CN113678187B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

从绝缘基板(90)的背面侧向成为第二初始化晶体管(T7)的第一导通端子的半导体层SI和初始化线Vini夹着绝缘膜重叠的部位照射激光。由此,夹在半导体层SI与初始化线Vini之间的栅极绝缘膜(91)以及第一层间绝缘膜(92)不会蒸发,半导体层SI的激光照射区域LA与初始化线Vini连接，形成了连接部CP。其结果是,由于向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vin,因此,向有机EL元件OLED施加的电压为阈值电压以下。因此,即使构成像素电路的任意晶体管始终为导通状态或截止状态中的任一种，有机EL元件OLED也始终成为熄灭状态,像素电路(11)始终被黑点化。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
以下的公开涉及显示装置及其制造方法，更详细而言，涉及有机EL(ElectroLuminescence)显示装置等具备通过电流驱动的电光学元件的显示装置及其制造方法。
背景技术
作为具备薄型、高画质、低功耗等特征的显示装置，有机EL显示装置受到瞩目，目前其开发正在积极进行。在有机EL显示装置中显示图像的显示面板包括：配置有多个像素电路的显示部；和配置有驱动各像素电路的驱动电路的边框。
像素电路包含多个薄膜晶体管。如果这些晶体管都正常动作，则像素电路以与数据信号相应的亮度发光，在显示面板显示图像。但是,包括变得不能正常工作的晶体管的像素电路,例如有机EL元件始终为熄灭状态而成为黑点,或者始终为点亮状态而成为亮点。另外,像素电路以与对应于数据信号的亮度不同的亮度发光，因而产生异常灰度,或者在连续的多个像素电路产生异常灰度,由此会在显示部显示出线缺陷。
通过对具有这样的缺陷的像素电路进行修复而始终处于熄灭状态，该像素电路黑点化的显示面板如果其缺陷的个数少，则在实用上多数不会成为问题。因此,如果能够进行使具有缺陷的像素电路黑点化的修理,则能够提高显示面板的制造成品率,因此能够降低显示面板的制造成本。
在专利文献1中，公开了如下的修复方法。将各像素电路分别分割为多个区域，针对每个区域分别设置一个有机EL元件。在这样构成的像素电路不能再正常点亮的情况下，检查像素电路中包含的有机EL元件是否依次处于导通状态而点亮。结果，如果有未点亮的有机EL元件，则照射激光将与有机EL元件连接的布线熔断，并从像素电路切断该有机EL元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-134246号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，将各像素电路分别分割为多个区域，针对每个分割的区域设置有机EL元件，难以以不影响正常发光的有机EL元件的方式，仅将不发光的有机EL元件可靠地熔断。另外，在照射激光熔断金属布线层的情况下，需要照射大的输出的激光。然而，在金属布线层熔断时，被熔断的布线层的一部分附着在其他地方，会引起短路。
因此,以下的公开目的在于提供能够容易且可靠地进行用于修理像素电路黑点化的显示装置及其制造方法。
用于解决技术问题的技术方案
第1方面涉及的显示装置通过分别向配置于显示面板的多个像素电路供给数据信号来显示图像，所述显示装置包括：多条数据线，供给有所述数据信号；多条扫描线，依次供给有用于选择像素电路的扫描信号；所述多个像素电路，对应于所述多条数据线和所述多条扫描线的交叉点而设置；以及扫描线驱动电路，依次选择所述多条扫描线，数据线驱动电路，其向所述多条数据线供给所述数据信号，多个所述像素电路的每一个包括：电光元件；驱动晶体管，其用于向所述电光元件供给与所述数据信号对应的驱动电流；补偿晶体管，其用于：通过将从对应的数据线施加的所述数据信号写入连接有所述驱动晶体管的控制端子的节点，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；供给初始化电位的初始化线；第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的第一导通端子与所述节点连接,所述第一初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；以及第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的第一导通端子与所述电光元件连接,所述第二初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接，在多个所述像素电路中的至少一个像素电路中,所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线电连接。
第11方面涉及的显示装置的制造方法是通过向配置于显示面板的多个像素电路各自供给数据信号来显示图像的显示装置的制造方法，所述像素电路的每一个包括：电光元件，以与所述数据信号对应的驱动电流的电流值对应的亮度发光；驱动晶体管，其用于向所述电光元件供给所述驱动电流；补偿晶体管，其通过将从数据线施加的所述数据信号写入连接有所述驱动晶体管的控制端子的节点，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；供给初始化电位的初始化线；第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的第一导通端子与所述节点连接,且所述第一初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；以及第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的第一导通端子与所述电光元件连接,且所述第二初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接，所述制造方法包含：在多个所述像素电路中的至少一个像素电路中,在所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线重叠的区域的至少一部分，通过从所述显示面板的背面侧照射激光，使所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线电连接的工序。
第12方面涉及的显示装置的制造方法是通过向配置于显示面板的多个像素电路各自供给数据信号来显示图像的显示装置的制造方法，所述像素电路的每一个包括：电光元件，以与所述数据信号对应的驱动电流的电流值对应的亮度发光；驱动晶体管，其用于向所述电光元件供给所述驱动电流；补偿晶体管，其用于通过将从数据线施加的所述数据信号写入连接有所述驱动晶体管的控制端子的节点，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；供给初始化电位的初始化线；第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的第一导通端子与所述节点连接,且所述第一初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的第一导通端子与所述电光元件连接,且所述第二初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；以及连接布线,与所述初始化线电连接，所述连接布线以与半导体层夹着绝缘膜重叠的方式形成,其中所述半导体层作为所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子，所述制造方法包含：在多个所述像素电路中的至少一个像素电路中,在所述半导体层与所述连接布线重叠的区域的至少一部分，通过从所述显示面板的背面侧照射激光，使所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述连接布线电连接，从而使所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线电连接的工序。
有益效果
根据第一方面,将成为初始化晶体管的第一导通端子的半导体层和初始化线电连接。由此,由于向电光元件的第一电极施加初始化电位,因此,向电光元件施加的电压为阈值电压以下。其结果，即使像素电路变为动作不良，电光元件也始终处于熄灭状态，像素电路始终被黑点化。
根据第11方面,通过向半导体层与初始化线重叠的区域的至少一部分照射激光,初始化线不会被激光熔断而能够进行修复。
根据第12方面,由于能够对与初始化线连接的连接布线与半导体层重叠的区域的整体照射激光,因此能够可靠地进行将初始化线与半导体层连接的修复。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的整体构成的框图。
图2是示出形成在有机EL显示装置的显示部中的像素电路的构成的电路图。
图3是示出驱动图2所示的像素电路的方法的时序图。
图4是示出图3所示的初始化期间的像素电路的动作的图。
图5是示出图3所示的数据写入期间中的像素电路的动作的图。
图6是示出图3所示的发光期间中的像素电路的动作的图。
图7是示出图2所示的像素电路的第二初始化晶体管始终处于导通状态时的问题点的图。
图8是表示第二初始化晶体管始终为截止状态时进行的修复的图。
图9是示出第一实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路的布线布局的一部分的图,更详细而言,(a)是像素电路的布线布局的一部分的俯视图,(b)是沿着(a)所示的箭头线A-A的修复前的像素电路的截面图,(c)是沿着(a)所示的箭头线A-A的修复后的像素电路的截面图。
图10是示出第一实施方式的变形例涉及的显示装置所包含的像素电路的布线布局的一部分的图,更详细地,(a)是像素电路的布线布局的一部分的俯视图,(b)是沿着(a)所示的箭头线B-B的修复前的像素电路的截面图,(c)是沿着(a)所示的箭头线B-B的修复后的显示装置的截面图。
图11是用于说明在第二实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路中,通过改善第二初始化晶体管的动作不良的修复,像素电路被黑点化,且功耗降低的图。
图12是用于说明在第二实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路中,通过改善第二初始化晶体管的动作不良的修复,像素电路被黑点化,且功耗降低的图。
图13是用于说明在第二实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路中,通过改善第二初始化晶体管的动作不良的修复,像素电路被黑点化,且功耗降低的图。
图14是示出第二实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路的布线布局的一部分的图,更详细而言,(a)是像素电路的布线布局的一部分的俯视图,(b)是沿着(a)所示的箭头线C-C的修复前的像素电路的截面图,(c)是沿着(a)所示的箭头线C-C的修复后的像素电路的截面图。
图15是第二实施方式的第一变形例所涉及的像素电路的电路图。
图16是第二实施方式的第二变形例所涉及的像素电路的电路图。
图17是示出第三实施方式中的写入晶体管始终成为导通状态时的问题点的图。
图18是表示第三实施方式涉及的显示装置中所包含的防止线缺陷的产生的像素电路的构成的图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。此外，本说明书中的“连接”只要没有特别说明，则意味着“电连接”，在不脱离本发明的主旨的范围内，不仅意味着直接连接，也包括借助其他元件的间接连接的情况。
<1.第一实施方式＞
<1.1有机EL显示装置的构成＞
图1是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的整体构成的框图。如图1所示，有机EL显示装置(以下，仅称为“显示装置”)具备显示部10、显示控制电路20、数据线驱动器30、扫描线驱动器50以及发射线驱动器60。图1所示的有机EL显示装置从数据线驱动器30直接向各数据线供给数据信号。在本实施方式中，通过数据线驱动器30实现数据线驱动电路，通过扫描线驱动器50实现扫描线驱动电路，通过发射线驱动器60实现发光控制线驱动电路。
在显示面板10配置有m(m为2以上的整数)条数据线D1～Dm，和n(n为2以上的整数)条扫描线S1～Sn。另外，显示部10在各数据线与各扫描线的每个交叉点设置有像素电路11。更详细而言，与m条数据线D1～Dm和n条扫描线S1～Sn的交叉点分别对应，设置有m×n个像素电路11。
在显示部10中，还与n条扫描线S1～Sn平行地配置有作为n条发光控制线的发射线E1～En。m条数据线D1～Dm连接到数据线驱动器30。n条扫描线S1～Sn连接到扫描线驱动器50。n条发射线E1～En连接到发射线驱动器60。
另外，在显示部配置有在各像素电路11中共用的电源线(未图示)。更详细地说，配置有：供给用于驱动后述的有机EL元件(也称为“电光元件”)的高电平电位(也称为“第一电源电位”)ELVDD的电源线(以下称为“高电平电源线”或“第一电源线”，并与高电平电位ELVDD同样用符号ELVDD来表示)；以及供给用于驱动有机EL元件的低电平电位(也称为“第二电源电位”)ELVSS的电源线(以下称为“低电平电源线”或“第二电源线”，并与低电平电位同样用符号ELVSS来表示)。进而，配置有供给用于后述的初始化动作的初始化电位Vini的初始化线(与初始化电位同样用符号Vini来表示)。这些电位从电源电路(未图示)供给。
显示控制电路20向数据线驱动器30、扫描线驱动器50以及发射线驱动器60输出各种控制信号。更具体地，显示控制电路20向数据线驱动器30输出数据起始脉冲DSP、数据时钟DCK、显示数据DA和锁存脉冲LP。显示控制电路20向扫描线驱动器50输出扫描起始脉冲SSP和扫描时钟SCK。显示控制电路20还向发射线驱动器60输出发射起始脉冲ESP和发射时钟ECK。
数据线驱动器30包括未图示的m位的移位寄存器、采样电路、锁存电路和m个D/A转换器等。移位寄存器具有相互级联连接的m个双稳定电路，与数据时钟DCK同步地传输供给至第一级的数据起始脉冲DSP，并从各级输出采样脉冲。根据采样脉冲的输出定时，将显示数据DA供给至采样电路。采样电路根据采样脉冲存储显示数据DA。当在采样电路中存储一行的显示数据DA时，显示控制电路20向锁存电路输出锁存脉冲LP。当接收到锁存脉冲LP时，锁存电路保持存储在采样电路中的显示数据DA。D/A转换器对应于分别连接到数据线驱动器30的m个输出端子(未图示)的m条数据线D1～Dm而设置，将保持在锁存电路中的显示数据DA转换为作为模拟信号电压的数据信号，并且将所得到的数据信号号分别输出到数据线D1～Dm。
扫描线驱动器50驱动n条扫描线S1～Sn。更具体地，扫描线驱动器50包括未图示的移位寄存器和缓冲器等。移位寄存器与扫描时钟SCK同步地依次传输扫描起始脉冲SSP。从移位寄存器的各级输出的扫描信号经由缓冲器依次供给至对应的扫描线S1～Sn。通过激活的扫描信号(在本实施方式中为低电平的扫描信号)，一并选择连接到扫描线Sj(j＝1～n)的m个像素电路11。
发射线驱动器60驱动n条发射线E1～En。更具体地，发射线驱动器60包括未图示的移位寄存器和缓冲器等。移位寄存器与发射时钟ECK同步地依次传输发射起始脉冲ESP。从移位寄存器的各级输出的发射信号经由缓冲器被供给至对应的发射线Ej(j＝1～n)。
作为一个示例，图1示出了将扫描线驱动器50配置在显示部10的一端侧(图1中的显示部10的左侧)并且将发射线驱动器60配置在显示部10的另一端侧(图1中的显示部10的右侧)的有机EL显示装置，但并不限于此。例如，也可以是将扫描线驱动器50和发射线驱动器60均配置在两侧的两侧输入结构。另外，为了减少数据线驱动器30的输出端子数，也可以在数据线驱动器30与各像素电路之间设置解复用器部。在这种情况下，数据线驱动器30以将所输出的数据信号经由解复用器单元供给至各数据线的、被称为SSD(Source SharedDriving，源共享驱动)的驱动方式驱动数据线D1
Figure GDA0003295198220000091
Dm。
＜1.2像素电路的构成＞
对像素驱动电路11的构成进行说明。图2是示出形成在显示部中的像素电路11的构成的电路图。如图2所示，像素电路11包括一个有机EL元件OLED、七个p沟道型晶体管T1～T7以及一个存储电容器Cst(也称为“保持电容”)。更具体地，像素电路11包括第一初始化晶体管(“节点初始化晶体管”)T1、补偿晶体管T2、写入晶体管T3、驱动晶体管T4、电源供给晶体管T5、发光控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。另外,在本说明书中,有时将显示与数据信号相应的亮度的亮点的像素电路称为“第一像素电路”,将始终显示黑点的像素电路称为“第二像素电路”。
驱动晶体管T4具有栅极端子(控制端子)、第一导通端子和第二导通端子。驱动晶体管T4的第一导通端子是经由电源供给晶体管T5连接到高电平电源线ELVDD的导通端子，第二导通端子是经由发光控制晶体管T6连接到有机EL元件OLED的导通端子。在驱动晶体管T4中，根据载流子的流动，第一导通端子和第二导通端子分别成为源极端子和漏极端子，或成为漏极端子和源极端子。具体地，在作为载流子的空穴从第一导通端子流向第二导通端子的情况下，第一导通端子成为源极端子，第二导通端子成为漏极端子。相反，在空穴从第二导通端子流向第一导通端子的情况下，第二导通端子成为源极端子，第一导通端子成为漏极端子。
在像素电路11中配置有扫描线Sj(j为1以上且n以下的整数)、前扫描线Sj-1(也称为“放电线”)、发射线Ej、数据线Di(i为1以上且m以下的整数)、高电平电源线ELVDD、低电平电源线ELVSS以及初始化线Vini。写入晶体管T3的栅极端子与扫描线Sj连接，第一导通端子与数据线Di连接，根据扫描线Sj的选择将供给至数据线Di的数据信号供给至驱动晶体管T4的第一导通端子。
驱动晶体管T4的第一导通端子与写入晶体管T3的第二导通端子连接，栅极端子与节点N连接。节点N是连接有后述的补偿晶体管T2的第二导通端子和存储电容器Cst的第一端子的节点(也称为“节点”)，以向驱动晶体管T4的栅极端子施加的数据信号的电压(数据电压)被充电。驱动晶体管T4将根据向节点N充电的数据电压决定的驱动电流供给至有机EL元件OLED。
补偿晶体管T2的栅极端子(控制端子)与扫描线Sj连接。对于补偿晶体管T2而言，若扫描线Sj为激活(低电平)时则导通，成为二极管连接驱动晶体管T4的状态。由此，节点N的电位Vn成为如下式(1)所表示的、比数据电压Vdata低了驱动晶体管T4的阈值电压Vth的电压。该节点N的电位Vn作为栅极电压Vg被施加到驱动晶体管T4的栅极端子。
Vn＝Vdata+Vth...(1)
此处，Vdata是数据电压，Vth是驱动晶体管T4的阈值电压。
第一初始化晶体管T1是与前扫描线Sj-1连接，并且设置在驱动晶体管T4的栅极端子与初始化线Vini之间的双栅极结构的晶体管。双栅极结构的晶体管是指,向两个晶体管的栅极端子(控制端子)输入共用的控制信号,其中一个晶体管的导通端子与另一个晶体管的导通端子电连接,且沟道层通过相同的半导体层连续形成的结构的晶体管。如果在前扫描线Sj-1的电位变为激活时则第一初始化晶体管T1导通，通过对节点N施加初始化电位Vini。由此,节点N的电位被初始化。将这样的动作称为初始化动作,将对节点N的电位进行初始化的电位称为“初始化电位”。另外,第一初始化晶体管T1也可以不是双栅结构的晶体管。
电源供给晶体管T5的栅极端子与发射线Ej连接，并且设置在高电平电源线ELVDD与驱动晶体管T4之间。电源供给晶体管T5根据发射线Ej的选择将高电平电位ELVDD供给至驱动晶体管T4的第一导通端子。
发光控制晶体管T6的栅极端子连接到发射线Ej，并且设置在驱动晶体管T4与有机EL元件OLED之间。发光控制晶体管T6根据发射线Ej的选择，使驱动晶体管T4的第二导通端子和有机EL元件OLED的阳极电连接。其结果，由驱动晶体管T4控制电流值的驱动电流从高电平电源线ELVDD通过驱动晶体管T4流向有机EL元件OLED。
第二初始化晶体管T7的栅极端子(控制端子)连接到扫描线Sj，并且设置在有机EL元件OLED的阳极与初始化线Vini之间。第二初始化晶体管T7在选择了扫描线Sj时将初始化电位Vini施加给有机EL元件OLED的阳极，并初始化阳极的电位。
存储电容器Cst的第一端子连接到节点N，而第二端子连接到高电平电源线ELVDD。存储电容器Cst在补偿晶体管T2和第一初始化晶体管T1处于截止状态时保持节点N的电位。
有机EL元件OLED的阳极(有机EL元件OLED的一端，也称“第一电极”)连接到发光控制晶体管T6的第二导通端子，阴极(有机EL元件OLED的另一端，也称“第二电极”)连接到低电平电源线ELVSS，并且从驱动晶体管T4供给的驱动电流流动时，以与其电流值相应的亮度发光。
<1.3像素电路的通常动作＞
接下来，对像素电路11中包括的七个晶体管都正常的情况的通常动作进行说明。图3是示出驱动图2所示的像素电路11的方法的时序图。另外，图4是示出图3所示的初始化期间中的像素电路11的动作的图，图5是示出图3所示的数据写入期间中的像素电路11的动作的图，图6是示出图3所示的发光期间中的像素电路11的动作的图。
如图3所示，在时刻t1，发射线Ej的电位从低电平变化为高电平。进而，在时刻t2，前扫描线Sj-1的电位从高电平变化为低电平。由此，第一初始化晶体管T1成为导通状态，如图4所示，初始化电位Vini从初始化线Vini经由第一初始化晶体管T1被供给至存储电容器Cst以及节点N，且初始化电位Vini被施加到驱动晶体管T4的栅极端子。因此，驱动晶体管T4的栅极端子的电位被初始化，像素电路11的节点N的电位从在前一次的数据写入期间充电的数据电压下降到比低电平更低的初始化电位Vini。此外，此时供给至前扫描线Sj-1的低电平的电位与在前一次的数据写入期间施加到扫描线的低电平的电位为相同电平。
在时刻t3，前扫描线Sj-1的电位从低电平变化为高电平，第一初始化晶体管T1变为截止状态。另外，开始从数据线驱动器30向数据线Di供给数据信号。这样，从时刻t2到时刻t3为止的期间是进行存储电容器Cst和节点N的初始化的初始化期间。
在时刻t4，扫描线Sj的电位从高电平变化为低电平。另外，数据线Di的电位成为数据信号的电位。由此，写入晶体管T3和补偿晶体管T2成为导通状态，如图5所示，数据信号经由写入晶体管T3、驱动晶体管T4和补偿晶体管T2被写入节点N。另外，进行驱动晶体管T4的阈值电压的补偿。此时，对存储电容器Cst充电比数据信号的电位低驱动晶体管T4的阈值电压的量的电位。低电平的电位也被施加于连接到扫描线Sj的第二初始化晶体管T7的栅极端子，因此第二初始化晶体管T7也处于导通状态。由此，为了使有机EL元件OLED发光而向电容器Coled充电的电压经由第二初始化晶体管T7被放电至初始化线Vini，有机EL元件OLED的阳极电位被初始化。此外,设定初始化电位Vini，使得初始化电位Vini和低电平电位ELVSS的电位差成为有机EL元件OLED的阈值电压以下的值。因此,通过阳极的电位被初始化,有机EL元件OLED成为熄灭状态。
在时刻t5，扫描线Sj的电位从低电平变化为高电平。由此，写入晶体管T3和补偿晶体管T2成为截止状态，数据信号向节点N的写入停止。这样，从时刻t4到时刻t5为止的期间是向节点N写入供给到数据线Di的数据信号的数据写入期间。
在时刻t6，发射信号从高电平变化为低电平。由此，发光控制晶体管T6成为导通状态，如图6所示，由驱动晶体管T4控制电流值的电流从高电平电源线ELVDD通过电源供给晶体管T5、驱动晶体管T4及发光控制晶体管T6而流向有机EL元件OLED。由此，有机EL元件以与数据信号相应的亮度发光。
＜1.4修复＞
如果像素电路11中包含的七个晶体管正常动作，则像素电路11以与数据信号相应的亮度发光。但是，由于7个晶体管中的至少一个始终处于导通状态，或始终处于截止状态，有时像素电路11会无法再正常动作。
包括不能正常工作的晶体管在内的像素电路，例如由于有机EL元件OLED总是熄灭而成为黑点，或由于有机EL元件OLED总是点亮而成为亮点。另外，因此有时由于与该像素电路11相同的高电平电源线ELVDD连接的其它像素电路11同时成为动作不良而显示线缺陷。
在使变得不能正常动作的像素电路11通过修复始终作为黑点显示的显示面板中,如果这样的像素电路11的个数少,则黑点难以显眼,因此在实用上多数不会成为问题。因此,如果能够通过将以往废弃的显示面板进行像素电路黑点化的修理来使用,则显示面板的制造成品率提高,因此能够降低制造成本。
<1.5第二初始化晶体管的问题点>
对当第二初始化晶体管T7始终处于导通状态的情况进行说明。图7是示出第二初始化晶体管T7始终处于导通状态时的像素电路11的动作的图。如图7所示,在第二初始化晶体管T7始终为截止状态的情况下,在数据写入期间,即使将低电平的扫描信号提供给第二初始化晶体管T7的栅极端子,第二初始化晶体管T7始终为截止状态,因此,有机EL元件OLED的阳极电位不会被初始化。因此,在发光期间,若对应于数据信号的驱动电流被提供给有机EL元件OLED,则有机EL元件OLED以与对应于该数据信号的亮度不同的亮度(异常灰度)发光。
在此，对当第二初始化晶体管T7始终处于导通状态时进行的修复进行说明。图8是示出第二初始化晶体管T7始终处于导通状态时进行的修复的图。如图8所示,将成为第二初始化晶体管T7的第一导通端子的半导体层SI和初始化线Vini电连接。由此,由于向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vin,因此,向有机EL元件OLED施加的电压为阈值电压以下。因此,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,像素电路11始终被黑点化。在该情况下,通过发光控制晶体管T6的驱动电流不会流过有机EL元件OLED,而是通过第二初始化晶体管T7的第一导通端子与初始化线Vini直接连接的连接部CP流入初始化线Vini。
接着,对改善第二初始化晶体管T7始终为截止状态时的异常灰度的修复方法进行说明。图9是表示本实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路11的布线布局的一部分的图,更详细而言,图9的(a)是像素电路11的布线布局的一部分的俯视图,图9的(b)是沿着图9的(a)所示的箭头线A-A的修复前的像素电路11的截面图,图9的(c)是沿着图9的(a)所示的箭头线A-A的修复后的像素电路11的截面图。
形成在绝缘基板90上的半导体层SI作为晶体管的源极/漏极区域以及沟道区域发挥功能,或者作为用于与其他晶体管连接的布线区域发挥功能。因此,在形成于由p沟道型晶体管构成的像素电路11的半导体层SI上,除了成为晶体管的沟道区域的区域以外,不仅在晶体管的源极/漏极区域,在布线区域也为了减小其电阻值而掺杂p型的杂质。
如图9的(a)及图9的(b)所示,在使激光透过的绝缘基板90上,形成有由硅膜构成的半导体层SI。以覆盖半导体层SI的方式，形成有例如由硅氧化物膜、氮化硅膜等无机绝缘膜够成的栅极绝缘膜91。在栅极绝缘膜91上与半导体层SCAN交错地形成有扫描线SCAN,该扫描线SCAN作为第二初始化晶体管T7的栅极端子(控制端子)发挥功能。扫描线SCAN由作为金属膜的第一显示布线层构成。
以覆盖扫描线SCAN的方式，形成有由无机绝缘膜构成的第一层间绝缘膜(也称为“第一无机绝缘膜”)92。在第一层间绝缘膜92上形成有由作为金属膜的第二显示布线层构成的初始化线Vini。初始化线Vini在与扫描线SCAN相反侧的区域与扫描线SCAN平行地延伸。以覆盖初始化线Vini的方式，形成有由无机绝缘膜构成的第二层间绝缘膜(也称为“第二无机绝缘膜”)93。
连接布线CW在由以覆盖初始化线Vini的方式形成的无机绝缘膜构成的第二层间绝缘膜93上,由作为金属膜的第三显示布线层形成。连接布线CW通过接触孔CH分别与初始化线Vini以及半导体层SI连接。由此,第二初始化晶体管T7的第二导通端子和初始化线Vini经由连接布线CW电连接。以覆盖连接布线CW的方式，形成有由无机绝缘膜构成的平坦化膜94。
如图9的(c)所示，为了将半导体层SI连接到初始化线Vini，从绝缘基板90的背面侧将激光照射到半导体层SI的激光照射区域LA。此时，激光的输出过大时，半导体层SI消失，激光的输出过小时，不能将半导体层SI连接到初始化线Vini。因此，在半导体层SI与初始化线Vini之间形成的栅极绝缘膜91与第一层间绝眼膜92蒸发，并对半导体层SI的激光照射区域LA照射被设定使得半导体层SI可靠地连接到初始化线Vini的输出的激光。由此,夹在半导体层SI与初始化线Vini之间的栅极绝缘膜91以及第一层间绝缘膜92不会蒸发,半导体层SI的激光照射区域LA与初始化线Vini连接(有时将该情况称为“激光熔化”或者“熔化”)。
由于半导体层SI中掺杂有p型杂质,因此在激光照射区域LA中,半导体层SI与初始化线Vini欧姆连接。由此,由于向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vin,因此,向有机EL元件OLED施加的电压为阈值电压以下。其结果，即使第二初始化晶体管T7变为动作不良,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,像素电路11始终被黑点化。
另外,通过照射激光,当构成初始化线Vini的第一显示布线层完全断线时,初始化电位Vini不再供给至与该初始化线Vini连接的其他像素电路。其结果是,与该初始化线Vini连接的其它像素电路的动作不良而产生线缺陷。因此,即使在激光的照射位置稍微偏离目标的情况下,初始化线Vini也不会完全断线。例如,优选以在照射激光后初始化线Vini的线宽至少剩下一半左右的当时设定激光照射区域LA。另外,图9的(c)中,将激光照射区域LA设置在有机EL元件OLED侧,但也可以设置在扫描线SCAN侧。
＜1.6效果＞
根据本实施方式，从绝缘基板90的背面侧将激光照射到半导体层SI的激光照射区域LA。由此,由于向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vin,因此,向有机EL元件OLED施加的电压为阈值电压以下。因此,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,像素电路11始终被黑点化。此时,通过发光控制晶体管T6的驱动电流通过连接部CP流入初始化线Vini。此外,根据本实施方式的制造方法,通过向半导体层SI与初始化线Vini重叠的区域的至少一部分照射激光,初始化线Vini不会被激光熔断而能够进行修复。
＜1.7变形例＞
对改善第二初始化晶体管T7始终为截止状态时的动作不良(异常灰度)的其他修复方法进行说明。图10是表示本实施方式的变形例涉及的显示装置所包含的像素电路11的布线布局的一部分的图,更详细而言,图10的(a)是像素电路11的布线布局的一部分的俯视图,图10的(b)是沿着图10的(a)所示的箭头线B-B的修复前的像素电路11的截面图,图10的(c)是沿着图10的(a)所示的箭头线B-B的修复后的像素电路11的截面图。
图10的(a)及图10的(b)所示,修复前的半导体层SI、扫描线SCAN及初始化线Vini的配置与图9的(a)及图9的(b)所示的配置分别相同,因此省略他们的说明。在本变形例中,连接布线CW在初始化线Vini侧的端部进一步延伸、夹着初始化线Vini并与扫描线SCAN相反侧的半导体层SI交叉,以使得能够将第一实施方式中说明的连接布线CW也用作备用的布线。因此,连接布线CW夹着栅极绝缘膜91、第一层间绝缘膜92及第二层间绝缘膜93并与半导体层SI重叠地形成。另外,本变形例的连接布线CW也与第一实施方式的连接布线CW同样地,在第二层间绝缘膜93上由作为金属层的第三显示布线层形成,通过接触孔CH与成为初始化线Vini以及第二初始化晶体管T7的第二导通端子的半导体层SI电连接。
在该情况下,修复是通过从绝缘基板90的背面侧对与连接布线CW重叠的半导体层SI的激光照射区域LA照射激光进行的。由此,被半导体层SI和连接布线CW夹着的栅极绝缘膜91、第一层间绝缘膜92和第二层间绝缘膜93不再蒸发,半导体层SI的激光照射区域LA与连接布线CW连接。其结果是,由于向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vin,因此,向有机EL元件OLED施加的电压为阈值电压以下。其结果，即使第二初始化晶体管T7变为动作不良,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,像素电路11始终被黑点化。此时，即使第二初始化晶体管T7始终处于导通状态，通过发光控制晶体管T6的驱动电流也经由与半导体层SI和初始化线Vini连接的连接布线CW，流向初始化线Vini。在该情况下,在图8所示的电路图中,从连接布线CW中被激光熔化的半导体层SI的区域(第二初始化晶体管T7的第一导通端子)至初始化线Vini为止的区域相当于连接部CP。另外,由于能够对与初始化线Vini连接的连接布线CW与半导体层SI重叠的区域的整体照射激光,因此能够可靠地进行将初始化线Vini与半导体层SI连接的修复。
＜2.第二实施方式＞
在第一实施方式中,从高电平电源线ELVDD通过电源供给晶体管T5、驱动晶体管T4、发光控制晶体管T6流动的驱动电流不供给至有机EL元件OLED,而是通过第二初始化晶体管T7的第一导通端子与初始化线Vini的连接部CP流入初始化线Vini。在该情况下,像素电路11虽然能够黑点化,但这些晶体管T5、T4及T6的导通电阻小,因而其电流值变大。因此,存在像素电路11的功耗变大的问题。因此,在本实施方式中,说明不仅能够使像素电路11黑点化,而且能够进一步黑点化的像素电路11的降低功耗的修复方法。另外，本实施方式的显示装置的构成、像素电路11的构成以及像素电路11的动作分别与第一实施方式的情况相同，因此省略其说明。
<2.1像素电路的动作＞
图11～图13是用于说明通过改善本实施方式的显示装置所包含的像素电路11的第二初始化晶体管T7的动作不良的修复,不仅像素电路11被黑点化,而且能进一步降低功耗的情况的图。首先,如图11所示,补偿晶体管T2是为了减少漏电流的双栅结构的晶体管。为了区别构成该双栅极结构的两个晶体管，将第一导通端子连接到驱动晶体管T4的第二导通端子的晶体管被称为第一补偿晶体管T21、将第二导通端子连接到节点N的晶体管称为第二补偿晶体管T22。在第一补偿晶体管T21的与第二导通端子和第二补偿晶体管T22的第一导通端子连接的连接点的上方，配置有被施加有高电平电位ELVDD的电极。
向激光照射区域LA照射激光,该激光照射区域LA被设定在构成被这样的第一补偿晶体管T2的第二导通端子和第二补偿晶体管T2的第一导通端子夹着的连接点SP的半导体层SI中。由此,夹在半导体层SI的激光照射区域LA与提供高电平电位ELVDD的电极之间的绝缘膜蒸发,半导体层SI的激光照射区域LA与电极连接。其结果，从高电平电源线ELVDD向第一补偿晶体管T21的第二导通端子和第二补偿晶体管T22的第一导通端子的连接点SP供给高电平电位ELVDD。另外,图11
Figure GDA0003295198220000201
图13所示的像素电路11的电路图中,为了方便起见,通过激光熔化将半导体层SI的激光照射区域LA熔化从而与高电平电位ELVDD连接表示为开关SW接通的状态。
当前扫描线Sj-1的电位从高电平变为低电平时，使第一初始化晶体管T1成为导通状态，如图11所示，初始化电位Vini被施加到存储电容Cst的第一端子和驱动晶体管T4的栅极端子。由此，存储电容器Cst和驱动晶体管T4的栅极端子的电位被初始化。
接着，扫描线Sj的电位从高电平变化为低电平时，第一及第二补偿晶体管T21、T22变为导通状态。由此，如图12所示，第一、第二补偿晶体管T21、T22变为导通状态，并且被施加到第一补偿晶体管T21和第二补偿晶体管T22的连接点SP处的高电平电位ELVDD经由节点N被施加到驱动晶体管T4的栅极端子。因此，驱动晶体管T4变为截止状态。
其后，当发射线Ej的电位从高电平变化为低电平时，则电源供应晶体管T5和发光控制晶体管T6变为导通状态。此时，由于此时驱动晶体管T4处于截止状态，因此如图13所示，驱动电流不会流向有机EL元件OLED。因此,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,像素电路11总是黑点化。进而,有机EL元件OLED处于熄灭状态时,在像素电路11中没有电流流过,因此像素电路11的功耗降低。
此外，将施加到第一补偿晶体管T21和第二补偿晶体管T22的连接点SP的高电平电位ELVDD称为“截止电位”。此外,有时将施加到第一补偿晶体管T21和第二补偿晶体管T22的连接点SP的高电平电位ELVDD称为截止电位供给线OFVDD。
＜2.2布线布局＞
对像素电路进行黑点化，且用于降低其功耗的运算方法进行说明。图14是示出第二实施方式涉及的显示装置所包含的像素电路的布线布局的一部分的图,更详细而言,图14的(a)是像素电路的布线布局的一部分的俯视图,图14的(b)是沿着图14的(a)所示的箭头线C-C的修复前的像素电路的截面图,图14的(c)是沿着图14的(a)所示的箭头线C-C的修复后的像素电路的截面图。
如图14的(a)所示，像素电路的高电平电源线ELVDD和数据线D，和与该像素电路相邻的像素电路的高电平电源线ELVDD和数据线D平行配置，且以与它们交叉的方式配置有扫描线SCAN。扫描线SCAN在被高电平电源线ELVDD和后述的修复所使用的修复布线REP夹着的区域具有分支的突起部SCP。突起部SCP与高电平电源线ELVDD平行地延伸。
半导体层SI被形成为与扫描线SCAN的突起部SCP和扫描线SCAN分别逐个交叉。在扫描线SCAN与半导体层SI交叉的位置处形成第一补偿晶体管T21，在扫描线SCAN的突起部SCP与半导体层SI交叉的位置处形成第二补偿晶体管T22。而且，修复时使用的修复布线REP的一端以与半导体层SI重叠的方式形成。修复布线REP的另一端通过相邻的像素电路的高电平电源线ELVDD和接触孔CH连接。
接下来，说明修复方法。如图14的(b)所示，被夹在第一补偿晶体管T21与第二补偿晶体管T22之间的半导体层SI的激光照射区域LA2以及修复布线REP的一端被栅极绝缘膜91以及第一层间绝缘膜92分离。
如图14的(c)所示，从绝缘基板90的背面侧对半导体层SI的激光照射区域LA2照射激光,该激光设定为使设置在半导体层SI的激光照射区域LA2与备用布线REP之间的栅极绝缘膜91和第一层间绝缘膜92蒸发,且使激光照射区域LA2的半导体层SI熔化而以将半导体层SI可靠地连接到高电平电源线ELVDD。由此,半导体层SI的激光照射区域LA2与高电平电源线ELVDD电连接,对驱动晶体管T4的栅极端子提供高电平电位ELVDD。其结果是,驱动晶体管T4成为截止状态,像素电路被黑点化,进一步降低其功耗。
＜2.3效果＞
根据本实施方式,即使电源供给晶体管T5以及发光控制晶体管T6成为导通状态,驱动晶体管T4也成为截止状态。由此,流向有机EL元件OLED的电流消失,因此不仅能够使像素电路11黑点化,而且能够降低像素电路11的功耗。此外,如在第一实施方式中说明的那样,有时通过形成第二初始化晶体管T7的第一导通端子与初始化线Vini的连接部CP,能够始终使像素电路11黑点化。但是,会有照射激光进行的修复失败的情况。因此,为了更可靠地使像素电路11总是黑点化,优选在第一实施方式中说明的修复与在本实施方式中说明的修复组合。
＜2.4第一变形例＞
图15是本实施方式的第一变形例涉及的修复后的像素电路11的电路图。如图15所示,在第一初始化晶体管T1的第一导通端子与节点N之间、以及第一初始化晶体管T1的第二导通端子与初始化线Vini之间的至少任一个中,由硅膜形成的半导体层的布线在图15标注“×”的位置熔断。从绝缘基板的背面侧向形成在绝缘基板上的包含半导体层的布线照射激光来使半导体层蒸发,由此进行布线的熔断。
通过熔断布线,不再对节点N提供初始化电位Vini,因此,驱动晶体管T4不再与二极管连接。其结果是,不会在驱动晶体管T4中流过大电流。由此,不仅能够实现像素电路11的黑点化,还能够使其功耗变小。
＜2.5第二变形例＞
图16是本实施方式的第二变形例的电源装置的像素电路11的电路图。如图16所示,在发光控制晶体管T6的第一导通端子与驱动晶体管T4的第二导通端子之间以及发光控制晶体管T6的第二导通端子与有机EL元件OLED的阳极之间的至少任一者中,在图16的标注“×”的位置熔断由半导体层构成的布线。与第一变形例的情况同样地,从绝缘基板的背面侧向形成在绝缘基板上的包含半导体层的布线照射激光来使半导体层蒸发,由此进行布线的熔断。
通过熔断夹着发光控制晶体管T6的布线中的至少任一条,即使驱动晶体管T4成为导通状态,驱动电流也不会流向有机EL元件OLED。其结果是,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,因此像素电路11始终被黑点化,同时其功耗降低。此外,在本变形例中,照射激光的位置的激光照射区域的可设定区域狭小,该激光用于熔断布线，因此,可能产生无法完全熔断布线的情况。因此,优选如在第一实施方式中说明的,将第二初始化晶体管T7的第一导通端子与初始化线Vini连接并与将像素电路11黑点化的修复进行组合。
＜2.6第三变形例＞
如上所述,不仅使像素电路11黑点化,而且为了可靠地降低其功耗,不仅应用上述第二实施方式、第一变形例以及第二变形例中的任一个,也可以同时应用其中的任意两个或者全部。无论在哪种情况下,都能够使像素电路11黑点化,且能够更可靠地降低黑点化时的功耗。
＜3.第三实施方式＞
说明本发明的第三实施方式。在本实施方式中,对第一实施方式中说明的第二初始化晶体管T7发生了动作不良时，以及即使在写入晶体管T3发生了动作不良时也能够使像素电路11可靠地黑点化的修复进行说明。另外，本实施方式的显示装置的构成、像素电路11的构成以及像素电路11的动作分别与第一实施方式的情况相同，因此省略其说明。
关于只有第二初始化晶体管T7成为动作不良时的修复,如第一实施方式中说明的那样,通过照射激光来连接第二初始化晶体管T7的第一导通端子和初始化线Vini,向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vini。由此,将有机EL元件OLED始终设为熄灭状态,使像素电路11始终黑点化。
但是,不仅仅第二初始化晶体管T7成为动作不良,有时写入晶体管T3也不能正常地动作。因此,对在这样的情况下进行的修复进行说明。
＜3.1在写入晶体管始终为导通状态的情况下>
对写入晶体管T3始终处于导通状态时的问题点进行说明。如果像素电路11正常动作,则在初始化期间结束后、写入数据期间,提供给数据线Di的数据信号经由补偿晶体管T2被写入节点N,提供给驱动晶体管T4的栅极端子。由此,与数据信号对应的电流值的电流从高电平电源线ELVDD流向有机EL元件OLED,有机EL元件OLED以与数据信号对应的亮度发光。
此时,对原本应为截止状态的写入晶体管T3由于动作不良而成为导通状态的情况进行说明。图17是示出本实施方式中的写入晶体管始终成为导通状态时的问题点的图。如图17所示,在驱动电流从高电平电源线ELVDD流向有机EL元件OLED时,也从数据线Di供给电流。从数据线Di供给的电流在通过写入晶体管T3后，分为向有机EL元件OLED的电流和向高电平电源线ELVDD的电流。其中,流向有机EL元件OLED的电流通过由第一实施方式中说明的熔体形成的连接部CP流入初始化线Vini。这种情况下,如第一实施方式中说明的那样,由于施加到有机EL元件OLED的电压在阈值电压以下,有机EL元件OLED总是处于熄灭状态,像素电路11始终是黑点化。
但是,朝向高电平电源线ELVDD的电流使高电平电源线ELVDD的高电平电位ELVDD变动。由此,在与该高电平电源线ELVDD连接的其它像素电路中,受到高电平电位ELVDD的变动的影响而产生异常灰度。这样，如果在与相同高电平电源线ELVDD连接的多个像素电路中同时产生异常灰度，则收看者将其识别为线缺陷。
因此,说明在相邻的像素电路11中不产生线缺陷的方法。图18是表示防止本实施方式的显示装置所包含的线缺陷的产生的像素电路11的构成的图。为了使从数据线Di供给的电流的一部分不流向高电平电源线ELVDD,如图18所示,通过从绝缘基板的背面侧向由写入晶体管T3的第一导通端子或第二导通端子的任一个的附近的半导体层构成的布线照射激光来熔断该布线。由此,从数据线Di供给的电流不会流向高电平电源线ELVDD,因此高电平电位ELVDD不会变动。另外,通过激光熔化来连接第二初始化晶体管T7的第一导通端子和初始化线Vini,施加在有机EL元件OLED的电压为阈值电压以下,因此,有机EL元件OLED始终成为熄灭状态,像素电路11始终被黑点化。这样,本实施方式的像素电路11始终被黑点化,并且能够避免在相邻的像素电路11中视觉辨认到线缺陷。但是,与第一实施方式的情况同样,在流过电流值大的驱动电流的情况下,存在像素电路11的功耗变大的问题。
＜3.2在写入晶体管始终为截止状态的情况下>
另外,在写入晶体管T3始终为截止状态的情况下,在初始化期间写入的初始化电位Vini被施加到驱动晶体管T4的栅极端子。由此,当发光期间发射线Ej的电位为低电平时,驱动晶体管T4成为导通状态,从高电平电源线ELVD经由驱动晶体管T4向有机EL元件OLED流动大电流值的驱动电流。因此,有机EL元件OLED以高亮度点亮,像素电路11成为明亮的亮点。
在此,如在第一实施方式中说明的那样,利用连接部CP连接第二初始化晶体管T7的第一导通端子和初始化线Vini。由此,如在第一实施方式中说明的那样,通过对有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vini,将有机EL元件OLED始终设为熄灭状态,使像素电路11始终能够黑点化。但是,与第一实施方式的情况同样,由于流过电流值大的驱动电流,因此存在像素电路11的功耗变大的问题。
＜3.3效果＞
根据本实施方式,在写入晶体管T3始终处于导通状态或截止状态的情况下,将第二初始化晶体管T7的第一导通端子与初始化线Vini连接。由此,由于向有机EL元件OLED的阳极施加初始化电位Vin,因此,向有机EL元件OLED施加的电压为阈值电压以下。其结果，由于有机EL元件OLED始终处于熄灭状态，因此像素电路11能够始终黑点化。
再者,在写入晶体管T3始终为导通状态的情况下,为了使从数据线Di供给的电流的一部分不流向高电平电源线ELVDD,熔断由写入晶体管T3的第一导通端子或第二导通端子的任一个的附近的半导体层构成的布线。由此,从数据线Di供给的电流不会流向高电平电源线ELVDD,因此,高电平电位ELVDD不变动,在相邻的像素中线缺陷变得不被视觉辨认。
＜3.4变形例＞
在第三实施方式的情况下,也与第二实施方式的情况同样,驱动电流通过导通电阻小的电源供给晶体管T5、驱动晶体管T4及发光控制晶体管T6流动,因此其电流值变大。因此,存在像素电路11的功耗变大的问题。因此,为了降低像素电路11的功耗,也可以在像素电路11中进一步应用第二实施方式、第一变形例、以及第二变形例中说明的方法的任意一种、或者任意两种或者全部。
附图标记说明
10...显示部
11…像素电路
CH…接触孔(开口部)
T1…第一初始化晶体管
T2…补偿晶体管
T21…第一补偿晶体管
T22…第二补偿晶体管
T3…写入晶体管
T4…驱动晶体管
T5…电源供给晶体管
T6…发光控制晶体管
T7…第一初始化晶体管
OLED…有机EL元件(电光元件)
SI…半导体层
CW…连接布线
REP…修复布线
Di…数据线
SCAN…扫描线
Vini…初始化电位、初始化线
ELVDD…高电平电位，高电平电源线(第一电源线)
ELVSS…低电平电位，低电平电源线(第二电源线)
OFVDD…截止电位供给线
SP…(第一补偿晶体管与第二补偿晶体管之间的)连接点

Claims (13)

1.一种显示装置，其通过分别向配置于显示面板的多个像素电路供给数据信号来显示图像，所述显示装置包括：
多条数据线，供给有所述数据信号；
多条扫描线，依次供给有用于选择像素电路的扫描信号；
多个所述像素电路，对应于所述多条数据线和所述多条扫描线的交叉点来设置；
扫描线驱动电路，依次选择所述多条扫描线；以及
数据线驱动电路，其向所述多条数据线供给所述数据信号，
多个所述像素电路的每一个包括：
电光元件；
驱动晶体管，其用于向所述电光元件供给与所述数据信号对应的驱动电流；
补偿晶体管，其用于：通过将从对应的数据线施加的所述数据信号写入连接有所述驱动晶体管的控制端子的节点，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
供给初始化电位的初始化线；
第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的第一导通端子与所述节点连接,所述第一初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；以及
第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的第一导通端子与所述电光元件连接,所述第二初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接，
在多个所述像素电路中的至少一个像素电路中,所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于，多个所述像素电路包含:显示与所述数据信号对应的亮度的亮点的第一像素电路；始终显示黑点的第二像素电路,至少一个所述像素电路是所述第二像素电路。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于，所述第二像素电路在作为所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子的半导体层与所述初始化线交叉的区域中,所述半导体层与所述初始化线的至少一部分电连接。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于，
还包括：与所述初始化线电连接的连接布线,
在所述第二像素电路中,在所述连接布线与作为所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子的半导体层交叉的区域内所述连接布线与所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子电连接,由此,所述初始化线和所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子电连接。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于，
还包括：第一电源线,供给第一电源电位；以及截止电位供给线,与所述第一电源线电连接，
所述补偿晶体管是由第一补偿晶体管和第二补偿晶体管构成的双栅极结构的晶体管，所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管形成在连接所述节点和所述驱动晶体管的第二导通端子的半导体层上，
所述第一补偿晶体管的第二导通端子与所述第二补偿晶体管的第一导通端子经由夹在所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管之间的所述半导体层的连接点连接，
所述第二补偿晶体管的第二导通端子连接到所述节点，
所述第一补偿晶体管的控制端子以及所述第二补偿晶体管的控制端子均被连接到多条所述扫描线中的一条，
所述截止电位供给线形成为：夹着绝缘膜与所述半导体层的所述连接点重叠,
在所述第二像素电路中,所述半导体层的所述连接点与所述截止电位供给线电连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于，在所述第二像素电路中,连接所述第一初始化晶体管的所述第一导通端子与所述节点的布线、或连接所述第一初始化晶体管的所述第二导通端子与所述初始化线的布线中的至少一条被电分离。
7.根据权利要求5或6所述的显示装置,其特征在于，多个所述像素电路的每一个还包括发光控制晶体管，所述发光控制晶体管控制流过所述电光元件的所述驱动电流,
在所述第二像素电路中，连接所述发光控制晶体管的第一导通端子和所述驱动晶体管的第二导通端子的布线、或连接所述发光控制晶体管的第二导通端子和所述电光元件的第一电极的布线中的至少一条被电分离。
8.根据权利要求5或6所述的显示装置,其特征在于，
多个所述像素电路的每一个还包括写入晶体管,所述写入晶体管连接于对应的数据线,用于从该对应的数据线将所述数据信号写入所述节点,
在所述第二像素电路中，所述写入晶体管的第一导通端子与所述数据线之间的布线、或者所述写入晶体管的第二导通端子与所述驱动晶体管的第一导通端子之间的布线中的至少一条被电分离。
9.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于，所述显示面板是依次层叠所述半导体层、栅极绝缘膜、第一显示布线层、第一无机绝缘膜以及第二显示布线层而成的面板,所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子由所述半导体层构成,所述初始化线由所述第二显示布线层构成。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于，
所述显示面板是在所述第二显示布线层上进一步依次层叠有第二无机绝缘膜和第三显示布线层的面板,
将所述初始化线和所述半导体层电连接的连接布线由所述第三显示布线层构成。
11.一种显示装置的制造方法，所述显示装置通过向形成于显示面板的多个像素电路各自供给数据信号来显示图像，其特征在于，
多个所述像素电路的每一个包括：
电光元件，以与所述数据信号对应的驱动电流的电流值对应的亮度发光；
驱动晶体管，其用于向所述电光元件供给所述驱动电流；
补偿晶体管，其用于通过将从数据线施加的所述数据信号写入连接有所述驱动晶体管的控制端子的节点，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
供给初始化电位的初始化线；
第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的第一导通端子与所述节点连接,且所述第一初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；以及
第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的第一导通端子与所述电光元件连接,且所述第二初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接，
所述制造方法包含：在多个所述像素电路中的至少一个像素电路中,在所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线重叠的区域的至少一部分，通过从所述显示面板的背面侧照射激光，使所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线电连接的工序。
12.一种显示装置的制造方法，所述显示装置通过向形成于显示面板的多个像素电路各自供给数据信号来显示图像，其特征在于，
多个所述像素电路的每一个包括：
电光元件，以与所述数据信号对应的驱动电流的电流值对应的亮度发光；
驱动晶体管，其用于向所述电光元件供给所述驱动电流；
补偿晶体管，其用于通过将从数据线施加的所述数据信号写入连接有所述驱动晶体管的控制端子的节点，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
供给初始化电位的初始化线；
第一初始化晶体管，所述第一初始化晶体管的第一导通端子与所述节点连接,且所述第一初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；
第二初始化晶体管，所述第二初始化晶体管的第一导通端子与所述电光元件连接,且所述第二初始化晶体管的第二导通端子与所述初始化线连接；以及
连接布线,与所述初始化线电连接，所述连接布线以与半导体层夹着绝缘膜重叠的方式形成,其中所述半导体层作为所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子，
所述制造方法包含：在多个所述像素电路中的至少一个像素电路中,在所述半导体层与所述连接布线重叠的区域的至少一部分，通过从所述显示面板的背面侧照射激光，使所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述连接布线电连接，从而使所述第二初始化晶体管的所述第一导通端子与所述初始化线电连接的工序。
13.根据权利要求11或12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置还包括：第一电源线,供给第一电源电位；以及截止电位供给线,与所述第一电源线电连接，
多个所述像素电路包括：第一像素电路，其显示对应所述数据信号的亮度的亮点；以及第二像素电路，其显示黑点，
所述补偿晶体管是由第一补偿晶体管和第二补偿晶体管构成的双控制端子结构的晶体管，所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管形成在连接所述节点和所述驱动晶体管的第二导通端子的半导体层上，
所述第一补偿晶体管的第二导通端子与所述第二补偿晶体管的第一导通端子将所述节点和所述驱动晶体管的第二导通端子连接，经由夹在所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管之间的半导体层的连接点连接，
所述第二补偿晶体管的第二导通端子连接到所述节点，
所述第一补偿晶体管的控制端子以及所述第二补偿晶体管的控制端子均被连接到多条扫描线中的一条，
所述截止电位供给线以夹着绝缘膜与所述连接点重叠的方式形成,
所述制造方法还包括：在至少一个所述像素电路中,向所述连接点与所述截止电位供给线重叠的区域照射激光以将所述连接点与所述截止电位供给线电连接的工序。
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