolux Corporation | 表示装置 |
US20230043478A1 (en) * | 2015-10-30 | 2023-02-09 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US11506949B2 (en) * | 2015-10-30 | 2022-11-22 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US20210181591A1 (en) * | 2015-10-30 | 2021-06-17 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US11914256B2 (en) * | 2015-10-30 | 2024-02-27 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
WO2017119338A1 (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US10705395B2 (en) | 2016-01-04 | 2020-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
US11101337B2 (en) | 2016-01-21 | 2021-08-24 | Apple Inc. | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
US11257883B2 (en) | 2016-01-21 | 2022-02-22 | Apple Inc. | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
US11665933B2 (en) | 2016-01-21 | 2023-05-30 | Apple Inc. | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
JP2019105848A (ja) * | 2016-01-21 | 2019-06-27 | アップル インコーポレイテッドApple Inc. | 有機発光ダイオードディスプレイのための電力及びデータ経路指定構造物 |
US10629664B2 (en) | 2016-01-21 | 2020-04-21 | Apple Inc. | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
US11342395B2 (en) | 2016-01-21 | 2022-05-24 | Apple Inc. | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
US11238777B2 (en) | 2016-05-23 | 2022-02-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Non-rectangular display apparatus with data lines that change direction |
US11776454B2 (en) | 2016-05-23 | 2023-10-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
EP3249458A1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
US10748469B2 (en) | 2016-05-23 | 2020-08-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with varying data line structure |
US10062316B2 (en) | 2016-05-23 | 2018-08-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Non-rectangular display apparatus |
US10598993B2 (en) | 2016-07-12 | 2020-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
WO2018012455A1 (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2018022116A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
JP2018022117A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
WO2018062023A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | シャープ株式会社 | 表示パネル |
US10078486B2 (en) | 2016-10-31 | 2018-09-18 | Lg Display Co., Ltd. | Display device and multi-display device |
JP2018072793A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置及び多面表示装置 |
JP2018091936A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US11762247B2 (en) | 2018-03-16 | 2023-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN111868806A (zh) * | 2018-03-16 | 2020-10-30 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
WO2019176085A1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US11132953B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN111868807B (zh) * | 2018-03-19 | 2022-05-24 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
WO2019180768A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN111868807A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-10-30 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
US11436980B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN111971730B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-05-17 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
US11522038B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device for improving brightness unevenness in display region of peculiar shape |
CN111971730A (zh) * | 2018-03-30 | 2020-11-20 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
WO2019187161A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
US11404527B2 (en) | 2018-04-27 | 2022-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device and display device |
JP2020012923A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、電子機器 |
CN112119444A (zh) * | 2019-04-03 | 2020-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113678187B (zh) * | 2019-04-19 | 2023-02-28 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
US11837165B2 (en) | 2019-04-19 | 2023-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device for repairing a defective pixel circuit and driving method thereof |
CN113678187A (zh) * | 2019-04-19 | 2021-11-19 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5191286B2 (ja) | 2013-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4518199B2 (ja) | 電気光学装置 | |
JP5191286B2 (ja) | 電気光学装置 | |
US11699411B2 (en) | Electro-optical device | |
US9691793B2 (en) | Array substrate and display panel | |
US6897930B2 (en) | Display device | |
US9286820B2 (en) | Thin film transistor array panel and display device including the same | |
US20180217423A1 (en) | Display device | |
JP2011150153A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR102262772B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
KR101482479B1 (ko) | 어레이 기판 및 액정 디스플레이 패널 | |
KR20190069180A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US8941804B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US20170194407A1 (en) | Array substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof | |
JP2011164329A (ja) | 電気光学表示パネル | |
JP6170826B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
KR102129500B1 (ko) | 액정표시패널 | |
KR20070080143A (ko) | 액정표시장치 | |
TWI492201B (zh) | 光電裝置 | |
JP2014106297A (ja) | 表示パネルおよびそれを用いた表示装置 | |
US11715400B2 (en) | Display panel and display device | |
KR102052741B1 (ko) | 액정 디스플레이 장치 | |
KR102185256B1 (ko) | 표시장치 | |
US9553137B2 (en) | Display device | |
JP2017005155A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置 | |
KR20100002834A (ko) | 액정표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110203 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110203 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110516 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5191286 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |