JP2009063994A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. データ線と、
   該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
   該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
   前記トランジスタの半導体層を覆うように設けられた遮光部と、
   前記遮光部と重なるように設けられ、前記画素電極より下層側且つ前記半導体層より上層側に形成された第１導電膜と、
   該第１導電膜より層間絶縁膜を介して上層側に形成されると共に前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜と
   を備え、
   前記遮光部は、前記画素電極に対応した各画素の開口領域の隅に張り出した張出部分を有しており、
   前記コンタクトホールは、前記張出部分と少なくとも部分的に重なる
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記張出部分は、前記開口領域の四隅の各々に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２導電膜は、金属膜を含んでなり、前記コンタクトホール内に形成された部分を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記遮光部は、下層側から順次に積層された下部容量電極及び上部容量電極を有すると共に前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち一方の電極が前記画素電極に電気的に接続された容量素子であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第１導電膜は、前記一方の電極として形成されると共に前記半導体層と電気的に接続され、
   前記第２導電膜は、前記画素電極と電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 前記容量素子及び前記第２導電膜より上層側に形成され、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち前記一方の電極と異なる他の電極に電気的に接続された容量線を備え、
   前記第１導電膜は、前記他の電極として形成され、
   前記第２導電膜は、前記容量線と電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
7. 前記第２導電膜は、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち前記一方の電極と異なる他の電極に電気的に接続された容量線として形成され、
   前記第１導電膜は、前記他の電極と電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
8. 前記第１導電膜は、前記半導体層と電気的に接続されており、
   前記第２導電膜は、前記一方の電極として形成されると共に前記画素電極と電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
9. 前記上部容量電極及び前記下部容量電極の各々は、金属膜から形成されることを特徴とする請求項３から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 第１方向に延在するデータ線と、
    該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
    該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
    前記トランジスタの半導体層と重なるように設けられた遮光部と、
    前記トランジスタの半導体層と前記画素電極との間に、前記遮光部と重なるように設けられた導電膜と
    を備え、
    前記遮光部は、前記第１方向に延在する第１遮光部と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２遮光部と、該第１及び第２遮光部間に当該１及び第２遮光部よりも幅広に形成された第３遮光部とを有し、
    前記導電膜と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールは、前記第３遮光部と少なくとも部分的に重なる
    ことを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。