TWI580090B - 內嵌式觸控面板 - Google Patents

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TWI580090B
TWI580090B TW105118569A TW105118569A TWI580090B TW I580090 B TWI580090 B TW I580090B TW 105118569 A TW105118569 A TW 105118569A TW 105118569 A TW105118569 A TW 105118569A TW I580090 B TWI580090 B TW I580090B
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林依縈
李昆倍
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Description

內嵌式觸控面板
本發明係與觸控面板有關，特別是關於一種內嵌式(In-cell)觸控面板。
一般而言，採用主動矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯示技術的電容式觸控面板大致可依照其疊層結構之不同而分為數種不同型式，例如：內嵌式(In-cell)的AMOLED電容式觸控面板及On-cell的AMOLED電容式觸控面板。
請參照圖1及圖2，圖1及圖2係分別繪示內嵌式的AMOLED電容式觸控面板及On-Cell的AMOLED電容式觸控面板的疊層結構示意圖。如圖1所示，On-Cell的AMOLED電容式觸控面板之疊層結構1由下至上依序是：基板10、AMOLED元件層11、封裝層12、觸控感應層13、偏光片14、黏合劑15及上覆透鏡16。如圖2所示，內嵌式的AMOLED電容式觸控面板之疊層結構2由下至上依序是：基板20、AMOLED元件層21、觸控感應層22、封裝層23、偏光片24、黏合劑25及上覆透鏡26。
比較圖1及圖2可知：內嵌式的AMOLED電容式觸控面板係將觸控感應層22設置於封裝層23的下方，亦即設置於AMOLED顯示模組之內；On-Cell的AMOLED電容式觸控面板則是將觸控感應層13設置於封 裝層12的上方，亦即設置於AMOLED顯示模組之外。相較於傳統的單片式玻璃(One Glass Solution,OGS)的AMOLED電容式觸控面板及On-Cell的AMOLED電容式觸控面板，內嵌式的AMOLED電容式觸控面板可達成最薄化的AMOLED觸控面板設計，並可廣泛應用於手機、平板電腦及筆記型電腦等可攜式電子產品上。
亦請參照圖3及圖4，圖3及圖4係分別繪示在先前技術中之觸控感測電極與間隙物彼此重疊之區域內會產生較大寄生電容之示意圖。如圖3所示，導電層M1係設置於封裝層ENC下表面且陰極層CA係覆蓋於間隙物SP上，由於間隙物SP具有一定的高度，會將覆蓋於間隙物SP上的陰極層CA墊高，使得陰極層CA與位於其上方的導電層M1之間的距離變小，這將導致導電層M1與間隙物SP彼此重疊之區域內所產生的寄生電容C變大，因而大幅增加了內嵌式觸控面板之電阻電容負荷(RC loading)並影響其觸控效能。
同理，如圖4所示，導電層M1係設置於封裝層ENC下表面且導電層M2設置於導電層M1下表面，而陰極層CA係覆蓋於間隙物SP上，由於間隙物SP具有一定的高度，會將覆蓋於間隙物SP上的陰極層CA墊高，使得陰極層CA與位於其上方的導電層M2之間的距離變小，這將導致導電層M2與間隙物SP彼此重疊之區域內所產生的寄生電容C變大，因而大幅增加了內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並導致其觸控效能變差。
因此，本發明提出一種內嵌式觸控面板，希望能透過其 創新的佈局方式簡化電路走線之設計並降低阻值及寄生電容之影響，藉以改善先前技術之上述問題並有效提升內嵌式觸控面板之整體效能。
根據本發明之一較佳具體實施例為一種內嵌式觸控面板。於此實施例中，內嵌式觸控面板包含複數個像素。每個像素之一疊層結構包含一基板、一有機發光層、一間隙物及一第一導電層。有機發光層形成於基板上方。間隙物以一特定密度形成於基板上方。第一導電層相對於基板形成於有機發光層上方，其中至少部分的第一導電層不形成於間隙物上方。
於一實施例中，內嵌式觸控面板係為一內嵌式自電容(Self-capacitive)觸控面板或一內嵌式互電容(Mutual-capacitive)觸控面板。
於一實施例中，第一導電層係形成於間隙物之後。
於一實施例中，第一導電層係由透明導電材料構成。
於一實施例中，第一導電層係用以作為有機發光層之陰極(Cathode)。
於一實施例中，形成於間隙物上方之部分的第一導電層會與作為有機發光層之陰極的第一導電層彼此斷開而呈現浮動(Floating)狀態。
於一實施例中，第一導電層係用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。
於一實施例中，形成於間隙物上方之部分的第一導電層會與作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極的第一導電層彼此斷開而呈現浮動狀態。
於一實施例中，內嵌式觸控面板進一步包含一封裝層。封裝層相對於基板形成於有機發光層及間隙物上方，並且第一導電層係形成於封裝層上。
於一實施例中，內嵌式觸控面板進一步包含一封裝層及一第二導電層。封裝層相對於基板形成於有機發光層及間隙物上方。第二導電層形成於封裝層上。
於一實施例中，第二導電層係用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。
於一實施例中，第二導電層係由透明導電材料構成。
於一實施例中，至少部分的第二導電層不形成於間隙物上方。
於一實施例中，第二導電層形成於間隙物上方。
於一實施例中，內嵌式觸控面板進一步包含一遮光層及一第三導電層。遮光層形成於封裝層上。第三導電層形成於遮光層下方。
於一實施例中，第三導電層係與第二導電層耦接，以作為觸控感測電極之走線(traces)。
於一實施例中，第二導電層與第三導電層之間形成有一絕緣層。
於一實施例中，第二導電層與第三導電層係透過形成於絕緣層之一通孔(Via)彼此電性連接。
於一實施例中，第二導電層與第三導電層之間無絕緣層，且第二導電層與第三導電層係透過直接接觸之方式彼此電性連接。
於一實施例中，第二導電層與第三導電層彼此不電性連接。
於一實施例中，遮光層係形成於間隙物上方。
於一實施例中，至少部分的第三導電層不形成於間隙物上方。
於一實施例中，至少部分的第二導電層亦不形成於間隙物上方。
於一實施例中，至少部分的第三導電層係繞過間隙物進行佈線。
於一實施例中，將至少部分的第二導電層與第三導電層去除，以降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷。
相較於先前技術，根據本發明之內嵌式觸控面板具有下列優點及功效：
(1)觸控電極及其走線之設計簡單。
(2)其佈局方式不影響顯示裝置原有的開口率。
(3)可降低觸控電極本身之電阻電容負荷。
(4)可縮減AMOLED面板模組之厚度。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10A、13A、14A‧‧‧疊層結構
10、20、SUB‧‧‧基板
11、21‧‧‧AMOLED元件層
12、23、ENC‧‧‧封裝層
13、22‧‧‧觸控感應層
14、24‧‧‧偏光片
15、25‧‧‧黏合劑
16、26‧‧‧上覆透鏡
C‧‧‧寄生電容
M1、M2、M1’、M、M’‧‧‧導電層
SP‧‧‧間隙物
CA、CA’‧‧‧陰極層
OE‧‧‧有機發光二極體元件層
AN‧‧‧陽極層
ISO‧‧‧絕緣層
BM‧‧‧遮光層
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
11A~11D、12A~12C‧‧‧區域
H1~H3、H‧‧‧孔洞
ITO‧‧‧透明導電膜
圖1及圖2係分別繪示內嵌式的AMOLED電容式觸控面板及On-Cell的 AMOLED電容式觸控面板的疊層結構示意圖。
圖3及圖4係分別繪示在先前技術中之觸控感測電極與間隙物彼此重疊之區域內會產生較大寄生電容之示意圖。
圖5係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第一具體實施例。
圖6係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第二具體實施例。
圖7係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第三具體實施例。
圖8係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第四具體實施例。
圖9係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第五具體實施例。
圖10係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第六具體實施例。
圖11及圖12係分別繪示本發明之內嵌式觸控面板之不同走線佈局方式。
圖13係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第七具體實施例。
圖14係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第八具體實施例。
圖15係繪示本發明之內嵌式觸控面板之另一種走線佈局方式。
本發明係揭露一種內嵌式觸控面板。於實際應用中，本發明之內嵌式觸控面板可以是內嵌式自電容(Self-capacitive)觸控面板或內嵌式互電容(Mutual-capacitive)觸控面板，並無特定之限制。內嵌式觸控面板包含有複數個像素，其實際的面板設計可依不同的面板及特性而有不同的設計方式，例如本發明亦可實施於採用白光OLED搭配彩色濾光層之疊層結構或具有其他疊層結構的內嵌式觸控面板，並無特定之限制。
本發明之內嵌式觸控面板的每個像素之疊層結構至少包含一基板、一有機發光層、一間隙物及一第一導電層。其中，有機發光層形成於基板上方；間隙物以一特定密度形成於基板上方；第一導電層相對於基板形成於有機發光層上方。第一導電層係由透明導電材料構成且第一導電層係形成於間隙物之後。間隙物係用以在製程中支撐精密金屬光罩(Fine Metal Mask)，或是用以將基板與上方的封裝層之間隔開一固定距離。有機發光層可包含主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)，但不以此為限。
需注意的是，於本發明中，第一導電層可以是指觸控感測電極或是有機發光層之陰極。至少會有部分的第一導電層不形成於間隙物上方。也就是說，本發明中之相對於基板形成於有機發光層上方的第一導電層並不會全部都形成於間隙物之上方，而是至少會有一部分甚至是全部的第一導電層所設置之位置不會在間隙物之上方。
首先，請參照圖5，圖5係繪示內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第一具體實施例。
如圖5所示，疊層結構5包含基板SUB、有機發光二極體元件層OE、封裝層ENC、間隙物SP、導電層M1、陽極層AN、陰極層CA及絕緣層ISO。其中，有機發光二極體元件層OE設置於基板SUB上方。封裝層ENC相對於基板SUB設置於有機發光二極體元件層OE上方。第一導電層M1設置於封裝層ENC之下表面，用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。陽極層AN及陰極層CA分別設置於有機發光二極體元件層OE下方及上方，用以分別作為有機發光二極體元件層OE之陽極與陰極。
需特別注意的是，於此實施例之疊層結構5中，與右側的間隙物SP彼此重疊的觸控感測電極(亦即位於右側的間隙物SP上方的導電層M1)已被去除，而與左側的間隙物SP彼此重疊的觸控感測電極(亦即位於左側的間隙物SP上方的導電層M1)則被保留下來，但不以此為限。至於陰極層CA則完整地覆蓋於左右兩側的間隙物SP上，亦即陰極層CA與左右兩側的間隙物SP均彼此重疊。由於位於右側的間隙物SP上方的導電層M1已被去除，故能有效避免位於右側的間隙物SP上方產生如同先前技術中之導電層M1與陰極層CA之間的寄生電容，藉以有效降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並提升其觸控效能。至於左側的間隙物SP則作為會產生寄生電容之對照組，實際上亦可同時去除位於左側的間隙物SP上方的導電層M1，藉以達到更佳的降低寄生電容功效，但不以此為限。
接著，請參照圖6，圖6係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第二具體實施例。
如圖6所示，疊層結構6包含基板SUB、有機發光二極體元件層OE、封裝層ENC、間隙物SP、導電層M1、陽極層AN、陰極層CA及絕緣 層ISO。其中，有機發光二極體元件層OE設置於基板SUB上方。封裝層ENC相對於基板SUB設置於有機發光二極體元件層OE上方。導電層M1設置於封裝層ENC之下表面，用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。陽極層AN及陰極層CA分別設置於有機發光二極體元件層OE下方及上方，用以分別作為有機發光二極體元件層OE之陽極與陰極。
需特別注意的是，於此實施例之疊層結構6中，與右側的間隙物SP彼此重疊的陰極層CA已被去除，亦即位於右側的間隙物SP上方並未被陰極層CA所覆蓋，而與左側的間隙物SP彼此重疊的陰極層CA則被保留下來，亦即位於左側的間隙物SP上方仍被陰極層CA所覆蓋，但不以此為限。至於作為觸控感測電極之導電層M1則完整地設置於封裝層ENC之下表面，亦即左右兩側的間隙物SP上方均設置有導電層M1。由於位於右側的間隙物SP上方的陰極層CA已被去除，故能有效避免位於右側的間隙物SP上方產生如同先前技術中之導電層M1與陰極層CA之間的寄生電容，藉以有效降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並提升其觸控效能。至於左側的間隙物SP則作為會產生寄生電容之對照組，實際上亦可同時去除位於左側的間隙物SP上方的陰極層CA，藉以達到更佳的降低寄生電容功效，但不以此為限。
請參照圖7，圖7係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第三具體實施例。
如圖7所示，疊層結構7包含基板SUB、有機發光二極體元件層OE、封裝層ENC、間隙物SP、導電層M1、陽極層AN、陰極層CA及絕緣層ISO。其中，有機發光二極體元件層OE設置於基板SUB上方。封裝層ENC 相對於基板SUB設置於有機發光二極體元件層OE上方。導電層M1設置於封裝層ENC之下表面，用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。陽極層AN及陰極層CA分別設置於有機發光二極體元件層OE下方及上方，用以分別作為有機發光二極體元件層OE之陽極與陰極。
需特別注意的是，於此實施例之疊層結構7中，與右側的間隙物SP彼此重疊的陰極層CA以及作為觸控感測電極之導電層M1均已被去除，亦即位於右側的間隙物SP上方並未被陰極層CA所覆蓋且其上方亦未設置有導電層M1，而與左側的間隙物SP彼此重疊的陰極層CA則被保留下來，亦即位於左側的間隙物SP上方仍被陰極層CA所覆蓋且其上方仍設置有導電層M1，但不以此為限。由於位於右側的間隙物SP上方的陰極層CA及導電層M1已被去除，故能有效避免位於右側的間隙物SP上方產生如同先前技術中之導電層M1與陰極層CA之間的寄生電容，藉以有效降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並提升其觸控效能。至於左側的間隙物SP則作為會產生寄生電容之對照組，實際上亦可同時去除位於左側的間隙物SP上方的陰極層CA及導電層M1，藉以達到更佳的降低寄生電容功效，但不以此為限。
請參照圖8，圖8係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第四具體實施例。
如圖8所示，疊層結構8包含基板SUB、有機發光二極體元件層OE、封裝層ENC、間隙物SP、導電層M1、陽極層AN、陰極層CA、絕緣層ISO、導電層M2及遮光層BM。其中，有機發光二極體元件層OE設置於基板SUB上方。封裝層ENC相對於基板SUB設置於有機發光二極體元件層OE 上方。導電層M1設置於封裝層ENC之下表面，用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。陽極層AN及陰極層CA分別設置於有機發光二極體元件層OE下方及上方，用以分別作為有機發光二極體元件層OE之陽極與陰極。遮光層BM設置於封裝層ENC與導電層M1之間且導電層M2設置於導電層M1下表面且位於遮光層BM之下方，藉以讓導電層M2能夠受到遮光層BM之遮蔽。由於導電層M2已受到遮光層BM之遮蔽，故導電層M2可由透明導電材料或不透明導電材料構成，並無特定之限制。導電層M2係與導電層M1耦接，以作為觸控感測電極之走線(traces)。
需特別注意的是，於此實施例之疊層結構8中，位於右側的間隙物SP上方的導電層M1已被去除且導電層M2並未設置於位於右側的間隙物SP上方，而位於左側的間隙物SP上方的導電層M1則被保留下來且導電層M2係設置於位於右側的間隙物SP上方，但不以此為限。至於陰極層CA則完整地覆蓋於左右兩側的間隙物SP上，亦即陰極層CA與左右兩側的間隙物SP均彼此重疊。由於位於右側的間隙物SP上方的導電層M1已被去除且導電層M2並未設置於位於右側的間隙物SP上方，故能有效避免位於右側的間隙物SP上方產生如同先前技術中之導電層M2與陰極層CA之間的寄生電容，藉以有效降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並提升其觸控效能。至於左側的間隙物SP則作為會產生寄生電容之對照組，實際上亦可同時去除位於左側的間隙物SP上方的導電層M1並將導電層M2繞過位於左側的間隙物SP進行佈線而不會設置於位於左側的間隙物SP上方，藉以達到更佳的降低寄生電容功效，但不以此為限。
於實際應用中，導電層M1與導電層M2之間可形成有絕緣 層，並且導電層M1與導電層M2係透過形成於絕緣層之通孔(Via)彼此電性連接。導電層M1與導電層M2之間亦可無絕緣層，並且導電層M1與導電層M2係透過直接接觸之方式彼此電性連接。此外，導電層M1與導電層M2亦可彼此不電性連接，並無特定之限制。
請參照圖9，圖9係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第五具體實施例。
如圖9所示，疊層結構9包含基板SUB、有機發光二極體元件層OE、封裝層ENC、間隙物SP、導電層M1、陽極層AN、陰極層CA、絕緣層ISO、導電層M2及遮光層BM。其中，有機發光二極體元件層OE設置於基板SUB上方。封裝層ENC相對於基板SUB設置於有機發光二極體元件層OE上方。導電層M1設置於封裝層ENC之下表面，用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。陽極層AN及陰極層CA分別設置於有機發光二極體元件層OE下方及上方，用以分別作為有機發光二極體元件層OE之陽極與陰極。遮光層BM設置於封裝層ENC與導電層M1之間且導電層M2設置於導電層M1下表面且位於遮光層BM之下方，藉以讓導電層M2能夠受到遮光層BM之遮蔽。由於導電層M2已受到遮光層BM之遮蔽，故導電層M2可由透明導電材料或不透明導電材料構成，並無特定之限制。導電層M2係與導電層M1耦接，以作為觸控感測電極之走線。
需特別注意的是，於此實施例之疊層結構9中，位於右側的間隙物SP上方的陰極層CA已被去除，而位於左側的間隙物SP上方的陰極層CA則被保留下來，但不以此為限。至於導電層M1則完整地設置於封裝層ENC的下表面且導電層M2分別設置於左右兩側的間隙物SP上方，亦即導電 層M2與左右兩側的間隙物SP均彼此重疊。由於位於右側的間隙物SP上方的陰極層CA已被去除，故能有效避免位於右側的間隙物SP上方產生如同先前技術中之導電層M2與陰極層CA之間的寄生電容，藉以有效降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並提升其觸控效能。至於左側的間隙物SP則作為會產生寄生電容之對照組，實際上亦可同時去除位於左側的間隙物SP上方的陰極層CA，藉以達到更佳的降低寄生電容功效，但不以此為限。
於實際應用中，導電層M1與導電層M2之間可形成有絕緣層，並且導電層M1與導電層M2係透過形成於絕緣層之通孔彼此電性連接。導電層M1與導電層M2之間亦可無絕緣層，並且導電層M1與導電層M2係透過直接接觸之方式彼此電性連接。此外，導電層M1與導電層M2亦可彼此不電性連接，並無特定之限制。
請參照圖10，圖10係繪示本發明之內嵌式觸控面板之像素的疊層結構之第六具體實施例。
如圖10所示，疊層結構10A包含基板SUB、有機發光二極體元件層OE、封裝層ENC、間隙物SP、導電層M1、陽極層AN、陰極層CA、絕緣層ISO、導電層M2及遮光層BM。其中，有機發光二極體元件層OE設置於基板SUB上方。封裝層ENC相對於基板SUB設置於有機發光二極體元件層OE上方。導電層M1設置於封裝層ENC之下表面，用以作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極。陽極層AN及陰極層CA分別設置於有機發光二極體元件層OE下方及上方，用以分別作為有機發光二極體元件層OE之陽極與陰極。遮光層BM設置於封裝層ENC與導電層M1之間且導電層M2設置於導電層M1下表面且位於遮光層BM之下方，藉以讓導電層M2能夠受到遮光層BM之遮 蔽。由於導電層M2已受到遮光層BM之遮蔽，故導電層M2可由透明導電材料或不透明導電材料構成，並無特定之限制。導電層M2係與導電層M1耦接，以作為觸控感測電極之走線。
需特別注意的是，於此實施例之疊層結構10中，位於右側的間隙物SP上方的導電層M1及導電層M2均已被去除，亦即位於右側的間隙物SP上方並未設置有導電層M1及導電層M2，而位於左側的間隙物SP上方的導電層M1則被保留下來且導電層M2係設置於位於右側的間隙物SP上方，但不以此為限。至於陰極層CA則完整地覆蓋於左右兩側的間隙物SP上，亦即陰極層CA與左右兩側的間隙物SP均彼此重疊。由於位於右側的間隙物SP上方的導電層M1及導電層M2均已被去除，故能有效避免位於右側的間隙物SP上方產生如同先前技術中之導電層M2與陰極層CA之間的寄生電容，藉以有效降低內嵌式觸控面板之電阻電容負荷並提升其觸控效能。至於左側的間隙物SP則作為會產生寄生電容之對照組，實際上亦可同時去除位於左側的間隙物SP上方的導電層M1及導電層M2或將導電層M2繞過位於左側的間隙物SP進行佈線而不會設置於位於左側的間隙物SP上方，藉以達到更佳的降低寄生電容功效，但不以此為限。
於實際應用中，導電層M1與導電層M2之間可形成有絕緣層，並且導電層M1與導電層M2係透過形成於絕緣層之通孔彼此電性連接。導電層M1與導電層M2之間亦可無絕緣層，並且導電層M1與導電層M2係透過直接接觸之方式彼此電性連接。此外，導電層M1與導電層M2亦可彼此不電性連接，並無特定之限制。
接著，請參照圖11及圖12，圖11及圖12係分別繪示本發明 之內嵌式觸控面板之不同走線佈局方式。
如圖11所示，於區域11A內，與間隙物SP彼此重疊的觸控感測電極被去除而留下孔洞H1；於區域11B內，與間隙物SP彼此重疊的第一導電層被去除而留下孔洞H2；於區域11C內，與間隙物SP彼此重疊的第一導電層及觸控感測電極均被去除而留下孔洞H3；於區域11D內，亦可保留與間隙物SP重疊之部分的第一導電層及觸控感測電極。
如圖12所示，於區域12A內，與間隙物SP彼此重疊的觸控感測電極被去除而留下孔洞H1且第二導電層M2會繞開間隙物SP之區域；於區域12B內，與間隙物SP彼此重疊的第一導電層被去除而留下孔洞H2且第二導電層M2不會繞開間隙物SP之區域；於區域12C內，與間隙物SP彼此重疊的第二導電層M2及觸控感測電極均被去除而留下孔洞H1。
除了上述實施例之外，為了保持本發明之內嵌式觸控面板的可視均勻性，位於間隙物SP上方而與間隙物SP彼此重疊的第一導電層亦可選擇不將其完全去除，而是將位於間隙物SP上方而與間隙物SP彼此重疊的第一導電層與周遭作為觸控感測電極或有機發光層之陰極的第一導電層彼此斷開而呈現浮動(Floating)狀態。
舉例而言，如圖13所示，形成於封裝層ENC下表面且不位於間隙物SP上方的導電層M1係作為內嵌式觸控面板之觸控感測電極，至於形成於封裝層ENC下表面且位於間隙物SP上方之第一導電層M1’則會與作為觸控感測電極的第一導電層M1彼此斷開而呈現浮動狀態；如圖14所示，形成於間隙物SP上方之陰極層CA’會與作為有機發光層OE之陰極的陰極層CA彼此斷開而呈現浮動狀態。
至於其面板走線佈局方式之一實施例，則請參照圖15。如圖15所示，不與間隙物SP彼此重疊的導電層M係作為觸控感測電極或有機發光層之陰極，由於至少有部分與間隙物SP彼此重疊的導電層M’不會被去除，所以留下的孔洞H內側仍會有導電層M’存在，但導電層M’會與作為觸控感測電極或有機發光層之陰極的導電層M彼此斷開而呈現浮動狀態。
綜上所述，根據本發明之內嵌式觸控面板及其佈局具有下列優點及功效：
(1)觸控電極及其走線之設計簡單。
(2)其佈局方式不影響顯示裝置原有的開口率。
(3)可降低觸控電極本身之電阻電容負荷。
(4)可縮減AMOLED面板模組之厚度。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
5‧‧‧疊層結構
ENC‧‧‧封裝層
SUB‧‧‧基板
M1‧‧‧導電層
SP‧‧‧間隙物
CA‧‧‧陰極層
OE‧‧‧有機發光二極體元件層
AN‧‧‧陽極層
ISO‧‧‧絕緣層
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極

Claims (31)

  1. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一有機發光層，形成於該基板上方；一間隙物，以一特定密度形成於該基板上方；以及一第一導電層，相對於該基板形成於該有機發光層上方，其中至少部分的該第一導電層不形成於該間隙物上方；其中，形成於該間隙物上方之部分的該第一導電層會與作為該有機發光層之陰極的該第一導電層彼此斷開而呈現浮動(Floating)狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，係為一內嵌式自電容觸控面板或一內嵌式互電容觸控面板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層係形成於該間隙物之後。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層係由透明導電材料構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，進一步包含：一封裝層，相對於該基板形成於該有機發光層及該間隙物上方，並且該第一導電層係形成於該封裝層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，進一步包含：一封裝層，相對於該基板形成於該有機發光層及該間隙物上方；以及一第二導電層，形成於該封裝層上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層係用以作為該內嵌式觸控面板之觸控感測電極。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層係由透明導電材料構成。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該第二導電層不形成於該間隙物上方。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層形成於該間隙物上方。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之內嵌式觸控面板，進一步包含：一遮光層，形成於該封裝層上；以及一第三導電層，形成於該遮光層下方。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之內嵌式觸控面板，其中該第三導電層係與該第二導電層耦接，以作為觸控感測電極之走線。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層與該第三導電層之間形成有一絕緣層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層與該第三導電層係透過形成於該絕緣層之一通孔彼此電性連接。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層與該第三導電層之間無絕緣層，且該第二導電層與該第三導電層係透過直接接觸之方式彼此電性連接。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層與該第三導電層彼此不電性連接。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之內嵌式觸控面板，其中該遮光層係形成於該間隙物上方。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之內嵌式觸控面板，其中該第二導電層與該第三導電層亦均形成於該間隙物上方。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該遮光層不形成於該間隙物上方。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該第三導電層不形成於該間隙物上方。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該第二導電層亦不形成於該間隙物上方。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該第三導電層係繞過該間隙物進行佈線。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之內嵌式觸控面板，其中將至少部分的該第二導電層與該第三導電層去除，以降低該內嵌式觸控面板之電阻電容負荷。
  24. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一有機發光層，形成於該基板上方；一間隙物，以一特定密度形成於該基板上方；以及一第一導電層，相對於該基板形成於該有機發光層上方，其中至少部分的該第一導電層不形成於該間隙物上方；其中，形成於該間隙物上方之部分的該第一導電層會與作為該內嵌式觸控面板之觸控感測電極的該第一導電層彼此斷開而呈現浮動(Floating)狀態。
  25. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一有機發光層，形成於該基板上方；一間隙物，以一特定密度形成於該基板上方；以及一第一導電層，相對於該基板形成於該有機發光層上方，其中至少部分的該第一導電層不形成於該間隙物上方；其中，該內嵌式觸控面板進一步包含：一封裝層，相對於該基板形成於該有機發光層及該間隙物上方；一第二導電層，形成於該封裝層上；一遮光層，形成於該封裝層上；以及一第三導電層，形成於該遮光層下方：其中，該第二導電層與該第三導電層之間無絕緣層，且該第二導電層與該第三導電層係透過直接接觸之方式彼此電性連接。
  26. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一有機發光層，形成於該基板上方；一間隙物，以一特定密度形成於該基板上方；以及一第一導電層，相對於該基板形成於該有機發光層上方，其中至少部分的該第一導電層不形成於該間隙物上方；其中，該內嵌式觸控面板進一步包含：一封裝層，相對於該基板形成於該有機發光層及該間隙物上方；一第二導電層，形成於該封裝層上；一遮光層，形成於該封裝層上；以及一第三導電層，形成於該遮光層下方： 其中，該第二導電層與該第三導電層彼此不電性連接。
  27. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一有機發光層，形成於該基板上方；一間隙物，以一特定密度形成於該基板上方；以及一第一導電層，相對於該基板形成於該有機發光層上方，其中至少部分的該第一導電層不形成於該間隙物上方；其中，該內嵌式觸控面板進一步包含：一封裝層，相對於該基板形成於該有機發光層及該間隙物上方；一第二導電層，形成於該封裝層上；一遮光層，形成於該封裝層上；以及一第三導電層，形成於該遮光層下方：其中，至少部分的該遮光層不形成於該間隙物上方。
  28. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一有機發光層，形成於該基板上方；一間隙物，以一特定密度形成於該基板上方；以及一第一導電層，相對於該基板形成於該有機發光層上方，其中至少部分的該第一導電層不形成於該間隙物上方；其中，該內嵌式觸控面板進一步包含：一封裝層，相對於該基板形成於該有機發光層及該間隙物上方；一第二導電層，形成於該封裝層上；一遮光層，形成於該封裝層上；以及一第三導電層，形成於該遮光層下方： 其中，至少部分的該第三導電層不形成於該間隙物上方。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該第二導電層亦不形成於該間隙物上方。
  30. 如申請專利範圍第28項所述之內嵌式觸控面板，其中至少部分的該第三導電層係繞過該間隙物進行佈線。
  31. 如申請專利範圍第29項所述之內嵌式觸控面板，其中將至少部分的該第二導電層與該第三導電層去除，以降低該內嵌式觸控面板之電阻電容負荷。
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