JP2009117821A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板上に半導体層を有する半導体装置の作製方法であって、
   窒素を含有する第１の絶縁体の堆積と、窒素及びフッ素を含有する第２の絶縁体の堆積を複数回繰り返すことにより、前記半導体層上に、窒素を含有する第１の領域と、窒素及びフッ素を含有する第２の領域を交互に有する絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁体の堆積は、窒素及び珪素を含有するガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により行われ、
   前記第２の絶縁体の堆積は、前記第１の絶縁体の堆積に用いられる原料ガスにフッ素を添加したガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により行われ、
   前記第１の絶縁体の堆積と、前記第２の絶縁体の堆積とは、同一装置内において連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の絶縁体は、酸化窒化珪素又は窒化酸化珪素であり、
   前記第２の絶縁体は、フッ素を含有する酸化窒化珪素又はフッ素を含有する窒化酸化珪素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記絶縁層の最上面は前記第１の絶縁体により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の領域を、下部から上部に向かうにつれて厚くなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の領域を、下部から上部に向かうにつれて薄くなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第２の領域におけるフッ素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記絶縁層を、ドライエッチングを用いて加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 基板上の半導体層と、
   前記半導体層上の絶縁層を有し、
   前記絶縁層は、窒素を含有する第１の絶縁体からなる第１の領域と、窒素及びフッ素を含有する第２の絶縁体からなる第２の領域を交互に複数有し、
   前記第１の絶縁体は、酸化窒化珪素又は窒化酸化珪素であり、
   前記第２の絶縁体は、フッ素を含有する酸化窒化珪素又はフッ素を含有する窒化酸化珪素であり、
   前記絶縁層の最上面は前記第１の絶縁体からなり、
   前記第１の領域は、下部から上部に向かうにつれて厚くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記第２の領域は、下部から上部に向かうにつれて薄くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項８又は９において、
    前記絶縁層の深さ方向の元素濃度のプロファイルにおいて、フッ素の濃度は前記第２の領域においてピークを有し、窒素の濃度は前記第２の領域においてピークを有しないことを特徴とする半導体装置。
11. 請求項８乃至１０のいずれか一において、
    前記第２の領域におけるフッ素の濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であることを特徴とする半導体装置。