TWM504280U - 內嵌式觸控顯示系統、內嵌式觸控面板及其佈局 - Google Patents

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TWM504280U
TWM504280U TW104204693U TW104204693U TWM504280U TW M504280 U TWM504280 U TW M504280U TW 104204693 U TW104204693 U TW 104204693U TW 104204693 U TW104204693 U TW 104204693U TW M504280 U TWM504280 U TW M504280U
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layer
cell touch
electrode
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李昆倍
許有津
林依縈
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瑞鼎科技股份有限公司
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Description

內嵌式觸控顯示系統、內嵌式觸控面板及其佈局
本創作係與觸控面板(Touch panel)有關，特別是關於一種內嵌式(In-cell)觸控顯示系統、內嵌式觸控面板及其佈局。
請參照圖1，圖1係繪示傳統具有On-Cell疊層結構的電容式觸控面板的疊層結構示意圖。如圖1所示，傳統On-Cell的電容式觸控面板之疊層結構1由下至上依序是：基板10、薄膜電晶體(TFT)元件層11、液晶層12、彩色濾光層13、玻璃層14、觸控感應層15、偏光片16、黏合劑17及上覆透鏡18。
由圖1可知：傳統具有On-Cell疊層結構的電容式觸控面板則是將觸控感應層15設置於玻璃層14的上方，亦即設置於液晶顯示模組之外。雖然傳統具有On-Cell疊層結構的電容式觸控面板之厚度已較單片式玻璃觸控面板(One Glass Solution,OGS)來得薄，但在現今手機、平板電腦及筆記型電腦等可攜式電子產品強調輕薄短小之趨勢下，傳統具有On-Cell疊層結構的電容式觸控面板已達到其極限，無法滿足最薄化的觸控面板設計之需求。
因此，本創作提出一種內嵌式(In-cell)觸控顯示系統、內嵌式(In-cell)觸控面板及其佈局，以改善先前技術所遭遇之種種問題。
根據本創作之一較佳具體實施例為一種內嵌式觸控面板。於此實施例中，內嵌式觸控面板包含複數個像素。每個像素之疊層結構包含基板、薄膜電晶體元件層、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層、第二導電層、第三絕緣層、液晶層、彩色濾光層及玻璃層。薄膜電晶體元件層設置於基板上。第一絕緣層設置於薄膜電晶體元件層上。第一導電層設置於第一絕緣層上。第二絕緣層設置於第一導電層上。第二導電層設置於第二絕緣層上。第三絕緣層設置於第二導電層上。液晶層設置於第三絕緣層上方。彩色濾光層設置於液晶層上方。玻璃層設置於彩色濾光層上方。
於一實施例中，第一導電層與第二導電層均與薄膜電晶體元件層分離且均未與薄膜電晶體元件層進行整合。
於一實施例中，內嵌式觸控面板係為一自電容觸控面板或一互電容觸控面板。
於一實施例中，第一導電層與第二導電層均未耦接至一共同電壓電極。
於一實施例中，第一導電層或第二導電層耦接至一共同電壓電極。
於一實施例中，第一導電層及/或第二導電層係為一跨橋結構之一部分，跨橋結構係靠近於薄膜電晶體元件層之一側或靠近於液晶層之一側。
於一實施例中，第一導電層及第二導電層係透過第三絕緣層而與液晶層彼此隔離。
於一實施例中，內嵌式觸控面板係適用於採用橫向電場效應顯示技術(In-Plane-Switching Liquid Crystal，IPS)、邊界電場切換廣視角技術(Fringe Field Switching，FFS)或高階超廣視角技術(Advanced Hyper-Viewing Angle，AHVA)之顯示器。
於一實施例中，彩色濾光層包含一彩色濾光片(Color Filter)及一黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)，黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性。
於一實施例中，第一導電層及第二導電層係位於黑色矩陣 光阻之下方。
於一實施例中，第一導電層及第二導電層係為透明或不透明之導電材料所構成。
於一實施例中，第一導電層及第二導電層之間彼此耦接或不耦接。
於一實施例中，第一導電層及第二導電層係為水平排列、垂直排列或交錯(Mesh)排列。
於一實施例中，當內嵌式觸控面板係為互電容式觸控面板時，驅動電極可由第一導電層及第二導電層組成，感測電極則為第二導電層。或反之感測電極由第一導電層及第二導電層組成，驅動電極則為第二導電層。
根據本創作之另一較佳具體實施例亦為一種內嵌式觸控面板。於此實施例中，內嵌式觸控面板包含複數個像素。每個像素之疊層結構包含基板、薄膜電晶體元件層、液晶層、彩色濾光層及玻璃層。薄膜電晶體元件層設置於基板上。薄膜電晶體元件層內係整合設置有第一導電層及第二導電層，其中第一導電層係與源極及汲極同時形成且第二導電層係設置於第一導電層之上方。液晶層設置於薄膜電晶體元件層上方。彩色濾光層設置於液晶層上方。玻璃層設置於彩色濾光層上方。
根據本創作之另一較佳具體實施例為一種內嵌式觸控顯示系統。於此實施例中，內嵌式觸控顯示系統包含內嵌式觸控面板、驅動IC及觸控IC。其中，內嵌式觸控面板可如同前述兩較佳具體實施例所述。驅動IC包含一共同電壓選擇開關。觸控IC耦接至驅動IC。
於一實施例中，當內嵌式觸控面板係為全內嵌式(Fully in-cell)觸控面板時，內嵌式觸控面板中之第一導電層或第二導電層耦接至共同電壓或是切換成第一導電層及第二導電層均不耦接至共同電壓。
於一實施例中，內嵌式觸控面板中之至少一傳送電極係透過至少一傳送電極走線直接電性連接至觸控IC且觸控IC亦電性連接至驅動IC中，並可選擇是否切換至共同電壓或傳送電壓；內嵌式觸控面板中之至少一接收電極係透過至少一接收電極走線直接電性連接至驅動IC 中，並可選擇是否切換至共同電壓或接收電壓。
於一實施例中，內嵌式觸控面板中之至少一傳送電極係透過至少一傳送電極走線電性連接至驅動IC中之一傳送/接收單元且傳送/接收單元亦電性連接至觸控IC，而觸控IC亦電性連接至驅動IC中，並可選擇是否切換至共同電壓或傳送電壓；內嵌式觸控面板中之至少一接收電極係透過至少一接收電極走線直接電性連接至驅動IC中，並可選擇是否切換至共同電壓或接收電壓。
相較於先前技術，根據本創作之內嵌式觸控面板及其佈局係採用最簡化的疊層結構及觸控感測電極之設計，較容易生產且可降低成本，並可在觸控電極不與TFT元件整合的情況下將觸控電極與TFT元件層之間的驅動關係單純化，以避免傳統上內嵌式觸控面板中之觸控電極與TFT元件層整合所導致之良率不佳現象，藉以提升內嵌式觸控面板之整體效能及良率。
關於本創作之優點與精神可以藉由以下的創作詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1~2‧‧‧疊層結構
10、20、111‧‧‧基板
11、21、112‧‧‧薄膜電晶體(TFT)元件層
12、23、113‧‧‧液晶層
13、24、114‧‧‧彩色濾光層
14、25、115‧‧‧玻璃層
15‧‧‧觸控感應層
16、26‧‧‧偏光片
17‧‧‧黏合劑
18‧‧‧上覆透鏡
22‧‧‧觸控元件層
CF‧‧‧彩色濾光片
BM‧‧‧黑色矩陣光阻
M1、M2、321、323‧‧‧導電層
320、322、324‧‧‧絕緣層
TE1~TE3‧‧‧觸控電極
W1~W3‧‧‧走線
B、B1、B2‧‧‧跨橋結構
LC‧‧‧液晶單元
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
TP‧‧‧內嵌式觸控面板
TX、TX1~TX2‧‧‧傳送器電極及其走線
RX、RX1~RX2‧‧‧接收器電極及其走線
11A‧‧‧觸控與顯示IC
11B‧‧‧控制IC
120‧‧‧觸控IC
DDIC‧‧‧驅動IC
VCOM‧‧‧共同電壓
S/R‧‧‧傳送/接收單元
HV‧‧‧高電壓
LV‧‧‧低電壓
△T‧‧‧充放電時間
圖1係繪示傳統具有On-Cell疊層結構的電容式觸控面板的疊層結構示意圖。
圖2係繪示本創作之內嵌式觸控面板的疊層結構示意圖。
圖3係繪示圖2中之觸控元件層22之一實施例的疊層結構示意圖。
圖4係繪示圖3中之跨橋結構B1與觸控電極323的上視示意圖。
圖5係繪示觸控元件層22之另一實施例的疊層結構示意圖。
圖6係繪示圖5中之跨橋結構B2與觸控電極321的上視示意圖。
圖7係繪示採用網格狀的圖樣設計的導電層之示意圖。
圖8係繪示互電容觸控電極的跨橋結構之上視示意圖。
圖9係繪示觸控電極及其走線之上視示意圖。
圖10係繪示採用點自電容(node type self-capacitance)觸控感測技術之內嵌式電容式觸控面板的示意圖。
圖11及圖12係分別繪示採用點自電容觸控感測技術之內嵌式電容式觸控面板中之觸控感測電極與其走線的不同連接方式。
圖13係繪示採用點自電容觸控感測技術之內嵌式電容式觸控面板的疊層結構示意圖。
圖14及圖15係分別繪示內嵌式觸控顯示系統中之全內嵌式觸控面板之傳送器電極及接收器電極與驅動IC及觸控IC之不同設計的示意圖。
圖16A及圖16B係分別繪示一般的內嵌式觸控顯示系統與本創作的內嵌式觸控顯示系統的訊號波形圖。
根據本創作之一較佳具體實施例為一種內嵌式的電容式觸控面板。實際上，由於內嵌式的電容式觸控面板可達成最薄化的觸控面板設計，可廣泛應用於智慧型手機、平板電腦及筆記型電腦等各種可攜式消費性電子產品上。
於此實施例中，內嵌式的電容式觸控面板所適用的顯示器可以是採用橫向電場效應顯示技術(In-Plane-Switching Liquid Crystal，IPS)或由其延伸的邊界電場切換廣視角技術(Fringe Field Switching，FFS)或高階超廣視角技術(Advanced Hyper-Viewing Angle，AHVA)之顯示器，但不以此為限。
一般而言，目前市場上的主流電容式觸控感測技術應為投射式電容觸控感測技術，可分為互電容(Mutual capacitance)及自電容(Self capacitance)兩種。互電容觸控感測技術就是當觸碰發生時，會在鄰近兩電極 間產生電容耦合的現象，並由電容量變化來確定觸碰動作的發生；自電容觸控感測技術就是觸控物與電極間產生電容耦合，並量測電極的電容量變化，以確定觸碰動作的發生。
需說明的是，此實施例中之內嵌式的電容式觸控面板可採用互電容(Mutual capacitance)或自電容(Self capacitance)觸控感測技術，其觸控電極係以網格狀分佈且可視實際需求形成不同佈局以分別應用於自電容式觸控或互電容式觸控上。
此外，此實施例係將觸控電極設置於薄膜電晶體(TFT)元件層與液晶層之間，使得觸控電極整合至與顯示器的驅動元件(TFT元件)同側，但觸控電極在結構上是獨立的，並未使用到TFT元件的任何部分，藉以將觸控電極與TFT元件之間的驅動關係單純化，避免由於觸控電極與部分的TFT元件整合所導致的良率不佳問題。
接下來，將分別就此實施例之內嵌式的電容式觸控面板的疊層結構進行詳細之說明。
請參照圖2，圖2係繪示此實施例之內嵌式的電容式觸控面板之疊層結構示意圖。如圖2所示，於一實施例中，內嵌式的電容式觸控面板之疊層結構由下至上依序是：基板20、薄膜電晶體(TFT)元件層21、觸控元件層22、液晶層23、彩色濾光層24、玻璃層25及偏光片層26。其中，需特別說明的是觸控元件層22係設置於TFT元件層21與液晶層23之間。TFT元件層21之結構並無特定之限制，可以是任何可能的設計。TFT元件層21中的半導體層係由半導體材料構成，例如低溫多晶矽(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或非晶質矽(a-Si)等材料，但不以此為限。
於此實施例中，彩色濾光層24包含彩色濾光片(Color Filter)CF及黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)BM兩部分，其中黑色矩陣光阻BM具有良好的光遮蔽性，可應用於彩色濾光層24中，作為區隔紅(R)、綠(G)、藍(B)三種顏色的彩色濾光片之材料。此外，黑色矩陣光阻BM亦可用來與觸控元件層22中之觸控電極對準，藉以遮住觸控元件層22中之觸控電極，故觸控元件層22中之觸控電極除了可由透明的導電材料構成之 外，亦可由不透明的導電材料構成，均不會影像到顯示器之像素的開口率。
接著，請參照圖3，圖3係繪示觸控元件層22之一實施例的疊層結構示意圖。如圖3所示，首先，在TFT元件層21上形成絕緣層320；再於絕緣層320上形成導電層321；接著，將絕緣層322覆蓋於導電層321上；然後，在絕緣層322製作通孔(VIA)；之後，在通孔內與絕緣層322上分別形成導電層323，使得形成於通孔內的導電層323會與導電層321彼此電性連接，而形成一跨橋結構；最後，在導電層323上方形成絕緣層324。藉此，由導電層321與導電層323共同形成的跨橋結構B1係為一觸控電極(例如X方向感測電極)，其可從另一觸控電極-導電層323(例如Y方向感測電極)的下方繞過，藉以達到觸控電極跨接之功效。
需說明的是，由於此實施例中之跨橋結構B1(例如X方向感測電極)是從導電層323(例如Y方向感測電極)的下方繞過，故此實施例中之跨橋結構B1是較靠近於TFT元件層21之一側。請參照圖4，圖4係繪示圖3中之跨橋結構B1與觸控電極(導電層)323的上視示意圖。由圖4很明顯可看出：跨橋結構B1是從觸控電極(導電層)323的下方繞過。
於實際應用中，導電層321與導電層323可以是由相同的導電材料構成，亦可以是由不同的導電材料構成，並無特定之限制。同理，絕緣層320、322與324可以是由相同的有機或無機絕緣材料構成，亦可以是由不同的有機或無機絕緣材料構成，並無特定之限制。此外，由上述可知：作為X方向感測電極的跨橋結構B1係由導電層321與導電層323共同形成，這代表同一個方向的感測電極可由不同的導電層組成。
接著，請參照圖5，圖5係繪示觸控元件層22之另一實施例的疊層結構示意圖。如圖5所示，首先，在TFT元件層21上形成絕緣層320；再於絕緣層320上分別形成彼此分離的數個導電層321；接著，將絕緣層322覆蓋於該些導電層321上；然後，在絕緣層322製作通孔(VIA)；之後，在通孔內與絕緣層322上分別形成導電層323，使得形成於通孔內的導電層323會與導電層321彼此電性連接，而形成一跨橋結構B2。藉此，由導電層321與導電層323共同形成的跨橋結構B2係為一觸控電極(例如X方向感測電極)，其可從另一觸控電極-導電層321(例如Y方向感測電極)的 上方繞過，藉以達到觸控電極跨接之功效。
需說明的是，由於此實施例中之跨橋結構B2(例如X方向感測電極)是從導電層321(例如Y方向感測電極)的上方繞過，故此實施例中之跨橋結構將會是較靠近於液晶層33之一側。請參照圖6，圖6係繪示圖5中之觸控電極(導電層)321與跨橋結構B2的上視示意圖。由圖6很明顯可看出：跨橋結構B2是從觸控電極(導電層)321的上方繞過。
接下來，將就觸控元件層22中之觸控電極的圖樣(Pattern)設計進行說明。
於此實施例中，觸控電極係採用網格狀的圖樣設計，並可透過上述的跨橋結構B1或B2在適當位置進行觸控電極的跨接，再搭配斷開導電層形成斷路的方式，即可依照不同需求分別將網格狀的導電層設計為自電容觸控電極或互電容觸控電極。如圖7所示，圖7係繪示採用網格狀的圖樣設計的導電層，其中第一電極區域TE1與第二電極區域TE2之間係透過斷開導電層形成斷路的方式彼此分離；第一電極區域TE1與第三電極區域TE3之間則因B區並無斷開而彼此電性相連。
請參照圖8，圖8係繪示互電容觸控電極的跨橋結構之上視示意圖。如圖8所示，第一觸控電極TX1與TX2之間係透過跨橋結構B從第二觸控電極RX1與RX2上方跨過而彼此電性相連。
請參照圖9，圖9係繪示觸控電極及其走線之上視示意圖。如圖9所示，觸控電極TE1~TE3及其走線W1~W3可分別於在前述的不同導電層321及導電層323，可根據不同設計應用於互電容或自電容觸控感測上。
根據本創作之另一較佳具體實施例亦為一種內嵌式的電容式觸控面板。實際上，由於內嵌式的電容式觸控面板可達成最薄化的觸控面板設計，可廣泛應用於智慧型手機、平板電腦及筆記型電腦等各種可攜式消費性電子產品上。
需說明的是，此實施例中之內嵌式的電容式觸控面板係採用點自電容(node type self-capacitance)觸控感測技術，透過兩導電層將觸控電極設置於TFT元件層之基板上，其具有最簡化的疊層結構設計，並且其觸 控感測電極及其走線之設計簡單，容易生產並可降低成本。
於此實施例中，上述兩導電層包含第一導電層M1與第二導電層M2。第一導電層可以是由任何導電材料構成，其排列可以是水平排列或垂直排列，並可藉由位於具有良好光遮蔽性的黑色矩陣光阻之下方來獲得遮蔽，但不以此為限。第二導電層亦可以是由任何導電材料構成，其排列可以是水平排列、垂直排列，或交錯排列，亦可藉由位於具有良好光遮蔽性的黑色矩陣光阻之下方來獲得遮蔽，但不以此為限。實際上，第一導電層與第二導電層可彼此電性連接或彼此分離，並無特定之限制。
請參照圖10，圖10係繪示採用點自電容(Node type self-capacitance)觸控感測技術之內嵌式電容式觸控面板的示意圖。如圖10所示，內嵌式電容式觸控面板TP包含設置於下基板上的觸控感測電極M2及其走線M1。每個觸控感測電極M2均會透過其走線M1電性連接至觸控與顯示IC 11A。需說明的是，此實施例中之觸控IC與顯示IC係整合於同一晶片，但實際上兩者亦可彼此分開設置，並無特定之限制。
接著，請參照圖11及圖12，圖11及圖12係分別繪示採用點自電容觸控感測技術之內嵌式電容式觸控面板中之觸控感測電極與其走線的不同連接方式。由圖11及圖12可知：觸控感測電極M2與其走線M1之間的連接方式非常彈性，每個觸控感測電極M2可連接一條或多條走線M1，並且每個觸控感測電極M2與其走線M1之間的連接可以是對稱性或非對稱性之排列。此外，每條走線M1的走線方向亦不一定非要直線，亦可視實際需要做調整。
需說明的是，由於內嵌式電容式觸控面板中之觸控感測電極M2與其走線M1之間採用非常彈性的連接方式，這會對於內嵌式電容式觸控面板的阻抗匹配設計有所幫助。
傳統上，當觸控感測電極與其走線位於同一層時，若欲維持觸控感測電極的面積不變，則其走線佔用區域(Dead zone)的面積過大，將會影響內嵌式電容式觸控面板進行觸控感測時的準確性；若欲避免走線佔用區域的面積過大，則必須縮小觸控感測電極之面積，將會導致觸控感測電極面積大小不一，亦會影響內嵌式電容式觸控面板進行觸控感測的準確 性。
為了克服上述缺點，如圖13所示，本創作中之兩導電層M1及M2係位於上下兩層，而非位於同一層，亦即本創作中之觸控感測電極M2與其走線M1並非位於同一層，因此，此一設計可同時克服傳統上走線佔用區域的面積過大以及觸控感測電極面積大小不一等缺點，故能夠維持內嵌式電容式觸控面板進行觸控感測的準確性。
需說明的是，本創作中之兩導電層M1及M2於疊層結構中之相對位置關係並不以圖13為限，亦可依照不同的面板特性有不同的設計。
於另一實施例中，本創作揭露一種內嵌式觸控顯示系統。於此實施例中，內嵌式觸控顯示系統包含內嵌式觸控面板、驅動IC及觸控IC。其中，內嵌式觸控面板可以是全內嵌式(Fully in-cell)觸控面板，其每個像素之疊層結構可參照前述兩實施例所示，並且驅動IC及觸控IC均經過重新設計設置及連接，但不以此為限。於一實施例中，請參照圖14，內嵌式觸控面板TP中的TX電極係透過TX走線直接電性連接至觸控IC 120，且觸控IC 120亦電性連接至驅動IC DDIC中並可選擇是否切換至共同電壓VCOM；內嵌式觸控面板TP中的RX電極則係透過RX走線直接電性連接至驅動IC DDIC中，並可選擇是否切換至共同電壓VCOM或感測電壓。
於本案實施例中，內嵌式觸控面板TP中之第一導電層M1或第二導電層M2可耦接至共同電壓電極或是切換成第一導電層M1及第二導電層M2均不耦接至共同電壓電極，並無特定之限制。
於另一實施例中，請參照圖15，內嵌式觸控面板TP中的TX電極係透過TX走線電性連接至驅動IC DDIC中之傳送/接收單元S/R(shift register)，且傳送/接收單元S/R亦電性連接至觸控IC 120，而觸控IC 120亦電性連接至驅動IC DDIC中並可選擇是否切換至共同電壓VCOM；內嵌式觸控面板TP中的RX電極則係透過RX走線直接電性連接至驅動IC DDIC中並可選擇是否切換至共同電壓VCOM或感測電壓。
於本案實施例中，內嵌式觸控面板TP中之第一導電層M1或第二導電層M2可耦接至共同電壓電極或是切換成第一導電層M1及第二導電層M2均不耦接至共同電壓電極，並無特定之限制。
請參照圖16A及圖16B，圖16A及圖16B分別繪示一般的內嵌式觸控顯示系統與本創作的內嵌式觸控顯示系統的訊號波形圖。比較圖16A與圖16B可知：相較於一般的內嵌式觸控顯示系統，本創作的內嵌式觸控顯示系統可省去系統訊號從共同電壓VCOM充電至低電壓LV以及從低電壓LV放電至共同電壓VCOM所耗費的充放電時間△T，還能夠更有效地控制系統訊號的電壓準位。
相較於先前技術，根據本創作之內嵌式觸控面板及其佈局係採用最簡化的疊層結構及觸控感測電極之設計，容易生產並降低成本，並在不使用TFT元件的情況下將觸控電極與TFT元件之驅動關係單純化，以避免內嵌式觸控面板中之觸控電極與TFT元件整合所導致之良率不佳現象，藉以提升內嵌式觸控面板之整體效能及良率。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本創作之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本創作之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本創作所欲申請之專利範圍的範疇內。
21‧‧‧薄膜電晶體(TFT)元件層
22‧‧‧觸控元件層
320、322、324‧‧‧絕緣層
321、323‧‧‧導電層
B1‧‧‧跨橋結構

Claims (30)

  1. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素(Pixel)，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一薄膜電晶體元件層，設置於該基板上；一第一絕緣層，設置於該薄膜電晶體元件層上；一第一導電層，設置於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，設置於該第一導電層上；一第二導電層，設置於該第二絕緣層上；一第三絕緣層，設置於該第二導電層上；一液晶層，設置於該第三絕緣層上方；一彩色濾光層，設置於該液晶層上方；以及一玻璃層，設置於該彩色濾光層上方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層與該第二導電層均與該薄膜電晶體元件層分離且均未與該薄膜電晶體元件層進行整合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，係為一自電容觸控面板或一互電容觸控面板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層與該第二導電層均未耦接至一共同電壓電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層或該第二導電層耦接至一共同電壓電極。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及/或該第二導電層係為一跨橋結構之一部分，該跨橋結構係靠近 於該薄膜電晶體元件層之一側或靠近於該液晶層之一側。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層係透過該第三絕緣層而與該液晶層彼此隔離。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，係適用於採用橫向電場效應顯示技術(In-Plane-Switching Liquid Crystal，IPS)、邊界電場切換廣視角技術(Fringe Field Switching，FFS)或高階超廣視角技術(Advanced Hyper-Viewing Angle，AHVA)之顯示器。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該彩色濾光層包含一彩色濾光片(Color Filter)及一黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)，該黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層係位於該黑色矩陣光阻之下方。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層係為透明或不透明之導電材料所構成。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層之間彼此耦接或不耦接。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層係為水平排列、垂直排列或交錯(Mesh)排列。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之內嵌式觸控面板，其中當該內嵌式觸控面板為一互電容式觸控面板時，該互電容式觸控面板之一驅動電極係由該第一導電層及該第二導電層組成且該互電容式觸控面板之一感測電極為該第二導電層，或是該感測電極係由該第一導電層及該第二導電層組成且該驅動電極為該第二導電層。
  15. 一種內嵌式觸控面板，包含：複數個像素(Pixel)，每個像素之一疊層結構包含：一基板；一薄膜電晶體元件層，設置於該基板上，該薄膜電晶體元件層內係整合設置有一第一導電層及一第二導電層，且該第二導電層係設置於該第一導電層之上方；一液晶層，設置於該薄膜電晶體元件層上方；一彩色濾光層，設置於該液晶層上方；以及一玻璃層，設置於該彩色濾光層上方。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，其中於形成該源極及該汲極的製程中，該第一導電層亦同時形成。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，係為一點自電容(Node type self-capacitance)觸控面板。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層與該第二導電層均未耦接至一共同電壓電極。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層或該第二導電層耦接至一共同電壓電極。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層為感測電極且該第二導電層為走線，或是該第一導電層為走線且該第二導電層為感測電極。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之內嵌式觸控面板，其中該感測電極係耦接至少一條走線且該至少一條走線之方向係為直線或非直線。
  22. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，其中該彩色濾光層包含一彩色濾光片(Color Filter)及一黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)，該黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層係位於該黑色矩陣光阻之下方。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層係為透明或不透明之導電材料所構成。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層及該第二導電層之間彼此耦接或不耦接。
  26. 如申請專利範圍第15項所述之內嵌式觸控面板，其中該第一導電層係為水平排列或垂直排列且該第二導電層係為水平排列、垂直排列或交錯(Mesh)排列。
  27. 一種內嵌式觸控顯示系統，包含：如申請專利範圍第1~26項所述之內嵌式觸控面板；一驅動IC，包含一共同電壓選擇開關；以及一觸控IC，耦接至該驅動IC。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之內嵌式觸控顯示系統，其中當該內嵌式觸控面板係為全內嵌式(Fully in-cell)觸控面板時，該第一導電層或該第二導電層耦接至該共同電壓或是切換成該第一導電層及該第二導電層均不耦接至該共同電壓。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之內嵌式觸控顯示系統，其中該內嵌式觸控面板中之至少一傳送電極係透過至少一傳送電極走線直接電性連接至該觸控IC且該觸控IC亦電性連接至該驅動IC中，並可選擇是否切換至該共同電壓或傳送電壓；該內嵌式觸控面板中之至少一接收電極係透過至少一接收電極走線直接電性連接至該驅動IC中，並可選擇是否切換至該共同電壓或接收電壓。
  30. 如申請專利範圍第27項所述之內嵌式觸控顯示系統，其中該內嵌式觸控面板中之至少一傳送電極係透過至少一傳送電極走線電性連接至該驅動IC中之一傳送/接收單元且該傳送/接收單元亦電性連接至該觸控IC，而該觸控IC亦電性連接至該驅動IC中，並可選擇是否切換至該共同電壓或傳送電壓；該內嵌式觸控面板中之至少一接收電極係透過至少一接收電極走線直接電性連接至該驅動IC中，並可選擇是否切換至該共同電壓或接收電壓。
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