JP2009068095A - 低欠陥成膜法及び低欠陥薄膜並びに低欠陥膜成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、成長中の膜に付着若しくは埋め込まれて成るパーティクルなどの成膜欠陥が極めて少ない低欠陥薄膜及びその製造方法である低欠陥成膜法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイス、表示デバイス、フォトマスクなどに使用される薄膜の低欠陥化のための成膜方法、及びそのようにして成膜した低欠陥薄膜並びにその製造装置に関する。

半導体集積回路や表示デバイスなどにおける、配線や半導体のパターニングには、一般に可視光（ｇ線、ｈ線）または紫外光（ｉ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ）を用いたフォトリソグラフィーが広く用いられている。さらに近年、半導体集積回路の微細化に伴い、その製造技術として電子線リソグラフィの他、液浸ＡｒＦ、ＥＵＶＬ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、ナノインプリントリソグラフィなどに関する研究開発も盛んに行われている。

半導体集積回路や表示デバイスの製造においては、マスク上に欠陥が存在すると、欠陥はマスクパターンとともにウェハー面に転写されるため、製品の歩留りに直接影響する。ここで欠陥とは、露光した際にウェハー面に転写されるかあるいは１０％以上の寸法変化を与えるあらゆるマスク上の異常を言う。そのサイズは、該当世代において転写されてしまうと予測される最小サイズの明欠陥あるいは暗欠陥の面積の平方根として国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）に示されており、それによるとその大きさは２００８年では４６ｎｍ、２０１０年には３６ｎｍ以下に抑える必要があるとされている。これらの大きさの欠陥はマスク上に存在しないことが求められる。また半導体集積回路や表示デバイスそのものについても、かかる欠陥は当該素子の動作不良につながり、歩留りを低下させる原因になる。従って、欠陥を発生させないハンドリング技術及び成膜加工技術、さらには洗浄技術が重要になってくる。

ここで、フォトマスクや各種デバイスに用いられる薄膜の成膜法には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法のほか、スパッタリング法や蒸着法が量産向けに使用されている。一方、研究レベルではＰＬＤ（ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法なども用いられている。これらの成膜法はそれぞれ要求される薄膜の性能によって使い分けられているが、大面積均一成膜においてはスパッタリング法が優位とされている。

しかし、いずれの成膜法においても成膜に起因する欠陥が発生し、製品の歩留りを低下させる原因となっている。特に、半導体回路の微細化や表示デバイスの高精細化に伴い、これまで問題視されなかった大きさの欠陥までもが製品に影響を及ぼすようになってきており、成膜に起因する欠陥の発生を抑制することが重要な課題となっている。そして、これに対応するために、様々な手段が採られてきた。例えば、側壁に付着した膜が剥がれて基板に付着しないように、真空チャンバーの構造を変更したり、あるいは、真空から大気圧へまた大気圧から真空へ移行する際にチャンバー内の塵を巻き上げないチャンバー構造にしたりする対応である。また、スパッタリング法においては、欠陥の原因の一つとなるアーキングを防止するため、パルス化ｄｃ電源を導入したり、あるいはカソード形状を変更したりする対応である。例えば、特許文献1に示されるように、スパッタリング法において、ターゲット上の異物（堆積した絶縁物など）がチャージアップし絶縁破壊してプラズマをアーク状態に走らせるのを防止する目的で、一旦カソードへの負の電圧の印加を停止し、再び負の電圧を印加して成膜を行い、これを繰り返す方法である。しかし、これらは一定の効果はあるものの、依然として微小な成膜欠陥は生じている。
特開２００４−２９１４６４号公報

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、成長中の膜に付着若しくは埋め込まれて成るパーティクルなどの成膜欠陥が極めて少ない薄膜（以下、低欠陥薄膜という。）及びその製造方法（以下、低欠陥成膜法という。）を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に係る成膜方法は、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする。連続成膜ではなく、一定時間成膜後に一度成膜を停止し、少なくとも１秒以上経過後に、再び一定時間成膜を行い、これを繰り返すことで、微小な成膜欠陥を大幅に低減することができる。

本発明の請求項２に係る発明は、さらに、前記イオン非照射時間において前記真空チャンバー内に導入するガスの供給を停止して前記真空チャンバー内の該ガスを一旦排気し、前記イオン照射の所定時間前に再度前記真空チャンバー内に前記ガスを供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法としたものである。これによって、真空チャンバー内に漂うパーティクルをガスと共に一旦排気するため、成膜欠陥をさらに低減することができる。また、成膜コストの低減にもつながる。

本発明の請求項３に係る発明は、さらに、前記イオン照射時間において、イオン照射とイオン非照射とからなる第２の動作周期の断続的なイオン照射であって該動作周期の１周期におけるイオン非照射時間が１ミリ秒以下である断続的なイオン照射を行う、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜方法としたものである。これによって、さらにアーキング起因の成膜欠陥を防止することがきる。

本発明の請求項４に係る発明は、ターゲット物質にイオン照射を行って薄膜作製を行う前記成膜方法がスパッタリング法であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一に記載の成膜方法としたものである。これによって、大面積均一成膜が容易になる。

本発明の請求項５に係る成膜装置は、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させる装置であって、前記イオン照射とイオン非照射とを制御する信号であって前記イオン非照射の時間が少なくとも１秒以上である第１の信号を生成する長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路を有する、ことを特徴とする。本装置によって、請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法を容易に実現することができる。

本発明の請求項６に係る発明は、さらに、前記第１の信号のイオン非照射時間において真空チャンバー内に導入するガスの供給を停止して真空チャンバー内のガスを一旦排気し、前記第１の信号のイオン照射時間の所定時間前に再度前記真空チャンバー内にガスを供給する手段を有する、ことを特徴とする請求項５に記載の成膜装置としたものである。本装置によって、請求項１乃至請求項2に記載の成膜方法を容易に実現することができる。

本発明の請求項７に係る発明は、さらに、前記イオン照射とイオン非照射とを制御する信号であって前記イオン非照射の時間が少なくとも１ミリ秒以下である第２の信号を生成する短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路を有する、ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の成膜装置としたものである。本装置によって、請求項１乃至請求項3に記載の成膜方法を容易に実現することができる。

本発明の請求項８に係る発明は、ターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させる前記方法がスパッタリング法であること、を特徴とする請求項５乃至請求項７の何れか一に記載の成膜装置としたものである。本装置によって、請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法を容易に実現することができる。

本発明の請求項９に係る発明は、請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法の少なくとも何れか１つを含む成膜方法により成膜した薄膜としたものである。成膜欠陥が極めて少ないものであるから、欠陥を嫌うあらゆる用途で使用できる。

本発明の請求項１０に係る発明は、請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法の少なくとも何れか１つを含む成膜方法により作製したフォトマスクブランク及びフォトマスクとしたものである。歩留まりの向上に効果的である。

本発明の請求項１１に係る発明は、請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法の少なくとも何れか１つを含む成膜方法により作製した薄膜トランジスタとしたものである。歩留まりの向上に効果的である。

本発明によれば、成長中の膜に付着もしくは埋め込まれて成るパーティクルなどの成膜欠陥が極めて少ない低欠陥薄膜、及びその製造方法である低欠陥成膜法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る成膜方法及び該成膜方法によって得られる成膜について、図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。

（低欠陥成膜法）
本発明の一実施形態に係る低欠陥薄膜の製造方法である低欠陥成膜法について説明する。基本的な成膜法にはスパッタリング法を用いると簡便である。スパッタリング法とは、放電によって生成したＡｒイオンがターゲットに照射されることによってターゲット構成物質を叩き出し、これを基板に堆積させて成膜する成膜法である。電源にはｄｃ（直流）、ｒｆ（交流）のいずれを用いることもできるが、パルス化ｄｃ電源を用いると成膜欠陥の低減が図れると同時に生産性も高まり、好適である。但し、これに限定されるわけではない。

ターゲットの材料は問わない。従って本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法は、フォトマスクの製造や、薄膜トランジスタの製造等、各種の用途に用いることができる。

本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法においては、真空チャンバー内にＡｒガスを導入し、放電によってターゲットに対してイオン照射を行うＯＮ動作（照射）によって一定時間成膜を行った後、少なくとも１秒以上の時間イオン照射を停止するＯＦＦ動作（非照射）を設けることを特徴とする。かかる放電のＯＮ／ＯＦＦは、後述する長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路によって制御する。この放電のＯＮ動作とＯＦＦ動作が1周期（以下、第1の動作周期という。）を構成し、この動作周期を所定の回数繰り返して必要膜厚になるまで成膜を行う。ここで、成膜を行うＯＮ動作の一定時間については、これを必要以上に長く採ると成膜欠陥低減の効果がなくなり、反対に必要以上に短く採るとスループットの低下につながる。最適な時間はターゲットに用いる材料や真空チャンバー（カソードの位置、大きさも含む）の作りや許容される成膜欠陥の密度によっても異なるため、ターゲットに用いる材料等に応じて適宜選択する。一方、放電を停止する少なくとも1秒以上のＯＦＦ動作の時間については、これが１秒より短いと本発明による成膜欠陥低減の効果は全く見られない。反対に１秒以上の長い時間を設けると本発明による成膜欠陥低減の効果が現れるが、より好適には３０秒以上設けると良い。更に徹底して成膜欠陥を排除するには５分程の時間を設けるのが良いが、必要以上に長い時間を設けるとスループットの低下からコスト増につながる。最適な時間はターゲットに用いる材料や真空チャンバー（カソードの位置、大きさも含む）の作りや許容される成膜欠陥の密度によっても異なるため一概には言えないが、上記ターゲットに用いる材料等に応じて適宜選択し、この時間内は、成膜を完全に停止する。

上述した本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法においては、成膜を行う際の放電のＯＮ動作とＯＦＦ動作からなる第１の動作周期において、少なくとも１秒以上のＯＦＦ動作時間を設けることにより、一時的に成膜を完全に停止させ、パルス化ｄｃ電源のみでは防ぎきれないアーキング起因でない成膜欠陥を大幅に低減することができる。

さらに、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法においては、放電のＯＦＦ動作中に、真空チャンバー内へ導入しているガスの供給を停止し、真空チャンバー内のガスを一旦排気する動作を組み合わせても良い。具体的には、放電のＯＮ／ＯＦＦを制御する長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路の生成するパルスに同期して、放電のＯＦＦ動作に連動して真空チャンバー内へのガスの供給を停止して一旦ガスを排気し、所定時間経過後、放電のＯＮ動作直前に再び真空チャンバー内へのガスの供給を開始する。この所定時間は、再度真空チャンバー内にガス供給を開始してから真空チャンバー内にガスが充満するまでに要する時間であり、真空チャンバーの大きさ及び単位時間当たりのガス供給量により異なる。従って、使用する真空チャンバーの大きさ及び単位時間当たりのガス供給量を考慮して適宜設定される。そしてかかる制御は、図１においては図示していないが、例えば、制御回路によって制御される。

上述したように、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法にガス供給を停止する動作を組み合わせると、真空チャンバー内へのガス供給を一旦停止して真空チャンバー内に漂うパーティクルをガスと共に一旦排気するため、成膜欠陥を更に低減することができる。また、ガスを浪費しないため成膜コストの低減を図ることができる。

なお、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法に類似する方法として、例えば特許文献１に示されたパルス化ｄｃ電源を用いた成膜技術がある。上述したように、当該成膜技術は、主にスパッタリング法において、ターゲット上の異物（堆積した絶縁物など）がチャージアップし絶縁破壊してプラズマをアーク状態に走らせるのを防止する目的で、一旦カソードへの負の電圧の印加を停止し、再びカソードに負の電圧を印加して成膜を行い、これを繰り返すものである。この技術は、アーキング起因の成膜欠陥防止が目的であり、従って、１周期中のパルスのＯＦＦ時間は、アーキングを生じさせないために充分な時間でよく、通常は、１ミリ秒以下と短い。一方、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法は、基板や成長中の膜に付着若しくは埋め込まれることで形成されるパーティクル等の成膜欠陥、即ち、アーキング起因でない成膜欠陥を防止することが目的であり、解決課題が異なる。また、従って、１周期中のパルスのＯＦＦ時間は少なくとも１秒以上の時間を要する点で異なり、それゆえ、前記時間内において、成膜を完全に停止している点で異なる。また、効果として、パルス化ｄｃ電源のみでは防ぎきれない成膜欠陥を大幅に低減している点でも異なる。

以上説明したように、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法は、パルス化ｄｃ電源を用いた成膜技術と異なるものであるが、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法に、さらにパルス化ｄｃ電源を用いた成膜技術を組み合わせても良い。この場合、図１に示すように、電源１０内部に、さらに短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１２を設ける。この短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１２は、放電によってターゲットに対してイオン照射を行うＯＮ動作（照射）及び放電を停止してイオン照射を停止するＯＦＦ動作（非照射）を、１ミリ秒以下の周期で一定時間繰り返すことを制御する。これは、アーキング起因の成膜欠陥を防止するためである。なお、この短周期での放電のＯＮ動作とＯＦＦ動作の１周期を第２の動作周期という。そして、この第２の動作周期は、上述した第１の動作周期のＯＮ動作に併せて行われるように設定され、第１の動作周期のＯＮ動作中に第２の動作周期が所定回数繰り返され、第１の動作周期のＯＦＦ動作中には、第２の動作周期は停止される。即ち、第１の動作周期は長周期パルスであり、この長周期パルスのＯＮ時間に短周期パルスの第２の動作周期を組み合わせて実行する。なお、上述した長周期パルスと短周期パルスの関係を図示すると、図２のようになる。

このように、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法とパルス化ｄｃ電源を併用することによって、アーキング起因の成膜欠陥と、アーキング起因でない成膜欠陥の双方を大幅に低減することができ、それぞれの成膜方法を単独で実施した場合に比して、更なる欠陥低減効果が発揮される。

上述した低欠陥成膜法によって、成膜欠陥の少ない薄膜を得ることができる。なお、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法は、基本的な成膜法としてスパッタリング法に限定されるものではない。しかし、上述した実施例で示したとおり、スパッタリング法において本成膜法を用いた場合、大面積均一成膜が容易に可能になるため、より効果が大きい。

以上説明したように、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法によれば、アーキング起因でない成膜欠陥を大幅に低減することができる。また、パルス化ｄｃ電源を用いた成膜技術を併用すれば、アーキング起因の成膜欠陥と、アーキング起因でない成膜欠陥の双方を大幅に低減することができ、それぞれの成膜方法を単独で実施した場合に比して、更なる欠陥低減効果が発揮される。さらに、基本的な成膜法としてスパッタリング法を用いれば、大面積均一成膜が容易に可能になるため、成膜欠陥防止の効果がより大きい。

（低欠陥薄膜製造装置）
続いて、本発明の一実施形態に係る低欠陥薄膜の製造装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電源出力１０に長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１１を組み込んだスパッタ成膜装置１００の一例を示す構成図である。図１に示すように、本発明の一実施形態に係る低欠陥薄膜の製造装置１００は、概略、真空チャンバー１、ガス供給システム２、排気システム３及び電源１０を有する。

特徴的には、電源１０内に、長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１１を有し、１秒以上のＯＦＦ時間を有するパルスを発信する。これによって、成膜時に１秒以上成膜を完全に停止することができ、パルス化ｄｃ電源のみでは防ぎきれない成膜欠陥を大幅に低減することが可能となる。長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１１は、図示のように電源１０内に組み込んでも良いし、別個に設けても良い。なお、図示したように、電源１０内に短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１２を併せて設けても良い。これによって、アーキングの発生を防止して、アーキング起因の成膜欠陥を防止することができる。また、図１においては、スパッタリング法に対応する低欠陥薄膜製造装置１００を示したが、これに限定されるわけではなく、例えばイオンプレーティング法に対応して装置の構成を変更しても良い。また、図１においては、電源１０内に短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路１２を重畳的に設けているが、これに限定されるわけではない。

上述した製造装置を用いることにより、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法を容易に実施することができ、低欠陥薄膜を得ることができる。

（低欠陥成膜法によるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法）
図１において、基板２０にフォトマスクブランク用の基板を用い、ターゲット３０に遮光材を用いて、上述した本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法を実施することにより、低欠陥密度のフォトマスクブランクを得ることができる。そして、これをパターニングすることで低欠陥密度のフォトマスクを得ることができる。

（低欠陥成膜法による薄膜トランジスタの製造方法）
上述したフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法と同様に、電極材、半導体材料及び誘電体材料に適切なターゲットを選び、上述した本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法を適用して各層を形成してパターニングする。これにより、欠陥の少ない（即ち、低欠陥の）薄膜トランジスタを高い歩留まりで得ることができる。

上述した本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法によって製造した薄膜は、成膜欠陥が極めて少ないものであるため、欠陥を嫌うあらゆる用途で使用することができる。特に、上述したフォトマスクブランクや薄膜トランジスタ等は、欠陥の有無が製造歩留まりに直結するため、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法によって製造した薄膜を使用すれば、歩留まりの向上に効果的である。

(実施例１)
以下に、本発明の低欠陥成膜法の一例と、これを適用して作製したフォトマスクの一例について述べる。

基本的な成膜法にはスパッタリング法を用いた。電源はパルス化ｄｃ電源を用い、パルスパラメーターには２０ｋＨｚ、デューティー比９０％を用いた。これはＯＮ時間４５マイクロ秒、ＯＦＦ時間５マイクロ秒に相当する。このような１ミリ秒以下のＯＦＦ時間を持つ短周期パルスを用いたアーキング防止技術及びこれを用いた成膜法は公知の技術である。

特徴的には、上記短周期パルスに対し、ＯＮ時間３０秒、ＯＦＦ時間５分の長周期パルスを掛け合わせたパルスを、本成膜に用いるｄｃ出力として重畳的に用いた点である。これによって、ターゲットに対するイオン照射が４５マイクロ秒行われた後、５マイクロ秒間イオン照射が停止される。そして、これを１周期としたイオン照射によるスパッタリングが３０秒間行われた後、５分間成膜が停止される。この５分間は、真空チャンバー内に導入されるガスの供給も停止され、またガスは一旦排気される。以上の動作によって、アーキング起因の成膜欠陥が防止されると共に、基板や成長中の膜に付着若しくは埋め込まれることで形成されるパーティクル等の成膜欠陥、即ち、アーキング起因でない成膜欠陥を防止することができる。本実施例においては、基板にはフォトマスク用の６０２５規格の石英ガラス基板を用い、ターゲットにはＴａを用いた。スパッタリングガスとしてＡｒを導入し、８００Ｗの電力を投入して成膜を開始した。長周期のパルスにおいて１２周期経過した時点で成膜を終了した。

このようにして作製した薄膜には、０．３５μｍ以上の大きさの成膜欠陥が１４４ｃｍ^２の範囲で３３個観察された。

一方、本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法によらない場合、すなわち長周期パルスの重畳は行わずに、パルスパラメーターに２０ｋＨｚ、デューティー比９０％のみを用いて７００Ｗの電力で７分間成膜を行った場合は、１４４ｃｍ^２の範囲において８２６個の０．３５μｍ以上の大きさの成膜欠陥が観察された。以上説明したように、本発明の一実施例によって大幅な成膜欠陥の低減の効果が得られた。

またこのようにして得られた薄膜は、成膜欠陥が少ないことから、薄膜を一般的なフォトリソグラフィーを用いてフォトマスクとして加工した結果、欠陥の密度が低い極めて良好なフォトマスクが得られた。

本発明は、半導体集積回路、表示デバイス、フォトマスクの製造等の分野に応用することができる。

本発明の一実施形態に係る電源出力に長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路を組み込んだスパッタ成膜装置の一例を示す構成図である。 本発明の一実施形態に係る低欠陥成膜法における長周期パルスと短周期パルスの関係を示す図である。

符号の説明

１・・真空チャンバー
２・・ガス供給システム
３・・排気システム
１０・・電源
１１・・長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路
１２・・短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路
２０・・基板
３０・・ターゲット
１００・・スパッタ成膜装置

Claims (11)

1. 真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、
   イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法。
2. さらに、前記イオン非照射時間において前記真空チャンバー内に導入するガスの供給を停止して前記真空チャンバー内の該ガスを一旦排気し、
   前記イオン照射の所定時間前に再度前記真空チャンバー内に前記ガスを供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
3. さらに、前記イオン照射時間において、イオン照射とイオン非照射とからなる第２の動作周期の断続的なイオン照射であって該動作周期の１周期におけるイオン非照射時間が１ミリ秒以下である断続的なイオン照射を行う、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜方法。
4. ターゲット物質にイオン照射を行って薄膜作製を行う前記成膜方法がスパッタリング法であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一に記載の成膜方法。
5. 真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させる装置であって、
   前記イオン照射とイオン非照射とを制御する信号であって前記イオン非照射の時間が少なくとも１秒以上である第１の信号を生成する長周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路を有する、ことを特徴とする成膜装置。
6. さらに、前記第１の信号のイオン非照射時間において真空チャンバー内に導入するガスの供給を停止して真空チャンバー内のガスを一旦排気し、前記第１の信号のイオン照射時間の所定時間前に再度前記真空チャンバー内にガスを供給する手段を有する、ことを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
7. さらに、前記イオン照射とイオン非照射とを制御する信号であって前記イオン非照射の時間が少なくとも１ミリ秒以下である第２の信号を生成する短周期電圧ＯＮ／ＯＦＦ回路を有する、ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の成膜装置。
8. ターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させる前記方法がスパッタリング法であること、を特徴とする請求項５乃至請求項７の何れか一に記載の成膜装置。
9. 請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法の少なくとも何れか１つを含む成膜方法により成膜した薄膜。
10. 請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法の少なくとも何れか１つを含む成膜方法により作製したフォトマスクブランク及びフォトマスク。
11. 請求項１乃至請求項４に記載の成膜方法の少なくとも何れか１つを含む成膜方法により作製した薄膜トランジスタ。

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